CS226592B1 - Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny - Google Patents

Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny Download PDF

Info

Publication number
CS226592B1
CS226592B1 CS969782A CS969782A CS226592B1 CS 226592 B1 CS226592 B1 CS 226592B1 CS 969782 A CS969782 A CS 969782A CS 969782 A CS969782 A CS 969782A CS 226592 B1 CS226592 B1 CS 226592B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
melt
crucible
metal oxides
conductor
drawing out
Prior art date
Application number
CS969782A
Other languages
English (en)
Inventor
Milan Dedek
Miroslav Holas
Jiri Ing Csc Kvapil
Josef Ing Csc Kvapil
Bohumil Ing Csc Perner
Original Assignee
Milan Dedek
Miroslav Holas
Jiri Ing Csc Kvapil
Kvapil Josef
Perner Bohumil
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Milan Dedek, Miroslav Holas, Jiri Ing Csc Kvapil, Kvapil Josef, Perner Bohumil filed Critical Milan Dedek
Priority to CS969782A priority Critical patent/CS226592B1/cs
Publication of CS226592B1 publication Critical patent/CS226592B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny, umožňující zkrátit dobu protavování výchozí suroviny před započetím tažení.
Monokrystaly oxidů kovů se v současné době užívají v celé řadě odvětví. Nejvýznamnější jsou ta použití, kde se zároveň požaduje vysoká optická propustnost a homogenita monokrystalů, jak je tomu například v aktivních materiálech pro lasery. Pokud monokrystal obsahuje inkluze cizí fáze, nesnižuje se jenom jeho optická propustnost, ale zvyšuje se zároveň nebezpečí poškozeni monokrystalu laserovým zářením, které se na cizí fázi může absorbovat a proměnit se na tepelnou energii. Přitom inkluze cizí fáze, zejména kelímkového kovu jsou * nejběžnější závadou monokrystalů oxidů kovů pěstovaných tažením z taveniny metodou Czochralskiho. Kelímkový kov je korodován nečistotatmi a to zejména sloučeninami síry nebo uhlíku, které se mohou vyskytovat ve výchozí surovině, případně i v ochranné atmosféře. Rovněž tak i sloučeniny kyslíku, pokud nejsou kompenzovány dostatečným množstvím vodíku, způsobují korozi molybdenových nebo wolframových kelímků. Zplodiny koroze, které se rozpouštějí v tavenině, se v ní opět rozkládají za vzniku jemně rozptýleného kovu, který víří v tavenině a z ní se, zejména za podmínek rychlého konvexního toku taveniny může zabudovávat do rostou- čího monokrystalu. Je zřejmé, že tato závada se vyskytuje v největší míře ihned po roztavení nové výchozí suroviny, nebo při dodání většího množství výchozí suroviny do již použitého kelímku.
Samovolné shlukování částic kovu do větších shluků a jejioh usazování na dně kelímku je relativně pomalé, což výrazně prodlužuje dobu potřebnou k přípravě jakostního monokrystalu.
Jcó 552
Dobu potřebnou k dosažení potřebné čistoty taveniny lze podstatné zkrátit způsobem čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny podle tohoto vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že do taveniny se v kruhu o poloměru odpovídajícím nejvýše jedné polovině průměru použitého kelímku se středem v bodu, do kterého směřuje hladinové proudění zavede do hloubky, odpovídající 2 až 25 % výšky kelímku měřeno od hladiny taveniny, kovový vodič o záporném potenciálu proti potenciálu kelímku a před započetím tažení ae tento vodič z taveniny vyjme. Velikost rozdílu potenciálu vodiče a kelímku závisí ne vodivosti taveniny, hloubce ponoření vodiče a dalěích faktorech, takže není vhodné jej blíže definovat. Rovněž doba ponoření vodiče do taveniny je silně proměnlivá v závislosti na výchozím znečištění taveniny, požadovaném stupni jejího vyčiření, teplotě taveniny a dalěích faktorech, které je třeba experimentálně v každém případě zvlášl ověřit.
Vždy dojde k rychlému shlůkování částic kovu v blízkosti vodiče, přičemž část tohoto kovu přilne k vodiči, část se usadí na dně kelímku. V případě, že se při pěstování použije snadno ionizovatelné atmosféry, například argonu, vzniká na vodiči, chladnějším než kelímek a tavenina samovolně záporný potenciál, což lze v případě, že vodič je od kelímku oddělen elektricky isolující vrstvou, rovněž využít k provedení způsobu podle vynálezu. Pokud je vodič dostatečně silný, pevný a pohyblivý, lze ho použít l k prostému promíchání vícesložkových tavenin při jejich přípravě z jednotlivých složek z nichž některá vykazuje výrazně zvýšení bodu tání proti bodu tání směsi.
Způsobem podle vynálezu lze tak podstatně zkrátit dobu nutnou k dosažení čistoty taveniny potřebné pro přípravu jakostních monokrystalů oxidů kovů, případně využít výchozích surovin, které obsahují například stopy síry, uhlíku nebo dalších nečistot.
Přikladl
Byly pěstovány monokrystaly korundu tažením z taveniny v iridiovém kelímku o vnitřním průměru 60 mm a vnitřní výšce 65 mm v peci s vysokofrekvenčním ohřevem a dusíkovou ochrannou atmosférou. Pokud byly monokrystaly pěstovány ihned po roztavení výchozí suroviny, byly tyto monokrystaly v horní části lehce zakaleny, což zmenšovalo jejich využitelnost v délce cca 45 mm. Pokud byla výchozí surovina před započetím pěstování udržována v roztaveném stavu po dobu 9 hodin, byl vypěstovaný monokrystal zcela čirý, protože tavenina byla na počátku pěstování dostatečně vyčiřena. Uvedenou dlouhou dobu protavování bylo možno zkrátit na 15 minut postupem podle vynálezu tím, že po roztavení byl do taveniny do hloubky 5 mm pod její hladinou v místě do kterého směřovalo proudění na hladině taveniny zaveden iridiový drát o průměru 1,2 mm, na který byl přes odpor 10 Ω připojen záporný pól akumulátoru o napětí 6 V, zatím co kladný pól byl připojen k vodou chlazenému plášti pece, který je vodivě spojen s kelímkem. Před zahájením tažení byl drát z taveniny vyjmut a vypěstované monokrystaly byly čiré v celé své délce, což odpovídá dobře vyčiřené tavenině.
Příklad 2
Byly pěstovány monokrystaly yttritohlinitého granátu o průměru 28 mm a délce 100 mm tažením z taveniny rychlosti 2 mm/hod. Ochranná atmosféra se skládala ze směsi 98 obj. % argonu a 2 obj. % vodíku. Výchozí suroviny byly taveny v molybdenovém kelímku o vnitřním průměru 80 mm a vnitřní výšce 80 mm. Ohřev byl odporový. Jako výchozích surovin bylo použito kysličníku hlinitého a yttritého, ktei’é s ohledem na spůsob příprevy obsahovely stopy sloučenin síry, které spolu s dusíkem a kyslíkem adsorbovaných na použitých kysličnících způsobovaly nepatrnou korozi na molybdenovém kelímku. Tavenina pak obsahovala jemné částečky kelímkového kovu, které se jen pomalu shlukovaly v bodu ne hladině taveniny, ležícím v ose kelímku, kam směřuje tepelné proudění taveniny. V praxi bylo možno získat monokrystal o použitelné délce 50 až 60 mm až po druhém nebo třetím pěstování nebo po neúnosně dlouhém tavení výchozích surovin. Proto byl podle vynálezu do pláště pece přes pružnou izolační spojku zaveden molybdenový drát o průměru 2 mm, kterým byla tavenina, připravovaná z výchozích kysličníků promíchávána, čímž se také daleko rychleji roztavil kysličník yttritý a poté byl drát umístěn tak, že v ose kelímku zasahoval do taveniny 10 mm hluboko pod její hladinu v místech, kam směřovalo hladinové proudění. Vlivem teplem ionizované atmosféry a teplotního gradientu v ní, se na tyči ustálil potenciál - 0,015 V proti kelímku. Za uvedených podmínek se tavenina vyčiřila za 15 až 20 min a po vyjmutí drátu bylo započato s tažením, při kterém byly vypěstovány monokrystaly o použitelné délce 75 ež 80 mm.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny, vyznačený tím, že se do taveniny v kruhu o poloměru odpovídajícím nejvýše jedné polovině použitého kelímku se středem v bodu, do něhož směřuje hladinové proudění, zavede do hloubky, odpovídající 2 až 25 % výšky kelímku, měřeno od hladiny taveniny, kovový vodič o záporném potenciálu proti potenciálu kelímku a před započetím tažení se tento vodič z taveniny vyjme.
CS969782A 1982-12-27 1982-12-27 Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny CS226592B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS969782A CS226592B1 (cs) 1982-12-27 1982-12-27 Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS969782A CS226592B1 (cs) 1982-12-27 1982-12-27 Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS226592B1 true CS226592B1 (cs) 1984-04-16

Family

ID=5446104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS969782A CS226592B1 (cs) 1982-12-27 1982-12-27 Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS226592B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2402582A (en) Preparation of silicon materials
US4666681A (en) Apparatus for producing a monocrystal
WO2014203577A1 (ja) ガーネット型単結晶とその製造方法
EP1199387B1 (en) Method for growing single crystal of semiconductor
JP4905138B2 (ja) 酸化アルミニウム単結晶の製造方法
US4944925A (en) Apparatus for producing single crystals
EP0765406B1 (en) Improvements in crystal growth
JP7078933B2 (ja) 鉄ガリウム合金単結晶育成用種結晶
EP1234899A2 (en) A single crystal and method of manufacturing same
US3899304A (en) Process of growing crystals
CS226592B1 (cs) Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny
JP6436073B2 (ja) CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法
JP2019163187A (ja) 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法
Bruni Gadolinium gallium garnet
JPH06199597A (ja) 酸化アルミニウム単結晶の製造方法
JPH0411513B2 (cs)
US5785753A (en) Single crystal manufacturing method
JP7318884B2 (ja) 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法
JP7349100B2 (ja) FeGa単結晶育成用種結晶及びFeGa単結晶の製造方法
Wilcox et al. Czochralski growth of CuCl
JP2019167268A (ja) ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法
JPH03141187A (ja) 単結晶育成方法
JP2002029881A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JPS58176197A (ja) シリコン単結晶の製造方法および製造装置
JPS6317290A (ja) 残存原料の除去方法