CS226592B1 - Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny - Google Patents
Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny Download PDFInfo
- Publication number
- CS226592B1 CS226592B1 CS969782A CS969782A CS226592B1 CS 226592 B1 CS226592 B1 CS 226592B1 CS 969782 A CS969782 A CS 969782A CS 969782 A CS969782 A CS 969782A CS 226592 B1 CS226592 B1 CS 226592B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- melt
- crucible
- metal oxides
- conductor
- drawing out
- Prior art date
Links
- 239000000155 melt Substances 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000005352 clarification Methods 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny, umožňující zkrátit dobu protavování výchozí suroviny před započetím tažení.
Monokrystaly oxidů kovů se v současné době užívají v celé řadě odvětví. Nejvýznamnější jsou ta použití, kde se zároveň požaduje vysoká optická propustnost a homogenita monokrystalů, jak je tomu například v aktivních materiálech pro lasery. Pokud monokrystal obsahuje inkluze cizí fáze, nesnižuje se jenom jeho optická propustnost, ale zvyšuje se zároveň nebezpečí poškozeni monokrystalu laserovým zářením, které se na cizí fázi může absorbovat a proměnit se na tepelnou energii. Přitom inkluze cizí fáze, zejména kelímkového kovu jsou * nejběžnější závadou monokrystalů oxidů kovů pěstovaných tažením z taveniny metodou Czochralskiho. Kelímkový kov je korodován nečistotatmi a to zejména sloučeninami síry nebo uhlíku, které se mohou vyskytovat ve výchozí surovině, případně i v ochranné atmosféře. Rovněž tak i sloučeniny kyslíku, pokud nejsou kompenzovány dostatečným množstvím vodíku, způsobují korozi molybdenových nebo wolframových kelímků. Zplodiny koroze, které se rozpouštějí v tavenině, se v ní opět rozkládají za vzniku jemně rozptýleného kovu, který víří v tavenině a z ní se, zejména za podmínek rychlého konvexního toku taveniny může zabudovávat do rostou- čího monokrystalu. Je zřejmé, že tato závada se vyskytuje v největší míře ihned po roztavení nové výchozí suroviny, nebo při dodání většího množství výchozí suroviny do již použitého kelímku.
Samovolné shlukování částic kovu do větších shluků a jejioh usazování na dně kelímku je relativně pomalé, což výrazně prodlužuje dobu potřebnou k přípravě jakostního monokrystalu.
Jcó 552
Dobu potřebnou k dosažení potřebné čistoty taveniny lze podstatné zkrátit způsobem čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny podle tohoto vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že do taveniny se v kruhu o poloměru odpovídajícím nejvýše jedné polovině průměru použitého kelímku se středem v bodu, do kterého směřuje hladinové proudění zavede do hloubky, odpovídající 2 až 25 % výšky kelímku měřeno od hladiny taveniny, kovový vodič o záporném potenciálu proti potenciálu kelímku a před započetím tažení ae tento vodič z taveniny vyjme. Velikost rozdílu potenciálu vodiče a kelímku závisí ne vodivosti taveniny, hloubce ponoření vodiče a dalěích faktorech, takže není vhodné jej blíže definovat. Rovněž doba ponoření vodiče do taveniny je silně proměnlivá v závislosti na výchozím znečištění taveniny, požadovaném stupni jejího vyčiření, teplotě taveniny a dalěích faktorech, které je třeba experimentálně v každém případě zvlášl ověřit.
Vždy dojde k rychlému shlůkování částic kovu v blízkosti vodiče, přičemž část tohoto kovu přilne k vodiči, část se usadí na dně kelímku. V případě, že se při pěstování použije snadno ionizovatelné atmosféry, například argonu, vzniká na vodiči, chladnějším než kelímek a tavenina samovolně záporný potenciál, což lze v případě, že vodič je od kelímku oddělen elektricky isolující vrstvou, rovněž využít k provedení způsobu podle vynálezu. Pokud je vodič dostatečně silný, pevný a pohyblivý, lze ho použít l k prostému promíchání vícesložkových tavenin při jejich přípravě z jednotlivých složek z nichž některá vykazuje výrazně zvýšení bodu tání proti bodu tání směsi.
Způsobem podle vynálezu lze tak podstatně zkrátit dobu nutnou k dosažení čistoty taveniny potřebné pro přípravu jakostních monokrystalů oxidů kovů, případně využít výchozích surovin, které obsahují například stopy síry, uhlíku nebo dalších nečistot.
Přikladl
Byly pěstovány monokrystaly korundu tažením z taveniny v iridiovém kelímku o vnitřním průměru 60 mm a vnitřní výšce 65 mm v peci s vysokofrekvenčním ohřevem a dusíkovou ochrannou atmosférou. Pokud byly monokrystaly pěstovány ihned po roztavení výchozí suroviny, byly tyto monokrystaly v horní části lehce zakaleny, což zmenšovalo jejich využitelnost v délce cca 45 mm. Pokud byla výchozí surovina před započetím pěstování udržována v roztaveném stavu po dobu 9 hodin, byl vypěstovaný monokrystal zcela čirý, protože tavenina byla na počátku pěstování dostatečně vyčiřena. Uvedenou dlouhou dobu protavování bylo možno zkrátit na 15 minut postupem podle vynálezu tím, že po roztavení byl do taveniny do hloubky 5 mm pod její hladinou v místě do kterého směřovalo proudění na hladině taveniny zaveden iridiový drát o průměru 1,2 mm, na který byl přes odpor 10 Ω připojen záporný pól akumulátoru o napětí 6 V, zatím co kladný pól byl připojen k vodou chlazenému plášti pece, který je vodivě spojen s kelímkem. Před zahájením tažení byl drát z taveniny vyjmut a vypěstované monokrystaly byly čiré v celé své délce, což odpovídá dobře vyčiřené tavenině.
Příklad 2
Byly pěstovány monokrystaly yttritohlinitého granátu o průměru 28 mm a délce 100 mm tažením z taveniny rychlosti 2 mm/hod. Ochranná atmosféra se skládala ze směsi 98 obj. % argonu a 2 obj. % vodíku. Výchozí suroviny byly taveny v molybdenovém kelímku o vnitřním průměru 80 mm a vnitřní výšce 80 mm. Ohřev byl odporový. Jako výchozích surovin bylo použito kysličníku hlinitého a yttritého, ktei’é s ohledem na spůsob příprevy obsahovely stopy sloučenin síry, které spolu s dusíkem a kyslíkem adsorbovaných na použitých kysličnících způsobovaly nepatrnou korozi na molybdenovém kelímku. Tavenina pak obsahovala jemné částečky kelímkového kovu, které se jen pomalu shlukovaly v bodu ne hladině taveniny, ležícím v ose kelímku, kam směřuje tepelné proudění taveniny. V praxi bylo možno získat monokrystal o použitelné délce 50 až 60 mm až po druhém nebo třetím pěstování nebo po neúnosně dlouhém tavení výchozích surovin. Proto byl podle vynálezu do pláště pece přes pružnou izolační spojku zaveden molybdenový drát o průměru 2 mm, kterým byla tavenina, připravovaná z výchozích kysličníků promíchávána, čímž se také daleko rychleji roztavil kysličník yttritý a poté byl drát umístěn tak, že v ose kelímku zasahoval do taveniny 10 mm hluboko pod její hladinu v místech, kam směřovalo hladinové proudění. Vlivem teplem ionizované atmosféry a teplotního gradientu v ní, se na tyči ustálil potenciál - 0,015 V proti kelímku. Za uvedených podmínek se tavenina vyčiřila za 15 až 20 min a po vyjmutí drátu bylo započato s tažením, při kterém byly vypěstovány monokrystaly o použitelné délce 75 ež 80 mm.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny, vyznačený tím, že se do taveniny v kruhu o poloměru odpovídajícím nejvýše jedné polovině použitého kelímku se středem v bodu, do něhož směřuje hladinové proudění, zavede do hloubky, odpovídající 2 až 25 % výšky kelímku, měřeno od hladiny taveniny, kovový vodič o záporném potenciálu proti potenciálu kelímku a před započetím tažení se tento vodič z taveniny vyjme.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS969782A CS226592B1 (cs) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS969782A CS226592B1 (cs) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS226592B1 true CS226592B1 (cs) | 1984-04-16 |
Family
ID=5446104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS969782A CS226592B1 (cs) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS226592B1 (cs) |
-
1982
- 1982-12-27 CS CS969782A patent/CS226592B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2402582A (en) | Preparation of silicon materials | |
| US4666681A (en) | Apparatus for producing a monocrystal | |
| WO2014203577A1 (ja) | ガーネット型単結晶とその製造方法 | |
| EP1199387B1 (en) | Method for growing single crystal of semiconductor | |
| JP4905138B2 (ja) | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
| US4944925A (en) | Apparatus for producing single crystals | |
| EP0765406B1 (en) | Improvements in crystal growth | |
| JP7078933B2 (ja) | 鉄ガリウム合金単結晶育成用種結晶 | |
| EP1234899A2 (en) | A single crystal and method of manufacturing same | |
| US3899304A (en) | Process of growing crystals | |
| CS226592B1 (cs) | Způsob čiření taveniny pro pěstování monokrystalů oxidů kovů tažením z taveniny | |
| JP6436073B2 (ja) | CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法 | |
| JP2019163187A (ja) | 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 | |
| Bruni | Gadolinium gallium garnet | |
| JPH06199597A (ja) | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
| JPH0411513B2 (cs) | ||
| US5785753A (en) | Single crystal manufacturing method | |
| JP7318884B2 (ja) | 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 | |
| JP7349100B2 (ja) | FeGa単結晶育成用種結晶及びFeGa単結晶の製造方法 | |
| Wilcox et al. | Czochralski growth of CuCl | |
| JP2019167268A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法 | |
| JPH03141187A (ja) | 単結晶育成方法 | |
| JP2002029881A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS58176197A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JPS6317290A (ja) | 残存原料の除去方法 |