CS221217B1 - Method of preparation of raw material for cultivating the garnet monocrystal - Google Patents

Method of preparation of raw material for cultivating the garnet monocrystal Download PDF

Info

Publication number
CS221217B1
CS221217B1 CS601681A CS601681A CS221217B1 CS 221217 B1 CS221217 B1 CS 221217B1 CS 601681 A CS601681 A CS 601681A CS 601681 A CS601681 A CS 601681A CS 221217 B1 CS221217 B1 CS 221217B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
raw material
mixture
yttrium
cycles
neodymium
Prior art date
Application number
CS601681A
Other languages
Czech (cs)
Inventor
Jan Zikmund
Original Assignee
Jan Zikmund
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Zikmund filed Critical Jan Zikmund
Priority to CS601681A priority Critical patent/CS221217B1/en
Publication of CS221217B1 publication Critical patent/CS221217B1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Způsob přípravy suroviny pro pěstování monokrystalů granátů obecného vzorce Me5Re30i2, kde Me je hliník nebo galium a Re jsou vzácné zeminy, zvláště gadolinium, yttrium, neodym, která umožňuje již při prvních pěstovacích cyklech dosáhnout re- produkovatelných a jakostních monokrystalů a odstraňuje potíže, kteiré vznikaly při pěstování ze směsi vysocečistých kysličníků, které v prvních cyklech poskytovaly krystaly tmavě až černě zbarvené. Cíle je dosaženo tím, že je použito směsi hydrato- vaných kysličníku hliníku nebo galia a šťo- vanů vzácných zemin, která po homogenizaci se žíhá na 450 °C po dobu 24 hodin a poté sintruje na vzduchu na teplotu 1450 až 1500 °C a nato isostaticky lisuje.The process for preparing the raw material for growing single crystal granules of the general formula Me5Re30i2, wherein Me is aluminum or galium and Re are rare earths, especially gadolinium, yttrium, neodymium, which allows to produce reproducible and high quality single crystals during the first growing cycles and eliminates the difficulties encountered when grown from a mixture of high purity oxides that gave crystals dark to black in the first cycles. The goal is achieved by using a mixture of hydrated alumina or gallium and rare earth juices which, after homogenization, are annealed at 450 ° C for 24 hours and then sintered in air at 1450 to 1500 ° C and then isostatically pressed.

Description

Vynález se týká způsobu přípravy suroviny pro pěstování monokrystalů granátů obecného vzorce MesRe30i2, kde Me Je hliník nebo galium, Re je yttrium, gadolinium, neodym a ostatní vzácné zeminy.The invention relates to a process for preparing a raw material for growing single crystal crystals of the formula MesRe30i2, wherein Me is aluminum or gallium, Re is yttrium, gadolinium, neodymium and other rare earths.

Pro pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu nebo galiumgadolinium1 granátu, eventuálně ostatních granátů uvedeného typu, se používá stechiometrických navážek vysoce čistých kysličníků předem isostaticky lisovaných a šmírovaných. Postup Je však značně zdlouhavý, neboť vyžaduje trojnásobnou sintraci jednotlivých kysličníků, suroviny se poměrně špatně stavují vlivem vyšších teplot tání čistých kysličníků proti bodu tání výsledného granátu, takže dochází k značnému opotřebení kelímků. Hlavní nevýhodou je však nereprodukovatelné pěstování monokrystalů granátů během prvních 3 až 6 pěstovacích cyklů, kdy dochází k růstu tmavě zbarvených až černých monokrystalů, zejména, je-li pěstovací atmosféra slabě redukční (argon s obsahem vodíku do 2 % objemových). Je to způsobeno částečnou redukcí kysličníků vzácných zemin a vznikem nestechiometrických kysličníků vlivem nutnosti použití vyšších teplot. Monokrystaly granátů, obsahujících tyto nižší kysličníky se vyznačují tmavým zbarvením a protože mají podstatně vyšší tepelnou absorpci, mění radikálně odvod tepla rostoucím monokrystalem a tím také celý teplotní režim pěstovacího systému. Proto jsou první pěstovací cykly těžko zvládnutelné, monokrystaly jsou většinou malé, nedokonalé a s nevyhovující optickou jakostí.For the cultivation of single-crystal yttrium-aluminum garnet or gallium gadolinium 1 garnet, or other garnets of this type, stoichiometric charges of highly pure oxides pre-isostatically pressed and sieved are used. However, the process is lengthy because it requires triple sintering of the individual oxides, the raw materials are relatively poorly built up due to the higher melting temperatures of the pure oxides to the melting point of the resulting garnet, so that the crucibles wear significantly. However, the main disadvantage is the unrepeatable cultivation of garnet monocrystals during the first 3 to 6 cultivation cycles, where dark colored to black monocrystals grow, especially if the cultivation atmosphere is weakly reducing (argon with hydrogen content up to 2% by volume). This is due to the partial reduction of rare earth oxides and the formation of non-stoichiometric oxides due to the need to use higher temperatures. The monocrystals of garnets containing these lower oxides are characterized by a dark coloration and, because of their substantially higher thermal absorption, radically change the heat dissipation by the growing single crystal and hence the entire temperature regime of the growing system. Therefore, the first cultivation cycles are difficult to handle, single crystals are usually small, imperfect and with poor optical quality.

Tyto obtíže se dosud odstraňují tak, že tmavě zbarvené monokrystaly se podrobí oxidační temperaci při 1500 °C a vytemperovanými krystaly, které jsou již bezbarvé a neobsahující nestechiometrické kysličníky vzácných zemin, se doplňují kelímky pro další pěstovací cykly, takže po v průměru pětinásobném opakování tohoto způsobu jsou pak další pěstovací cykly reprodukovatelné. Postup je ovšem značně zdlouhavý a neekonomický. Jsou sice známy i pokusy odstranit tyto nevýhody spolusrážením výchozích surovin jako hydroxidů nebo společným mletím kysličníků v kulovém mlýnu v prostředí organických rozpouštědel. Tyto postupy však nezaručují dodržení přesné stechtometrie produktu, nebo při nich dochází k mračnému znečištění suroviny a proto se v praxi pro pěstovací účely neužívají.To date, these problems have been eliminated by subjecting the dark-colored single crystals to oxidative tempering at 1500 ° C, and the tempered crystals, which are already colorless and free of non-stoichiometric rare earth oxides, are added to the crucibles for further growing cycles, further cultivation cycles are then reproducible. However, the procedure is lengthy and uneconomical. Attempts are also made to overcome these disadvantages by co-precipitating the starting materials such as hydroxides or by co-grinding the oxides in a ball mill in an organic solvent environment. However, these procedures do not guarantee the exact stoichiometry of the product or result in clouded contamination of the raw material and are therefore not used in practice for cultivation purposes.

Uvedené nedostatky odstraňuje způsob přípravy suroviny pro pěstování monokrystalů granátů podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se použije směsi hydratovaných kysličníků hliníku nebo galia a šťovanů vzácných zemin, směs se homogenizuje a poté žíhá při 450 °C. po dobu 24 hodin a na to se sintruje na vzduchu při teplotě 1450 až 1500 °C, chladný sintrát isostaticky lisuje a znovu podrobí oxidační sintraci při 1450 až 1500 °G, případně před isostatickým lisováním se ještě sintrát podrobí záhřevu v redukční atmosféře při teplotě 50: °C pod bodem tání výsledného granátu.These drawbacks are overcome by the process for preparing the raw material for grenade monocrystals according to the invention, which comprises using a mixture of hydrated oxides of aluminum or gallium and rare earth oxides, homogenizing the mixture and then calcining at 450 ° C. for 24 hours and thereafter sintered in air at 1450 to 1500 ° C, the cold sinterate is isostatically pressed and re-subjected to oxidative sintering at 1450 to 1500 ° C, or, prior to isostatic pressing, the sinterate is further heated in a reducing atmosphere at 50 ° C below the melting point of the resulting garnet.

Příklad 1Example 1

Byla připravena surovina pro pěstování monokrystalu yttritého granátu způsobem podle vynálezu přesrážením kysličníku yttritého čistoty 4N pro monokrystaly kyselinou štavelovou v 15%ním stechiometrickém nadbytku v prostředí zředěné kyseliny dusičné a byl získán šťovan yttritý v 95%ním výtěžku. Po jeho vysušení byl analyticky zjištěn obsah čistého kysličníku yttritého vyžíháním vzorku při 1500 °C. Stanovení bylo provedeno třikráte a to současně se stanovením obsahu kysličníku hlinitého v hydratovaném kysličníku hlinitém. Podle zjištěných přepočítáváním faktorů (pro šťovanyttritý f = 0,42980 a pro hydratovaný kysličník hlinitý f = 0,6917) byly vypočteny navážky pro přípravu směsi se stechiometrií yttritohlinitého granátu, v tomto případě na 100,0 g hydratovaného kysličníku hlinitého bylo použito 2138,85 g šíovanu yttritého. Směs byla dokonale zhomogenizována a poté žíhána na 450 °C po dobu 24 hodin do rozložení šťovanu a poté sintrována na vzduchu při teplotě 1500 °C po dobu 12 hodin. Po isostatickém vylisování byla použita pro pěstování nedotovaného monokrystalu yttritohlinitého granátu. Monokrystal byl pěstován metodou Czochralskiho z molybdenového kelímku s navážkou 450 g suroviny v mírně redukční atmosféře argonu s 2 obj. % vodíku. Získaný monokrystal o váze 220 g vykazoval dobrou optickou kvalitu a vyznačoval se namodralým zbarvením a luminiscencí, které po oxidační temperaci vymizely.The yttrium garnet monocrystalline feedstock was prepared by the method of the invention by precipitating 4N yttrium oxide for single crystals with oxalic acid in a 15% stoichiometric excess in dilute nitric acid and yielding yttrium oxalate in 95% yield. After drying, the content of pure yttrium oxide was analytically determined by calcining the sample at 1500 ° C. The determination was performed three times simultaneously with the determination of the content of alumina in the hydrated alumina. Based on the factors recalculated (for oxalitric f = 0.42980 and for hydrated alumina f = 0.6917), weights were calculated to prepare a mixture with yttrium aluminum garnet stoichiometry, in this case 2138.85 was used per 100.0 g of hydrated alumina. g spread of yttrium. The mixture was perfectly homogenized and then calcined at 450 ° C for 24 hours until decomposed and then sintered in air at 1500 ° C for 12 hours. After isostatic pressing, yttrium-aluminum garnet monocrystals were used for the cultivation of non-subsidized single crystal. The single crystal was grown by the Czochralski method from a molybdenum crucible weighing 450 g of raw material in a slightly reducing atmosphere of argon with 2 vol% hydrogen. The obtained single crystal weighing 220 g showed good optical quality and was characterized by bluish color and luminescence which disappeared after oxidative tempering.

Příklad 2Example 2

Byla připravena surovina podle vynálezu pro pěstování monokrystalu galiumneodymitého granátu. Bylo použito kysličníku galitého čistoty 5N v jemně práškovité formě s faktorem f=0,99064 a šťovanu neodymitého, připraveného srážením dusičnanu neodymitého kyselinou štavelovou v 15% přebytku. Obsah kysličníku neodymitého byl stanoven jako v příkladu 1 a zjištěn f = = '0,53366. Byla připravena směs o složení 170,64 g kysličníku galitého a 341,19 g šťovanu neodymitého, zhomogenizována, žíhána při 450 C po dobu 24i hodin a poté sintrována na vzduchu při 1450 °C a sintrát isostaticky lisován a použit pro pěstování Czochralskiho metodou z platinového kelímku a vysokofrekvenčním ohřevem v ochranné atmosféře dusíku s 5 obj. % kyslíku. Byl získán ze vsázky 400 g kvalitní fialový monokrystal o váze 150 g.A raw material according to the invention was prepared for the cultivation of a single crystal of a gallium neodymium garnet. 5N gallium oxide in finely powdered form with a factor f = 0.99064 and neodymium oxalate prepared by precipitation of neodymium nitrate with oxalic acid in a 15% excess was used. The neodymium oxide content was determined as in Example 1 and found to be f = 0.53366. A mixture of 170.64 g of gallium oxide and 341.19 g of neodymium oxalate was prepared, homogenized, calcined at 450 ° C for 24 hours and then sintered in air at 1450 ° C and sintered isostatically pressed and used for cultivation using the Platinum Platinum Czochralski method. crucible and high-frequency heating in a nitrogen atmosphere with 5% oxygen by volume. A high quality violet single crystal weighing 150 g was obtained from a batch of 400 g.

Claims (1)

Způsob přípravy suroviny pro pěstování monokrystalů granlátů obecného vzorce MesRe30i2, kde Me je hliník nebo galium a Re jsou vzácné zeminy, zejména gadolinium, yttrium nebo neodym, vyznačený tím1, že se použije1 směsi hydratovaných kysličníků hlivynalezu niku nebo galia a šťovanů vzácných zemin, směs se homogenizuje, žíhá při teplotě 450 °C po dobu 24 hodin, poté sintruje na vzduchu při teplotě 1450 až 1500 °C, chladný sintrát isostaticky lisuje a znovu podrobí oxidační sintrací při 1450 až 1500 °C.A process for the preparation of a raw material for growing single crystal crystals of the formula MesRe30i2, wherein Me is aluminum or gallium and Re is rare earths, in particular gadolinium, yttrium or neodymium, characterized in that 1 is used 1 mixture of hydrated the mixture is homogenized, calcined at 450 ° C for 24 hours, then sintered in air at 1450 to 1500 ° C, cold sinterate isostatically pressed and re-subjected to oxidative sintering at 1450 to 1500 ° C.
CS601681A 1981-08-11 1981-08-11 Method of preparation of raw material for cultivating the garnet monocrystal CS221217B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS601681A CS221217B1 (en) 1981-08-11 1981-08-11 Method of preparation of raw material for cultivating the garnet monocrystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS601681A CS221217B1 (en) 1981-08-11 1981-08-11 Method of preparation of raw material for cultivating the garnet monocrystal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS221217B1 true CS221217B1 (en) 1983-04-29

Family

ID=5406279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS601681A CS221217B1 (en) 1981-08-11 1981-08-11 Method of preparation of raw material for cultivating the garnet monocrystal

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS221217B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ303673B6 (en) * 2011-02-17 2013-02-20 Crytur Spol. S R. O. Preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ303673B6 (en) * 2011-02-17 2013-02-20 Crytur Spol. S R. O. Preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Korczak et al. Liquid encapsulated Czochralski growth of silver thiogallate
Földvári et al. Growth and properties of Bi2TeO5 single crystals
CN102011187B (en) Bismuth silicate-germanate mixed crystal and preparation method thereof
Yiting et al. Study on phase diagram of Bi2O3 SiO2 system for Bridgman growth of Bi4Si3O12 single crystal
Boutahraoui et al. Impact of growth atmosphere on langatate (La3Ga5. 5Ta0· 5O14) crystals grown by czochralski technique and its coloration
RU2654946C1 (en) METHOD FOR OBTAINING A BISMUTH GERMANATE Bi4Ge3O12
CS221217B1 (en) Method of preparation of raw material for cultivating the garnet monocrystal
Burianek et al. Crystal growth of boron sillenite Bi24B2O39
US3933990A (en) Synthesization method of ternary chalcogenides
US3939252A (en) Dilithium heptamolybdotetragadolinate
Brunskill et al. Determination of the phase diagrams, PbO Pb (Fe12Nb12) O3 and PbO Pb (Mn12Nb12) O3
US3043671A (en) Zinc oxide crystal growth method
Hrubý et al. Preparation of Cd3As2 and CdAs2 crystals by transport reaction in vapour phase
JP2000007499A (en) Method for growing langasite single crystal
SU409962A1 (en)
JPH035399A (en) Cadmium telluride crystal and its manufacturing method
JPS59152285A (en) Preparation of single crystal
JPH0250080B2 (en)
KR100321373B1 (en) Crystal Production Method of Bismuth Germanium Oxide
CN120537023A (en) Co (cobalt)3TeO6Method for growing single crystal
KR960005521B1 (en) Lithium Tantalate Single Crystal Production Method
JPH0411513B2 (en)
CN120231128A (en) Preparation method of lithium cesium molybdate crystal
JPH025720B2 (en)
RU2156327C2 (en) Method of preparing charge for growing lanthanum-gallium silicate monocrystals