CS218176B1 - Spósob vytvárania submikrometrových štruktúr - Google Patents
Spósob vytvárania submikrometrových štruktúr Download PDFInfo
- Publication number
- CS218176B1 CS218176B1 CS725880A CS725880A CS218176B1 CS 218176 B1 CS218176 B1 CS 218176B1 CS 725880 A CS725880 A CS 725880A CS 725880 A CS725880 A CS 725880A CS 218176 B1 CS218176 B1 CS 218176B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- structures
- etching
- coefficient
- resist
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Vynález sa týká spósobu vytvárania submikrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k šírke. Umožňuje pripraviť takéto štruktúry bez použitia elektromechanických metod ovrstvenia, tenších odpovedajúcích štruktúr a odstraňuje nutnost používat poměrně hrubé vrstvy elektronových rezistov, ktoré znemožňuj ú přesné vytvorenie obrazcov submikrometrových rozmerov. Vynález má použitie v mikroelektronike. 218176 2
Vynález sa týká spósobu vytvárania submikrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k ich šírke.
Doteraz známe postupy sú následovně. Jedna z metód používá za účelom zabezpečenia vysokého poměru výšky obrazcov k šírke nanesenie dvoch vrstiev rezistu oddělených tenkou kovovou vrstvou. Obrazec sa elektronovou litografiou vytvoří vo vrchnej rezistovej vrstvě, prenesie sa do kovověj vrstvy a táto potom slúži ako in — šitu maska, pre róntgenovú litografiu na spodnej rezistovej vrstvě. Iná metoda používá kombináciu elektrónovej a hlbokej UV litografie. V tomto případe vrchná vrstva neprehfiadného rezistu alebo kovu slúži ako maska pri tvarovaní spodnej rezistovej vrstvy hlbokou UV litografiou. Pri metóde je potřebné použiť vhodnú kombináciu rezistov. Nevýhodou týchto· metód je nutnost používat dva lTtógrafické postupy a používat poměrně hrubé vrstvy rezistu, ktoré znižujú vernosť přenosu obrazca.
Uvedené nevýhody v podstatnej miere odstraňuje vynález.
Podstata spósobu vytvárania submikrometrových štruktúr podfa vynálezu spočívá v tom, že na podložku sa, nanesie základná vrstva materiálu s odprašovacím koeficientem k > 1 pri energii dopadajúcich iónov orgánu 200eV, s výhodou nanesenia zlatej vrstvy, na ktorú sa, nanesie medzivrstva plazmochemicky leptatefného materiálu s odprašovacím koeficientem k - 0,4, s výhodou nanesenia medzivrstvy z niobu, v ktorej sa biograficky a pomocou plazmochemického leptania vytvoří štruktúra so submikromet- rovými rozmermi a takto vytvořená medzivrstva tvoří masku pri přenesení obrazca do základnej vrstvy pósobením vysokofrekvenčného· výboja inertného plynu. Výhodou spósobu podfa vynálezu je, že odstraňuje nutnosť použiť dva litografické postupy, hrubé vrstvy rezistu PMMA a takisto potřebu elektrochemického zhrubovania používaného pri niektorých technológiách.
Na pripojenom výkrese a to na obr. 1 je znázorněná křemíková podložka s nanesenou vrstvou zlata, na obr. 2 je už nanesená vrstva niobu, na obr. 3 je znázorněná vytvořená rezistová (PMMA) vrstva, na obr. 4 vidieť přeneseme obrazca z rezistu do masková,cej vrstvy niobu plazmochemickým leptáním a na obr. 5 je znázorněná vytvarovaná zlatá vrstva pomocou vysokofrekvenčného leptania. Příklad
Na kremíkovú podložku sa vákuovým napařením nanesie hned’ požadovaných 300 až 400 nm zlata. Potom sa nanesie asi 50 nm hrubá vrstva niobu, ktorá sa pokryje rezistom (PMMA) polymetylmetakrylátu, v ktorom vytvoří požadovaný obrazec. Tento obrazec sa^ prenesie do vrstvy niobu reaktívnym plazmochemickým leptáním, ktoré neleptá zlatú vrstvu. V ďalšom obrazec v niobe tvoří masku pre leptanie zlatej vrstvy vo vysokofrekvenčnom výboji. Využívá sa tu velký rozdiel rozprašovacích koeficientov -niobu a, zlata. Namiestp nióbovej vrstvy je možné použiť i iný materiál, ktorý má nízký rozprašovací koeficient a ktorý je možné plazmochemicky tvarovať.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZU Spósob vytvárania submikrometrových štruktúr pomocou plazmochemického leptania a leptania vo vysokofrekvenčnom výboji inertného plynu vyznáčujúci sa tým, že na podložku sa nanesie základná vrstva materiálu s odprašovacím koeficiéntom k s 1 pri energii dopadajúcich iónov argonu 200eV, s výhodou nanesenia zlatej vrstvy, na ktorú sa nanesie medzivrstva plazmoche- micky leptatefného materiálu s odprašovacím koeficientom k < 0,4, s výhodou nanesenia medzivrstvy z niobu, v ktorej sa litograficky a pomocou plazmochemického leptania vytvoří štruktúra so submikrometrovými rozmermi a takto vytvořená medzivrstva tvoří masku pni· přenesení obrazca do základnej vrstvy pósobením vysokofrekvenčného výboja inertného plynu. 1 výkres 218176Obr. 3Obr. 4Obr. 5
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS725880A CS218176B1 (sk) | 1980-10-27 | 1980-10-27 | Spósob vytvárania submikrometrových štruktúr |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS725880A CS218176B1 (sk) | 1980-10-27 | 1980-10-27 | Spósob vytvárania submikrometrových štruktúr |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS218176B1 true CS218176B1 (sk) | 1983-02-25 |
Family
ID=5421397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS725880A CS218176B1 (sk) | 1980-10-27 | 1980-10-27 | Spósob vytvárania submikrometrových štruktúr |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS218176B1 (cs) |
-
1980
- 1980-10-27 CS CS725880A patent/CS218176B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lee et al. | Micromachining applications of a high resolution ultrathick photoresist | |
| JP2003534651A (ja) | テンプレートの製作に関する方法およびその方法で製作されるテンプレート | |
| JPS6385553A (ja) | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 | |
| IE48479B1 (en) | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns | |
| US7008737B2 (en) | Gray scale x-ray mask | |
| JPH0637065A (ja) | 基板中に多段構造を作製する方法 | |
| US6455227B1 (en) | Multilayer resist structure, and method of manufacturing three-dimensional microstructure with use thereof | |
| JP2002303992A (ja) | 微小構造の製造方法 | |
| WO1999064642A1 (en) | Method for fabricating metal nanostructures | |
| Schomburg et al. | Ti-and Be-X-ray masks with alignment windows for the LIGA process | |
| CS218176B1 (sk) | Spósob vytvárania submikrometrových štruktúr | |
| TW201237545A (en) | High resolution phase shift mask | |
| US6855646B2 (en) | Plasma polymerized electron beam resist | |
| US6514877B1 (en) | Method using sub-micron silicide structures formed by direct-write electron beam lithography for fabricating masks for extreme ultra-violet and deep ultra-violet lithography | |
| US4555460A (en) | Mask for the formation of patterns in lacquer layers by means of X-ray lithography and method of manufacturing same | |
| US5178975A (en) | High resolution X-ray mask having high aspect ratio absorber patterns | |
| Bell et al. | Atomic lithography | |
| Malmqvist et al. | Nanometer table-top proximity x-ray lithography with liquid-target laser-plasma source | |
| WO2005015308A2 (en) | Fabrication process for high resolution lithography masks using evaporated or plasma assisted electron sensitive resists with plating image reversal | |
| JP3306963B2 (ja) | ステンシルマスク形成方法 | |
| Vladimirsky et al. | X-Ray mask fabrication techniques for micromachining | |
| JPS63155618A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| US6800404B2 (en) | Method for producing a self-supporting electron-optical transparent structure, and structure produced in accordance with the method | |
| JP2830007B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6351636A (ja) | パタ−ン形成方法 |