CS214552B1 - Zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů - Google Patents

Zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů Download PDF

Info

Publication number
CS214552B1
CS214552B1 CS729679A CS729679A CS214552B1 CS 214552 B1 CS214552 B1 CS 214552B1 CS 729679 A CS729679 A CS 729679A CS 729679 A CS729679 A CS 729679A CS 214552 B1 CS214552 B1 CS 214552B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
selection
switch
switching circuit
auxiliary
vxn
Prior art date
Application number
CS729679A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiri Stefl
Original Assignee
Jiri Stefl
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Stefl filed Critical Jiri Stefl
Priority to CS729679A priority Critical patent/CS214552B1/cs
Publication of CS214552B1 publication Critical patent/CS214552B1/cs

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Vynález se týká oboru výpočetní techniky, zejména paměti číslicových zařízení. Vynález řeší problém potlačení parazitních kapacitních proudů ve výběrových vodičích feritových pamětí s maticovým výbě­ rem. - Podstata vynálezu spočívá v definování potenciálů na nevybuzených vodičích feri- , tové paměti pomocí spínacího obvodu, řízeného signálem pro rozlišení čtení a zápisu, čímž je dosaženo bezpečného uzavření diod maticového výběru u proudově nevybuzených výběrových vodičů. Vynález se může' využít ve výpočetní technice, automatizační technice, v číslicové mě­ řicí technice, v telekomunikacích á v dalších oborech využívajících feritové paměti.

Description

Vynález se týká oboru výpočetní techniky, zejména paměti číslicových zařízení.
Vynález řeší problém potlačení parazitních kapacitních proudů ve výběrových vodičích feritových pamětí s maticovým výběrem. Podstata vynálezu spočívá v definování potenciálů na nevybuzených vodičích feri- , tové paměti pomocí spínacího obvodu, řízeného signálem pro rozlišení čtení a zápisu, čímž je dosaženo bezpečného uzavření diod maticového výběru u proudově nevybuzených výběrových vodičů.
Vynález se může' využít ve výpočetní technice, automatizační technice, v číslicové měřicí technice, v telekomunikacích á v dalších oborech využívajících feritové paměti.
Vynález se. týká zapojení feritová paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů a řeší problém rozšíření pracovní oblasti feritové paměti.
V moderních feritových pamětech jsou pro ' buzení výběrových souřadnicových vodičů používány integrované výkonové budiče. Jsou-li výběrové vodiče vybírány pomocí maticového zapojení budičů; musí být výkonové budiče doplněny příslušnými výběrovými diodami. Vlivem kapacity těchto· diod, na nichž nejsou u nevybraných souřadnicových vodičů definovány potenciály, protékají nevybranými souřadnicovými vodiči při čtení i zápisu parazitní kapacitní proudy. Tyto proudy, zvláště u feritových pamětí s větší kapacitou, dosahují dosti velkých hodnot, čímž dochází ke zvýšení rušivých signálů na čtecích vodičích a k poklesu užitečných signálů vlivem narušení stavu paměťových jader; Těmito vlivy se pak snižuje spolehlivost paměti, zvyšuje Se její citlivost na změnu pracovních podmínek a druhotně se prodlužuje i její pracovní cyklus. ;
Uvedené nevýhody odstraňuje zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že první spínač pomocného integrovaného výkonového spínacího obvodu, připojený přes omezovači odpor s paralelním urychlovacím konderizátorem ke kladnému pólu napájecího zdroje,.:je spojen s anodou první pomocné diody, jejíž katoda je spojena jednak s druhým spínačem pomocného integrovaného výkonového spínacího obvodu, připojeným' na zemní pól napájecího zdroje, jednak s pomocnou sběrnicí s připojenými jednotlivými pomocnými odpory, spojenými s příslušnými horizontálními sběrnicemi maticového výběru. Každá horizontální sběrnice maticového výběru je spojena jednak s katodou příslušné první výběrové diody, jejíž, anoda je spojena přes příslušný spínač druhého výkonového spínacího obvodu s kladným pólem napájecího zciroje, jednak s anodou příslušné druhé výběrové diody, jejíž katoda -je spojena přes příslušný spínač druhého výkonového spínacího obvodu se1 zemním pólem napájecího zdroje. Na jednotlivé horizontální sběrnice· jsou současně připojeny také příslušné výběrové vodiče souřadnice X feritové paměti, jejichž druhé konce jsou spojeny jednak s katodami příslušných výběrových diod zápisu, jednak s anodami příslušných výběrových diod čtení. Anody výběrových diod zápisu, příslušných jednotil- ’ vým výběrovým vodičům souřadnice X v pořadí totožném s pořadím připojení výběrových vodičů k horizontálním sběrnicím, tvoří liché vertikální sběrnice zápisu, spojené přes příslušné zakončóvací odpory se zemním pólem napájecího, zdroje a pres příslušný, spínač .zápisu prvního výkonového spínacího obvodu s kladným pólem napájecího zdroje. Katody výběrových diod čtení, příslušných jednotlivým výběrovým vodičům, souřadnice X v pořadí totožném s pořadím připojení výběrpvých vodičů k horizontálním sběrnicím, tvoří sudé vertikální sběrnice čtení, připojené přes příslušný spínač čtení prvního výkonového spínacího obvodu na zemní pól napájecího zdroje. Spínače prvního a druhého výkonového-spínacího obvodu jsou řízeny blíže neznázorněným způsobem přes neznázorněné vstupy výkonových spínacích obvodů a ná vstup pomocného výkonového spínacího obvodu je připojen signál rozlišující čtení a zápis ve feritové paměti. Pomocná sběrnice je přitom společná pro výběrové vodiče souřadnice X i pro neznázorněné výběrové vodiče souřadnice Y.
Počet* horizontálních 1 vertikálních sběrní c maticového výběru není omezen a závisí na požadované kapacitě paměti.
Zapojení feritové paměti podle vynálezu je jednoduché a snadno realizovatelné, přičemž v důsledku· prakticky úplného potlačení parazitních kapacitních proudů se rozšíří pracovní oblast feritové paměti, a tím se zvýší i její spolehlivost při změnách pracovních podmínek. Snížením rušení je také umožněno zkrácení pracovního cyklu pamě‘ ti. · · ’
Zapojení feritové paměti podle vynálezu je znázorněno na schématu.
První VSI a druhý VS2 výkonový spínací obvod obsahují příslušné spínače 1 až 8, ktéré zajišťují spínání výběrových proudů dp výběrových vodičů VX1 až VXN souřadnice X, případně Y, feritové ktíinčiďehčhí paměti. Spínače 1 až 8 výkonových spínacích obvodů VSI, VS2 jsou řízeny blíže nežnázorněriými adresovými vstupy těchto obvodů a vstupem pro přepnutí funkce zápis - čtení, přičemž liché spínače 1, 3, 5, 7 spínají výstupy výkonových spínacích obvodů VSI, VS2 s kladným pólem napájecího zdroje +UB, kdežto sudé spínače 2, 4, 6, 8 spínají výstupy výkonových spínacích obvodů VSI, VS2 na zemní pól napájecího· zdroje. Výstupy lichých spínačů 1, 3 prvního výkonového spínače VSI jsou spojeny s lichými vertikálními sběrnicemi zápisu CV1, SV3, výstupy sudých spínačů 2, 4 prvního výkonového, spínače· VSI jsou spojeny se sudými vertikálními sběrnicemi čtení SV2, SV4. Vertikální sběrnice· zápisu SVÍ, SV3 jsou připojeny na uzemněné zákončovací odpory Rl, R2. Na první vertikální sběrnice zápisu SVÍ, SV3 jsou připojeny. anody výběrových diod zápisu BIA, D2A až DMA,
DNA, jejichž katody jsou spojeny jednak s příslušnými výběrovými vodiči VX1, VX2 až VXM, VXN, jednak s anodami příslušných výběrových diod čtení DIB, D2B až DMB,
DNB, které jsou svými katodami připojeny na vertikální sběrnice čtení SV2, SV4. Druhé konce těch výběrových vodičů VX1/ VX2 až VXM, VXN, které jsou vůči vertikálním sběrnicím umístěny ve stejném pořadí, tvoří příslušné horizontální sběrnice k, r. Horizontální sběrnice k, r jsou připojeny jednak na katodu. příslušné první výběrové diody Dk A,.Di?A, jejíž, anoda j,e spojena s příslušným lichým- spínačem 5, 7 druhého výkonového spínacího obvodu VS2,, jednak na ano, du příslušné druhé výběrové diody Dk B Ďf B, jejíž katoda je spojena s příslušným sudým spínačem 6, 8 druhého výkonového spínacího obvodu VS2. Kromě toho jsou ho-, rízontální sběrnice k, r spojeny přes pomocné odpory Rk, Rr s pomocnou sběrnici S. Po, mocná . sběrnice S je připojena ke katodě první pomocné diody DU.jejíž anoda je přes první spínač 9 pomocného integrovaného výkonového spínacího obvodu SVU a přes omezovač: odpor RU s paralelním urychlovacím kQndenzátorem CÚ připojena ke kladnému pólu napájecího zdroje. +UB. Současně Je pomocná sběrnice S spojena s druhým spí-, načein 10 pomocného spínacího obvodu VSU, připojeným: pa zemní pól napájecího zdroje.
. Pomocný, spínací obvod VSU je řízen signálem rozlišujícím zápis nebo. čtení, přiváděným na vstup BL. Zapojení souřadnice Y ícťitově, páiněti. je totožné, se zapojením souřadnice X, přičemž pomocná sběrnice S je společná oběma souřadnicím.
Funkce popsaného zapojení je následující: Při zápisu , informace. do paměti je podle zvólěrié adresy vybuzen jeden z lichých spínačů, např. 1, prvního výkonového spínacího obvodu VSI a jeden ze sudých spínačů, napr. 6, druhého výkonového spínacího, obvodu VS2, přičemž osýatní spínače těchto obvodů jsou rozepnuty. Pracovní proud protéká pak z kladného pólu . napájecího zdroje +UB přes lichý spínač. 1 prvního spínacího obvodů VSI, vertikální sběrnicí zápisů SVIJ výběrovou diodou zápisu DIA, výběrovým vodičem VX1, horizontální sběrnicí k, druhou výběrovou diodou Dk B,přes sudý spínač 6 druhého spínacího obvodu VS2 k zemnímu pólu napájecího zdroje. V pomocném spínacím obvodu VSU je vlivem signálu na '· vstupů BL sepnut spínač 9, takže na pomocnou sběrnici S je přivedeno kladné napětí z napájecího zdroje -+ UB přes omezovači odpor RU a pomocnou diodu. DU.. Přechodný děj je při spínání urychlen pomocíkapacity CU. Kladné napětí na sběrnici S definuje potenciály na nevybuzených 'horizontálních sběrnicích, r , ; . ., a tím i na všech výběrových diodách ve feritové paměti, které jsou pak bezpečně v nevodivém stavu. Tím jsou potlačeny kapacitní proudy v proudově nevypuzených výběrových vodičích VX2, VXM, VXN..
Při čtení z feritové paměti že stejné, adresy jako při předchozím zápisu jsou vybuzeny ve spínacích obvodech. VSI, VS2 spínače 2 a 5. Výběrovým vinutím VXl pak protéká proud přes výběrové diody Dk A a DIB v opačném smyslu než při zápisu. V pomocném spínacím obvodu VSU je sepnut spínač 10 a na pomocné sběrnici S je zemní potenciál. Tím je opět zaručen nevodivý stav všech nevybuzených výběrových diod, takže jsou potlačeny kapacitní proudy v proudově nevybuzených výběrových vodičích VX2, VXM, .VXN.',. .....'
Zapojení na schématu je současně příkladem použití, neboť představuje libovolně rozšiřitelný moduVzapojení skutečné feritové paměti. · · c .

Claims (2)

1, Zápp.jení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů,, vyznačující &e tím, že. první spínač (9) pomocného integrovaného výkonového spínacího obvodu ( VSUJ, připojený přes omezovači odpor (RU) s paralelním urychlovacím kondenzátorem (CU)ke .kladnému pólu napájecího zdroje (j-UpJ/jě spojen s anodou .první pomocné diody (DU), jejíž katoda je spojena jednak š druhým- spínačem (10.) pomocného integrovaného. výkonového spínacího obvodu (VSU), připojeným na zemní Pól napájecího zdroje,/jednak s, pomocnou sběrnicí (S) s připojenými jednotlivými pomocnými odpory (Rk, Ri ),· spojenými s příslušnými horizontálními, sběrnicemi (k, r) maticového výběru, .přičemž. každá horizontální sběrnice (k, r) maticového výběru je spojena jednak s katodou příslušné první výběrové diody Dk A, ť)r A), jejíž anoda je spojena přes příslušný spínač (5, 7) druhého výkonového spínacího obvodu (VS2) š kladným pólem vynálezu ; napájecího zdroje, jednak s anodou příslušné druhé výběrové diody {Dk B, ΟτΒ), jejíž katoda je spojena přes příslušný spínač (6, 8) druhého výkonového spínacího obvodu (VS2) .se zemním pólem napájecího zdroje, přičemž'na jednotlivé horizontální sběrnice (k, r.) jsou současně připojeny-také příslušné výběrové vodiče (VX1, VX2, až VXM, VXN) souřadnice X feritové paměti, jejichž druhé konce jsou spojeny jednak s katodami příslušných výběrových diod (DIA, D2A, až DMA, DNA) zápisu, jednak.s anodami příslušných výběrových diod čtení (DIB, D2B, ' až DMB, DNB) a přitom anody výběrových diod zápisu (DIA, D2A, až DMA, DNA) příslušných jednotlivým 'výběrovým vodičům (VX1, VX2, až VXM; VXN) souřadnice X v pořadí totožném te pořadím připojení výběrových vodičů (VXl,' VX2, až VXM,«VXN) k horizontálním sběrnicím .(k, r)' tvoří liché vertikální sběrnice zápisu (SVÍ, SV3), spojené přes příslušné zakončovací θ€(ρύύγ·' (Rl:, <R2) se zemním pólem napájecího zdroje a přes příslušný spínač zápisu (1, 3) prvního výkonového spíríacího obvodu (VSÍ) s kladným pólem napájecího zdroje (+UB), zatímco katody výběrových diod (DIB, D2B, až DMB, DNB) čtení, příslušných jednotlivým výběrovým vodičům (VX1, VX2, až VXM, VXN) souřadnice X v pořadí totožném s pořadím' připojení výběrových vodičů (VX1, VX2, až VXM, VXN) k horizontálním sběrni2 1 4 5 5 2 cím (k, r), tvoří sudé vertikální sběrnice čtení (SV2, SV4) připojené přes příslúšný spínač čtení (2, 4) prvního výkonového spínacího ohvodu (VSI) na zemní pól napájecího zdroje.
2. Zapojení feritové paměti podle bodu 1, vyznačené tím, že pomocná sběrnice (S) je společná pro výběrové vodiče (VX1, VX2 až VXM, VXN) souřadnice X i pro blíže neznázorněné výběrové vodiče souřadnice Y.
CS729679A 1979-10-26 1979-10-26 Zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů CS214552B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS729679A CS214552B1 (cs) 1979-10-26 1979-10-26 Zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS729679A CS214552B1 (cs) 1979-10-26 1979-10-26 Zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS214552B1 true CS214552B1 (cs) 1982-05-28

Family

ID=5421822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS729679A CS214552B1 (cs) 1979-10-26 1979-10-26 Zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS214552B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW518593B (en) Reference signal generation for magnetic random access memory devices
US3999012A (en) Graphic entry tablet with improved addressing
GB742470A (en) Improvements in or relating to electronic digital computing machines
CN104008771A (zh) 具有去耦的读/写路径的存储元件
JPH0896592A (ja) 集積回路メモリ装置
CN1347560A (zh) 对磁电阻存储器中单元电阻估值的装置
US4103349A (en) Output address decoder with gating logic for increased speed and less chip area
CS214552B1 (cs) Zapojení feritové paměti s potlačením parazitních kapacitních proudů
US3356998A (en) Memory circuit using charge storage diodes
EP0214508A3 (en) Integrated semiconducteur memory
US3846769A (en) Magnetic data storage arrangement having sequential addressing of rows
JPS63211190A (ja) メモリ回路用内部クロツク信号発生器
US3109161A (en) Electrical selection circuits
US3436750A (en) Write and read circuit arrangement for a magnetic storage with magnetizable cores
US3939454A (en) Gas discharge panel information read-out system
GB839570A (en) Improvements in magnetic storage systems
US3222658A (en) Matrix switching system
US3278909A (en) Reading and writing device for use in magnetic core storages
US3503051A (en) Word organized memory comprising flip-flops with reset means associated with each flip-flop in the form of a clearing line generator coupled to the emitter of one of the transistors of the flip-flop
SU418899A1 (cs)
US11861213B2 (en) Time-division memory control device
SU483713A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство
US3483536A (en) Coincident memory device with no separate inhibit or sensing line
JPS5891600A (ja) メモリ回路
SU799001A1 (ru) Запоминающее устройство