CS213611B1 - Nuclear reactor from the cadmium telluride - Google Patents
Nuclear reactor from the cadmium telluride Download PDFInfo
- Publication number
- CS213611B1 CS213611B1 CS768748A CS874876A CS213611B1 CS 213611 B1 CS213611 B1 CS 213611B1 CS 768748 A CS768748 A CS 768748A CS 874876 A CS874876 A CS 874876A CS 213611 B1 CS213611 B1 CS 213611B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cadmium telluride
- insulating layer
- single crystal
- detector
- nuclear reactor
- Prior art date
Links
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005025 nuclear technology Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H10F30/298—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Vynález se týká jaderného detektoru z teluridu kademnatého, který je použitelný v lékařství, v armádě a v jaderné technice.
Je známý detektor z teluridu kademnatého, jehož kontakty jsou identické. Nevýhodou tohoto detektoru je průrazné napětí na 100 V.v důsledku vysokých svodových proudů.
V popisu vynálezu u USA patentu č. 3 563 704 Je popsán dozimetr k měření ionizačního záření a vysokou energií, v němž sitlivý element tvoří struktura MOS. Záření dopadající na strukturu MOS vyvolává v izolační kysličníkové vrstvě vznik párů elektron - díra a kladného prostorového náboje. Aby začal protékat proud, který je měřítkem dávky absorbovaného záření? jé třeba detektor zahřát až na 200 °C. Druhou nevýhodou je skutečnost, že k detekci se nevyužívá celého objemu monokrystalu křemíku, což má za následek nízkou detekční účinnost.
Předmětem vynálezu, který odstraňuje uvedené nedostatky, je jaderný detektor z teluridu kademnatého s platinovou katodou nanesenou elektrolyticky na naleptanou plochu monokrystalu teluridu kademnatého a s anodovou strukturou MIS. Podstata vynálezu spočívá v tom, že hliníková anoda je vakuově napařena na izolační vrstvu zakrývající plochu monokrystalu teluridu kademnatého, přičemž celý objem monokrystalu teluridu kademnatého tvoří citlivý element detektoru.
Výhodou detektoru podle vynálezu je zmenšený svodový proud, zlepšená šumová charakteristika v důsledku sníženého svodového proudu a udržování silného elektrického pole ve velké
213 611 oblasti ochuzení, což zajiěluje vysokou účinnost a rozlišovací schopnost. Silné elektrické pole potlačuje polarizaci krystalu.
Na výkrese je znázorněn příčný řez detektorem podle vynálezu. Na Jedné straně monokrystalu 1^ teluridu kademnatého Je elektrolyticky nanesená platinová katoda 2 na vyleptané ploše monokrystalu 1. Na druhé straně monokrystalu 1 Je vakuově napařená hliníková anoda £. Mezi hliníkovou anodou £a stěnou monokrystalu 1 Je napařená izolační vrstva která má t.ioněíku
0,006 nm
Když na detektor působí ionizační zářeni, vznikají v celém objemu krystalu 1 polovodiče páry díra - elektron, a působením silného elektrického pole mezi anodou £ a katodou 2. se elektrony pohybují к anodě £ a díry ke katodě 2. Při vhodné volbě kontaktů pro vysokoohmový monokrystal 1 teluridu kademnatého lze k.detektoru přiložit vysoké napětí až 2 000 V. Elektrické signály vznikající při ozáření Jsou úměrné energii absorbovaného ionizujícího záření.
Skutečnost, že tenká izolační vrstva tvoří mezilehlou vrstvu mezi monokrystalem 1 a anodou £ z hliníku, drasticky snižuje závěrný proud.
Claims (3)
1. Jaderný detektor z teluridu kademnatého s platinovou katodou nanesenou elektrolyticky na naleptanou plochu monokrystalu teluridu kademnatého a s anodovou strukturou MIS, vyznačený tím, že hliníková anoda (4) Je vakuově napařena na izolační vrstvu (3) zakrývající plochu monokrystalu Cl), téluridu kademnatého, přičemž celý objem monokrystalu (1) teluridu kademnatého tvoří citlivý element detektoru.
2. Jaderný detektor podle bodu 1, vyznačený tím, že izolační vrstva (3) má tlouŽiku
0,004 až 0,01 .
3. Jaderný detektor podle bodu 1, vyznačený tím, že ploch monokrystalu (1) pokrytá izolační vrstvou (3) je vyleštěná.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG3197375 | 1975-12-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS213611B1 true CS213611B1 (en) | 1982-04-09 |
Family
ID=3901839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS768748A CS213611B1 (en) | 1975-12-30 | 1976-12-29 | Nuclear reactor from the cadmium telluride |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5292577A (cs) |
| CA (1) | CA1080372A (cs) |
| CS (1) | CS213611B1 (cs) |
| FR (1) | FR2337435A1 (cs) |
| GB (1) | GB1511410A (cs) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149983A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Radiation detector |
| JPS62115391A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-27 | Nippon Mining Co Ltd | ＣｄＴｅ放射線検出器 |
| JPS62226082A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Yokogawa Electric Corp | β線検出装置 |
| FR2738080B1 (fr) * | 1995-08-24 | 1997-10-31 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection de rayons x a base de semi-conducteurs |
| WO2000003266A1 (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radiation detector |
-
1976
- 1976-12-22 FR FR7638680A patent/FR2337435A1/fr active Granted
- 1976-12-22 JP JP15480676A patent/JPS5292577A/ja active Pending
- 1976-12-29 CS CS768748A patent/CS213611B1/cs unknown
- 1976-12-30 GB GB54340/76A patent/GB1511410A/en not_active Expired
- 1976-12-30 CA CA268,955A patent/CA1080372A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1511410A (en) | 1978-05-17 |
| CA1080372A (en) | 1980-06-24 |
| FR2337435A1 (fr) | 1977-07-29 |
| JPS5292577A (en) | 1977-08-04 |
| FR2337435B3 (cs) | 1979-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Deal et al. | Barrier energies in metal-silicon dioxide-silicon structures | |
| US6350989B1 (en) | Wafer-fused semiconductor radiation detector | |
| US7060523B2 (en) | Lithium-drifted silicon detector with segmented contacts | |
| GB1241379A (en) | Improvements in or relating to target structures for cathode ray tubes | |
| US2885562A (en) | Photoelectric device | |
| Kang et al. | The silicon vertex detector of the Belle II experiment | |
| CS213611B1 (en) | Nuclear reactor from the cadmium telluride | |
| US3390449A (en) | Method for preparation and encapsulation of germanium gamma ray detectors | |
| US4056726A (en) | Coaxial gamma ray detector and method therefor | |
| CN110611009B (zh) | 嵌套式三维沟槽电极硅探测器 | |
| US3863072A (en) | Semiconductor localization detector | |
| US4689649A (en) | Semiconductor radiation detector | |
| Goodman | Internal photoemission as a tool for the study of insulators | |
| US4122345A (en) | Semiconductor detector for detecting ionizing radiation | |
| RU2061282C1 (ru) | Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения | |
| US3086117A (en) | Semiconductive dosimeters | |
| JPH0550857B2 (cs) | ||
| JPS6161708B2 (cs) | ||
| US3320495A (en) | Surface-barrier diode for detecting high energy particles and method for preparing same | |
| CN108511554B (zh) | 一种方形复合式壳型电极半导体探测器的制备方法 | |
| Drummond | High Purity Germanium Radiation Detectors | |
| Williams et al. | Electron Emission from The Schottky Barrier Structure ZnS: Pt: Cs | |
| Dearnaley | Semiconductor nuclear radiation detectors | |
| JP2000292544A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP3644306B2 (ja) | 放射線検出器 |