CS213465B1 - Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě - Google Patents

Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě Download PDF

Info

Publication number
CS213465B1
CS213465B1 CS767680A CS767680A CS213465B1 CS 213465 B1 CS213465 B1 CS 213465B1 CS 767680 A CS767680 A CS 767680A CS 767680 A CS767680 A CS 767680A CS 213465 B1 CS213465 B1 CS 213465B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
temperature
gaining
connection
voltage dependent
integrated circuit
Prior art date
Application number
CS767680A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiri Pavel
Original Assignee
Jiri Pavel
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Pavel filed Critical Jiri Pavel
Priority to CS767680A priority Critical patent/CS213465B1/cs
Publication of CS213465B1 publication Critical patent/CS213465B1/cs

Links

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Description

Zapojení podle vynálezu je příkladem znázorněno na výkreeu. Integrovaný obvod (1), jehož funkce je závislá na teplotě, je připojen svými napájecími svorkami J, 8 k svorkám 2» £ zdroje napájecího napětí stabilizovaného známým způsobem pomocí Zenerovy diody 2 ® sériového odporu 6, zapojeného mezi jednu svorku 2 zdroje napájecího napětí a první vývod 2 Zenerovy diody 2· Druhý vývod 10 Zenerovy diody 2 J® připojen ke kolektoru tranzistoru 2, uvedeného do nasyceného stavu. Tranzistor 2 J® na stejném čipu, ale není využit pro současnou funkci integrovaného obvodu 1. Emitor tranzistoru 2 je připojen k druhé napájecí svorce 8 integrovaného obvodu 1' a k druhé svorce ' £' zdroje napětí.
Stabilizované napájecí napětí integrovaného obvodu 1 je dáno součtem úbytku na Zenerově diodě 2 ® zbytkového napětí tranzistoru g. Toto zbytková napětí je závislá na teplotě čipu integrovaného obvodu 1,
Zapojení podle vynálezu umožňuje vytvořit napájecí napětí závislá na zbytkovém napětí tranzistoru, které je přímo ovlivňováno teplotou čipu napájeného integrovaného obvodu, jehož částí tranzistor je. ee

Claims (1)

  1. Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě čipu napájeného integrované ho obvodu, vyznačené tím, že první svorka (9) zdroje stabilizovaného napětí je připojena na první napájecí svorku (7) integrovaného obvodu (1), zatímco druhá svorka (10) zdroje stabilizovaného napětí je připojena k druhé napájecí svorce (8) integrovaného obvodu (1) přas dráhu kolektor-emitor jednoho z tranzistorů (2), umístěných na stejném čipu.
CS767680A 1980-11-12 1980-11-12 Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě CS213465B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS767680A CS213465B1 (cs) 1980-11-12 1980-11-12 Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS767680A CS213465B1 (cs) 1980-11-12 1980-11-12 Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS213465B1 true CS213465B1 (cs) 1982-04-09

Family

ID=5426318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS767680A CS213465B1 (cs) 1980-11-12 1980-11-12 Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS213465B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900015454A (ko) 유도성 부하상의 파워 mos 트랜지스터 제어회로
KR840004280A (ko) 표시 구동장치
DE68907451D1 (de) Ausgangstreiberschaltung fuer halbleiter-ic.
KR860001374A (ko) 집적 정전류 원
ES364170A1 (es) Una disposicion de circuito electrico para proporcionar voltajes de control.
CS213465B1 (cs) Zapojení pro získání napájecího napětí závislého na teplotě
DK157468C (da) Diode til monolitisk integreret kreds
SE8603364D0 (sv) Antisaturation circuit for integrated pnp transistor with intervention characteristic definible according to a preset function
KR830006990A (ko) 정전류 회로
KR910010705A (ko) 반도체집적회로
JPS57100743A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS57147278A (en) Protecting device for mis integrated circuit
JPS567473A (en) Semiconductor switching device
IT1209647B (it) Circuito antisaturazione per transistore pnp integrato.
JPS55158647A (en) Multiple power source semiconductor integrated circuit
JPS5710815A (en) Biasing circuit
JPS57132214A (en) Constant voltage circuit
JPS5636228A (en) Photo coupling element
SU981976A2 (ru) Стабилизатор напр жени
SU957192A1 (ru) Стабилизатор посто нного тока
ATE43033T1 (de) Elektronischer schalter.
JPS5666911A (en) Protection circuit for amplifier
JPS5740977A (en) Semiconductor device
JPS5450272A (en) Lifetime testing circuit of transistors
JPS5718355A (en) Integrated circuit