CS211832B1 - Zapojení emitorového slediovače střídavých napětí - Google Patents
Zapojení emitorového slediovače střídavých napětí Download PDFInfo
- Publication number
- CS211832B1 CS211832B1 CS195080A CS195080A CS211832B1 CS 211832 B1 CS211832 B1 CS 211832B1 CS 195080 A CS195080 A CS 195080A CS 195080 A CS195080 A CS 195080A CS 211832 B1 CS211832 B1 CS 211832B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- transistor
- resistor
- base
- input
- emitter
- Prior art date
Links
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 title 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
Vynálelz se týká zapojení emitorového sledoValče (Střídavých napětí s vysokou vstupní impedancí, určeného pro použití ve tvstupních obvodech střídavě vázaných elektronických obvodů.
Tiranžistorový 'sledovač je běžnou součástí velkého množství elektronických obvodů. Používá se jialko oddělovací čten, k rolzšíření kmitočtového pásma .zesilovače, především však k izajlištění velké vstupní impedance nebo malé výstupní impedance zesilovačů a dalších elektronických obvolďů. Nejčaistěji jsou používány sleidoviače ve všeobecně známém jedmaduchém 'zapojení, a to bud s tranzistory řízenými polem FET .nebo 5 tranzistory ihipolánnímli. Použití FETů či bipo· lamích tranzistorů seibou nese .vžidy určité výhody *a nevýhody. Výholdou' FETů je, že sledovač s nimi může mít téměř Mboivolně velký .vstupní odpor; největší hodnota vstupního odporu sledovače s FETem je zpravidla omezena maximální na trhu 'dostupnou (hodnotou odporu, který je použit pro přívod přeldpětí na. bázi tranzistoru. Běžně lize dosáhnout vstupního· odporu 1070hmů, samotné FETy však umožňují dosáhnout odporu 10’ až 1O1° Ohmů. Nevýhodou sledovačů s FETy Je velká poruchovost, Vstupní kapacita řádu 10 pF, velký výstupní odpor řádu stovek Ohmů a především jejich malý a nestálý přenos napětí, pohybující se obvykle v roizmeZí 0,5 až 0,8. Tyto obvody tedy nejsou v pravém emylslu sledovací napětí, protože jejich přenos se příliš neblíží k jedničce. Vzhledem k uvedeným nevýhodám se mnoheta čalstěiji používají sledovače osazené bipolárními tranzistory, které jsou mimo jiné i podstatně levnější.
Přenos napětí Istetíovače s biipolárním .křemíkovým tranzistorem je veilimi blízký .jedničce — 0,(98 a více, je stálý v širokém rozsahu teplot, napájecích napětí, amplitud i kmitočtu signálu. Použitím tranzistorů <s velikým proudovým zesilovacím činitelem a malou kapacitou kolektorového přechodu lze při galvanickém navázání vstupu docílit největšího ,vstupního kmitočtu řádu 10ó 0'hmý a. néjmenší vstupní kapacity 5 až 10 pF.
Při střídavém ‘ navázání vstupu vazebním kondenzátorem ise celkový vstupní odpor sledovače asi o řád zmenší ,tím, že k bázi tranzistoru je nutné přilpoijit odpor pro přivádění pracovního předpětí báze.
Celkový vstupní odpor lze pak zvyšovat jen zvětšením proudového zesilovacího činitele a současným zvětšením odporu pro přivádění pracovního předpětí báze. To se obvykle realfeuje zapojením divou nebo tří tranzistorů v tzv. DarlingtonOvě zapojení. I ‘zde je všialk .maximálně dosažitelná hodnota vstupního odporu omezena (především použitelnou hodnotou odporu pro přivádění předpětí báze. 'Aby byla i tato nevýhoda potlačena, byl pro vstupní sledovače vy211832 vinut a je stále používán poměrně složitý obvod is pomocným odporem ,a ihlokoivacím konidenzátorem. V tomto ulspořáidání višak wtenikají problémy s rovnoměrností kmlitoi&tovébo průběihu přenosu a Ise istabilítou sledoívialče.
Uvedené nevýboidy odstraňuje zapojetní sledované střídavých napětí s (dvojicí tranzistorů dvojího typu vodivosti, z níž báze prvního tranzistoru je přes valzební ikondontzátor 'napojeina na vstupní svoirku, podle vynálézu. Jeho podstata spočívá v tom, že ernitor prvního tranzistoiru je nápojem na ibáizi druhého tranžilstoru ia .prostřednictvím třetího Odporu nebo elektronického zdroje piro.uldu na kolektor drulbého tranzistoru, jehož ernitor Je spojen jednak s výstupní svorkou, jednak s kolektorem prvního tranzistoru a přes první odpor s bází prvního tranzistoru.
Poidle vynáletou je (účelné, jeistliže mezi kolektor prvního tranzistoru a ernitor druhého tranzistoru je zapojena ďiolda a mezi bázi a emlitor prvního tranzistoru je zapojen druhý odpor.
Toto zapojení podle vynálezu umožňuje oproti dosavadním tranzistorovým sledovačům dosáhnout veliký vstupní odpor — 106 až 107 Ohm a nepatrnou vstupní kapacitu — několik pF — s běžnými a levnými součástkami. Další výhodou zapojení je teplotní stabilita a to, že neobsahuje kondenzátory, takže je vhodné pro integrované obvody. Jediný přívod napájení prochází přes zatěžovací odpor a výstupní svorku. Takové zapojení je mimořádně vhodné k poúžití v měřicích sondách, neboť ke spojení sondy s příslušným zařízením postačí obyčejný — popřípadě koaxiální — dvoužilový kabel.
Vynález je blíže objasněn na příkladu zapojení pomocí přiloženého výkresu.
Zapojení sledovače střídavých napětí je tvořeno prvním tranzistorem 3 a druhým tranzistorem 4. Vstupní svorka 1 je přes vazební kondenzátor 2 připojena na bázi tranzistoru 3 a výstupní svorka 9 je přes diodu 3 připojena na ernitor druhého tranzistoru 4. Kromě toho je výstupní svorka 9 spojena s kolektorem prvního tranzistoru 3, přes čtvrtý odpor 10 je spojena se svorkou 11 napájecího zdroje a přes první odpor 6 spojena s bází prvního tranzistoru 3. Ernitor pťvního tranzistoru 3 Je spojen s, bází druhého tranzistoru 4, přes druhý odpor 7 s vlastní fbáizí a přes třetí odpor 8 se zemí 12. Kolektor druhého tranzistoru 4 je též spojen se zemí 12.
První tranzistor 3 pracuje jako zesilovač proudu a druhý tranzistor 4 pracuje jako vlastní emitorový sledovač, přičemž je zjištěno plovoucí napájení báze i kolektoru prvního tranzistoru 3.
Velikost prvního a druhého odporu 6 a 7 se volí tak, aby se stejnosměrné napětí dělilo na polovinu a aby každý z nich byl větší než vstupní odpor hne prvního tranzistoru 3. Velikostí třetího odporu 8 se nastavuje pracovní proud prvního tranzistoru 3 a velikostí čtvrtého odporu 10 se nastavuje pracovní proud druhého tranzistoru 4. Je účelné volit třetí a čtvrtý odpor 8 a 10 tak, aby na nich v klidu vznikly přibližně stejné úbytky napětí a aby pracovní proud prvního tranzistoru 3 byl několikrát menší než pracovní proud druhého tranzistoru 4.
V praktickém provedení s nízkofrekvenčními tranzistory s velkým proudovým zesilovacím činitelem, s prvním a druhým odporem 6 a 7 o hodnotě Ml, třetím odporem 8 s hodnotou 22 k a čtvrtým odporem 10 s hodnotou 4k7 bylo při napájecím napětí 9 V dosaženo vstupního odporu 8 MOhmů a vstupní kapacity 3 pF. Vstupní odpor lze dále snadno zvětšit zvětšením hodnot třetího a čtvrtého odporu 8 a 10 při současném zvýšení napájecího napětí. Dalšího zvětšení vstupního odporu asi o řád se dosáhne, nahradí-li se třetí odpor 8 elektronickým zdrojem konstantního proudu.
Popisované zapojení je vhodné používat především pro vysokoimpedanční vstupní obvody, měřicí a snímací sondy pro zařízení pracující při kmitočtech od zlomků Hz do desítek MHz.
Claims (2)
1. Zapojení emltorového sledovače střídavých napětí s dvojící tranzistorů dvojího typu vodivostí, z níž báze prvního tranzistoru je přes vazební kondenzátor napojena na vstupní svorku, vyznačené tím, že ernitor prvního tranzistoru (3) je napojen na bázi druhého tranzistoru (4) a prostřednictvím třetího odporu (8) nebo elektronického zdroje proudu na kolektor druhého tranzistoru (4), jehož ernitor je spojen jednak
VYNÁLEZU s výstupní svorkou (9), jednak s kolektorem prvního tranzistoru (3) a přes první odpor (6) s bází prvního tranzistoru (3).
2. Zapojení podle bodu 1 vyznačené tím, že mezi kolektor prvního tranzistoru (3) a emitor druhého tranzistoru (4) je zapojena dioda (5) a mezi bázi a ernitor prvního tranzistoru (3). je zapojen druhý odpor (7).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS195080A CS211832B1 (cs) | 1980-03-21 | 1980-03-21 | Zapojení emitorového slediovače střídavých napětí |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS195080A CS211832B1 (cs) | 1980-03-21 | 1980-03-21 | Zapojení emitorového slediovače střídavých napětí |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS211832B1 true CS211832B1 (cs) | 1982-02-26 |
Family
ID=5355171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS195080A CS211832B1 (cs) | 1980-03-21 | 1980-03-21 | Zapojení emitorového slediovače střídavých napětí |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS211832B1 (cs) |
-
1980
- 1980-03-21 CS CS195080A patent/CS211832B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4943764A (en) | Wide dynamic range radio-frequency power sensor | |
| KR910009088B1 (ko) | 온도 안정 rf 검출기 | |
| US6559723B2 (en) | Single ended input, differential output amplifier | |
| US5122680A (en) | Precision hysteresis circuit | |
| CA1165829A (en) | Integrated amplifier arrangement | |
| US5079454A (en) | Temperature compensated FET power detector | |
| FI73548C (fi) | Oeverstroemskyddskrets foer effekttransistor. | |
| US5031066A (en) | DC isolation and protection system and circuit | |
| US4163950A (en) | Isolating differential amplifier | |
| US5585746A (en) | Current sensing circuit | |
| US5384532A (en) | Bipolar test probe | |
| US3227953A (en) | Bridge apparatus for determining the input resistance and beta figure for an in-circuit transistor | |
| USRE28851E (en) | Current transformer with active load termination | |
| KR0149650B1 (ko) | 전류 증폭기 | |
| US4398160A (en) | Current mirror circuits with field effect transistor feedback | |
| EP0147584B1 (en) | A differential amplifier | |
| KR0166362B1 (ko) | 광대역 신호 증폭기 | |
| CS211832B1 (cs) | Zapojení emitorového slediovače střídavých napětí | |
| KR910009809B1 (ko) | 버퍼와 샘플 및 홀드회로 | |
| US3628127A (en) | Voltage level shifter circuit with current ratio control of transconductive impedance of semiconductor | |
| US5808507A (en) | Temperature compensated reference voltage source | |
| JPH0590851A (ja) | 差動増幅器付き集積回路装置 | |
| US5010303A (en) | Balanced integrated circuit differential amplifier | |
| EP0836273B1 (en) | Semiconductor device | |
| Hallgren | Paralleled transconductance ultralow‐noise preamplifier |