CS209682B1 - Method of fixing the temperature of the active layer of - Google Patents
Method of fixing the temperature of the active layer of Download PDFInfo
- Publication number
- CS209682B1 CS209682B1 CS478879A CS478879A CS209682B1 CS 209682 B1 CS209682 B1 CS 209682B1 CS 478879 A CS478879 A CS 478879A CS 478879 A CS478879 A CS 478879A CS 209682 B1 CS209682 B1 CS 209682B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- temperature
- active layer
- radiation
- fixing
- power
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu měření teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů koherentního i nekoherentního záření.The invention relates to a method of measuring the temperature of the active layer of semiconductor sources of coherent and non-coherent radiation.
V současné době lze teplotu aktivní vrstvy polovodičových luminiscenčních diod měřit velmi obtížně a v podstatě jen termograficky. Tento způsob měření vyžaduje velmi nákladné zařízení a především neumožňuje sledovat rychlé dynamické změny teploty. Další způsob měření teploty aktivní vrstvy vychází z teplotní závislosti napětí na přechodu PN injekčních prvků. Tento způsob měření však s ohledem na malé teplotní změny změny napětí na přechodu PN a značný vliv ostatních jevů ovlivňujících napětí vykazuje nepřesné výsledky, které odpovídají spíše teplotním změnám celé součástky a nikoliv jen její aktivní vrstvy.At present, the temperature of the active layer of semiconductor luminescent diodes can be very difficult to measure and essentially only thermographically. This method of measurement requires very expensive equipment and, above all, it does not allow to monitor rapid dynamic temperature changes. Another method of measuring the temperature of the active layer is based on the temperature dependence of the voltage on the PN junction of the injection elements. However, due to the small temperature changes in the voltage change at the PN junction and the considerable influence of other stress-related phenomena, this method of measurement shows inaccurate results that correspond rather to the temperature changes of the whole component and not just its active layer.
Výše uvedené nevýhody odstraňuje způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že se ze statické teplotní závislostí relativního výkonu emitovaného záření při minimálním ztrátovém výkonu, který je zdola omezen možnou změnou spektrální charakteristiky záření v oblasti velmi malých proudů a shora omezen růstem teploty součástky, určí zpětně z relativní úrovně emitovaného výkonu teplota aktivní vrstvy.The above disadvantages are overcome by the method of determining the temperature of the active layer of the semiconductor radiation sources according to the invention. It is based on the fact that from the static temperature dependence of the relative power of the emitted radiation at the minimum loss power, which is limited by the possible change in the spectral characteristics of the radiation in the region of very small currents and active layer.
Výhody uvedeného způsobu podle vynálezu spočívají především v tom, že je možné měřit přímo teplotu aktivní vrstvy v závislosti na konstrukci bez nákladných zařízení, umožňuje sledovat rychlé změny teploty a má i velký význam při studiu degradacních jevů.The advantages of the method according to the invention are, in particular, that it is possible to measure the temperature of the active layer directly depending on the design without costly equipment, allows to observe rapid temperature changes and is also of great importance in studying degradation phenomena.
Vynález a jeho výhody jsou blíže objasněny na příkladu provedení pomocí připojeného výkresu, na němž obr. 1 znázorňuje dynamickou závislost relativního výkonu na délce impulsu a odvozený průběh teploty aktivní vrstvy diody Wk 16 400, obr. 2 znázorňuje statickou závislost relativního emitovaného výkonu na teplotě diody Wk 16 400.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention and its advantages are illustrated in more detail with reference to the accompanying drawing, in which FIG. 1 shows the dynamic dependence of relative power on pulse length and derived temperature profile of the active diode Wk 16 400; Wk 16 400.
Postup určování teploty aktivní vrstvy pro určitou délku impulsu je následující:The procedure for determining the temperature of the active layer for a certain pulse length is as follows:
Z dynamické závislosti relativního výkonu P na délce impulsu t podle obr. 1 se určí pro délku impulsu, například t » 1 ms, tj. bod A, pokles výkonu, jenž je &P = 0,68. Ze statické teplotní závislosti relativního výkonu emitovaného záření na obr. 2 se odečte pro pokles výkonu ΔΡ z 0,68 teplota aktivní vrstvy zv* = 62 °C. Tuto teplotu je možné vyjádřit graficky v obr. 1 pro délku impulsu t = 1 ms jako bod A a konstrukcí bod po bodu lze vyjádřit celou dynamickou závislost teploty aktivní vrstvy.From the dynamic dependence of the relative power P on the pulse length t according to FIG. 1, a decrease in power, which is & P = 0.68, is determined for the pulse length, for example t »1 ms, i.e. point A. From the static temperature dependence of the relative power of the emitted radiation in FIG. This temperature can be expressed graphically in Fig. 1 for the pulse length t = 1 ms as point A and the point-to-point construction can express the whole dynamic dependence of the temperature of the active layer.
Způsob podle vynálezu umožňuje při použití rychlých detekčních diod, například PIN, lavinových a podobně, sledovat i teplot ní změny řádu nanosekund.The method according to the invention makes it possible to monitor temperature changes of the order of nanoseconds using fast detection diodes, for example PINs, avalanches and the like.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS478879A CS209682B1 (en) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Method of fixing the temperature of the active layer of |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS478879A CS209682B1 (en) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Method of fixing the temperature of the active layer of |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS209682B1 true CS209682B1 (en) | 1981-12-31 |
Family
ID=5391426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS478879A CS209682B1 (en) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Method of fixing the temperature of the active layer of |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS209682B1 (en) |
-
1979
- 1979-07-06 CS CS478879A patent/CS209682B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US12013224B2 (en) | Contactless displacement sensor employing flexible photoelectric nanofilm | |
| Kalker et al. | Utilizing electroluminescence of SiC MOSFETs for unified junction-temperature and current sensing | |
| US6726361B2 (en) | Arrangement for measuring the temperature of an electronic circuit | |
| CS209682B1 (en) | Method of fixing the temperature of the active layer of | |
| UST102104I4 (en) | Scanning optical system adapted for linewidth measurement in semiconductor devices | |
| Dilhaire et al. | Thermoreflectance calibration procedure on a laser diode: Application to catastrophic optical facet damage analysis | |
| Bonet et al. | Carrier concentration analysis in 1.2 kV SiC Schottky diodes under current crowding | |
| US4588946A (en) | Method for measuring current at a p-n junction | |
| Meyer et al. | Two-dimensional E-field mapping with subpicosecond temporal resolution | |
| US4793704A (en) | Photometric circuit | |
| SU285710A1 (en) | The method of quality control of semiconductor devices | |
| Schmid et al. | Transient thermal analysis for VCSEL Diodes | |
| Nakwaski | An exact method of measuring the junction temperature in GaAs laser diodes | |
| Pogány et al. | Study of thermal effects in GaAs micromachined power sensor microsystems by an optical interferometer technique | |
| RU2216750C2 (en) | Procedure establishing height of potential barrier of diode with schottky barrier | |
| SU1765788A1 (en) | Method for measuring contact potential difference | |
| Bowen et al. | Analytic and experimental techniques for evaluating transient thermal characteristics of TRAPATT diodes | |
| Dilhaire et al. | Laser diode light efficiency determination by thermoreflectance microscopy | |
| SU577848A1 (en) | Method for determining parameters of beam of charged particles | |
| SU624180A1 (en) | Method of checking semiconductor device characteristics | |
| JPS56153231A (en) | Stress measuring method | |
| SU578569A1 (en) | Method of measuring temperature | |
| Wiedmann et al. | Leakage current measurement in multielectrode lasers using optical low-coherence reflectometry | |
| SU366424A1 (en) | METHOD OF MEASURING TEMPERATURE DERIVATIVE | |
| Perpiñá Giribet | Internal IR-laser deflection measurements of temperature and free-carrier concentration in power devices |