CS209682B1 - Způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření - Google Patents
Způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření Download PDFInfo
- Publication number
- CS209682B1 CS209682B1 CS478879A CS478879A CS209682B1 CS 209682 B1 CS209682 B1 CS 209682B1 CS 478879 A CS478879 A CS 478879A CS 478879 A CS478879 A CS 478879A CS 209682 B1 CS209682 B1 CS 209682B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- temperature
- active layer
- radiation
- fixing
- power
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu měření teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů koherentního i nekoherentního záření.
V současné době lze teplotu aktivní vrstvy polovodičových luminiscenčních diod měřit velmi obtížně a v podstatě jen termograficky. Tento způsob měření vyžaduje velmi nákladné zařízení a především neumožňuje sledovat rychlé dynamické změny teploty. Další způsob měření teploty aktivní vrstvy vychází z teplotní závislosti napětí na přechodu PN injekčních prvků. Tento způsob měření však s ohledem na malé teplotní změny změny napětí na přechodu PN a značný vliv ostatních jevů ovlivňujících napětí vykazuje nepřesné výsledky, které odpovídají spíše teplotním změnám celé součástky a nikoliv jen její aktivní vrstvy.
Výše uvedené nevýhody odstraňuje způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že se ze statické teplotní závislostí relativního výkonu emitovaného záření při minimálním ztrátovém výkonu, který je zdola omezen možnou změnou spektrální charakteristiky záření v oblasti velmi malých proudů a shora omezen růstem teploty součástky, určí zpětně z relativní úrovně emitovaného výkonu teplota aktivní vrstvy.
Výhody uvedeného způsobu podle vynálezu spočívají především v tom, že je možné měřit přímo teplotu aktivní vrstvy v závislosti na konstrukci bez nákladných zařízení, umožňuje sledovat rychlé změny teploty a má i velký význam při studiu degradacních jevů.
Vynález a jeho výhody jsou blíže objasněny na příkladu provedení pomocí připojeného výkresu, na němž obr. 1 znázorňuje dynamickou závislost relativního výkonu na délce impulsu a odvozený průběh teploty aktivní vrstvy diody Wk 16 400, obr. 2 znázorňuje statickou závislost relativního emitovaného výkonu na teplotě diody Wk 16 400.
Postup určování teploty aktivní vrstvy pro určitou délku impulsu je následující:
Z dynamické závislosti relativního výkonu P na délce impulsu t podle obr. 1 se určí pro délku impulsu, například t » 1 ms, tj. bod A, pokles výkonu, jenž je &P = 0,68. Ze statické teplotní závislosti relativního výkonu emitovaného záření na obr. 2 se odečte pro pokles výkonu ΔΡ z 0,68 teplota aktivní vrstvy zv* = 62 °C. Tuto teplotu je možné vyjádřit graficky v obr. 1 pro délku impulsu t = 1 ms jako bod A a konstrukcí bod po bodu lze vyjádřit celou dynamickou závislost teploty aktivní vrstvy.
Způsob podle vynálezu umožňuje při použití rychlých detekčních diod, například PIN, lavinových a podobně, sledovat i teplot ní změny řádu nanosekund.
Claims (1)
- Způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření, vyznačující se tím, že se ze statické teplotní závislosti relativního výkonu emitovaného záření při minimálním ztrátovém výkonu, který jeVYNÁLEZU zdola omezen možnou změnou spektrální charakteristiky záření v oblasti velmi malých proudů a shora omezen růstem teploty součástky, ureí zpětně z relativní úrovně emitovaného výkonu teplota aktivní vrstvy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS478879A CS209682B1 (cs) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS478879A CS209682B1 (cs) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS209682B1 true CS209682B1 (cs) | 1981-12-31 |
Family
ID=5391426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS478879A CS209682B1 (cs) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS209682B1 (cs) |
-
1979
- 1979-07-06 CS CS478879A patent/CS209682B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US12013224B2 (en) | Contactless displacement sensor employing flexible photoelectric nanofilm | |
| Kalker et al. | Utilizing electroluminescence of SiC MOSFETs for unified junction-temperature and current sensing | |
| US6726361B2 (en) | Arrangement for measuring the temperature of an electronic circuit | |
| CS209682B1 (cs) | Způsob určování teploty aktivní vrstvy polovodičových zdrojů záření | |
| UST102104I4 (en) | Scanning optical system adapted for linewidth measurement in semiconductor devices | |
| Dilhaire et al. | Thermoreflectance calibration procedure on a laser diode: Application to catastrophic optical facet damage analysis | |
| Bonet et al. | Carrier concentration analysis in 1.2 kV SiC Schottky diodes under current crowding | |
| US4588946A (en) | Method for measuring current at a p-n junction | |
| Meyer et al. | Two-dimensional E-field mapping with subpicosecond temporal resolution | |
| US4793704A (en) | Photometric circuit | |
| SU285710A1 (ru) | Способ контрол качества полупроводниковых приборов | |
| Schmid et al. | Transient thermal analysis for VCSEL Diodes | |
| Nakwaski | An exact method of measuring the junction temperature in GaAs laser diodes | |
| Pogány et al. | Study of thermal effects in GaAs micromachined power sensor microsystems by an optical interferometer technique | |
| RU2216750C2 (ru) | Способ определения высоты потенциального барьера диода с барьером шоттки | |
| SU1765788A1 (ru) | Способ измерени контактной разности потенциалов | |
| Bowen et al. | Analytic and experimental techniques for evaluating transient thermal characteristics of TRAPATT diodes | |
| Dilhaire et al. | Laser diode light efficiency determination by thermoreflectance microscopy | |
| SU577848A1 (ru) | Способ определени параметров пучка зар женных частиц | |
| SU624180A1 (ru) | Способ контрол характеристик полупроводниковых приборов | |
| JPS56153231A (en) | Stress measuring method | |
| SU578569A1 (ru) | Способ измерени температуры | |
| Wiedmann et al. | Leakage current measurement in multielectrode lasers using optical low-coherence reflectometry | |
| SU366424A1 (ru) | Способ измерения температурной производной | |
| Perpiñá Giribet | Internal IR-laser deflection measurements of temperature and free-carrier concentration in power devices |