CS208377B1 - Spósob výroby rýchlych vysokonapáťových usměrňovačích blokov - Google Patents
Spósob výroby rýchlych vysokonapáťových usměrňovačích blokov Download PDFInfo
- Publication number
- CS208377B1 CS208377B1 CS80278A CS80278A CS208377B1 CS 208377 B1 CS208377 B1 CS 208377B1 CS 80278 A CS80278 A CS 80278A CS 80278 A CS80278 A CS 80278A CS 208377 B1 CS208377 B1 CS 208377B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- voltage rectifier
- blocks
- voltage
- rectifier blocks
- diffusion
- Prior art date
Links
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Description
(54) Sposob výroby rýchlych vysokonapaťových usměrňovačích blokov
Vynález sa týká spósobu výroby rýchlych vysokonapaťových usměrňovačích blokov so střednými usměrněnými prúdmi od 2 do lOOmA.
Učelom vynálezu je vyriešiť spósob zníženia zotavovacej doby usmemovača pre možnost’ využitia vo vyšších pracovných teplotách.
Uvedeného účelu sa dosiahne zaradením vysokoteplotnej difúznej operácie, pri ktorej potřebný difuzant obsahuje platinu.
Vynález je možné využit’ pri výrobě vysokonapáťových polovodičových usměrňovačích prvkov.
Vynález sa týká spósobu výroby rýchlych vysokonapáťových usměrňovačích blokov so střednými usměrněnými průdmi od 2 do 100 mA zložených z křemíkových dosiek vodivosti typu N, na stranách ktorých sa difúznymi metodami vytvoří vrstva vodivosti typu P+ a N+, u ktorých sa rieši zníženie zotavovacej doby.
U doteraz známých rýchlych vysokonapaťových usměrňovačích blokov sa prevádza zníženie zotavovacej doby difúziou zlata. U týchto blokov je možné sice dosiahnuť potrebnú nízku zotavovaciir dobu i dostatečné závěrné napátie za izbovej teploty, avšak dosahované pomeme vysoké závěrné prúdy hlavně pri zvýšených teplotách obmedzujú ich maximálnu pracovnu teplotu, s čím súvisí znížená prevádzková spolehlivost a životnost
Horeuvedené nedostatky je možné v značnej miere znížiť použitím spósobu výroby podlá vynálezu, kde pre zníženie zotavovacej doby sa miesto difúzie zlata použije difúzia platiny.
Použitím difúzie platiny sa dosiahnu oveía nižšie závěrné prúdy hlavně u zvýšených teplót a mieme zvýšené úbytky napatia v prednom smere než u difúzie zlata. Právě u vysokonapaťových usměrňovačích blokov, ktoré sa používajú pre oblast’ středných usměrněných prúdov do desiatok mA sú zvýšené úbytky napatia v prednom smere nepodstatné a neovplyvňujú ich prevádzkové vlastnosti. Vyšší dosahovaný účinok použitím spósobu výroby podlá vynálezu je možné ozřejmit’ na vysokonapáťových usměrňovačích blokoch určených pre zdroje vysokého napatia v televíznych prijímačoch s pracovným napátím 18 kV a zotavovacou dobou nižšou ako 500 nsec. Použitím postupu podlá vynálezu sa dosiahnu závěrné prúdy pri 18 kV a teplote 90 °C 0,5—1 μΑ a úbytky napatia v prednom smere pri lOmA 20—25 V oproti doposiaT používanému postupu, kde sa dosahuje závěrných prúdov 7—20 μΑ a úbytkov napatia v prednom smere 16—20 V.
Zníženie závěrných prúdov pri zvýšených teplotách o jeden rád spósobom výroby podlá vynálezu umožňuje zvýšiť významnou mierou prevádzkovú spofahlivosť a životnost vysokonapaťových usměrňovačích blokov.
Konkrétným príkladom využitia spósobu výroby podlá vynálezu je postup výroby rýchlych vysokonapaťových usměrňovačích blokov, pri ktorom sa na křemíkových doškách vodivosti typu N so Specifickým odporom 15 až 35 Ocm vytvoří běžnými difúznymi metódami difúzna vrstva vodivosti typu P+ a z opačnej strany difúzna vrstva vodivosti typu N+ vždy na celej ploché Si dosiek. Potom sa na obe strany Si dosiek nakvapká roztok kyseliny hexachloroplatičitej v etylalkohole. Po odpaření kvapalnej zložky roztoku sa Si došky podrobia difúzii pri teplote 920 °C po dobu jednej hodiny. V ďalšom sa na Si došky napaří z obidvoch stráň vrstva hliníka a po naložení požadovaného počtu Si dosiek usporiadaných orientované sa takto zložená zostava podrobí zlievaciemu cyklu. Zliata zostava po opatření kontaktami sa rozřeže diamantovými pilami na čipy žiadaného rozměru. Získané čipy VN blokov sa chemicky upravia a po naspájkovaní prívodov a nanesení silikonového kaučuku zapúzdria do umelej hmoty lisostrikovou technikou. Takto vyrobené vysokonapáťové bloky majú zotavovaciu dobu 200—300 nsec, úbytek napatia v prednom smere pri 10 mA pod 25 V a závěrný prúd pri 18 kV a teplote 90 °C pod 1 μΑ.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZUSpósob výroby rýchlych vysokonapaťových usměrňovačích blokov so střednými usměrněnými prúdmi od 2 do 100 mA z křemíkových dosiek vodivosti typu N, na stranách ktorých sa vytvoří difúznymi metódami vrstva vodivosti typu P+ a N+ vždy na celej ploché křemíkových dosiek vyznačených tým, že na obe strany dosiek sa nanesie difuzant s obsahom platiny, došky sa podrobia difúzii, následné sa z oboch stráň napaří vrstva hliníka a po zostavení potřebného počtu křemíkových dosiek do blokov sa celý štipec podrobí ohřevu za účelom spojenia.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS80278A CS208377B1 (sk) | 1978-02-08 | 1978-02-08 | Spósob výroby rýchlych vysokonapáťových usměrňovačích blokov |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS80278A CS208377B1 (sk) | 1978-02-08 | 1978-02-08 | Spósob výroby rýchlych vysokonapáťových usměrňovačích blokov |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS208377B1 true CS208377B1 (sk) | 1981-09-15 |
Family
ID=5340827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS80278A CS208377B1 (sk) | 1978-02-08 | 1978-02-08 | Spósob výroby rýchlych vysokonapáťových usměrňovačích blokov |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS208377B1 (cs) |
-
1978
- 1978-02-08 CS CS80278A patent/CS208377B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2748041A (en) | Semiconductor devices and their manufacture | |
| CN102655030B (zh) | 导电组合物、含其的硅太阳能电池、及其制造方法 | |
| US3562020A (en) | Solar cell assembly | |
| US4256513A (en) | Photoelectric conversion device | |
| US8192651B2 (en) | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s), and methods of making thereof | |
| EP1732137A2 (en) | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof | |
| US4347262A (en) | Aluminum-magnesium alloys in low resistance contacts to silicon | |
| CN1025905C (zh) | 一种制造太阳能电池接触的改进方法 | |
| JPS63503497A (ja) | 低背面再結合太陽電池製造用ドライブスルードーピング方法 | |
| CN105074938A (zh) | 太阳能电池敷金属和互连方法 | |
| CN102496404B (zh) | 一种高效晶硅太阳电池用电极银浆 | |
| CN114283963A (zh) | 导电浆料组合物及其制备方法和应用、晶硅太阳能电池 | |
| US4375007A (en) | Silicon solar cells with aluminum-magnesium alloy low resistance contacts | |
| IE822222L (en) | Manufacture of integrated circuits by master slice methods | |
| DE2218230A1 (de) | Halbleiterbauelement mit guter Wärmeableitung | |
| CN100524834C (zh) | 铝厚膜组合物、电极、半导体器件及其制造方法 | |
| CN109313957A (zh) | 导电性糊剂及太阳能电池 | |
| CS208377B1 (sk) | Spósob výroby rýchlych vysokonapáťových usměrňovačích blokov | |
| CA1061013A (en) | Solder contacted semiconductor chips | |
| JP2015128181A (ja) | 伝導性組成物並びにこれを含むシリコン太陽電池及びその製造方法 | |
| CN100524833C (zh) | 铝厚膜组合物、电极、半导体器件及其制造方法 | |
| GB956956A (en) | Grid electrode structure and manufacturing method therefor | |
| JPS5737852A (en) | Semiconductor integrated circuit and programming method for said circuit | |
| CN103560158B (zh) | 一种边侧型高倍聚光太阳能热电分离接收器 | |
| JPS6074583A (ja) | 太陽電池の製造方法 |