CS205295B1 - Carrier of semiconductor chip of integrated circuits - Google Patents
Carrier of semiconductor chip of integrated circuits Download PDFInfo
- Publication number
- CS205295B1 CS205295B1 CS857976A CS857976A CS205295B1 CS 205295 B1 CS205295 B1 CS 205295B1 CS 857976 A CS857976 A CS 857976A CS 857976 A CS857976 A CS 857976A CS 205295 B1 CS205295 B1 CS 205295B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- carrier
- integrated circuits
- holders
- integrated circuit
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
Vynález se týká konstrukčního provedení nosníku polovodičového čipu integrovaných obvodů pouzdřených do umělé hmoty, s vyšší klimatickou odolností vývodů.
Hromadná výroba nosníků polovodičových čipů integrovaných obvodů v pevné fázi je prováděna výsekem z pasového materiálu s tepelnou dilataci přizpůsobenou materiálu polovodičového čipu. Tento způsob však klade značné nároky na konstrukci a životnost nástrojů, nebol materiál dilatačně přizpůsobený materiálu polovodičového čipu, zpravidla kovar, je značně tvrdý. Kromě toho vývody zhotovené z tohoto materiálu nemají dostatečnou klimatickou odolnost a smáčivost v pájce.
Uvedené nevýhody odstraňuje vynález konstrukčního provedení plochých nosníků polovodičového čipu integrovaného obvodu pevné fáze, vytvořený z výseku vývodů a držáků z pásového materiálu a výseku nosníku polovodičového čipu z pásového materiálu tak, že nosník polovodičového čipu z pásového materiálu dilatačně přizpůsobeného polovodičovému čipu je opatřen úchytkami, k nimž jsou připevněny pomocí svaru, pájením nebo lepením, konce držáků, vyseknutých z klimaticky odolného pásového materiálu s dobrou péjitelností.
Využitím vynálezu se podstatně zvýší životnost složitých střihových násti-ojů a dosáhne se podstatně vyšší klimatické odolnosti a smáčivosti, resp. pájitelnosti vývodů integrovaných obvodů.
Příklad konstrukčního provedení vývodů, držáků a nosníků integrovaného obvodu je popsán na přikladu pomocí výkresů. Na obr. 1 je znázorněno provedení vývodů £ a držáků 2 nosníku i z jednoho kusu pásového materiálu o tepelné dilataci přizpůsobené dilataci polovodičového čipu Obr. 2 znázorňuje výsek vývodů £ a držáků 2 z materiálu klimaticky odolného s dob205295 rou péjitelností. Obr. 3 znázorňuje nosník J polovodičového čipu 4 z materiálu dilatačně přizpůsobeného tepelné dilataci polovodičového čipu 4. Obr. 4 znázorňuje příklad upevnění nosníku J polovodičového čipu 4 na držáky 2.
Vynélqp je možno s výhodou použít při výrobě součástek, u kterých je požadovaná přizpůsobená tepelná dilatace nosníku tepelné dilataci čipu a vysoká klimatické odolnost a smáčivost vývodů.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUNosník polovodičového čipu integrovaných obvodů pevné fáze, vyznačený tím, že je zhoto vený z pásového materiálu dilatačně přizpůsobeného polovodičovému čipu a opatřeného úchytkami (5), k nimž jsou připevněny pomocí svaru, pájením nebo lepením konce držáků (2), vysek nutých z klimaticky odolného pásového materiálu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS857976A CS205295B1 (en) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | Carrier of semiconductor chip of integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS857976A CS205295B1 (en) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | Carrier of semiconductor chip of integrated circuits |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS205295B1 true CS205295B1 (en) | 1981-05-29 |
Family
ID=5436521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS857976A CS205295B1 (en) | 1976-12-24 | 1976-12-24 | Carrier of semiconductor chip of integrated circuits |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS205295B1 (cs) |
-
1976
- 1976-12-24 CS CS857976A patent/CS205295B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960012397A (ko) | 칩 사이즈 패키지형 반도체 장치의 제조 방법 | |
| DE3482014D1 (de) | Integrierte halbleiterschaltungsanordnung mit verbindungsmaterial. | |
| DE3481795D1 (de) | Kuehlungsanordnung fuer halbleiterchips. | |
| DE69122140D1 (de) | Treiberschaltung für Halbleiterlaser | |
| KR950000902A (ko) | 고온의 무연 주석 기제 다-성분 납땜 합금 | |
| DE3676836D1 (de) | Kuehlungsanordnung fuer integrierten schaltungschip. | |
| DE68918156D1 (de) | Flache Kühlungsstruktur für integrierte Schaltung. | |
| DE69023541D1 (de) | Kontaktstruktur für integrierte Halbleiterschaltung. | |
| DE59504284D1 (de) | Trägerelement für integrierten schaltkreis | |
| DE3484313D1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung. | |
| EP1229583A4 (en) | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD | |
| ES2064741T3 (es) | Elemento de soporte con al menos un circuito integrado, especialmente para el montaje en tarjetas de chips. | |
| KR930003795A (ko) | 집적 회로 접속 방법 | |
| KR950000904A (ko) | 무연의 주석, 안티몬, 비스무트 및 구리 납땜 합금 | |
| US4320412A (en) | Composite material for mounting electronic devices | |
| KR950004465A (ko) | 테스트 소켓 및 그를 이용한 노운 굳 다이 제조방법 | |
| GB1372216A (en) | Semiconductor device manufacture | |
| KR920010761A (ko) | 반도체소자실장방법 | |
| DE68907451D1 (de) | Ausgangstreiberschaltung fuer halbleiter-ic. | |
| CS205295B1 (en) | Carrier of semiconductor chip of integrated circuits | |
| DE3578830D1 (de) | Mehrschicht-waermesenkpackung fuer integrierte schaltung. | |
| JPH038113B2 (cs) | ||
| DE3581159D1 (de) | Halbleiteranordnung mit integrierter schaltung. | |
| US3395447A (en) | Method for mass producing semiconductor devices | |
| DE69003128D1 (de) | Ansteuerschaltung für Halbleiterlaser. |