CS203426B1 - Method of preparing several monocrystalline epitax layers - Google Patents
Method of preparing several monocrystalline epitax layers Download PDFInfo
- Publication number
- CS203426B1 CS203426B1 CS460978A CS460978A CS203426B1 CS 203426 B1 CS203426 B1 CS 203426B1 CS 460978 A CS460978 A CS 460978A CS 460978 A CS460978 A CS 460978A CS 203426 B1 CS203426 B1 CS 203426B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- substrate
- solution
- growth
- preparation
- plates
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims 1
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 claims 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012056 semi-solid material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Vynález se týká způsobu přípravy několika monokrystalických epitaxních vrstev. Velká část krystalizačních metod pro přípravu vrstev vychází z růstu z kapalné fáze, a to z roztoku v tavenině, neboli vysokoteplotního roztoku. Jedná se o metody kapalné epitaxe, do jejich okruhu patří metoda s překlápěním aparatury, u nichž je roztok v jedné poloze nasycován ze zdroje polovo- divého materiálu a překlopením do pracovní polohy dojde k zalití substrátu tímto roztokem. V průběhu ochlazování krystalizuje, na substrátu vrstva. Růst se přeruší zpětným překlopením tak, aby se zbylá tavenina slila pryč z růstové oblasti. Další metody spočívají v ponořování substrátu v horizontální či vertikální poloze. Destička substrátu, upevněná na držáku, se ponoří do nasyceného vysokoteplotního roztoku, kde pak při ochlazování probíhá růst krystalické vrstvy. Konečně existují metody se smykovým stíráním, a to kazetové či šoupátková. Po základové desce se zasazeným substrátem se pohybuje masívní grafitový blok s otvory obsahujícími roztok v tavenině. Posunutím tohoto bloku je roztok uveden do styku se substrátem. Po skončení růstu se blok opět posune, čímž dojde k setření zbylého roztoku.The invention relates to a process for the preparation of several monocrystalline epitaxial layers. Much of the crystallization method for the preparation of the layers is based on the growth from the liquid phase, from the solution in the melt, or the high temperature solution. They are liquid epitaxy methods, their circuit includes a flip-flop method where the solution is saturated from the source of semi-solid material in one position and the substrate is filled with this solution by tilting it to the working position. During cooling, the layer crystallizes on the substrate. Growth is interrupted by reverse flipping so that the remaining melt is poured away from the growth region. Other methods include immersing the substrate in a horizontal or vertical position. The substrate plate mounted on the holder is immersed in a saturated high temperature solution, whereupon the crystalline layer grows on cooling. Finally, there are shear wiping methods, namely cassette or slide. A massive graphite block with holes containing the solution in the melt moves along the base plate with the embedded substrate. By shifting this block, the solution is contacted with the substrate. After growth, the block is moved again to wipe off the remaining solution.
Description
Vynález se týká způsobu přípravy několika monokrystalických epitaxních vrstev.The invention relates to a process for the preparation of several monocrystalline epitaxial layers.
Velká část krystalizačních metod pro přípravu vrstev vychází z růstu z kapalné fáze, a to z roztoku v tavenině, neboli vysokoteplotního roztoku. Jedná se o metody kapalné epitaxe, do jejich okruhu patří metoda s překlápěním aparatury, u nichž je roztok v jedné poloze nasycován ze zdroje polovodivého materiálu a překlopením do pracovní polohy dojde k zalití substrátu tímto roztokem. V průběhu ochlazování krystalizuje, na substrátu vrstva. Růst se přeruší zpětným překlopením tak, aby se zbylá tavenina slila pryč z růstové oblasti.Much of the crystallization methods for preparing the layers are based on growth from the liquid phase, namely a solution in the melt, or a high temperature solution. These are liquid epitaxy methods, which include a flipping apparatus in which the solution is saturated in one position from a source of semiconductive material and by flipping it into the working position the substrate is sealed with this solution. During cooling, a layer crystallizes on the substrate. The growth is interrupted by flipping back so that the remaining melt is poured away from the growth region.
Další metody spočívají v ponořování substrátu v horizontální či vertikální poloze. Destička substrátu, upevněná na držáku, se ponoří do nasyceného vysokoteplotního roztoku, kde pak při ochlazování probíhá růst krystalické vrstvy.Other methods include submerging the substrate in a horizontal or vertical position. The substrate plate mounted on the holder is immersed in a saturated high temperature solution, where the crystalline layer grows on cooling.
Konečně existují metody se smykovým stíráním, a to kazetové či šoupátková. Po základové desce se zasazeným substrátem se pohybuje masívní grafitový blok s otvory obsahujícími roztok v tavenině. Posunutím tohoto bloku je roztok uveden do styku se substrátem. Po skončení růstu se blok opět posune, čímž dojde k setření zbylého roztoku.Finally, there are shear wiping methods, either cassette or slide. A massive graphite block with holes containing the solution in the melt is moved over the base plate with the substrate embedded therein. By sliding this block, the solution is brought into contact with the substrate. After the growth is complete, the block is again displaced, wiping off the remaining solution.
Souvislost s těmito metodami má i metoda s pohybujícím se rozpouštědlem, používaná pro přípravu objemových monokrystalů malých rozměrů. Tato metoda využívá teplotního gradientu, který způsobuje pohyb tenké zóny roztoku rozložené na ploše mezi dvěma krystaly, a to zárodečným a saturačním. Vrstva narůstá na chladnějším mezifázovém rozhraní a rozpouštění probíhá na druhém, čímž nastává zmíněný pohyb zóny směrem od zárodku k substrátu. Při těchto metodách se získává souvislá vrstva monokrystalického materiálu.The moving solvent method used for the preparation of small volume crystals is also related to these methods. This method uses a temperature gradient that causes the thin zone of the solution to spread across an area between two crystals, both seed and saturation. The layer grows at the cooler interfacial interface and dissolves on the second, thereby causing said zone movement from the seed to the substrate. In these methods a continuous layer of monocrystalline material is obtained.
Při překlápěcích a ponořovacích metodách je nezbytný velký objem roztoku, což s sebou nese větší problémy s kontrolou jeho homogenity. Tyto metody navíc nejsou izotermní, takže narostlá vrstva vykazuje koncentrační gradient. Šoupátková, případně kazetová metoda může být i izotermní, avšak v důsledku postupného vyčerpávání roztoku dochází rovněž ke vzniku koncentračního gradientu. Metoda, která v kazetovém uspořádání využívá dosycování z plynné fáze, potřebuje poměrně objemnou a složitou aparaturu, což snižuje předpoklady jejího využití v průmyslu. Metoda s pohybujícím se rozpouštědlem je určena k pěstování objemových monokrystalů, i když rozměrově omezených. Při postupu roztave203429In flipping and dipping methods, a large volume of solution is necessary, which entails greater difficulties in controlling its homogeneity. Moreover, these methods are not isothermal, so that the grown layer exhibits a concentration gradient. The slide or cassette method can also be isothermal, but the gradual depletion of the solution also results in a concentration gradient. The method, which utilizes gas phase feed in a cassette arrangement, requires a relatively voluminous and complex apparatus, which reduces the potential for industrial use. The solvent-moving method is designed to grow volumetric single crystals, although limited in size. In the process of melting203429
4 né zóny podél teplotního gradientu dochází k plynulé změně teploty a tím ke vzniku koncentračního gradientu v pěstovaném krystalu.4 zones along the temperature gradient, the temperature changes continuously and the concentration gradient in the grown crystal is formed.
Uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu způsob přípravy několika monokrystalických epitaxních vrstev polovodivé látky nebo látky obecného vzorceAccording to the invention, the above mentioned drawbacks are eliminated by a process for the preparation of several monocrystalline epitaxial layers of a semiconducting substance or a compound of the formula
R3_xRx‘Fe5-yMeyOi2 (í), kdeR 3 x R x 'Fe 5 -yMeyO 12 (i), wherein
R a R‘ jsou lanthanidy a ytrium,R and R ‘are lanthanides and yttrium,
Me hliník nebo galium, x činí 0 až 3 a y činí 0 až 5.Me is aluminum or gallium, x is 0 to 3 and y is 0 to 5.
Jeho podstata spočívá v tom, že se mezi dvě destičky z těchto látek umístí soubor granulí, výhodně kuliček, stejného nebo odlišného složení, tvořených rozpouštědlem na bázi roztavených solí, kovů nebo· jejich kysličníků, přičemž jedna destička tvoří substrát a druhá saturační zdroj, kde se substrát zahřeje na krystalizační teplotu polovodivé látky nebo látky obecného vzorce (IJ a saturační zdroj na vyšší teplotu, vytvářející teplotní gradient od 1 do 500 °C/ /milimetr.It consists in placing between the two plates of these substances a set of granules, preferably beads, of the same or different composition, consisting of a solvent based on molten salts, metals or their oxides, one plate forming a substrate and the other a saturating source, the substrate is heated to the crystallization temperature of the semiconductor or compound of formula (IJ) and the saturation source to a higher temperature, forming a temperature gradient of from 1 to 500 ° C / / millimeter.
Výhody řešení podle vynálezu spočívají především v možnosti produkovat najednou několik oddělených vrstev, a to i se vzájemně odlišným složením podle dotace jednotlivých granulí při shodném teplotním režimu pro všechny oddělené vrstvy.The advantages of the solution according to the invention lie above all in the possibility of producing several separate layers at the same time, even with a different composition according to the doping of individual granules at the same temperature regime for all separate layers.
Navrhovaný způsob v sobě nese výhody posledně popsané metody, na rozdíl od ní má však podstatnou výhodu, a to ízotermnost po celou dobu růstu. Tato vlastnost vyplývá ze skutečnosti, že navržený způsob se používá pro tenkou vrstvu (do 10 μη). Pohyb zóny na tak krátkou vzdálenost ve směru teplotního 'gradientu ^namená prakticky zanedbatelnou změnu teploty a tím i minimální koncentrační gradient v tlouštce narostlé vrstvy.The proposed method carries the advantages of the latter method, but unlike it, it has a substantial advantage, namely isothermal performance over the entire growth period. This property results from the fact that the proposed method is used for a thin film (up to 10 μη). Movement of the zone over such a short distance in the direction of the temperature gradient means a practically negligible change in temperature and thus a minimum concentration gradient in the thickness of the grown layer.
Držáky s nezávislým vnitřním vytápěním umožňují snadno dosáhnout pracovní- teploty a nastavit teplotní gradient, přičemž lze začít proces od nulové hodnoty tohoto gradientu. Vzhledem k variabilitě držáků z hlediska jejich vzájemné polohy lze celý proces rozdělit na dvě etapy; nejdříve se provede nasycení roztoku při styku se zdrojem a následující uvedení roztoku v' kontakt se substrátem tak, aby nastal vlastní růst. Řešení s přísavnými otvory dovoluje použít v podstatě libovolného tvaru destiček, jejichž velikost je omezena zdola roztečí přísavných otvorů a na druhé straně velikostí pracovního prostoru. Při růstu v úzké mezeře mezi destičkami nedochází ke kontaminaci nežádoucími příměsemi. ze stěn pracovního prostoru. Difúzi nečistot z držáků přes zdrojovou destičku či substrát není třeba uvažovat vzhledem k pomalosti difuzních procesů v tuhé látce.Holders with independent internal heating make it easy to reach the working temperature and set the temperature gradient, starting from zero. Due to the variability of the holders in terms of their relative position, the whole process can be divided into two stages; first, saturation of the solution upon contact with the source and subsequent contacting of the solution with the substrate so that self growth occurs. The suction hole solution allows the use of virtually any plate shape, the size of which is limited by the bottom pitch of the suction holes and, on the other hand, the size of the working space. Growing in a narrow gap between the plates does not contaminate with unwanted impurities. from the workspace walls. Diffusion of impurities from the holders across the source plate or substrate need not be considered due to the slowness of the diffusion processes in the solid.
Způsob podle vynálezu je v dalším blíže popsán na konkrétním příkladu provedení podle, připojeného výkresu, na němž je průřez oběma držáky a dále podle dalších příkladů.The method according to the invention is described in more detail below with reference to a specific exemplary embodiment according to the accompanying drawing, in which the cross-section of both holders is shown and further according to other examples.
Přikladl:Example:
Experiment byl proveden při homoepitaxním růstu GaAs z roztoku v tavenině Ga. Vybroušené a vyleštěné destičky GaAs orientace (110) byly štípáním rozděleny na čtverce přibližně 7X7 mm2. Tyto čtvercové destičky byly odmaštěny chloroformem a pak leptány ve směsi H2SO4: Η2Ό2: H2O v poměru 3:1:1 po dobu 5 minut. Pro další postup byly použity dvě destičky, jedna zdrojová a druhá substrátová. Po jejich opláchnutí deionizovanou vodou a osušení byla zdrojová destička 2 uchopena pomocným přísavným přípravkem a položena při vyjmutém horním držáku 1 na přísavné otvory 3 spodního držáku. Na tuto destičku byly stejným přípravkem umístěny granule 120 mg vysoce čistého Ga. Pak následovalo vytvoření podtlaku pro přisátí destičky. Na otvory horního vyjmutého držáku 1 byla přiložena substrátová destička a držák byl zasunut do pracovního prostoru tak, aby se zatím nedotýkal galia. Poté byla celá aparatura několikrát propláchnuta vodíkem. Naplněním aparatury vodíkovou atmosférou s přetlakem přibližně 5.103 Pa skončila příprava. Pak následovalo připojení vnitřního vytápění 4 držáků přes regulátor, řízený termočlánkem 5, ke zdroji elektrické energie a zahřátí na nastavenou teplotu. Na základě fázového diagramu systému Ga-As byla zvolena krystalizační teplota, například 720 °C. Teplotní gradient mezi zdrojem a substrátem byl udržován na hodnotě 15 °C/mm. Při pracovní teplotě- se nasytilo roztavené galium ze zdrojové destičky GaAs. Pro urychlení krystalizace i zvýšení homogenity roztoku lze aplikovat vibrace. Po 5 až 15 minutách byly cba držáky s destičkami k sobě přiblíženy na vzdálenost 0,3 mm, takže došlo ke smočení substrátu roztokem GaAs v tavenině Ga. Růst pak probíhal po dobu dvou hodin. Po skončení růstu se držáky od sebe oddálily a ochlazovaly rychlostí 0,4 °C/ /s až do teploty 150 °C. Při této teplotě bylo topení vypnuto a při 100 °C byl zastaven přívod vodíku. Zbytky rozpouštědla byly z destiček odleptány v HC1. Na substrátu zůstaly pouze narostlé vrstvy GaAs, jejichž plocha odpovídá velikostí granulí.The experiment was performed in Gaos homoepitaxial growth from solution in Ga melt. Grinded and polished GaAs plates of orientation (110) were split into squares of approximately 7X7 mm 2 by splitting. These square plates were degreased with chloroform and then etched in H2SO4: Η2Ό2: H2O 3: 1: 1 for 5 minutes. Two plates, one source and the other substrate, were used for the next procedure. After rinsing with deionized water and drying, the source plate 2 was gripped by an auxiliary suction cup and placed on the suction holes 3 of the bottom holder with the upper holder 1 removed. 120 mg of highly pure Ga granules were placed on this plate with the same formulation. This was followed by the formation of a vacuum to suck the plate. A substrate plate was placed on the openings of the upper removed holder 1 and the holder was inserted into the working space so as not to touch the gallium yet. The entire apparatus was then purged several times with hydrogen. By filling the apparatus with a hydrogen atmosphere with a pressure of approximately 5.10 3 Pa, the preparation was finished. This was followed by connecting the internal heating of the 4 holders via a thermocouple-controlled controller 5 to the power supply and heating to the set temperature. Based on the phase diagram of the Ga-As system, a crystallization temperature, for example 720 ° C, was selected. The temperature gradient between the source and the substrate was maintained at 15 ° C / mm. At working temperature, molten gallium from the GaAs source plate was saturated. Vibration can be applied to accelerate crystallization and increase solution homogeneity. After 5 to 15 minutes, the cba holders with the plates were brought together at a distance of 0.3 mm, so that the substrate was wetted with the GaAs solution in the Ga melt. Growth was then continued for two hours. At the end of growth, the holders were spaced apart and cooled at a rate of 0.4 ° C / s to 150 ° C. At this temperature, the heater was turned off and the hydrogen supply was stopped at 100 ° C. Residual solvent was etched from the plates in HCl. Only the overgrown layers of GaAs, whose area corresponds to the size of the granules, remained on the substrate.
Příklad 2 :Example 2:
Epitaxní růst byl rovněž aplikován na přípravu monokrystalické vrstvy tuhého roztoku o složení Alo^sGao^As heteroepitaxí na podložkách GaAs. Saturační destičky o stejném složení jako tuhý roztok, to jest AlO:35Gao;65As, byly vyrobeny z polykrystalickéh.0' materiálu připraveného odděleně. Pod203426 ložkové i saturaění destičky byly opracovány stejným způsobem jako v příkladě 1. Rovněž stejným způsobem byly, spolu s Ga, umístěny do aparatury. Další postup byl zcela obdobný postupu uvedenému v příkladě 1. Krystalizační teplota se pohybovala v rozmezí 650 — 710 °C a byla vždy pro každý experiment konstantní. Růst probíhal po dobu 2 až 4 hodin. Po jeho ukončení byl opět další postup zcela totožný s příkladem 1.Epitaxial growth was also applied to the preparation of a single crystal layer of a solid solution of the composition of Alo? SGao? As heteroepitaxis on GaAs substrates. Saturation plates of the same composition as a solid solution, i.e., Al O 3 5 Gao, 65As, were made of polykrystalickéh.0 'material prepared separately. Both the bed and fitting plates were machined in the same manner as in Example 1. They were also placed in the apparatus in the same manner as Ga. The further procedure was quite similar to that of Example 1. The crystallization temperature was in the range of 650-710 ° C and was always constant for each experiment. Growth was carried out for 2-4 hours. After its completion, the procedure was again identical to Example 1.
Příklad 3 :Example 3:
Příprava epitaxní vrstvy polovodivé sloučeniny CdTe na podložce téhož složení, tj. CdTe, byla realizována stejným postupem jako v předchozích příkladech. V tomto případě se jednalo o homoepitaxi. Jako rozpouštědlo bylo použito Cd. Krystalizační teplota se pohybovala v rozmezí 700 až 800° Celsia a byla vždy pro každý experiment konstantní. Růst probíhal 2 hod. Další postup byl opět zcela totožný s předchozími příklady.The preparation of the epitaxial layer of the semiconductive compound CdTe on a support of the same composition, ie CdTe, was carried out in the same manner as in the previous examples. This was the case of homoepitaxis. Cd was used as solvent. The crystallization temperature ranged from 700 to 800 ° C and was always constant for each experiment. Growth was 2 hours. The procedure was again identical to the previous examples.
P ř í k 1 a d 4 :Example 1 a d 4:
Příprava ternární polovodivé sloučeniny CdSnPž ve formě monokrystalické epitaxní vrstvy byla realizována heteroepitaxí na podložkách monokrystalického InP. Saturacní destičky z polykrystalického CdSnP2 byly připraveny odděleně. Další opracování podložkových i saturačních destiček bylo obdobné jako v 1. příkladě. Použitá leptadla:. HN05 : HC1 v poměru 1:1 a HF : HNOs :The preparation of the ternary semiconductive compound CdSnP2 in the form of a single crystalline epitaxial layer was carried out by heteroepitaxy on monocrystalline InP substrates. Saturation plates from polycrystalline CdSnP2 were prepared separately. Further processing of the pads and saturation plates was similar to the first example. Used etchings :. HNO5: HCl 1: 1 and HF: HNOs:
: CH3COOH v poměru 3 : 5 : 3. Při krystalizaci byl použit jako rozpouštědlo· Sn. Krystalizační teplota se pohybovala v rozmezí 400 až 550 °C a byla vždy pro každý experiment konstantní. Růst probíhal 2 hod. Další postup byl opět totožný s předchozími příklady.: CH3COOH in a ratio of 3: 5: 3. The crystallization temperature ranged from 400 to 550 ° C and was always constant for each experiment. Growth was 2 hours. The procedure was again identical to the previous examples.
Příklad 5 :Example 5:
Příprava ternární polovodivé sloučeniny CdlnžTei ve formě monokrystalické epitaxní vrstvy byla realizována heteroepitaxí naThe preparation of the ternary semiconductive compound CdlnžTei in the form of a single crystalline epitaxial layer was realized by heteroepitaxy on
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS460978A CS203426B1 (en) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Method of preparing several monocrystalline epitax layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS460978A CS203426B1 (en) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Method of preparing several monocrystalline epitax layers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS203426B1 true CS203426B1 (en) | 1981-03-31 |
Family
ID=5389255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS460978A CS203426B1 (en) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Method of preparing several monocrystalline epitax layers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS203426B1 (en) |
-
1978
- 1978-07-10 CS CS460978A patent/CS203426B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3632431A (en) | Method of crystallizing a binary semiconductor compound | |
| US4088514A (en) | Method for epitaxial growth of thin semiconductor layer from solution | |
| US3715245A (en) | Selective liquid phase epitaxial growth process | |
| US3809584A (en) | Method for continuously growing epitaxial layers of semiconductors from liquid phase | |
| US3729348A (en) | Method for the solution growth of more perfect semiconductor crystals | |
| US3533856A (en) | Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide | |
| Baliga | Morphology of silicon epitaxial layers grown by undercooling of a saturated tin melt | |
| CS203426B1 (en) | Method of preparing several monocrystalline epitax layers | |
| US3910801A (en) | High velocity thermal migration method of making deep diodes | |
| US3810794A (en) | Preparation of gap-si heterojunction by liquid phase epitaxy | |
| JP2008300603A (en) | Semiconductor production apparatus | |
| CS203425B1 (en) | Method of preparing monocrystalline epitax layer | |
| US5223079A (en) | Forming thin liquid phase epitaxial layers | |
| JPS626338B2 (en) | ||
| van Oirschot et al. | LPE growth of DH laser structures with the double source method | |
| SU1633032A1 (en) | Method of producing semiconductor hetero-structures | |
| SU639358A1 (en) | Method of obtaining p-n-structures | |
| Lessoff et al. | Research on Gunn Effect Materials (III-V Compounds) | |
| JPH0519516B2 (en) | ||
| JPS6235998B2 (en) | ||
| JPS5941959B2 (en) | Liquid phase epitaxial growth equipment | |
| JPH06279178A (en) | Production of semiconductor device and device therefor | |
| JPH0316996A (en) | Production of compound semiconductor single crystal | |
| JPS63159290A (en) | Liquid phase epitaxial growth method | |
| JPS5852323B2 (en) | Liquid phase epitaxial growth method |