CS201468B1 - Způsob úpravy povrchu křemíkového substrátu - Google Patents
Způsob úpravy povrchu křemíkového substrátu Download PDFInfo
- Publication number
- CS201468B1 CS201468B1 CS179079A CS179079A CS201468B1 CS 201468 B1 CS201468 B1 CS 201468B1 CS 179079 A CS179079 A CS 179079A CS 179079 A CS179079 A CS 179079A CS 201468 B1 CS201468 B1 CS 201468B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- tantalum
- layer
- tantalum pentoxide
- mask
- beta
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
/ Vynález se týká způsobu úpravy povrchu křemíkového substrátu při výrobě vkládacích odporových a kondenzátorových vsazovacích prvků a sítí tantalovou technologií, určených pro montáž do hybridních integrovaných obvodů, .
V současné době hybridní integrované obvody še sítí jak. tenkých, tak i tlustých vrstev Využívají s výhodou vkládacích součástek, 'které technicky i ekonomicky výhodným způsobem umožňují s vrstvovou sítí realizovat potřebné obvodové funkce. Rezístory i kondenzátory vkládacích součástek lze realizovat různými technologiemi a materiály. V případě tanta.lové technologie lze vytvářet technicky slučitelným a výhodným způsobem jak rezistory, tak kondenzátory využitím obdobných materiálů a pracovních kroků. Prvky vytvořené tímto způsobem mají výhodné elektrické vlastnosti, rozsah jmenovitých hodnot odporu nebo kapacity, teplotní součinitel odporu nebo kapacity, trvanlivost a podobně, a jsou značně odolné proti působení vnějšího prostředí. Tato· odolnost souvisí s vysokou stálostí vrstev na bázi tantalu, s jejich rezistencí k působení plynů, kapalin i k mechanickému poškození. Z tohoto důvodu je nutno> při fotolitigrafickém zpracování vrstvové struktury, užívat agresivních leptacích roztoků, například směsi’ kyseliny fluorovodíkové a' dusičné, které napadají,? ostatní materiály a také povrch podložek, ha kterých je struktura vytvářena. U hybridních obvodů še tento problém řeší použitím separační vrstvy z kysličníku tantaličného, „která., se, vytvoří termickou oxidací beta tantalu naneseného po celém lícním povrchů podložky; U' obvodů s' pasivní vrstvou sítí vytvářenou tantalovou technologií přítomnost separační vrstvy kysličníku tantaličného po celém povrchu podložky není na závadu, protože běžně' '‘používanou technikou dělení velkoplošného substrátu na jednotlivé systémy je rýhovaní laserem, případně dělení dianíantovou pilou. Naproti tomu však na povrchu podložky, například křemíkové, na kterém se vytváří soustava vsazovacích součástek však existují místa, kde tato separační vrstva kysličníku tantaličného vadí. Těmito místy jsou například oblasti určené k rýhování diamantovým ná. strojem při dělení podložky na jednotlivé systémy - vlastní vkládací součástky. Správný průběh technologie dělení vyžaduje, aby se rýhování provádělo na povrchu křemíku, což předpokládá předchozí odleptání kysličníku křemičitého a tedy nepřítomnost separační vrstvy kysličníku tantaličného, která se. obtížně chemicky zpracovává.
Tátů nevýhoda současného stavu techniky
201488 je odstraněna způsobem podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se kysličník tantaličný vytvoří selektivně termickou oxidací beta tantalu, který byl fotolitograficky zpracován do topologické struktury kysličníku tantaličného, přičemž lze selektivně vytvořenou vrstvu kysličníku tantaličného použít jako masky pro leptání vrstev, případně podložky, ležících pod touto maskou.
Výhodou vynálezu je, že se nevytvoří geometrické obrazce separační vrstvy odleptáním kysličníku tantaličného z míst, kde není tato vrstva žádoucí, jak je obecně při zpracování vrstev na potřebnou topologickou strukturu v technologii hybridních integrovaných obvodů obvyklé, nýbrž selektivním vytvořením kysličníku tantaličného pouze na požadovaných místech. Vynález je založen na využití vlastností separační vrstvy kysličníku tantaličného, která zlepšuje vlastnosti vytvořené vrstvové struktury rezistorů a kondenzátorů technologicky a ekonomicky výhodným způsobem, přičemž je tato vrstva vytvořena v místech, kde je její využití výhodné. Na celý povrch podložky se nanese vrstva beta tantalu, tato vrstva se fotolitograficky zpracuje - odleptá se beta tantal z míst, kde je nežádoucí budoucí separační vrstva kysličníku tantaličného, přičemž se tímto způsobem vytvořená struktura beta tantalové vrstvy převede termickou oxidací na kysličník tantaličný. Výhodou tohoto postupu je, že chemické zpracování vrstvy kysličníku tantaličného, které je obecně velmi obtížné, v důsledku nutnosti použití agresivních leptadel, napadajících fotorezistovou masku, se nahrazuje snadnějším zpracováním vrstvy beta tantalu, které využívá běžně užívaných postupů a za-
Claims (1)
- predmEtZpůsob úpravy povrchu křemíkového substrátu při výrobě vkládacích. odporovýefa-a kondenzátorových vsazovacích prvků a sítí tantalovou. technologií se separační vrstvou kysličníku tantaličného, vyznačený tím, že se kysličník tantaličný vytvoří selektivně termickou oxidací beta tantalu, který byl fořízení. Další výhodou tohoto, způsobu je, že lze použít této vrstvy selektivně vytvořeného kysličníku tantaličnéhtí jako masky k leptání kysličníku křemičitého· v místech budoucího rýhování, čímž se ušetří jeden technologický krok, maskování fotorezistem. Tento postup umožňuje s výhodou využít žádoucích vlastností separační vrstvy kysličníku tantaličného i v oblasti vkládacích součástek, což má tím větší význam, čím jsou tyto vkládací součástky menší. To je dáno tím, že fotolitografické postupy jsou charakterizovány určitou absolutní chybou, která je přítomností separační vrstvy kysličníku tantaličného snížena, a tato chyba je tím významnější, čím je šířka funkční linie vsazovacího prvku užší. U rezistorů vzazovacích součástek se používá, šířka odporové dráhy v desítkách μτα.Vynález bude blíže popsán a vysvětlen na příkladu možného provedení podle vynálezu.Přiklaď /V konkrétním případě byla podložka ž leštěného křemíku, opatřená vrstvou kysličníku křemičitého potom dokonale očištěna kapalinami. Možno použít i páru, případně bombardování urychlenými ionty. Pak se celý povrch podložky opatřil vrstvou beta tantalu katodovým naprašováním. Za použití fotorezistové masky se vrstva beta tantalu odleptala z míst, kde byla nežádoucí budoucí vrstva kysličníku tantaličného. Termickou oxidací po dobu pěti hodin při teplotě 500 °C na vzduchu se převedla vrstva beta tantalu na kysličník tantaličný, přičemž se tyto obrazce vrstvy kysličníku tantaličného poďžily jako maska pro selektivní leptání kysličníku křemičitého. :VYNALEZU tolitograficky zpracován do topologické struktury kysličníku tantaličného, přičemž lze tuto selektivně vytvořenou vrstvu kysličníku tantaličného použít jako masky pro leptání vrstev, případně podložky, ležících pod touto maskou.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS179079A CS201468B1 (cs) | 1979-03-19 | 1979-03-19 | Způsob úpravy povrchu křemíkového substrátu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS179079A CS201468B1 (cs) | 1979-03-19 | 1979-03-19 | Způsob úpravy povrchu křemíkového substrátu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS201468B1 true CS201468B1 (cs) | 1980-11-28 |
Family
ID=5353170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS179079A CS201468B1 (cs) | 1979-03-19 | 1979-03-19 | Způsob úpravy povrchu křemíkového substrátu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS201468B1 (cs) |
-
1979
- 1979-03-19 CS CS179079A patent/CS201468B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3844831A (en) | Forming a compact multilevel interconnection metallurgy system for semi-conductor devices | |
| KR960013147B1 (ko) | 반도체 디바이스상에 저항기를 패턴 형성하기 위한 방법 | |
| EP0043451B1 (en) | Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices | |
| US4184909A (en) | Method of forming thin film interconnection systems | |
| SE442357B (sv) | Forfarande for plasmaetsning av ett aluminiumhaltigt material | |
| KR880001029A (ko) | 집적회로 다층 상호접속장치 및 방법 | |
| JPS60138918A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003504693A (ja) | フォーミングガスプラズマを用いたフォトレジスト除去プロセス | |
| US6872655B2 (en) | Method of forming an integrated circuit thin film resistor | |
| US5738961A (en) | Two-step photolithography method for aligning and patterning non-transparent layers | |
| US4871651A (en) | Cryogenic process for metal lift-off | |
| US3767490A (en) | Process for etching organic coating layers | |
| US4886573A (en) | Process for forming wiring on substrate | |
| US3220938A (en) | Oxide underlay for printed circuit components | |
| US4160691A (en) | Etch process for chromium | |
| CS201468B1 (cs) | Způsob úpravy povrchu křemíkového substrátu | |
| US4704188A (en) | Wet chemical etching of crxsiynz | |
| US6613680B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP2829341B2 (ja) | レジスト剥離液 | |
| KR100293918B1 (ko) | 금속식각시생성된폴리머연화방법 | |
| JPS59200453A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2756749B2 (ja) | 感湿素子の製造方法 | |
| JPH02138468A (ja) | パターン形成法 | |
| JP2830636B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0348489A (ja) | 回路基板の製造方法 |