CS200969B1 - Method of determining the optimal exposition of materials sensitive on irradiation - Google Patents
Method of determining the optimal exposition of materials sensitive on irradiation Download PDFInfo
- Publication number
- CS200969B1 CS200969B1 CS66279A CS66279A CS200969B1 CS 200969 B1 CS200969 B1 CS 200969B1 CS 66279 A CS66279 A CS 66279A CS 66279 A CS66279 A CS 66279A CS 200969 B1 CS200969 B1 CS 200969B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- radiation
- irradiation
- optimal
- sensitive
- sensitive material
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 231100000727 exposure assessment Toxicity 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Vynález řeší způsob zjišťování optimální expozice materiálů citlivých na ozáření·The invention solves a method for determining the optimal exposure of radiation sensitive materials.
Materiály citlivá na ozáření viditelným, ultrafialovým, měkkým rentgenovým zářením nebo elektronovým svazkem se užívají v mnoha aplikacích při výrobě mikroelektronických součástí. Po expozici se vyvoláním ve vhodném roztoku odstraní neexponovaná Části, tj. pozitivní způsob, nebo exponovaná části, tj. negativní způsob. Vzniklá odkrytá místa jsou pak použita v dalěích etapách výroby.Visible, ultraviolet, soft X-ray or electron beam sensitive materials are used in many applications in the manufacture of microelectronic components. After exposure, the untreated parts, ie the positive mode, or the exposed parts, ie the negative method, are removed by developing in a suitable solution. The resulting exposed sites are then used in the next stages of production.
Vhodná velikost expozice se určuje podle empirických zkušeností a nemá objektivnější měřítko pro stanovení optimální dávky zářeni. Tento experimentální způsob umožňuje pouze hrubý odhad expoziční doby a vyhodnocení této doby lze provést po vyvolání obrazce a jeho prohlédnutí mikroskopem.Appropriate exposure is determined by empirical experience and does not have a more objective measure to determine the optimal dose of radiation. This experimental method only allows a rough estimation of the exposure time and the evaluation of this time can be done after the image is developed and examined by microscope.
Nevýhodou uvedeného způsobu u velmi přesných obrazců jsou delSÍ expozice, které jsou nutné pro zajištění správného vyvolání, ale zároveň způsobují snížení přesnosti vlivem rozptylu zářeni na okrajích exponovaného obrazce.The disadvantage of this method in very accurate patterns is the longer exposures that are necessary to ensure proper development, but at the same time they cause a decrease in accuracy due to the radiation scattering at the edges of the exposed pattern.
K dosažení minimálního rozptylu je nutná snížit tolerance rozptylu, které závisí na druhu, tloušťce vrstvy i na jakosti materiálu citlivého na ozáření a taká na úpravě masky a podložky.In order to achieve a minimum scatter, it is necessary to reduce the scattering tolerances, which depend on the type, thickness of the layer as well as the quality of the radiation-sensitive material and also on the treatment of the mask and substrate.
200 000200 000
Při překročení optimální dávky ozářeni se zvýší tolerance rozptylu a sníží se přesnost obrazce. Stanovení optimální dávky ozáření EQpt pro expozici je důležitá pro dosažení mezní přesnosti obrysů. Protože se jedná o stanovení velmi malých rozdílů v dávkách záření,' nepostačují současná empirická způsoby pro posouzení expozice.When the optimal dose of radiation is exceeded, the variance of the scattering is increased and the accuracy of the pattern is reduced. Determination of the optimal exposure dose E Qpt for exposure is important to achieve the margin of contour accuracy. Since it is the determination of very small differences in radiation doses, current empirical methods for exposure assessment are not sufficient.
Výše uvedená nedostatky odstraňuje způsob zjišťování optimální expozice materiálů citlivých na ozáření podle vynálezu, jehož podstatou je, že expozice se zjišťuje na tenká vrstvě materiálu citlivého na ozáření o tloušťce 1 až 10 mm, která se umísti mezi dvěma vodivými nebo supravodivými elektrodami, z nichž alespoň jedna je propustná vůči ozáření. Na elektrody se přivádí napětí pilovitého průběhu, jehož amplituda je proměnná od 30 do 500 mV a na toto napětí pilovitého průběhu ee superponuje střídavé sinusová napětí 500 až 5000 uV.The aforementioned drawbacks are eliminated by the method of detecting optimal exposure of radiation sensitive materials according to the invention, which is based on the fact that exposure is detected on a thin layer of radiation sensitive material of 1-10 mm thickness, placed between two conductive or superconducting electrodes of which at least one is radiation-permeable. A sawtooth voltage is applied to the electrodes, the amplitude of which varies from 30 to 500 mV, and to this sawtooth voltage ee superimposes alternating sinusoidal voltages of 500 to 5000 µV.
Je výhodná, jestliže materiál citlivý na ozáření je vytvořen z kysličníku kovu 3« periody, e výhodou kysličníku hlinitého nebo kysličníku hořečnatáho, a dále obsahuje 0,001 až 5 % látky citlivá na ozáření, například polymeru.Preferably, the radiation-sensitive material is formed from a metal oxide of a period of 3, preferably alumina or magnesium oxide, and further comprises 0.001 to 5% of a radiation-sensitive substance, for example a polymer.
Výhodou zpftťobu podle vynálezu je, že je jím možné stanovit dávku ozáření objektivně a rychleji než stávajícími způsoby.An advantage of the method according to the invention is that it is possible to determine the dose of irradiation objectively and faster than with the present methods.
Podstata vynálezu a jeho výhody jsou blíže objasněny na popisu přikladu provedení pomocí připojených výkresů, na nichž obr. 1 znázorňuje graficky snížení přesnosti reprodukce vlivem rozptylu záření na okrajích exponovaného obrazce, obr. 2 znázorňuje graficky zvýšeni tolerance rozptylu a snížení přesnosti obrazce při překročení optimální dávky ozáření, obr. 3 znázorňuje základní zapojení pro zjišťování optimální expozice,BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a graphical representation of a reduction in reproduction accuracy due to radiation scattering at the edges of an exposed image; FIG. irradiation, Fig. 3 shows the basic wiring to determine optimal exposure,
pro neexponovaný materiál citli vý na ozáření, kde I je střídavý proud, U je střídavá sinusová napětí superponovaná na napětí pilovitého průbShu Up, obr. 5 znázorňuje dva Za, b/ tyto charakteristická průběhy pro materiál exponovaný polovinou optimální dávky záření, obr. 6 znázorňuje dva /a, b/ charakteristická průběhy pro materiál exponovaný optimální dávkou záření a obr. 7 znázorňuje charakteristický průběh pro materiál exponovaný dvojnásobnou optimální dávkou záření.for unexposed radiation sensitive material, where I is alternating current, U is alternating sinusoidal voltages superimposed on sawtooth voltage U p , Fig. 5 shows two Za, b / these characteristic waveforms for material exposed to half the optimal radiation dose, Fig. 6 shows two (a, b) characteristic waveforms for a material exposed to an optimum radiation dose, and FIG. 7 shows a characteristic waveform for a material exposed to a double optimum radiation dose.
Přítomnost i velmi malého množství organických molekul, která se nachází mezi dvěma vodivými vrstvami a vytváří izolační vrstvu o tlouěťce 2 až 3 mm, nebo která se nachází v přibližně stejně tenká vrstvě kysličníku uspořádaného podobně mezi dvěma vodivými vrstvami, je možná určit metodou neelastická, elektronová tunelová spektroskopie.The presence of a very small amount of organic molecules between the two conductive layers to form an insulating layer of 2 to 3 mm thickness, or in an approximately equally thin layer of oxide arranged similarly between the two conductive layers may be determined by a non-elastic, electron tunnel spectroscopy.
Podle obr. 3 jsou dvě vodivá vrstvy oddělená velmi tenkou vrstvou kysličníku kovuAccording to FIG. 3, two conductive layers are separated by a very thin layer of metal oxide
200 009200 009
3. periody, který obsahuje též jako nečistotu molekuly materiálu citlivého na ozáření, napájeny velmi pomalu se měnícím pilovitým napětím U . Na toto napětí U je nasuperpoP a2i p novéno malé střídavé napětí U. Záznamem druhé derivace —w v závislosti na okamžitá dU hodnotě pilovitého napětí Up se získá spektrum, které charakterizuje jednotlivé chemické skupiny charakteristickými anomáliemi, obdobně, jak je tomu v infračerveném a Šamanově spektru sledované látky· Jestliže působí na zkoumaný materiál záření, objeví se změna ve struktuře molekul látky citlivé na ozáření. Tato změna je identifikovatelná vzájemným porovnáním spektra látky exponovaná a látky neexponované.3. the period, which also contains, as an impurity, molecules of radiation-sensitive material, powered by a very slowly changing sawtooth voltage U. At this voltage U, a small alternating voltage U is newly added to P and 2 i p. By recording the second derivative —w depending on the instantaneous dU value of the sawtooth voltage U p , a spectrum is obtained that characterizes individual chemical groups with characteristic anomalies. and Shaman's Spectrum of the Substance · If it acts on the material of interest, a change in the structure of the molecules of the substance sensitive to radiation occurs. This change is identifiable by comparing the spectrum of the exposed and unexposed substances.
Exponováním látky citlivé na ozáření mohou některé anomálie ve spektru zanikat, jak je znázorněno na obr. 5a, 6a, případně se v jiné části spektra mohou vytvářet nové, jak je znázorněno na obr. 5b, 6a. Podle průběhu spektra lze charakterizovat stav látky po ozáření a srovnáním s teoretickým modelem změn látky při ozáření stanovit optimální dávku ozářeni podle zvolené charakteristické anomálie, která se vztahuje například k dru hu vazby. Zvyěovéním dávky ozáření se mění velikost této anomálie až do okamžiku, kdy příslušné skupiny jsou provázány. Další zvyšování dávky ozáření může vést pouze k degradaci polymerové vrstvy podle obr. 7, která je nežádoucí.By exposure to a radiation-sensitive substance, some anomalies in the spectrum may disappear as shown in Figures 5a, 6a, or new ones may be generated in another part of the spectrum as shown in Figures 5b, 6a. According to the course of the spectrum, it is possible to characterize the state of the substance after irradiation and to determine the optimal dose of irradiation according to the selected characteristic anomaly, which relates, for example, to the type of binding, by comparing it with the theoretical model of changes in the substance. Increasing the dose of irradiation changes the magnitude of this anomaly until the respective groups are linked. Further increase in the radiation dose can only lead to degradation of the polymer layer of FIG. 7, which is undesirable.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS66279A CS200969B1 (en) | 1979-01-30 | 1979-01-30 | Method of determining the optimal exposition of materials sensitive on irradiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS66279A CS200969B1 (en) | 1979-01-30 | 1979-01-30 | Method of determining the optimal exposition of materials sensitive on irradiation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200969B1 true CS200969B1 (en) | 1980-10-31 |
Family
ID=5339154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS66279A CS200969B1 (en) | 1979-01-30 | 1979-01-30 | Method of determining the optimal exposition of materials sensitive on irradiation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200969B1 (en) |
-
1979
- 1979-01-30 CS CS66279A patent/CS200969B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kim et al. | K x-ray fluorescence measurements of bone lead concentration: the analysis of low-level data | |
| Skvortsov et al. | Application of EPR retrospective dosimetry for large-scale accidental situation | |
| Sera et al. | Quantitative analysis of untreated bio-samples | |
| JP3817176B2 (en) | Automatic calibration adjustment for film dosimetry | |
| Ivannikov et al. | Tooth enamel EPR dosimetry: sources of errors and their correction | |
| CS200969B1 (en) | Method of determining the optimal exposition of materials sensitive on irradiation | |
| CN115317808B (en) | Method for realizing proton heavy ion radiotherapy dosage verification based on autoradiography film | |
| Ritz et al. | An ionization chamber for kilocurie source calibrations | |
| Shimono et al. | Polarity effect in commercial ionization chambers used in photon beams with small fields | |
| Agard et al. | Neutron dosimetry with nuclear track detectors applied to in vivo neutron activation analysis | |
| Hirota et al. | Behavior of the electron spin resonance signals in X-ray irradiated human fingernails for the establishment of a dose reconstruction procedure | |
| FI96381B (en) | Measurement method for automatically determining the X-ray radiation cone's field shape with multi-electrode ionization chamber | |
| Haskell et al. | Preliminary report on the development of a virtually nondestructive additive dose technique for EPR dosimetry | |
| RU2037773C1 (en) | X-ray method of measurement of thickness of material | |
| DE394386C (en) | Method and device for determining the x-ray dose | |
| Chan et al. | Dose measurement based on spectral chi-square minimization usingGAFchromic MD-55 film | |
| JP3677232B2 (en) | Surface element distribution analyzer and surface element distribution analysis method using the same. | |
| JP2680004B2 (en) | Irradiation beam diameter evaluation element and evaluation method | |
| Yasuda et al. | Measurements of Radiochromic Films (EBT3 and EBT-XD) Using Three Portable Colorimeters | |
| SU1426271A1 (en) | Method of determining registration effeciency of solid-state detector of characteristic x-rays | |
| JP2685722B2 (en) | X-ray analysis method | |
| SU1052955A1 (en) | Process for checking presence defects in semiconductor or ionic crystal | |
| Góes et al. | A time-scale sensitometric method for evaluating screen-film systems | |
| JPS61167846A (en) | Method for analyzing composition of object to be measured by x-ray | |
| KR101857723B1 (en) | The early time bio-marker for detecting low-dose radiation |