CS200046B1 - Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku - Google Patents

Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku Download PDF

Info

Publication number
CS200046B1
CS200046B1 CS471078A CS471078A CS200046B1 CS 200046 B1 CS200046 B1 CS 200046B1 CS 471078 A CS471078 A CS 471078A CS 471078 A CS471078 A CS 471078A CS 200046 B1 CS200046 B1 CS 200046B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
diffusion
silicon
silicon surface
showing
diffusion structure
Prior art date
Application number
CS471078A
Other languages
English (en)
Inventor
Vaclav Skolnik
Karel Ramajzl
Jaroslav Zamastil
Original Assignee
Vaclav Skolnik
Karel Ramajzl
Jaroslav Zamastil
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaclav Skolnik, Karel Ramajzl, Jaroslav Zamastil filed Critical Vaclav Skolnik
Priority to CS471078A priority Critical patent/CS200046B1/cs
Publication of CS200046B1 publication Critical patent/CS200046B1/cs

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu zviditelnění plenární difúzní struktury na povrchu křemíku při aelektlvhí difúzi příměsi z plynné směsi sloučenin obsahujících vázaný chlór do povrchu křemíku s oxidovou maskou.
Dosavadní způsob pro kontaktování struktur používá rozlišení pomocí leptání křemíku v kyselém prostředí směsí kyselin obsahujících kyselinu fluorovodíkovou HP a kyselinu dusičnou HNOj přes resistovou masku. Leptáním vzniká struktura výstupků, která je zachována i po difúzi a Je využita pro nastaveni kontaktních masek. Nevýhodu tohoto postupu je, že /· · pro dobrou viditelnost plošně členěné struktury je potřebné oleptat dostatečně silnou vrstvu křemíku (3 až 5/Um u broušeného povrchu). Jinou používanou metodou je tak zvaná reoxidaoe povrchu křemíku, kdy ke zviditelnění struktury dochází následujícím ppááupem. Nejprve Je provoděna oxidace, maska a vyleptání oxidu přes resistovou masku a potom následuje druhá oxidace, při která na míatech, jež byly oleptány, naroste nová vrstva oxidu. Fo aplikaci póvé masky stejného tvaru jako v prvním stupni procesu dojde ke zviditelnění plenární dlt fúzní struktury. Nevýhodou uvedeného postupu Je časově náročná dvojnásobná oxidace a maskování. Rovněž je znám postup selektivní difúze z plynná směsi sloučenin obsahujících vázaný fosfor, například POCly Tato difúze je běžně používaná a nosným plynem obsahujícím směs kyslíku Oga dusíku Ng, který nemění složení po celou dobu difúze.
Nevýhody výše uvedených způsobů odstraňuje způsob podle vynálezu, který řeží daný úkol
200 046 tak, že během poslední třetiny difuzní doby se v difúzním prostoru vytvoří neoxidační prostředí s maximálním obsahem 0,1 % objemových kyslíku 0^·
Zviditelnění plošná členěné struktury polovodičové součástky podle vynálezu je provedeno při difúzní operaci upravením reakčních podmínek difúze s použitím difuzantů obsahujících vázaný chlór. Za nepřítomnosti kyslíku v nosném plynu vzniká termálním rozkladem jako jeden z produktů rozkladu volný chlór, který leptá křemík. Kysličník křemičitý pasivuje křemík před účinky volného chloru. Vlivem leptání křemíku dochází ke změně drsnosti povrchu, které se při osvícení v mikroskopu jeví jako změna kontrastu, ^roti kyselému lep·, tání nedocházelo ke znatelnému hloubkovému Leptání a tím odstranění nejvýše dotované vrstvy. Dalěí výhodou je větěí reprodukovatelnost postupu, výraznější odlišení plošné členěné struktury, meněí pracnost a úspora chemikálií proti dosavadnímu způsobu. Aovněž technologický proces výroby je jednodušší.
Příklad provedení
Pro difúzi fosforu n+ emitoru na struktuře tyristorů se používá difúze fosforu z kapalného oxychloridu fosforečného POCly Difúze probíhá po dobu 2 hodin při teplotě difúze 1 230 °C Nosný plyn má průtok dusíku 1 1/mln, 0,1 l/mln kyslíku a je sycen parami oxichloridu fosforečného. Sycení probíhá při teplotě difuzantu 4-15 °C a průtokem 0,1 1/min dusíku. £ro optické rozlišení difúzní struktury je v poslední hodině difúze zastaven průtok kyslíku.
Po oleptání skloviny v kyselině fluorovodíkové je destička bez dalěích operací připravena pro běžný způsob kontaktování.
Uvedeného postupu lze využít i pro difúzi B, Aa za předpokladu použití difuzantů obsahujících vázaný chlor anebo přidáním chlozu, do průtoku o koncentraci 1 % za nepřítomnosti plynného kyslíku.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob zviditelnění plenární difúzní struktury na povrchu křemíku při selektivní difúzi příměsí z plynné aměei sloučenin obsahujících vázaný chlor do povrchu křemíku s oxidovou maskou jejich termálním rozkladem, vyznačený tím, že během poslední třetiny difúzní doby se v difúzním prostoru vytvoří neoxidační prostředí s maximálním obsahem 0, 1 % obj. kyslíku Og.
CS471078A 1978-07-14 1978-07-14 Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku CS200046B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS471078A CS200046B1 (cs) 1978-07-14 1978-07-14 Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS471078A CS200046B1 (cs) 1978-07-14 1978-07-14 Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS200046B1 true CS200046B1 (cs) 1980-08-29

Family

ID=5390479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS471078A CS200046B1 (cs) 1978-07-14 1978-07-14 Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS200046B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3856022T2 (de) Selektives Ätzen dünner Schichten
US4554050A (en) Etching of titanium
Judge A study of the dissolution of SiO2 in acidic fluoride solutions
Tenney et al. Etch rates of doped oxides in solutions of buffered HF
US5873948A (en) Method for removing etch residue material
EP0224022B1 (en) Etchant and method for etching doped silicon
DE1614999A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit einer einem vorgegebenen Flaechenmuster entsprechenden dielektrischen Schicht auf der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
US3107188A (en) Process of etching semiconductors and etchant solutions used therefor
DE1764543A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Stabilitaet einer Halbleiteranordnung
GB1177759A (en) Method of Fabricating Semiconductor Devices
US3751314A (en) Silicon semiconductor device processing
CS200046B1 (cs) Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku
GB1475656A (en) Method of etching materials containing silicon
EP1086488B1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
US4836888A (en) Method of chemically etching semiconductor substrate
US3871931A (en) Method for selectively etching silicon nitride
US3477887A (en) Gaseous diffusion method
DE69317141T2 (de) Anisotropische Ätzung von Metalloxid
Uekusa et al. Preferential Etching of InP for Submicron Fabrication with HCl/H 3 PO 4 Solution
Hughes et al. Proceedings of the Symposium on Etching for Pattern Definition
KR100205439B1 (ko) 실리콘 습식 식각방법
JPH0139210B2 (cs)
DE2447204A1 (de) Fluessiges dotierungsmittel und verfahren zu seiner herstellung
KR19990004867A (ko) 실리콘산화막에 대한 높은 선택비를 갖는 폴리실리콘막의 식각 방법
KR930011906B1 (ko) 반도체 장치의 규소 산화막 식각방법