CS200046B1 - Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku - Google Patents
Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku Download PDFInfo
- Publication number
- CS200046B1 CS200046B1 CS471078A CS471078A CS200046B1 CS 200046 B1 CS200046 B1 CS 200046B1 CS 471078 A CS471078 A CS 471078A CS 471078 A CS471078 A CS 471078A CS 200046 B1 CS200046 B1 CS 200046B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diffusion
- silicon
- silicon surface
- showing
- diffusion structure
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu zviditelnění plenární difúzní struktury na povrchu křemíku při aelektlvhí difúzi příměsi z plynné směsi sloučenin obsahujících vázaný chlór do povrchu křemíku s oxidovou maskou.
Dosavadní způsob pro kontaktování struktur používá rozlišení pomocí leptání křemíku v kyselém prostředí směsí kyselin obsahujících kyselinu fluorovodíkovou HP a kyselinu dusičnou HNOj přes resistovou masku. Leptáním vzniká struktura výstupků, která je zachována i po difúzi a Je využita pro nastaveni kontaktních masek. Nevýhodu tohoto postupu je, že /· · pro dobrou viditelnost plošně členěné struktury je potřebné oleptat dostatečně silnou vrstvu křemíku (3 až 5/Um u broušeného povrchu). Jinou používanou metodou je tak zvaná reoxidaoe povrchu křemíku, kdy ke zviditelnění struktury dochází následujícím ppááupem. Nejprve Je provoděna oxidace, maska a vyleptání oxidu přes resistovou masku a potom následuje druhá oxidace, při která na míatech, jež byly oleptány, naroste nová vrstva oxidu. Fo aplikaci póvé masky stejného tvaru jako v prvním stupni procesu dojde ke zviditelnění plenární dlt fúzní struktury. Nevýhodou uvedeného postupu Je časově náročná dvojnásobná oxidace a maskování. Rovněž je znám postup selektivní difúze z plynná směsi sloučenin obsahujících vázaný fosfor, například POCly Tato difúze je běžně používaná a nosným plynem obsahujícím směs kyslíku Oga dusíku Ng, který nemění složení po celou dobu difúze.
Nevýhody výše uvedených způsobů odstraňuje způsob podle vynálezu, který řeží daný úkol
200 046 tak, že během poslední třetiny difuzní doby se v difúzním prostoru vytvoří neoxidační prostředí s maximálním obsahem 0,1 % objemových kyslíku 0^·
Zviditelnění plošná členěné struktury polovodičové součástky podle vynálezu je provedeno při difúzní operaci upravením reakčních podmínek difúze s použitím difuzantů obsahujících vázaný chlór. Za nepřítomnosti kyslíku v nosném plynu vzniká termálním rozkladem jako jeden z produktů rozkladu volný chlór, který leptá křemík. Kysličník křemičitý pasivuje křemík před účinky volného chloru. Vlivem leptání křemíku dochází ke změně drsnosti povrchu, které se při osvícení v mikroskopu jeví jako změna kontrastu, ^roti kyselému lep·, tání nedocházelo ke znatelnému hloubkovému Leptání a tím odstranění nejvýše dotované vrstvy. Dalěí výhodou je větěí reprodukovatelnost postupu, výraznější odlišení plošné členěné struktury, meněí pracnost a úspora chemikálií proti dosavadnímu způsobu. Aovněž technologický proces výroby je jednodušší.
Příklad provedení
Pro difúzi fosforu n+ emitoru na struktuře tyristorů se používá difúze fosforu z kapalného oxychloridu fosforečného POCly Difúze probíhá po dobu 2 hodin při teplotě difúze 1 230 °C Nosný plyn má průtok dusíku 1 1/mln, 0,1 l/mln kyslíku a je sycen parami oxichloridu fosforečného. Sycení probíhá při teplotě difuzantu 4-15 °C a průtokem 0,1 1/min dusíku. £ro optické rozlišení difúzní struktury je v poslední hodině difúze zastaven průtok kyslíku.
Po oleptání skloviny v kyselině fluorovodíkové je destička bez dalěích operací připravena pro běžný způsob kontaktování.
Uvedeného postupu lze využít i pro difúzi B, Aa za předpokladu použití difuzantů obsahujících vázaný chlor anebo přidáním chlozu, do průtoku o koncentraci 1 % za nepřítomnosti plynného kyslíku.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob zviditelnění plenární difúzní struktury na povrchu křemíku při selektivní difúzi příměsí z plynné aměei sloučenin obsahujících vázaný chlor do povrchu křemíku s oxidovou maskou jejich termálním rozkladem, vyznačený tím, že během poslední třetiny difúzní doby se v difúzním prostoru vytvoří neoxidační prostředí s maximálním obsahem 0, 1 % obj. kyslíku Og.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS471078A CS200046B1 (cs) | 1978-07-14 | 1978-07-14 | Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS471078A CS200046B1 (cs) | 1978-07-14 | 1978-07-14 | Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200046B1 true CS200046B1 (cs) | 1980-08-29 |
Family
ID=5390479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS471078A CS200046B1 (cs) | 1978-07-14 | 1978-07-14 | Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200046B1 (cs) |
-
1978
- 1978-07-14 CS CS471078A patent/CS200046B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3856022T2 (de) | Selektives Ätzen dünner Schichten | |
| US4554050A (en) | Etching of titanium | |
| Judge | A study of the dissolution of SiO2 in acidic fluoride solutions | |
| Tenney et al. | Etch rates of doped oxides in solutions of buffered HF | |
| US5873948A (en) | Method for removing etch residue material | |
| EP0224022B1 (en) | Etchant and method for etching doped silicon | |
| DE1614999A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit einer einem vorgegebenen Flaechenmuster entsprechenden dielektrischen Schicht auf der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers | |
| US3107188A (en) | Process of etching semiconductors and etchant solutions used therefor | |
| DE1764543A1 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Stabilitaet einer Halbleiteranordnung | |
| GB1177759A (en) | Method of Fabricating Semiconductor Devices | |
| US3751314A (en) | Silicon semiconductor device processing | |
| CS200046B1 (cs) | Způsob zviditelnění plenární dufúzní struktury na povrchu křemíku | |
| GB1475656A (en) | Method of etching materials containing silicon | |
| EP1086488B1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen | |
| US4836888A (en) | Method of chemically etching semiconductor substrate | |
| US3871931A (en) | Method for selectively etching silicon nitride | |
| US3477887A (en) | Gaseous diffusion method | |
| DE69317141T2 (de) | Anisotropische Ätzung von Metalloxid | |
| Uekusa et al. | Preferential Etching of InP for Submicron Fabrication with HCl/H 3 PO 4 Solution | |
| Hughes et al. | Proceedings of the Symposium on Etching for Pattern Definition | |
| KR100205439B1 (ko) | 실리콘 습식 식각방법 | |
| JPH0139210B2 (cs) | ||
| DE2447204A1 (de) | Fluessiges dotierungsmittel und verfahren zu seiner herstellung | |
| KR19990004867A (ko) | 실리콘산화막에 대한 높은 선택비를 갖는 폴리실리콘막의 식각 방법 | |
| KR930011906B1 (ko) | 반도체 장치의 규소 산화막 식각방법 |