CS200006B1 - Process for preparing polydispersion powdered tungsten carbide by thermal decomposition of vapour of tungsten hexacarbonyle - Google Patents

Process for preparing polydispersion powdered tungsten carbide by thermal decomposition of vapour of tungsten hexacarbonyle Download PDF

Info

Publication number
CS200006B1
CS200006B1 CS783145A CS314578A CS200006B1 CS 200006 B1 CS200006 B1 CS 200006B1 CS 783145 A CS783145 A CS 783145A CS 314578 A CS314578 A CS 314578A CS 200006 B1 CS200006 B1 CS 200006B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
tungsten
tungsten carbide
thermal decomposition
powdered
preparing
Prior art date
Application number
CS783145A
Other languages
Czech (cs)
Slovak (sk)
Inventor
Mikulas Czajlik
Jaromir Jaluvka
Jozef Durisin
Juraj Lengyel
Original Assignee
Mikulas Czajlik
Jaromir Jaluvka
Jozef Durisin
Juraj Lengyel
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mikulas Czajlik, Jaromir Jaluvka, Jozef Durisin, Juraj Lengyel filed Critical Mikulas Czajlik
Priority to CS783145A priority Critical patent/CS200006B1/en
Publication of CS200006B1 publication Critical patent/CS200006B1/en

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

(54) Spdsob přípravy polydisperzného práSkového karbidu volfrámu termickým rozkladom pér hexakarbonylu volfrámu(54) Method for the preparation of polydisperse powdered tungsten carbide by thermal decomposition of tungsten hexacarbonyl feathers

Vynález rieši priamu přípravu vysokodiaperzného práškového karbidu volfrámu termickým rozkladom hexakyrbonylu volfrámu.The invention provides a direct preparation of high dispersion tungsten carbide powder by thermal decomposition of tungsten hexacyrbonyl.

V súčasnosti karbid volfrámu aa připravuje niekolkými spdsobmi: a/ priamou syntézou uhlíka a práškovým volfrámom v elektrických peciach, b/ v kúpeli pomocného kovu, o/ syntézou práškového volfrámu a kysličníkom uhol’natým, pričom fyzikálno-chemické vlaatnoati získaného karbidu závieia od přípravy práškového volfrámu; jemný volfrámkarbidový prášok vhodný pře katalýzu chemických pochodov sa připravuje:At present, tungsten carbide aa is prepared in several ways: a) by direct synthesis of carbon and tungsten in electric furnaces, b / in the auxiliary metal bath, o / synthesis of tungsten powder and carbon monoxide, whereby the physicochemical chemistry of the carbide obtained depends on powder preparation. tungsten; fine tungsten carbide powder suitable for catalysis of chemical processes is prepared by:

1. z práškového volfrámu, získaného z bielej, event. žltej modifikáoie kyseliny volfrámovej,1. of tungsten powder, obtained from white, respectively. yellow tungstic acid modification,

2. z karbonylového volfrámu, získaného termickým rozkladom hexakarbonylu volfrámu. Výhody přípravy karbidu volfrámu spdsobmi a/ a b/ spočívajú predovšetkým v tom, že sa připraví práškový karbid volfrámu s přesným stechiometriekým zloženim a dobré vyvinutou krystalickou štruktúrou.2. from carbonyl tungsten obtained by thermal decomposition of tungsten hexacarbonyl. The advantages of preparing tungsten carbide by methods a / and b) are mainly that tungsten carbide powder with an exact stoichiometric composition and a well-developed crystalline structure is prepared.

Výhody spdsobu cl/ a 02/ spočívajú v tom, že sa připraví jemný polydisperzný práškový karbid s nestechiometrickým zloženim a defektnou krystalickou štruktúrou.The advantages of method c1 and d2 are that a fine polydisperse powdered carbide with a non-stoichiometric composition and a defective crystalline structure is prepared.

Nevýhodou všetkýoh uvedených príprav je to, že sú časovo zdíhavé a náročné na teplotný režim.The disadvantage of all the above preparations is that they are time-consuming and temperature-consuming.

Horeuvedepé nedostatky nemá spdsob přípravy polydisperzného práškového karbidu volfrámu py200 006 rolýzou pár hexakarbonylu volfrámu v rozmedzí tepldt 750 až 1050 °C, ktorého podstata spočívá v tom, že páry hexakarbonylu volfrámu ea rozkladajú v atmosféře kysličníka uhelnatého.The above drawbacks have no method of preparing polydisperse powdered tungsten carbide py200 006 by curing tungsten hexacarbonyl vapors in the range of 750 ° C to 1050 ° C, which is based on the fact that tungsten hexacarbonyl vapors va decompose in a carbon monoxide atmosphere.

Výhody, ktoré vynález prináša, spočívajú predovšetkým v odstránení zdíhavéhp a náročného teplotného režimu a tým doba přípravy karbidu volfrámu sa skréti 30-náaobne.The advantages of the invention are, in particular, the elimination of the hasty and demanding temperature regime, and thus the tungsten carbide preparation time is reduced to 30 times.

Příprava karbidu volfrámu termickým rozkladom hexakarbonylu volfrámu v atmosféře CO prebieha v teplotnom intervale 750 až 1050 °C. Pri lineárněj rýchlosti prietoku nosného ply nu CO 0,75 až 1,5 m/s je třeba zvoliť dížku rozkladnej zóny tak, aby reakčná zmes, tzn. pro dukty rozkladu W/CO/g a CO sa udrželi na danej teplote priememe 3 až 5 s.The preparation of tungsten carbide by thermal decomposition of tungsten hexacarbonyl in CO atmosphere takes place in a temperature range of 750 to 1050 ° C. At a linear carrier gas flow rate of CO of 0.75 to 1.5 m / s, the decomposition zone length must be selected such that the reaction mixture, i.e., the reaction mixture, e.g. for W / CO / g and CO decomposition products were maintained at a given temperature for an average of 3-5 s.

Použitie kysličníka uhelnatého ako nosného plynu epolahlivo zaručuje výrobu práškového polydisperzného karbidu volfrámu, ktorý má defektnú étruktúru a nestechiometrioká zloženie, obsah uhlíka v rozmedzí 5,9 až 6,12 %, žiadny volný uhlík a stopové nečistoty pod 0,001 %.The use of carbon monoxide as the carrier gas epoleptically guarantees the production of powdered polydisperse tungsten carbide having a defective structure and non-stoichiometric composition, a carbon content in the range of 5.9 to 6.12%, no free carbon and trace impurities below 0.001%.

PříkladExample

Páry hexakarbonylu volfrámu ea termicky rozkladajú pri teplote 750 °C v atmosféře kysličníka uhelnatého a prietokom 0,75 m/s, v rozkladnej reakčnej zóně 2,25 m e reakčnou dobou 3 s. Vzniká polydiaperzný práškový karbid volfrámu s defektnou štruktú rou s nestechiometriekým zložením; obsah uhlíka 5,9 žiadny vol*ný uhlík a stopová nečistoty pod 0,001 %·Tungsten e hexa-carbonyl vapors decompose thermally at 750 ° C in a carbon monoxide atmosphere and with a flow rate of 0.75 m / s, in a decomposition reaction zone of 2.25 m with a reaction time of 3 s. A polydispersed powdered tungsten carbide with a defective structure with a non-stoichiometric composition is formed; carbon content 5.9 no free carbon and trace impurities below 0.001% ·

Ďalšie výhody vynálezu eú naeledovná:Other advantages of the invention are:

Změnou reakčných podmienok je možné rýchlo a výrazné ovplyvniť fýzikálno-ohemická vlas noeti produktu.By changing the reaction conditions it is possible to rapidly and significantly influence the physico-chemical hair of the product.

Celý prooee přípravy VO je možné úplné automatizovať.The whole process of preparation of the RO can be fully automated.

Připravený karbid volfrámu sa mdže uplatnit v práškovej metalurgii alebo ako katalyzátor pri chemických a elektrochemických proceeoch a v elektrotechnike.The prepared tungsten carbide can be used in powder metallurgy or as a catalyst in chemical and electrochemical processes and in electrical engineering.

Claims (1)

PREDMET VYNALEZUOBJECT OF THE INVENTION Spčsob výroby polydisperzného práškového karbidu volfrámu termickým rozkladom pár hexakarbonylu volfrámu v rozmedzí tepldt 750 až 1050 °C, vyznačujúci sa tým, že rozklad aa prevádza v atmosféře kysličníka uhelnatého.A process for the production of polydisperse powdered tungsten carbide by thermal decomposition of tungsten hexacarbonyl vapors in the range of 750 to 1050 ° C, characterized in that decomposition aa is carried out in a carbon monoxide atmosphere.
CS783145A 1978-05-16 1978-05-16 Process for preparing polydispersion powdered tungsten carbide by thermal decomposition of vapour of tungsten hexacarbonyle CS200006B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS783145A CS200006B1 (en) 1978-05-16 1978-05-16 Process for preparing polydispersion powdered tungsten carbide by thermal decomposition of vapour of tungsten hexacarbonyle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS783145A CS200006B1 (en) 1978-05-16 1978-05-16 Process for preparing polydispersion powdered tungsten carbide by thermal decomposition of vapour of tungsten hexacarbonyle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS200006B1 true CS200006B1 (en) 1980-08-29

Family

ID=5370675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS783145A CS200006B1 (en) 1978-05-16 1978-05-16 Process for preparing polydispersion powdered tungsten carbide by thermal decomposition of vapour of tungsten hexacarbonyle

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS200006B1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2007743B1 (en) Methods for synthesizing ammonia borane
DE69307346T2 (en) METHOD FOR PRODUCING METAL NITRIDE POWDERS
DE2832136A1 (en) METHOD FOR PRODUCING SYNTHESIS GAS BY CATALYZED DECOMPOSITION OF METHANOL
Barebita et al. Synthesis and Characterization of Bi13B0. 48V0. 49-xPxO21. 45 and Efficient Catalyst for the Synthesis of 2, 3-dihydroquinazolin-4 (1H)-ones Derivatives Synthesis
US4570020A (en) Production of methanethiol from H2 S and CO
US2776200A (en) Production of metal powder from carbonyl
CS200006B1 (en) Process for preparing polydispersion powdered tungsten carbide by thermal decomposition of vapour of tungsten hexacarbonyle
US4668825A (en) Production of methanethiol from H2 S and CO
EP0240869A2 (en) Process for the preparation of silicon nitride
CN100347093C (en) Process for synthesizing molybdenum disulfide
Passaretti et al. Synthesis of poorly crystallized platinum metal dichalcogenides
Serpone et al. Stereochemistry of, and kinetics of environmental averaging processes in some organogermanium (IV) and organosilicon (IV) chelates
JPH1053414A (en) Method for producing metal disulfides and method for further processing them to produce dimetallic trisulfides
Wang et al. A thermoanalytical study of the metal nitrate-edta precursors for lead zirconate titanate ceramic powders
US2413778A (en) Production of titanium nitride
Černák et al. Thermal decomposition of cyano complexes of the type M (NH3) 3Ni (CN) 4 (M= Cu, Zn, Cd)
Skrobian et al. Thermogravimetric study of the reduction and sulfurization of Nd2 (SO4) 3 using carbon disulfide
EP0391150B1 (en) Process for the production of low-carbon fine particle ceramic powder
Corbi et al. A solid nickel (II) complex with methionine sulfoxide
Belykh et al. Pd–P Hydrogenation Catalyst: Nanoparticle Nature and Surface Layer State
CN111545054A (en) Applications of Spinel Catalytic Materials
JPS63170207A (en) Method for producing high purity silicon carbide powder
US1113096A (en) Process of producing hydrogen.
US3820977A (en) Carbonyl nickel powder
DE10220075A1 (en) High-purity, solar cell-grade silicon production involves reacting gaseous silicon monoxide and solid carbon in an oxygen-free atmosphere