CS198704B1 - q;ranzigtor řízený polem ke stanovení koncentraóe kyslíku - Google Patents
q;ranzigtor řízený polem ke stanovení koncentraóe kyslíku Download PDFInfo
- Publication number
- CS198704B1 CS198704B1 CS190678A CS190678A CS198704B1 CS 198704 B1 CS198704 B1 CS 198704B1 CS 190678 A CS190678 A CS 190678A CS 190678 A CS190678 A CS 190678A CS 198704 B1 CS198704 B1 CS 198704B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- oxygen
- field
- oxygen concentration
- transistor controlled
- transistor
- Prior art date
Links
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims description 23
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002999 depolarising effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000000474 nursing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
Vynález se týká tranzistoru řízeného polem, který je vhodný k měření koncentrace kyslíku, a tím tedy i jeho parciálního tlaku.
Vynález je vhodný k měření koncentrace kyslíku ve vzduchu i jiných plynech, dá se ho použít ke stanovení parciálního tlaku kyslíku v prostředí vakua a je možné jím kontrolovat i spalovací procesy. Při tom je možno měřit plynule a sledovat změny koncentrace kyslíku v čase.
Dosud známá zařízení použitelná k měření parciálního tlaku kyslíku se opírají o následující principy:
Využití poměrně velké magnetické susceptibility kyslíku ve srovnání s jinými plyny s dolní měřicí hranicí asi při 1 % kyslíku ve směsi plynů.
Měření na základě různé tepelné vodivosti plynů. Tato metoda je málo vhodná, spíše se hodí pro určení koncentrace vodíku. V případě stanovení kyslíku je málo citlivá a zatížena poměrně velikou chybou.
Měření na základě různého indexu lomu. Je dostatečně citlivé, ale vyžaduje náročné a drahé zařízení obsluhované kvalifikovanými silami. Nehodí se k měření plynulých změn koncentrace, zautomatizování metody je rovněž velmi obtížné.
Pomocí hmotových spektrometrů. Tato zařízení snad umožňují měření nejmenších koncentrací
198 704
19B 704 plynů vůbec, jsou dostatečně oitlivá, dá ee u nioh dosáhnout velké rozlišovaoí schopnosti. Jde však o drahé a oitlivé přístroje* mají žhavenou katodu a jejioh provoz je komplikován a zdražován tím* že ke své funkoi potřebují trvalého předčerpávání na tlak nejméně 10 Pa. Vyžadují odbornou a kvalifikovanou obsluhu.
Princip využívající různé ionizace plynů, například při použití alfatronu. Je nevýhodný tím, že musí být známo složení směsi.
Měření pomooí analyzátorů založených na tzv. tepelném zabarvení. Jsou vhodná k měření koncentrací plynů e mezí u coa 1 % objemových* potom je měření buď nemožné, nebo zatížpno neúnosnou ohýbou, čidla jsou choulostivá.
Polerografiokými analyzátory se dá dosáhnout vynikající přesnosti* při měření je však nutno pracovat a kapalinemi. Nejsou vhodné pro měření ve zředěných plynech ve vakuu* neboť by ee tyto kapaliny vypařily. Metoda je málo operativní.
Pomooí analytickýoh přístrojů založených na eorbční metodě, někdy účelně kombinované 8 konduktometriokými analyzátory. Jsou vhodné k oejchovním účelům* přístroje jsou laboratorního provedení, vyžadují kvalifikovanou obsluhu a nejsou vhodné k měření ryohlýoh změn konoentrace kyslíku. Měření jsou časově i přístrojově náročná.
Měření elektrochemická, případně fyzikálně-ohemioká, založená na depolarizačních účincích kyslíku v elektrochemioké cele e ooulometriokým měřením. Patří eiee také do skupiny nejoitlivějSích metod ke stanovení konoentrace kyslíku, k jejioh funkoi je však potřebný elektrolyt, tekže nejsou vhodná k měřením za sníženého tlaku* ani v tzv. suchých verzích, kde je elektrolyt oddělen od měřeného plynu propustnou diafragmou. Oitlivé přístroje mají velké povrchy elektrod, na niohž dochází ke značné eorbci testovaného plynu. Také jejich objemy bývají veliké. Proto se tato zařízení nejčeetěji používají k testování většíoh průtokových množství plynů. Do skupiny těchto měření např. patří dnes často používaná metoda na základě Hereohovy cely.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje tranzistor řízený polem ke stanovení konoentraoe kyslíku podle vynálezu* jehož podstata spočívá v tom, že je opatřen hradlem ze stříbra* popřípadě jeho slitiny např. s mědí, zlatém* oínem apod. propustným pro kyslík.
Příkladné provedení tranzietoru řízeného polem ke Stanovení konoentraoe kyslíku podle vynálezu je znázorněno na výkrese.
Trenzietor řízený polem ke stanovení konoentrace kyslíku podle vynálezu sestává z polovodičového substrátu £ zhotoveného z křemíku* germania, popřípadě i z polovodičové slitiny* na němž je vytvořen vodivostní kanál £ typu P nebo N s vyvedenými ohmiokými kontakty 2, který je izolován oo nejtenčí izolační vrstvou £ například kysličníku křemičitého apod., na níž je nekoneo nanesena vrstva stříbra* popřípadě slitina stříbra* tvoříoí hradlo 2 tranzistoru. Toto hradlo £ vytvořené ee stříbra nebo slitiny stříbra může být spojeno galvanioky buí s polovodičovým substrátem £, nebo s jedním ohmickým kontaktem J, vodivostního kanálu £, může však být také izolované vyvedeno na patioi tranzietoru řízeného polem* jak je běžné a může- potom na ně být přiváděno z vnějšího zdroje vhodné elektrické napětí.
19β 704
Výhodou je, že takový tranzistor může být vyroben běžnou technologií hromadné výroby tranzistorů řízených polem s využitím většiny stávajících přípravků a technologií. Po zhotovení je možno tranzistor řízený polem zapouzdřit do pouzdra s otvory, aby jimi mohl k hradlu g proudit měřený plyn. Při měření se celek zahřívá na teplotu mezi 80 až 150 °C, přičemž kyslík obsažený v detekovaném plynu jako jediný difunduje stříbrem, nebo jeho slitiny až k rozhraní hradlo g - izolační vrstva £ a způsobí úměrně ke své koncentraci změnu stykového potenciálu mezi ním a polovodičovým substrátem £. Na tuto změnu velmi citlivě reaguje vodivostní kanál 2 ať již typu P, nebo N změnou svého odporu nebo vodivosti, protože se nachází ve velmi silném elektrickém poli vyvolaném stykovým potenciálem.
Proto je změna odporu nebo vodivosti vodivostního kanálu 2 úměrná koncentraci kyslíku a dá se obvyklými způsoby snadno měřit. Důležité je, aby izolační vrstva 4 byla 00 nejtenčí, čímž se dosáhne co největší intenzity elektrického pole a teké největší citlivosti. Předpoklá dáme-li izolační vrstvu £ tloušťky 10“^m, lze pro práh citlivosti předpokládat asi 2 ppm.
Vzhledem k tomu, že je možné vyrobit tranzistor řízený polem ke stanovení koncentrace kyslíku podle vynálezu běžnou polovodičovou technologií, tedy na polovodičových substrátech £ o rozměrech menších než 0,25 x 0,25 mm, stává se tranzistor podle vynálezu jedním z nejmenších čidel k měření koncentrace kyslíku, neboť při běžném zapouzdření zaujme prostor menší, než coa 0,3 cm^ a při měření prakticky v měřeném prostoru nespotřebovává kyslík. Je proto zvlášť vhodný k analýzám malých i hermeticky uzavřených objemů. Vzhledem k tomu, že neobsahuje elektrolyt, je vhodný k měřením i ve vakuových prostředích.
Claims (1)
- Tranzistor řízený polem ke stanovení koncentrace kyslíku, vyznačený tím, že jé opatřen hradlem (5), které je tvořeno vrstvou stříbra, popřípadě jeho slitiny, například s mědí nebo zlatém, propustným pro kyslík.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS190678A CS198704B1 (cs) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | q;ranzigtor řízený polem ke stanovení koncentraóe kyslíku |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS190678A CS198704B1 (cs) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | q;ranzigtor řízený polem ke stanovení koncentraóe kyslíku |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS198704B1 true CS198704B1 (cs) | 1980-06-30 |
Family
ID=5354580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS190678A CS198704B1 (cs) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | q;ranzigtor řízený polem ke stanovení koncentraóe kyslíku |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS198704B1 (cs) |
-
1978
- 1978-03-24 CS CS190678A patent/CS198704B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Moss et al. | Potassium ion-sensitive field effect transistor | |
| US4671852A (en) | Method of forming suspended gate, chemically sensitive field-effect transistor | |
| Zemel | Ion-sensitive field effect transistors and related devices | |
| CA1071709A (en) | Gas analysis apparatus | |
| Wei et al. | Extended gate reference-FET (REFET) using 2D h-BN sensing layer for pH sensing applications | |
| He-Qing et al. | Solid polymer electrolyte-based electrochemical oxygen sensor | |
| US3658479A (en) | Device for measuring the pressure of a gas | |
| RU2483300C1 (ru) | Твердоэлектролитный датчик для амперометрического измерения влажности газовых смесей | |
| CS198704B1 (cs) | q;ranzigtor řízený polem ke stanovení koncentraóe kyslíku | |
| CN119044258A (zh) | 悬臂梁氢气传感器及其校准方法、氢气检测系统 | |
| RU2279066C1 (ru) | Способ определения концентрации примеси газа в воздухе | |
| US6955750B2 (en) | Electrochemical sensor compensated for relative humidity | |
| US4990236A (en) | Thin film moisture sensing element | |
| Fjeldly et al. | Glass electrodes with solid-state membrane contacts and their application in differential potentiometric sensors | |
| US4492614A (en) | Chlorine detection | |
| RU51228U1 (ru) | Датчик газоанализатора кислорода | |
| CA1316715C (en) | Thin film moisture sensing elements and process for the manufacture thereof | |
| JPH068796B2 (ja) | イオン濃度測定方法 | |
| SU1742700A1 (ru) | Способ определени кислорода | |
| SU1048394A1 (ru) | Датчик парциального давлени водорода | |
| SU771533A1 (ru) | Датчик дл измерени концентрации кислорода | |
| RU2752801C1 (ru) | Амперометрический способ измерения концентрации оксида азота в газовой смеси с азотом | |
| Schlechtriemen et al. | Solid state electrochemical chlorine gas sensor | |
| RU55143U1 (ru) | Кислородный датчик | |
| RU22557U1 (ru) | Датчик для измерения концентрации оксида углерода |