CS197632B1 - Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů - Google Patents
Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů Download PDFInfo
- Publication number
- CS197632B1 CS197632B1 CS551677A CS551677A CS197632B1 CS 197632 B1 CS197632 B1 CS 197632B1 CS 551677 A CS551677 A CS 551677A CS 551677 A CS551677 A CS 551677A CS 197632 B1 CS197632 B1 CS 197632B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- thermal resistance
- pulse
- measuring
- voltmeter
- semiconductors
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
Vynález se týká zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů, zejména Gunnových diod. Znalost hodnoty tepelného odporu Gunnových diod je velmi důležitá pro ekonomický návrh generátorů osázených těmito diodami a pro kalkulaci jejich životnosti.
Při stanovení tepelného odporu polovodičů je vždy třeba nějakou nepřímou metodou stanovit teplotu polovodiče v jistých přesně definovaných podmínkách. U většiny polovodičů lze k tomuto účelu využít závislosti průrazného napětí P — N přechodu na teplotě. U Gunnových diod, které nemají P-N, přechod pak zbývá pouze možno využít závislosti proudu diodou na teplotě. Tyto změny jsou však velmi malé, cca 10 až 12 % při změně teploty o cca 50 °C a navíc je třeba vlastní měření proudu diodou provést při daném napětí velmi rychle tak, aby vyhřátí polovodiče bylo zanedbatelné (např. doba měření kratší než 100 nsek při opakovači frekvenci menší 50 Hz), a teplota okolí mohla být považována za teplotu polovodiče.
Níže popsané poloautomatické zařízení vyhovuje těmto požadavkům a dovoluje měřit tepelný odpor tohoto typu polovodičů s absolutní chybou menší než 10 %.
Dosud užívané metody se opíraly o použití vzorkovacího osciloskopu, kdy však lze velmi těžko zajistit dlouhodobou reprodukovatelnost výsledků bez složitých-, a; velmi..,pEacných kalibračních měření a díky stejnosměrnému driftu a obtížnosti dostatečně přesné kalibrace zesilovače v oblasti malých změn signálů, nelze dobře určit ani velikost absolutní chyby měření. Většinou rozptyl měřených výsledků dosahuje až 50 °/o. Chceme-li tento rozptyl zmenšit na alespoň 10 %, pak v případě Gunnových diod je třeba určit amplitudu impulsního proudu s přesností lepší než 1 %>. Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny zařízením pro měření tepelného odporu polovodičů, zejména Gunnových diod, podle vynálezu. Podstatou zařízení podle vynálezu je, že sestává z koncového stupně impulsního generátoru s konstantním vnitřním odporem určeným z kalibračního měření, na jehož výstup jsou paralelně připojeny Gramová dioda a impulsní voltmetr, jehož převodní konstanta je určena z téhož kalibračního měření.
Měření tepelného odporu lze pomocí zařízení podle vynálezu provádět zcela nebo částečně automaticky, jestliže bude programovatelný kalkulátor ovládat ventily termostatů, a bude tak řídit vnější teplotu vyšetřovaného polovodiče.
Vynález je blíže objasněn ha příkladech provedení pomocí přiložených výkresů, kde na obr. 1 je nakresleno schéma zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů a na obr. 2 je znázorněna realizace impulsního voltmetru.
Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů sestává z impulsního generátoru 1, jehož výstup je připojen jednak na vstup koncového stupně 11 a jednak na druhý vstup impulsního voltmetru 2, jehož první vstup.je připojen ha výstup koncového stupně 11 spolu s Gunnovou diodou 3, jejíž druhý vývod je spojen s držákem 4, v němž je Gunnova dioda 3 umístěna. Držák 4 je napojen přes ventily 9, 10 na termostaty 5, 6. Výstup impulsního voltmetru 2 je připojen na vstup programovatelného kalkulátoru 8.
Na vstup programovatelného kalkulátoru 8 je rovněž připojen výstup číslicového voltmetru 7, jehož vstup je připojen na zdroj napájející koncový stupeň 11 impulsního generátoru 1. Zařízení používá jako zdroj měrného impulsu zvláště konstruovaný koncový stupeň ll impulsního generátoru 1, protože je třeba dosáhnout konstantní vnitřní odpor v poměrně širokém rozsahu výstupního napětí (1 až 4 V) při výstupním proudu až 1,5 A, čehož je dosaženo využitím tzv. pamatovací doby u koncových tranzistorů. Jako detektor signálů je použit opět zvláště konstruovaný paměťový impulsní voltmetr 2 s citlivostí lepší než 10 mV a vysoce lineárním zpracováním signálu v rozsahu alespoň 0 až 6 V.
Konstrukce impulsního voltmetru 2 je zřejmá z obr, 2, Sestává ze vzorkovače 20, převodníku 12, hradla 13, paměti 14, synchronizačního obvodu 15, logické výhybky 16, generátoru vzorkovacího impulsu 17, interface 18. Dále je možno připojovat kontrolní displej 19.
Funkce je následující: Po přivedení synchronizačního impulsu do bloku 15 se po zpoždění buď nsek., nebo 1 nsek. v závislosti na výhybce otevírá vzorkovač 20 a odebírá vzorek napětí po dobu 60 nsek. Tento vzorek se ihned zpracovává v převodníku 12 na číslo, které, je-li volné hradlo 13 je převedeno do paměti 14, odkud si je odebírá karta BCD počítače a současně lze je čist na displeji 19. . .
Impulsní voltmetr 2, jehož schéma je uvedeno na obr. 2, může v měřeních zastoupit osciloskop jedině tenkrát, je-li možno například na základní rozsah I V odečítat s přesností + 5 mV. Jeho základní parametry, jsou tyto: Cvst = 100 pF, Rvst = 10s Ω, základní rozsah -0,5 až + 6 V, linearita zpracování signálu + 1 .% při kalibraci s jedním tvarem impulsu lepší než 1 °/oo, šířka odebíraného vzorku napětí —- 60 nsek, potřebné zpoždění signálu oproti synchronizaci cca 10 nsek. Přístroj je koncipován pro rychlý sběr dat. Opakovači frekvence je v uvažovaném případě 10 kHz, ale nečinilo by obtíže rozšířit tento parametr až do 1 MHz.
Vlastní měření probíhá následovně. Vyšetřovaný polovodič je uložen ve zvláštním držáku 4 protékaném vodou z příslušného termostatu 5, 8. Nejprve se změří několik zvolených bodů (popřípadě pouze jeden) V—A charakteristicky obvyklým způsobem, tj. kdy polovodič je současně vyhříván příslušným elektrickým příkonem. Odečtené hodnoty proudu při daných napětích se použijí později ve výpočtu tepelného odporu. Potom se provede měření proudu při těchto napětích pomocí krátkého impulsu, tj. kdy je možno elektrický příkon zanedbat. Toto měření se provede při alespoň dvou různých teplotách (postačující pro GaAsj. Pro GaAs, kde v uvažovaném teplotním rozsahu platí
kde Id je proud diodou a T je absolutní teplota, lze tepelný odpor Rt odvodit:
Tss (Tz — Ti) (1) Iss — 1 (Iti) , P Uo Iss ( 1/It2 — Í/ti)
| kde je | |
| Tss | hledaná teplota, |
| Ti | teplota na termostatu ^, |
| Tz | teplota na termostatu 6, |
| P ' | stejnosměrný příkon při teplotě Tss, |
| Uo | zvolené napětí na voltampérové charakteristice diody a |
| lo | proud příslušný Uo na voltampérové charakteristice diody. |
Výstupní napětí z paměťového impulsního voltmetru 2 je v BCD kódu a je tedy umožněn přímý přepis do řídicího programovatelného kalkulátoru 8 pomocí něhož lze měření z velké části popřípadě i zcela zautomatizovat. Po ustálení teploty odečte hodnotu měřenou impulsním voltmetrem 2 a k němu příslušnou hodnotu napětí na zdroji koncového stupně 11 impulsního generátoru 1. Výsledek se počítá podle předchozí formule.
Claims (1)
- Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů sestávající z impulsního generátoru na jehož výstup je paralelně připojen Impulsní voltmetr a Gunnova dioda, jejíž držák je připojen přes ventily k dvěma termostatům, vyznačující se tím, že mezi impulsní generátor (1) a Gunnovou diodu (3) je zařazen koncový stupeň (lij s konstantním vnitřním odporem určeným z kalibračního měření, k jehož výstupu je paralelně s Gunnovou diodou (3) připojen impulsní voltmetr (2) s převodní konstantou určenou z téhož kalibračního měření.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS551677A CS197632B1 (cs) | 1977-08-23 | 1977-08-23 | Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS551677A CS197632B1 (cs) | 1977-08-23 | 1977-08-23 | Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS197632B1 true CS197632B1 (cs) | 1980-05-30 |
Family
ID=5400193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS551677A CS197632B1 (cs) | 1977-08-23 | 1977-08-23 | Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS197632B1 (cs) |
-
1977
- 1977-08-23 CS CS551677A patent/CS197632B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3070446B1 (en) | Thermo wire testing circuit and method | |
| US10359321B2 (en) | On-chip circuit and method for accurately measuring die temperature of an integrated circuit | |
| KR0169088B1 (ko) | 람다 프로브의 내부 저항 측정 회로 | |
| CN100437061C (zh) | 用于温度校准的方法和装置 | |
| JPS59182535A (ja) | オンチップトランジスタしきい値電圧モニタおよびその使用方法 | |
| RU2685769C1 (ru) | Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением | |
| CN109029791A (zh) | 一种抗反向厄利效应的温度传感器校准方法 | |
| CS197632B1 (cs) | Zařízení pro měření tepelného odporu polovodičů | |
| Bäumler et al. | Modeling of the temperature-dependent On-State-Resistance of GaN-HEMTs considering self-heating during measurement | |
| Halawa et al. | Integrated calibration system for accurate AC current measurements up to 100 kHz | |
| CN115078868A (zh) | 一种老化试验中器件热学参数的测试方法和装置 | |
| RU2808784C1 (ru) | Способ измерения времени отключения электронного предохранителя | |
| RU2229692C2 (ru) | Способ определения температуры | |
| CN2720457Y (zh) | 半导体激光器特性参数测试装置 | |
| SU472298A1 (ru) | Автоматический компенсатор | |
| PL234140B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy | |
| Li et al. | An Intelligent IGBT Gate Driver IC with Temperature Compensated Gate Side Collector Current Sensing | |
| SU1673939A1 (ru) | Устройство дл определени содержани углерода в металле | |
| Doyle et al. | A cost-effective and accurate electrical impedance measurement circuit design for sensors | |
| Scott et al. | New applications for pulsed/isothermal test system | |
| SU1397743A1 (ru) | Многоточечный цифровой термометр | |
| SU1362964A1 (ru) | Способ определени погрешностей термоэлектрических термометров | |
| Szewczyk | Digitally Controlled Thermoelectric Ammeter | |
| Lewandowska et al. | Digitally Controlled Thermoelectric Ammeter | |
| JPH11108774A (ja) | 電圧・抵抗発生測定装置 |