CN87207427U - 薄膜厚度测量装置 - Google Patents

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李焯
杨进城
钟茂声
吕文选
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Xiamen University
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Abstract

薄膜厚度测量装置。本实用新型属于微波测厚技术,是对微波腔体微扰法的改进,并应用于介质薄膜的厚度测量。它采用圆柱型TE。双腔单模作为传感器,被测薄膜位于沿纵向中央所开的横向隙缝中,采取温度自补偿措施和线性好的场效应压控振荡器作为微波振荡源,利用扫频技术实现无接触在线连续自动测量和质检兼容。其测量分辨率和精度高,零漂小,耗散功率小,体积小。

Description

本实用新型属于微波测厚技术。
1973年特尔汤(B.L.Dalton,J.Microwavepower  Vol  8,1973.235)用两个一端开放的园柱型TEo11模高Q腔体作为传感器,被测金属板位于两个腔体的共有端面。金属板的厚度d与谐振频偏有如下关系:
d=Xo-△f/α        (1)
式中Xo为两腔体的间距,α为常数,△f为两腔体谐振频偏和,即相对开放端密封时的频偏。其测量精度为2.5μm。但该方法是利用电磁波在金属面的全反射,不适于介质薄膜的厚度测量。
介质微扰腔体方法较早是用于湿度的测量。
本实用新型的目的是对微波腔体微扰法的改进,并应用于介质薄膜的厚度测量。
利用微波腔体微扰法测量薄膜厚度的装置一般包括传感器、微波源、检测电路、脉冲形成电路、显示电路和电源等,其中传感器是装置的关键。本实用新型采用双腔单膜高Q    TEo11模园柱型腔体作为传感器,双腔为工作腔和参考腔。被测薄膜插入工作腔,例如将工作腔沿纵向中央开横向隙缝,被测薄膜穿透插入腔体。为实现自动、连续测量,设有与工作腔相同模式的腔体作为参考腔。
微波压控振荡器通过T型等功率分配器和隔离器与工作腔和参考腔连接,当工作腔受介质微扰产生正比于厚度d的谐振频偏时,其谐振峰与参考腔谐振峰比较后,就将厚度d转换为谐振时间差。两谐振曲线经峰值检测电路、脉冲形成电路、双稳态电路后输出其宽度与厚度d成正比的脉冲,再经线性积分后,输出电压即与厚度d成正比。
被测薄膜穿透插入腔体时,在符合微扰的条件下,腔体谐振频率偏移为:
△f=-(εr-1)d/l (2)
式中d为被测薄膜厚度,εr为相对介电常数,l为腔体长度。当εr、l一定时,△f与d成正比,由此可推导得厚度的分辨率为
δd=- (l)/(2Qu(εr-1)) · (δf)/(△fo) (3)
式中Qu为谐振腔有载Q值,△fo为谐振曲线的半功率带宽,δf为厚度δd所对应的腔体谐振频偏。若工作频率取为9300MHz,Qu=3000,谐振峰点监测精度为0.02,则可估算得δd=1.3μm,即高Q腔微扰法可获得较高的分辨率。式(3)表明,提高工作频率,减少l,可提高分辨率。然而,工作频率再提高,Qu值下降,开槽隙缝也相应减小,使被测薄膜不能顺利通过。因此,没有必要再提高工作频率。
为了提高传感器的温度自补偿作用,工作腔5由两个半腔组成,如图1所示,其中一半5A与参考腔6直接连结在一起,可用同一园的材料加工而成,另一半5B通过良导热体例如“︺”形黄铜连接块18与参考腔连结在一起,使两腔体的温度基本相同,达到温度的自补偿作用。
本实用新型选用线性好、功耗小的场效应压控振荡器作为微波振荡源,利用扫频技术实现自动测量,压控振荡器的线性对仪器的精度及温度的稳定性是极为重要的。常用的铁氧体YIG单晶电调谐振荡器虽然扫频线性很好,但需磁场部件及供电,而体效应压控振荡器的功耗大,扫频线性差。
与现有技术相比,由于将参考腔和工作腔结合在一起,两高Q腔体均工作于TEo11模式,扫频微波源选择线性好、功耗小的场效应压控振荡器,使得两腔体的热漂移一致性好,具有良好的温度自补偿作用和线性指示,零漂小,耗散功率小,体积小。被测薄膜通过园柱型高QTEo11腔体中的电场波腹处,因而大大提高了测量分辨率及精度,通常整机分辨率可达0.2μm,精度≤±0.5μm。适用于一般的介质薄膜,磁带介质薄膜、塑料薄膜,介质上的无水涂层等的厚度及厚度均匀性测量。可以在线连续测量和质检兼容,无接触测量,快速显示,及时指导现场生产,减少原材料损耗,提高成品率。
附图给出本实用新型的实施例。
图1为传感器结构示意图。
图2为薄膜厚度测量装置方框图。
其中1……压控振荡器,2……T型等功率分配器,3、4……隔离器,5(5A,5B)、6……工作腔、参考腔,7、8……晶体检波器,9、10……放大器,11,12……脉冲形成电路,13……双脉冲形成电路,14    R-S触发器,15……积分滤波器,16……数字电压面板表,17……被测薄膜,18……连接块。
TE011模有载Q值大于3000,工作频率为9300MHZ,工作腔由两个半腔组成,5A与参考腔用同一园的黄铜棒加工而成,另一半5B通过“︺”型黄铜块18与参考腔连结在一起,使两腔体的温度基本相同,达到温度的自补偿作用。压控振荡器是场效应压控振荡器。工作腔两半腔的缝距为1mm,腔体口径为43.8mm,工作腔长为36.4mm,参考腔长为36.2mm。
场效应压控振荡器的振荡电压经过T型等功率分配器、单向隔离器进入工作腔体和参考腔体。由于工作腔体填入介质(被测薄膜)产生一定的频偏,因此,压控振荡器将两腔的频率差转换为谐振时间差,再送入同轴检波器组成的检测电路,就把薄膜厚度转换成某一宽度的脉冲信号。放大器可采用双限幅运算放大器,再由过零比较器形成方波,单稳整形,触发与非门,经过积分和滤波电路变换成直流电压值,送至数字电压面板表直接显示被测薄膜的厚度值。
本实施例的测量范围可以达到0~60μm,可扩展至100μm,分辨率≤0.2μm,精度≤±0.5μm,开机一小时后静态零漂≤±0.5μm/8小时,动态连续≤±0.6μm/8小时,环境温度0~40℃可以无接触自动连续数字显示。

Claims (3)

1、微波高Q腔体微扰法测量薄膜厚度的装置,它包括传感器、微波源、检测电路、脉冲形成电路、显示电路和电源,其特征在于传感器采用双腔单模高QTE011模园柱型腔体,双腔为工作腔5和参考腔6,工作腔沿纵向中央开横向隙缝,工作腔5分为两个半腔5A、5B,其中5A与参考腔直接连结,5B通过良导热体连接块18与参考腔连接。
2、根据权利要求1和2所述的装置,其特征是高Q腔体的工作频率为9300MHZ。
3、根据权利要求1所述的装置,其特征在于微波源用场效应压控振荡器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102022987A (zh) * 2009-09-11 2011-04-20 株式会社东芝 放射线厚度计
CN104501757A (zh) * 2014-12-15 2015-04-08 中国南方航空工业(集团)有限公司 型腔厚度测量方法
CN106643587A (zh) * 2016-09-14 2017-05-10 西安交通大学 一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法
CN111412847A (zh) * 2015-10-10 2020-07-14 江苏新思达电子有限公司 一种测量非导电材质涂装膜厚度的方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102022987A (zh) * 2009-09-11 2011-04-20 株式会社东芝 放射线厚度计
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CN104501757A (zh) * 2014-12-15 2015-04-08 中国南方航空工业(集团)有限公司 型腔厚度测量方法
CN111412847A (zh) * 2015-10-10 2020-07-14 江苏新思达电子有限公司 一种测量非导电材质涂装膜厚度的方法
CN106643587A (zh) * 2016-09-14 2017-05-10 西安交通大学 一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法
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