CN86100517A - 锗酸铋(bgo)单晶的表面抛光技术 - Google Patents

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Abstract

采用α—Al2O3(精磨用粒径范围是:5<d<25(微米);抛光用粒径范围是:1<d<5(微米)),磨料为抛光剂,0.5—20%(体积)丙三醇作为润滑剂,合成树脂抛光布作为抛光膜,以及水为载液,并按0.5—2公斤磨料(经预处理的)加1—30升水,配成的抛光液,用于BGO大单晶体的抛光,达到了优质、(粗糙度分别达到Ra≤0.45,Ra≤0.03微米)高效、低耗和无毒的效果。

Description

本发明所涉及的是BGO大单晶的表面抛光技术。
加工数量多,面积大,表面粗糙度要求高(光面达到0.03微米,粗糙面达到0.45微米)的BGO单晶,仅用一般抛光技术难以实现。需要有适合于BGO抛光用的抛光剂,与之匹配的抛光膜,以及一套抛光工艺技术。
现有的抛光技术,是采用真丝绸作抛光膜,金刚石研磨膏抛光剂,研磨膏中的硬脂酸作为润滑剂。这种形式的抛光近于干抛。表面有波浪形或马尾丝状缺陷,且费用昂贵,成本高。(每根晶体以四个大面计算,要耗费1.5支研磨膏,3~4尺绸布,耗工5天。)
法国某实验室的抛光剂,是金刚钻粉悬浮液,约2.5根晶体耗悬浮液1瓶。晶面粗糙度不好,有较密的粗划痕。粗糙度部分达到0.03微米,局部区域达不到要求。在使用这种抛光剂时,还必须使用一种有中等毒性的化学试剂四氯乙烷作润滑剂,无法防护,有害于工作人员的健康。且由于掺入油性物质,致使样品和模具的清洗困难,要耗费昂贵的三氯乙烷,
本发明的目的,在于提供一种适合于BGO大单晶抛光用的高效、低耗、优质、无毒的抛光技术。它包括:磨料的选择和预处理,抛光液的配制以及抛光剂与抛光膜的匹配。适合于获得BGO大单晶所要求的粗糙度。
本发明所述的技术内容如下:
1.使用下述组成的抛光液
(1)精磨用磨料α-Al2O3,粒度范围是 5<d<25(微米)
抛光用磨料α-Al2O3,粒度范围是 1<d<5(微米);
(2)载液为水;
(3)润滑剂为丙三醇。
2.抛光液的配比是:0.5-2公斤α-Al2O3磨料(预处理),配以1-30升水,加0.5-20%(体积)润滑剂。
3.抛光膜是采用通常用于半导体硅单晶抛光用的合成树脂“抛光布”作抛光膜。
4.α-Al2O3磨料的预处理。在配制抛光液以前,需对磨料按下法进行预处理:一份磨料加四份水,搅拌,使沉淀稳定一段时间,倒入另一容器中,弃去沉底的部分,使达到粒度要求。
经预处理后的磨料,即可用于抛光液的配制。
本发明的效果如下:
优质。大面积大数量的BGO单晶所要求的精磨面与抛光面的粗糙度,分别达到了Ra≤0.45和Ra≤0.03(微米)。
高效。节省工时。因无油性物质掺入,仅用普通水清洗样品和模具,手续简单。工效为原工艺的3倍。
低耗。采用价格低廉的通用磨料; ,在通用的抛光研磨机上即可使用,无需增加特殊设备。不使用昂贵的三氯乙烷和金刚石、绸布等,降低了成本。加工成本为老工艺的1/8。与法国相比,成本约为其 1/15 - 1/20 。
无毒。使用无毒水为载液,不使用有毒的四氯乙烷,无须防护,节省防护费用,于工作人员健康无害。
实施例1。
预处理条件:0.5公斤磨料加2升水,搅拌,沉淀1-5分钟。弃去沉淀底部分。
表1    抛光液的配制条件及其效果
α-Al2O3粒度 α-Al2O3丙三醇 载液(水) 清洗剂(水) 效果(粗糙度)
(微米)    (公斤)    (%体积)    (升)    (微米)
精磨6(或14)    0.5    0.5    2    水    <0.45
抛光2(或4)    0.5    0.5    2    水    >0.03
实施例2。
预处理条件:1公斤磨料加4升水,搅拌,稳定沉淀10-40分钟,舍弃沉底的部份。
表2    抛光液的配制条件及其效果
α-Al2O3粒度 α-Al2O3丙三醇 载液(水) 清洗剂(水) 效果(粗糙度)
(微米)    (公斤)    (%体积)    (升)    (量)    (微米)
精磨5-8(或8-13)    1    1-10    5-20    不限    ≤0.45
抛光<2(或<5)    1    1-10    5-20    不限    ≤0.03
实施例3。
预处理条件:5公斤磨料,加20升水,稳定沉淀45分钟。舍弃沉底部分。
表3    抛光液的配制条件及效果
α-Al2O3粒度 α-Al2O3丙三醇 载液(水) 清洗剂,(水) 效果(粗糙度)
(微米)    (公斤)    (%体积)    (升)    (量)    (微米)
精磨15(或25)    2    5-25    25    不限    >0.45
抛光3(或5)    2    5-25    25    不限    >0.03
各实施例均不采用有毒的四氯乙烷;不采用昂贵的三氯乙烷、金刚石等;采用合成树脂抛光布及无毒水,均达到无毒、高效(工效为原来的3倍)。加工成本为原工艺的1/8。与法国相比,成本仅为其 1/15 - 1/20 。
Figure 86100517_IMG1

Claims (4)

1、一种适合BGO单晶体的表面抛光技术,采用真丝绸作抛光膜,金刚石研磨膏作抛光剂,研磨膏中的硬脂酸作为润滑剂,其特征在于:
a.所使用的抛光磨料(α-Al2O3)的粒度范围是:
精磨5<d<25微米;抛光1<d<5微米。
b.抛光液的组成及配比范围是:
磨料α-Al2O30.5-2公斤
润滑剂丙三醇  0.5-20%(体积)
载液水        1-30升
c.磨料预处理的条件是:0.5-5公斤,加2-20升水,沉淀1-45分钟,弃去沉底部分。
d.抛光膜是采用合成树脂抛光布。
2、根据权利要求1所述的抛光技术,其特征在于:
磨料的粒度为:精磨  5-8(或8-13)微米;
抛光  <2(或<5)微米。
3、根据权利要求1所述的抛光技术,其特征在于:磨料的预处理条件是:1公斤α-Al2O3加4升水,沉淀10-40分钟,弃去沉底部分。
4、根据权利要求1所述的抛光技术,其特征在于:
抛光液的配比是:1公斤α-Al2O3(预处理)加5-20升水,
加1-10%(体积)的丙三醇。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1100104C (zh) * 2000-12-01 2003-01-29 清华大学 纳米级抛光液及其制备方法
CN101619491B (zh) * 2008-07-03 2013-03-06 中国科学院福建物质结构研究所 一种铁电材料硼锗酸钾及其制备方法和用途
CN103468205A (zh) * 2013-09-23 2013-12-25 无锡阳工机械制造有限公司 一种用于铁具的抛光防腐浆料
CN106181589A (zh) * 2016-07-15 2016-12-07 成都精密光学工程研究中心 一种硅酸钇镥晶体的表面修形方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1100104C (zh) * 2000-12-01 2003-01-29 清华大学 纳米级抛光液及其制备方法
CN101619491B (zh) * 2008-07-03 2013-03-06 中国科学院福建物质结构研究所 一种铁电材料硼锗酸钾及其制备方法和用途
CN103468205A (zh) * 2013-09-23 2013-12-25 无锡阳工机械制造有限公司 一种用于铁具的抛光防腐浆料
CN103468205B (zh) * 2013-09-23 2015-09-09 无锡阳工机械制造有限公司 一种用于铁具的抛光防腐浆料
CN106181589A (zh) * 2016-07-15 2016-12-07 成都精密光学工程研究中心 一种硅酸钇镥晶体的表面修形方法
CN106181589B (zh) * 2016-07-15 2020-01-24 成都精密光学工程研究中心 一种硅酸钇镥晶体的表面修形方法

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