CN2708499Y - 超大功率高真空陶瓷管壳 - Google Patents
超大功率高真空陶瓷管壳 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2708499Y CN2708499Y CN 200420027716 CN200420027716U CN2708499Y CN 2708499 Y CN2708499 Y CN 2708499Y CN 200420027716 CN200420027716 CN 200420027716 CN 200420027716 U CN200420027716 U CN 200420027716U CN 2708499 Y CN2708499 Y CN 2708499Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ring
- sealing
- wall surface
- pressing block
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种超大功率高真空陶瓷管壳,包括陶瓷环、上法兰圈、下法兰圈、上压块、下压块、门极引线管和密封圈,上法兰圈的一端与上压块封接,下法兰圈的一端与陶瓷环封接,密封圈的两端分别与下压块和陶瓷环封接,门极引线管与陶瓷环的引线孔相封接;其特征为上压块与上法兰圈、下压块与密封圈采用的是端封与平封相结合的封接结构,即上法兰圈一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块的竖壁面与下壁面,密封圈与下压块封接一端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块的竖壁面与下壁面。本实用新型具有密封性能可靠和上、下压块表面平面度及平行度高的优点;能有效提高半导体器件的电、热性能。
Description
一、技术领域:
本实用新型涉及一种电力半导体器件用陶瓷管壳,尤其是涉及一种超大功率高真空陶瓷管壳。属电力半导体器件技术领域。
二、技术背景:
管壳是半导体器件的一个重要组成部分,它不仅保护着半导体的芯片免受外部有害环境的污染,而且对器件的电、热性能和可靠性均起到了极为重要的作用。特别是航空、航天、军事工程、大型电子系统用的半导体器件,其管壳的性能和质量直接影响着半导体器件的性能和可靠性,直接关系到产品的成品率和制造成本。现行的电力半导体器件用管壳主要由陶瓷环、上法兰圈、下法兰圈、上压块、下压块、门极引线管和密封圈组成,其上法兰圈的与上压块封接,下法兰圈的和陶瓷环封接,密封圈的两端分别与下压块和陶瓷环封接,门极引线管与陶瓷坏的引线孔相封接;上法兰圈与上压块、密封圈与下压块的封接结构采用单一的端封结构,其存在的不足为管壳在高温焊接时易产生漏气、且不易控制内高的工艺尺寸。
三、技术背景:
为克服上述缺点本实用新型的目的在于提供一种密封性能可靠的超大功率高真空陶瓷管壳。
本实用新型的技术内容是:一种超大功率高真空陶瓷管壳,包括陶瓷环、上法兰圈、下法兰圈、上压块、下压块、门极引线管和密封圈,上法兰圈的一端与上压块封接,下法兰圈的一端与陶瓷环封接,密封圈的两端分别与下压块和陶瓷环封接,门极引线管与陶瓷环的引线孔相封接;其特征为上压块与上法兰圈、下压块与密封圈采用的是端封与平封相结合的封接结构,即上法兰圈一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块的竖壁面与下壁面,密封圈与下压块封接一端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块的竖壁面与下壁面。
在现有电力半导体器件用管壳的上压块采用烧结式封装技术,在上压块的内表面有一铣槽,该铣槽为半槽或通槽;在上压块的内表面上铣槽易造成上压块在高温焊接时因金加工而产生内应力,导致上压块内表面平面度差,影响半导体器件的电、热性能。
为提高上压块表面的平面度和平行度,上压块采用全压接式封装技术,在上压块的内表面无铣槽。
本实用新型与现有陶瓷管壳相比,具有如下的优点:
1、上压块与上法兰圈、下压块与密封圈采用端封与平封相结合的封接结构,提高了管壳的气密性。
2、在上压块的内表面无铣槽,提高了上压块表面的平行度和平面度。
四、附图说明:
图1为本实用新型的结构示意图。
五、具体实施方式:
如图1一种超大功率高真空陶瓷管壳,主要由陶瓷环6、上法兰圈3、下法兰圈4、上压块1、下压块2、门极引线管7和密封圈5组成,下法兰圈4的一端封接于陶瓷环6的上端面,上法兰圈一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块1的竖壁面与下壁面;密封圈5的一端封接于陶瓷环6的下端面,另一端与下压块2封接,该端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块2的竖壁面与下壁面;门极引线管7与陶瓷环6的引线孔相封接,上压块1的内表面设有控制孔8。
Claims (2)
1、一种超大功率高真空陶瓷管壳,包括陶瓷环(6)、上法兰圈(3)、下法兰圈(4)、上压块(1)、下压块(2)、门极引线管(7)和密封圈(5),上法兰圈(3)的一端与上压块(1)封接,下法兰圈(4)的一端与陶瓷环(6)封接,密封圈(5)的两端分别与下压块(2)和陶瓷环(6)封接,门极引线管(7)与陶瓷环(6)的引线孔相封接;其特征为上压块(1)与上法兰圈(3)、下压块(2)与密封圈(5)采用的是端封与平封相结合的封接结构,即上法兰圈(3)一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块(1)的竖壁面与下壁面,密封圈(5)与下压块(2)封接一端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块(2)的竖壁面与下壁面。
2、根据权利要求1所述的超大功率高真空陶瓷管壳,其特征为在上压块(1)的内表面无铣槽。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200420027716 CN2708499Y (zh) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | 超大功率高真空陶瓷管壳 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200420027716 CN2708499Y (zh) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | 超大功率高真空陶瓷管壳 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN2708499Y true CN2708499Y (zh) | 2005-07-06 |
Family
ID=34849634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200420027716 Expired - Fee Related CN2708499Y (zh) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | 超大功率高真空陶瓷管壳 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN2708499Y (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101399237B (zh) * | 2008-10-24 | 2010-06-02 | 江阴市赛英电子有限公司 | 全压接快速散热型陶瓷外壳 |
CN102194865A (zh) * | 2011-05-11 | 2011-09-21 | 江阴市赛英电子有限公司 | 大功率igbt平板压接式封装结构 |
CN102554561A (zh) * | 2011-02-01 | 2012-07-11 | 郑维舟 | 一种电力半导体管壳的制作方法 |
-
2004
- 2004-06-08 CN CN 200420027716 patent/CN2708499Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101399237B (zh) * | 2008-10-24 | 2010-06-02 | 江阴市赛英电子有限公司 | 全压接快速散热型陶瓷外壳 |
CN102554561A (zh) * | 2011-02-01 | 2012-07-11 | 郑维舟 | 一种电力半导体管壳的制作方法 |
CN102194865A (zh) * | 2011-05-11 | 2011-09-21 | 江阴市赛英电子有限公司 | 大功率igbt平板压接式封装结构 |
CN102194865B (zh) * | 2011-05-11 | 2012-10-03 | 江阴市赛英电子有限公司 | 大功率igbt平板压接式封装结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN205011866U (zh) | 一种低压扩散炉 | |
CA2522702A1 (en) | Fuel cell | |
CN2708499Y (zh) | 超大功率高真空陶瓷管壳 | |
CN207624677U (zh) | 陶瓷焊盘阵列外壳 | |
CN202888149U (zh) | 全压接封装高压半导体器件 | |
CN112864103A (zh) | 一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构 | |
CN103811424A (zh) | 全压接封装高压半导体器件 | |
CN201623361U (zh) | 半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构 | |
CN101594067B (zh) | 混合动力汽车双面冷却平面高温逆变器 | |
CN216451423U (zh) | 一种对于摄像头模组的逃气结构 | |
CN209626639U (zh) | 一种800w激光器单泵源用陶瓷封装外壳 | |
CN203085651U (zh) | 一种oled封装结构 | |
CN202259234U (zh) | 具有散热器的光伏旁路二极管模块 | |
CN205177819U (zh) | 一种预封装单芯片 | |
CN204391095U (zh) | 新型gto陶瓷管壳 | |
CN205403506U (zh) | 防泄漏石墨热场密封箱装置 | |
CN207021365U (zh) | 一种碳化硅高功率负载 | |
CN201402049Y (zh) | 一种石英密封炉门 | |
CN2712929Y (zh) | 一种玻璃金属副过渡连接装置 | |
CN214145634U (zh) | 用于尾气后处理封装的衬垫 | |
CN203661008U (zh) | 一种晶体封装装置 | |
CN217943210U (zh) | 一种炉底盘自动锁紧结构 | |
CN213275413U (zh) | 一种便携式小型稳定试验箱 | |
CN209164860U (zh) | 新式密封接头 | |
CN212250265U (zh) | 一种带高温密封胶的egr垫片结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |