CN2550899Y - 凸块底缓冲金属结构 - Google Patents

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Abstract

一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构至少具有一金属层及一缓冲金属结构，此缓冲金属结构能够减轻或减缓金属层与焊料凸块结合时产生介金属化合物的电气、机械特性的负面效应。其中，金属层配置于芯片的焊垫上，其组成成分例如为铜、铝、镍、银或金等可与锡发生化学反应的金属，而缓冲金属结构则配置于金属层及焊料凸块之间，用以减少金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物的可能性。

Description

凸块底缓冲金属结构
技术领域
本实用新型涉及一种可配置于芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间的凸块底缓冲金属结构(Under Bump Metallurgy，UBM)，且特别是有关于一种可配置于芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，用以减轻或减缓介金属化合物(Inter-Metallic Compound，IMC)生成的凸块底缓冲金属结构。
背景技术
覆晶接合技术(Flip Chip Interconnect Technology)主要是利用面数组(area array)的排列方式，将芯片(die)的多个焊垫(pad)配置于芯片的主动表面(active surface)上，并在各个焊垫上分别形成凸块(bump)，例如焊料凸块(solder bump)，接着在将芯片翻面(flip)之后，利用芯片的焊垫上的凸块对应连接至基板(substrate)或印刷电路板(PCB)表面上的接点。由于覆晶接合技术可适用于高接脚数(HighPin Count)的芯片封装结构，且具有缩小封装面积及缩短信号传输路径等优点，使得覆晶接合技术目前已被广泛地应用于芯片封装领域。现有的焊料凸块的种类繁多，较为常见的凸块有焊料凸块、金凸块(goldbump)、导电胶凸块(conductive polymer bump)及高分子凸块(polymerbump)等，其中又以焊料凸块的应用最为广泛。
请参考图1，其为现有的一种球底金属层，其配置于一芯片的焊垫及一凸块之间的剖面示意图。芯片10具有一主动表面12、一保护层14(passivation)及多个焊垫16(仅绘示其中之一)，而保护层14及焊垫16均配置于芯片10的主动表面12，且保护层14则暴露出焊垫16，并位于芯片10的主动表面12上方，其中芯片10的主动表面12泛指芯片10的具有主动组件(active device)的一面。此外，芯片10的焊垫16上还配置有一凸块底金属层100，用以作为焊垫16及焊料凸块18之间接合用的界面。
请同样参考图1，凸块底金属层100主要是由黏着层102(adhesion1ayer)、阻障层104(barrier layer)及沾附层106(wettable layer)等多层金属层所构成。首先，黏着层102可增加金属与焊垫16及阻障层14之间的接合性，其常用材质包括铬、钛、钛钨合金、铬铜合金、铝及镍等金属。此外，阻障层104可防止阻障层104的上下两侧的金属发生扩散(diffusion)的现象，其常用材质包括铬铜合金、镍、镍钒合金等金属。另外，沾附层106可增加焊料凸块18的沾附力，其常用材质包括铜、镍及金等。值得注意的是，当沾附层106的材质为铜时，凸块底金属层100还可包括一抗氧化层(未绘示)，其配置于沾附层106的表面，用以预防沾附层106的表面氧化，而抗氧化层的常用材质为金或有机表面保护材料(organic surface protective material)。
请同样参考图1，就已知技术而言，由于锡铅合金具有良好的焊接特性，使得锡铅合金成为焊料凸块18的常见材质。值得注意的是，在焊料凸块18的制作过程之中，在利用电镀、印刷或其它方法，将焊料凸块18配置于凸块底金属层100上之后，接着必须经过一次回焊处理(reflow)，使得焊料凸块18的底端能有效地接合至沾附层106的表面，并且使得焊料凸块18的外观约略呈现圆球状。接下来，在将芯片10的主动表面12上的焊料凸块18对应接触至基板(或印刷电路板)表面上的接点之后，此时必须再经过另一次回焊处理，使得焊料凸块18的顶端能有效地接合至于另一基板(或印刷电路板)(未绘示)的接点的表面。
请同样参考图1，当凸块底金属层100的表层的成分包括铜、镍、铝、银或金等金属时，焊料凸块18在经过多次高热处理(heattreatment)，例如回焊处理之后，焊料凸块18的主要组成成分锡将极易与凸块底金属层100的组成成分铜、镍或金等金属发生化学作用，因而在焊料凸块18与凸块底金属层100之间生成介金属化合物(IMC)，其中以锡铜之间最容易生成介金属化合物，锡镍其次，而锡金亦然。值得注意的是，介金属化合物将会增加焊料凸块18与凸块底金属层100之间的电性阻抗(electrical resistance)，如此将降低芯片10于覆晶封装之后的电气效能，并同时减弱焊料凸块18与凸块底金属层100之间的接合强度。
实用新型内容
本实用新型的第一目的在于提供一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一芯片的一焊垫与一焊料凸块之间，可有效减缓或减轻球底金属结构与焊料凸块之间生成介金属化合物，故可提高芯片于覆晶封装之后的机械及电气效能，并同时提高芯片的覆晶封装的机械结构强度。
本实用新型的第二目的在于提供一种凸块底缓冲金属层，适用于配置在一基板的一焊垫与一焊料凸块之间，可有效减轻或减缓凸块底金属层(或基板的焊垫(铜垫))与焊料凸块之间生成介金属化合物，故可提高芯片于覆晶封装之后的电气效能，并同时提高芯片的覆晶封装的结构强度。
基于本实用新型的上述第一目的，本实用新型提供一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构具有一金属层，其配置在焊垫上，以及一缓冲金属结构，其配置在金属层及焊料凸块之间，用以减轻或减缓金属层与焊料凸块之间生成介金属化合物。
基于本实用新型的上述第二目的，本实用新型提供一种凸块底缓冲金属层，适用于配置在一基板的一焊垫及一焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，而焊垫的主要成分为铜或铝，此凸块底缓冲金属结构具有一金属层，其配置在该焊垫上，以及缓冲金属层，其配置在金属层及焊料凸块之间，用以减轻或减缓金属层与焊料凸块之间生成介金属化合物。
同样基于本实用新型的上述第二目的，本实用新型提供一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一基板的一焊垫及一焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，而焊垫的主要成分为铜，此凸块底缓冲金属结构具有一缓冲金属层，其配置在焊垫及焊料凸块之间，用以减轻或减缓焊垫与焊料凸块之间生成介金属化合物。
为让本实用新型的上述目的、特征和优点能明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图标，加以详细说明。
附图说明
图1为现有的一种凸块底金属层，其配置于一芯片的焊垫及一凸块之间的剖面示意图；
图2A～2F为本实用新型的较佳实施例的多种凸块底缓冲金属结构，其分别配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图；
图3A～3G依序为图2A的第一种凸块底缓冲金属结构的制作流程图；
图4A～4H为本实用新型的较佳实施例的多种凸块底缓冲金属结构，其分别配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图；
图5A～5H依序为图4A的第一种凸块底缓冲金属结构的制作流程图；以及
图6A、图6B分别为本实用新型的第一种凸块底缓冲金属结构及第二种凸块底缓冲金属结构，其分别配置于一基板的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图。
【图号说明】
10：芯片                     12：主动表面
14：保护层                   16：焊垫
18：焊料凸块                 20：基板
22：基板表面                 24：焊罩层
26：焊垫                     28：焊料凸块
100：凸块底金属层            102：黏着层
104：阻障层                  106：沾附层
201～206：凸块底缓冲金属结构 210：金属层
212：黏着层                  214：阻障层
216：沾附层                  220：缓冲金属层
222：第一缓冲金属层          224：第二缓冲金属层
226：第三缓冲金属层          302：金属薄层
304：光阻层                  306：金属层
308：缓冲金属层              401～408：凸块底缓冲金属结构
410：金属层                  412：黏着层
414：阻障层                  416：沾附层
420：缓冲金属结构           422：微型凸块
424：缓冲金属层             502：金属薄层
504：光阻层                 506：金属层
508：缓冲金属层             508a：缓冲金属微型凸块
601、602：凸块底金属层      610：金属层
612：镍层                   614：金层
620：缓冲金属层
具体实施方式
请参考图2A，其为本实用新型的较佳实施例的第一种凸块底缓冲金属结构，其配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图。芯片10具有一主动表面12、一保护层14及多个焊垫16(仅绘示其中之一)，而保护层14及焊垫16均配置于芯片10的主动表面12，且保护层14暴露出焊垫16于芯片10的主动表面12的上方，值得注意的是，芯片10的主动表面12是泛指芯片10的具有主动组件的一面。为了提供焊垫16及焊料凸块18之间接合用的界面，本实用新型提出第一种凸块底缓冲金属结构201，用以配置在焊垫16及焊料凸块18之间，其主要包括一金属层210及一缓冲金属层(IMC Growth Buffer Layer)220，其中金属层210配置于焊垫16上，而缓冲金属层220则配置于金属层210及焊料凸块18之间。此外，金属层210包括黏着层212、阻障层214及沾附层216等，其中黏着层212配置于焊垫16上，而阻障层214则配置于黏着层212上，且沾附层216配置于阻障层214及缓冲金属层220之间。值得注意的是，由于金属层210所具有的组成结构及成分均相同于现有的图1的凸块底金属层100，故在此不再重复赘述，请参考前文的凸块底金属层100的相关说明。
请同样参考图2A，由于沾附层216的常用材质包括铜及金等，当沾附层216的材质为铜时，现有技术更可在沾附层216的表面配置一抗氧化层(未绘示)，用以预防以铜为材质的沾附层216的表面发生氧化，其中抗氧化层的常见材质为金。然而，当沾附层216的组成成分包括铜、镍或金等金属时，焊料凸块18在经过高热处理之后，焊料凸块18的组成成分锡将极易与凸块底金属层210的组成成分铜、镍或金等金属发生化学作用，因而在焊料凸块18与凸块底金属层210之间生成介金属化合物。因此，本实用新型的第一种凸块底金属结构201的缓冲金属层220配置于沾附层216及焊料凸块18之间，用以减轻或减缓沾附层216及焊料凸块18之间生成介金属化合物。此外，为了预防缓冲金属层220在高热处理(例如回焊处理)时熔化，并同时保有缓冲金属层220的结构及其功能，缓冲金属层220的熔点必须高于焊料凸块18的熔点。另外，为了使得缓冲金属层220与焊料凸块18之间良好的接合强度，缓冲金属层220对应于焊料凸块18而具有沾附性。基于上述，缓冲金属层220的最佳材质例如为铅或高熔点的锡铅合金，或是其它材质。
请依序参考图2A～2C，其中图2B及图2C依序为本实用新型的第二种凸块底缓冲金属结构及第三种凸块底缓冲金属结构，其分别配置于一芯片10的一焊垫16及一焊料凸块18之间的剖面示意图。如图2B所示，第二种凸块底缓冲金属结构202大致上与第一种凸块底缓冲金属结构201相同，第二种凸块底金属结构202除了同样具有第一种凸块底缓冲金属结构201的金属层210外，其缓冲金属层220还包括一第一缓冲金属层222及一第二缓冲金属层224，其中第一缓冲金属层222例如为一铅层，其配置于沾附层216上，而第二缓冲金属层224例如为一锡层，其配置于第一缓冲金属层222及焊料凸块18之间。如图2C所示，第三种凸块底缓冲金属结构203大致上也同样与第一种凸块底缓冲金属结构201相同，第三种凸块底缓冲金属结构203除了同样具有第一种凸块底缓冲金属结构201的金属层210外，其缓冲金属层220还可包括一第一缓冲金属层222、一第二缓冲金属层224及一第三缓冲金属层226，其中第一缓冲金属层222例如为一铅层，其配置于沾附层216上，而第二缓冲金属层224例如为一锡层，其配置于第一缓冲金属层222上，而第三缓冲金属层226例如为另一铅层，配置于第二缓冲金属层224及焊料凸块18之间。
请参考图2A～2F，其中图2D、图2E、图2F依序为本实用新型的第四种凸块底缓冲金属结构、第五种凸块底缓冲金属及第六种凸块底缓冲金属结构，其分别配置于一芯片10的一焊垫16及一焊料凸块18之间的剖面示意图。首先，如图2A所示，由于第一种凸块底缓冲金属结构201的缓冲金属层220对应焊料凸块18而具有沾附性，故可省略沾附层216的结构，而形成本实用新型的第四种凸块底金属结构204，如图2D所示。同样地，如图2B所示，由于第二种凸块底缓冲金属结构202的缓冲金属层220对应焊料凸块18而具有沾附性，故可省略沾附层216的结构，而形成本实用新型的第五种凸块底缓冲金属结构205，如图2E所示。同样地，如图2C所示，由于第三种凸块底缓冲金属结构203的缓冲金属层220对应焊料凸块18而具有沾附性，故可省略沾附层216的结构，而形成本实用新型的第六种凸块底缓冲金属结构206，如图2F所示。
请参考图3A～3G，其依序为图2A的第一种凸块底缓冲金属结构的制作流程图。首先如图3A所示，首先提供一芯片10，其具有一主动表面12、一保护层14及多个焊垫16(仅绘示其中之一)，而保护层14及焊垫16均配置于芯片10的主动表面12上，且保护层14暴露出焊垫16于芯片10的主动表面12的上方。接着如图3B所示，可利用蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)或电镀(plating)等方法，全面性形成一金属薄层302于芯片10的主动表面12上，用以作为电镀用的种子层(seed layer)。接着如图3C所示，形成一图案化的光阻层304(photo-resist Layer)于金属薄层302上，并暴露出焊垫16上方的部分金属薄层的表面。接着如图3D所示，更可利用电镀、蒸镀或溅镀的方法，形成一金属层306于金属薄层上，其中金属层306的组成包括黏着层、阻障层及沾附层。接着如图3E所示，同样可利用电镀的方法，形成一缓冲金属层308于金属层306上。接着如图3F所示，移除图案化的光阻层304，而暴露出金属层306的下方以外的金属薄层302。最后如图3G所示，可利用短暂蚀刻移除金属层306的下方以外的金属薄层302，而完成本实用新型的图2A所示的第一种凸块底缓冲金属结构201。
值得注意的是，上段内容仅就图2A所示的第一种凸块底缓冲金属结构201的多种工艺之一作简单介绍，而图2B～2F所示的其它多种凸块底缓冲金属结构202～206的工艺也可参考上述工艺并加以变化而得，故在此不再多作赘述。此外，本实用新型的较佳实施例还可利用一微型凸块(mini bump)，来取代图2A所示的凸块底缓冲金属结构201的缓冲金属层220，用以减轻或减缓金属层与焊料凸块之间生成介金属化合物。
请参考图4A，其为本实用新型的第七种凸块底缓冲金属结构，其配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块间的剖面示意图。与图2A的第一种凸块底缓冲金属结构201的缓冲金属层220相较之下，本实用新型的第七种凸块底缓冲金属结构401包括金属层410及微型凸块422，其中金属层410配置于焊垫16上，而微型凸块422则配置于金属层410及焊料凸块18之间，其中金属层410的组成成分及材质均相同于图2A的第一种凸块底缓冲金属结构201的金属层，故在此不再多作赘述，值得注意的是，微型凸块422的材质及特性均相同于图2A的缓冲金属层220的材质及特性，例如微型凸块422对应焊料凸块18而具有沾附性，用以增加微型凸块422与焊料凸块18之间的接合强度，并且微型凸块422的熔点必须高于焊料凸块18的熔点，用以预防微型凸块422在高热处理(例如回焊处理)时熔化，而无法提供减轻或减缓介金属化合物生成的功能。基于上述，微型凸块422的最佳材质为铅，或是组成成分比约为铅95％及锡5％的锡铅合金，或是其它材质。
请参考图4B，其为本实用新型的第八种凸块底缓冲金属结构，其配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图。与图4A所示的第七种凸块底缓冲金属结构相较之下，图4B所示的第八种凸块底缓冲金属结构402所分布的面积较小，如此将对应使其焊料凸块18的直径相对较小，故可缩小任意二焊料凸块18之间的间距(pitch)。
请参考图4C，其为本实用新型的第九种凸块底缓冲金属结构，其配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图。与图4A所示的第七种凸块底缓冲金属结构401相较之下，图4C所示的第九种凸块底缓冲金属结构403的缓冲金属结构420则包括一微型凸块422及一缓冲金属层424，其中微型凸块422配置于金属层410上，而缓冲金属层424则配置于微型凸块422与焊料凸块18之间，且缓冲金属层424例如为一锡层。
请参考图4D，其为本实用新型的第十种凸块底缓冲金属结构，其配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图。与图4C所示的第九种凸块底缓冲金属结构403相较之下，图4D所示的第十种凸块底缓冲金属结构404所分布的面积较小，如此将对应使得焊料凸块18的直径相对较小，故可缩小任意二焊料凸块18之间的间距(pitch)。
请参考图4E～4H，其依序为本实用新型的第十一～十四种凸块底缓冲金属结构，其分别配置于一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图。与图4A～4D所示的第七～十种凸块底金属结构401～404相较之下，由于图4E～4H所示的第十一～十四种凸块底缓冲金属结构405～408的微型凸块422相对于焊料凸块18而具有沾附性，故可省略图4A～4D所示的第七～十种凸块底金属结构的沾附层416，而形成如图4E～4H所示的第十一～十四种凸块底缓冲金属结构，其中有关于微型凸块422及缓冲金属层424的相关说明上文，故在此不再多作赘述。
请参考图5A～5H，其依序为图4A的第一种凸块底缓冲金属结构的制作流程图。首先如图5A所示，首先提供一芯片10，其具有一主动表面12、一保护层14及多个焊垫16(仅绘示其中之一)，而保护层14及焊垫16均配置于芯片10的主动表面12上，且保护层14暴露出焊垫16于芯片10的主动表面12的上方。接着如图5B所示，可利用蒸镀、溅镀或电镀等方法，全面性形成一金属薄层502于芯片10的主动表面12上，用以作为电镀用的种子层。接着如图5C所示，形成一图案化的光阻层504于金属薄层502上，并暴露出焊垫16上方的部分金属薄层502的表面。接着如图5D所示，可利用电镀、蒸镀或溅镀等方法，形成一金属层506于金属薄层502上，其中金属层506的组成包括黏着层、阻障层及沾附层。接着如图5E所示，可利用电镀或印刷(printing)等方法，形成一缓冲金属层508于金属层506上。接着如图5F所示，移除图案化的光阻层504，而暴露出金属层506的下方以外的金属薄层502。接着如图5G所示，可利用短暂蚀刻移除金属层506的下方以外的金属薄层502。最后如图5H所示，可选择性地进行一回焊处理，使得缓冲金属层508形成一微型凸块508a，并包覆于金属层506的表面。然而，以上仅就图4A所示的第七种凸块底缓冲金属结构401的多种工艺之一作简单介绍，而图4B～4H所示的多种凸块底缓冲金属结构402～408的工艺，也可参考上述工艺并加以变化而得，故在此不再多作赘述。
本实用新型的凸块底缓冲金属结构除了可应用配置于芯片的焊垫与焊料凸块之间以外，还可应用配置于覆晶封装基板的焊垫及焊料凸块之间。请参考图6A，其为本实用新型的第一种凸块底缓冲金属层，其配置于一基板的一焊垫及一焊料凸块之间的剖面示意图。基板20的焊垫26由一图案化的导线层所形成，并由一配置于基板表面22上的焊罩层(solder mask)24所暴露出来，由于基板20的导线层的常用材质为铜，因而使得基板20的焊垫26的成分铜极易与焊料凸块28的成分锡之间发生化学变化，因而生成介金属化合物。因此，如图6A所示，现有技术是利用镍层612或金层614来作为焊垫26及焊料凸块28之间的缓冲金属层，但是镍层612及金层614最后仍会与焊料凸块28的成分锡发生化学作用，因而生成介金属化合物。
承上所述，请同样参考图6A，本实用新型的第一种凸块底金属层601可包括一金属层610及一缓冲金属层620，其中金属层610配置于基板20的焊垫26上，其可包括一镍层612及一金层614，其中镍层612配置于焊垫26上，而金层614则配置介于镍层612及缓冲金属层620之间，用以减轻或减缓焊垫26与焊料凸块28之间生成介金属化合物。此外，缓冲金属层620则配置于金属层610及焊料凸块28之间，同样用以减轻或减缓焊垫26与焊料凸块28之间生成介金属化合物。另外，为了预防缓冲金属层620在高热处理(例如回焊处理)时熔化，仍能保有缓冲金属层620的结构及功能，所以缓冲金属层620的熔点必须高于焊料凸块28的熔点。并且，为了提供缓冲金属层620与焊料凸块28之间良好的接合强度，缓冲金属层620对应于焊料凸块28具有沾附性。其中，缓冲金属层620的最佳材质例如为铅，或是其它材质。
请同时参考图6A、图6B，其为本实用新型的第二种凸块底缓冲金属层，其配置于一基板20的一焊垫26及一焊料凸块28之间的剖面示意图。如图6A所示，由于缓冲金属层620已经具有减轻或减缓焊垫26及焊料凸块28之间生成介金属化合物的功能，故可省略图6A的金属层610，包括镍层612及金层614，而成为第6B图的凸块底缓冲金属层602。同样地，凸块底缓冲金属层602的最佳材质为铅，或是其它材质。
值得注意的是，与铜相较之下，铅的热膨胀系数(Coefficient ofThemal Expansion，CTE)较接近锡铅合金的热膨胀系数，因此，本实用新型的凸块底缓冲金属结构与焊料凸块之间的热应力较小，如此将使得焊料凸块承受较小的剪力而不易发生断裂。
本实用新型的凸块底缓冲金属结构适用于配置在一芯片的一焊垫与一焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构包括一金属层及一缓冲金属结构，其中金属层配置于焊垫上，其组成成分包括铜、镍或金，而缓冲金属结构配置于金属层及焊料凸块之间，用以减轻或减缓金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物。其中缓冲金属结构包括缓冲金属层、微型凸块或两者混合结构，而缓冲金属结构对应焊料凸块而具有沾附性，且缓冲金属结构的熔点高于焊料凸块的熔点，其中缓冲金属结构的最佳材质为铅。
本实用新型的凸块底缓冲金属结构适用于配置在一覆晶封装基板的一焊垫及一焊料凸块之间，其中焊垫的主要成分为铜，而焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构包括一缓冲金属层，其配置于焊垫及焊料凸块之间，用以减轻或减缓焊垫及焊料凸块之间生成介金属化合物，其中缓冲金属层对应焊料凸块而具有沾附性，且缓冲金属层的熔点高于焊料凸块的熔点。另外，此凸块底缓冲金属结构还包括一镍层及一金层，其中镍层配置于焊垫上，而金层配置于镍层及缓冲金属层之间，其中缓冲金属层的最佳材质为铅。
综上所述，本实用新型的凸块底缓冲金属结构配置于芯片的焊垫与焊料凸块之间，或配置于封装基板的焊垫与焊料凸块之间，用以减轻或减缓焊料凸块的成分锡与凸块底金属层的其它金属材质，或与焊垫的材质发生化学作用，因而生成介金属化合物。因此，本实用新型的凸块底缓冲金属结构可有效减轻或减缓介金属化合物的生成，故可相对降低凸块底金属结构与焊料凸块之间的电阻，并相对增加凸块底金属结构与焊料凸块之间的接合强度。
虽然本实用新型已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域的熟练技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，可以作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间，其特征在于：该焊料凸块的主要成分为锡铅合金，该凸块底缓冲金属结构包括：
一金属层，配置在该焊垫上；以及
一缓冲金属结构，配置在该金属层及该焊料凸块之间，用以减少该金属层与该焊料凸块之间生成介金属化合物。
2.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构的熔点高于该焊料凸块的熔点。
3.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构具有沾附性。
4.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构包括一缓冲金属层，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。
5.如权利要求4所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层包括一铅层，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。
6.如权利要求4所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层包括一铅层及一锡层，该铅层配置在该金属层上，该锡层配置在该铅层及该焊料凸块之间。
7.如权利要求4所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层包括一第一铅层、一锡层及一第二铅层，该第一铅层配置在该金属层上，且该锡层配置在该第一铅层上，并且该第二铅层配置在该锡层及该焊料凸块之间。
8.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构包括一微型凸块，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。
9.如权利要求8所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构还包括一锡层，其配置在该微型凸块及该焊料凸块之间。
10.如权利要求8所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该微型凸块的主要成分为铅或锡铅合金。
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