CN2456435Y - 一种用于制备大面积薄膜的加热装置 - Google Patents

一种用于制备大面积薄膜的加热装置 Download PDF

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何萌
周岳亮
许加迪
陈正豪
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本实用新型涉及薄膜制备领域,特别是涉及制备大面积薄膜的工艺技术领域。本实用新型由加热炉底座、两段或多段并联的弹簧状的加热丝、圆型或方型基片加热板组成。本实用新型加热面积大且均匀,温度可达1000℃以上,所制备的薄膜各点性能优良且一致。本实用新型结构简单,易于加工,使用方便,价格低廉,且适于各种薄膜的制备。

Description

一种用于制备大面积薄膜的加热装置
本实用新型涉及薄膜制备领域,特别是涉及制备大面积薄膜的工艺技术领域。
以往制备薄膜的技术,通常采用的加热器是单晶硅(Si)加热器或热丝加热器(Thermocable),通过对发热材料增加电流来达到升温的目的,从而起到对基片加热的作用。随着基片的不断增大,加热器的尺寸也不断加大,但对基片的加热温度却要保持象以前一样的均匀性,这就给单晶Si的加工带来了很大的困难。单晶Si易碎,加工精度又要求极高,所以大面积的Si加热器要做到温度均匀是非常不易的。加热温度不均匀,势必会导致制备出的薄膜质量下降(文献1:用于制备薄膜的单晶硅辐射加热器,专利号:ZL95224595.7)。热丝加热器价格昂贵,且温区范围较小,使基片温度达到800℃以上比较困难,这就大大限制了它的使用范围(文献2:新型体发热加热器,专利号:ZL93203399.7)。实验证明,上述两种方法都不是制备大面积薄膜的理想加热设备。
本实用新型的目的在于克服上述已有技术的缺点,提供一种由加热炉底座、加热丝及加热板组成的,制备大面积薄膜的装置,该装置制备出的大面积薄膜性能优良,有高的均匀性。
本实用新型的目的是这样完成的:
按图1所示,将两段或多段并联的、弹簧状的加热丝2缠绕在固定加热丝的加热炉底座1内,弹簧状加热丝的中心稀松而四周密集。加热丝绕成弹簧状是为了增加单位面积加热功率。而不等密度的绕法是为了使加热板的温度更加均匀。加热丝之间的空隙要疏密适当。如果过密,加热后加热丝会粘连,从而导致加热丝断裂;而过于疏松又会影响加热温度,使其不能达到理想状态。采用两段或多段加热丝并联加热的方式,是考虑到加热电压的限制。利用激光脉冲淀积薄膜时,因为羽辉等离子体的电导作用,加热电压高于临界时,会诱发放电,这样就影响了薄膜的制备。采用加热丝并联的方法便有效地解决了这一问题。
将基片加热板5覆盖在缠绕好加热丝的底座上。基片加热板依据基片的不同形状,可做成圆形或方形。与所制备的薄膜样品相配,加热板根据基片尺寸可设计成各种大小,如φ80mm、φ50mm、40×40mm2、60×60mm2等。
为了使加热器既可水平又可垂直放在真空室内,加热板表面的样品架6加工成台阶型。这样即使竖直放置加热器,基片也可放在台阶上,以利于方便地制备薄膜。
电流通过加热器的上电极3及下电极4达到加热升温的目的。
本实用新型的用法简单:将加热丝均匀缠绕在底座内;分别将上、下电极接在真空室内;将基片加热板覆盖在底座上;将基片放置在加热板的台阶样品架上,紧密接触;关闭真空室,接通上下电极,调节加热电流的大小,即可调整加热器的温度,对基片进行均匀加热。通过红外测温仪测定,各种尺寸的大面积薄膜加热后的基片表面温度实验误差在5℃以下。
本实用新型由于加热丝缠绕在底座内及加热板的平均作用,无论多大的面积均能保持加热温度的均匀性,温度可达1000℃以上,从而使得制备出来的大面积薄膜各点的性能优良且一致,为大面积薄膜的研究打下良好的基础。本实用新型结构简单,易于加工,使用方便,价格低廉,适用于各种薄膜的制备。
下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细地描述:
图1是本实用新型加热装置的结构示意图;
图2是本实用新型的加热炉底座结构示意图;
图3是圆型基片恒温板的结构示意图;
图4是方型基片恒温板的结构示意图。
实施例1:制备面积为φ43mm的圆型钇钡铜氧(YBCO)超导薄膜。
本实用新型由图1中底座1、加热丝2、图3中圆型大面积薄膜的加热板三者共同完成。其中加热炉底座1为陶瓷材料制成的,加热丝2为普通200-2500W电炉丝,圆型大面积薄膜加热板的制作材料为不锈钢材料。先将加热丝均匀缠绕在陶瓷加热炉底座内,缠绕时注意空隙适当,再分别将电炉丝的上下两电极接在真空室内,将基片加热板覆盖在底座上,基片放置在加热板的台阶上,紧密接触。关闭真空室,将真空度调节到70pa,调节加热电流的大小,将基片表面温度调节为870℃,用激光脉冲淀积技术,制备40分钟,得到膜厚约为6000的YBCO超导薄膜,制备出的薄膜颜色均匀。将此薄膜划分成9个区域,分别测量每个区域内的超导转变温度Tc,得到Tc1=90.6K、Tc2=89K、Tc3=91K、Tc4=90.8K、Tc5=91.2K、Tc6=91.8K、Tc7=92K、Tc8=90.2K、Tc9=92K,这说明用此方法得到了性能优良且各点性能一致的薄膜。经多次实验证明,此方法已获成功,且操作简单方便,重复性好。
实施例2:制备面积为60×60mm2的方型钇钡铜氧(YBCO)超导薄膜。
本实用新型由图1中底座1、加热丝2及图4中方型大面积薄膜的加热板三者共同完成。其中底座1为熔石英材料制成的,加热丝2为铂金(Pt)加热丝,方型大面积薄膜加热板的制作材料为不锈钢材料。制备方法与实施例1相同,制备出优质大面积方形YBCO超导薄膜。
实施例3:制备氧化镁(MgO)薄膜。
本实用新型由图1中底座1、加热丝2及图3中圆型大面积薄膜的加热板三者共同完成。其中底座1为陶瓷材料制成的,加热丝2为普通型200-2500W电炉丝,圆型大面积薄膜加热板的制作材料为不锈钢材料。将Mg基片平放在加热板上,关闭真空室,抽真空后通氧气到1个大气压,调节加热电流的大小,将基片表面温度调节为300℃,保持30分钟后,再将基片表面温度调节为700℃保持20分钟,制备出性能优良的MgO薄膜。

Claims (3)

1.一种用于制备大面积薄膜的加热装置,含有加热炉底座(1)、加热丝(2)、加热电极(3)及(4)、加热板(5)、样品架(6),其特征在于:加热丝由两段或多段弹簧状的金属丝并联而成,加热丝缠绕在加热炉底座内;加热丝的中心稀松而四周密集;基片加热板覆盖在缠绕好加热丝的底座上;样品架做成台阶型,并置于加热板表面;上电极(3)及下电极(4)由加热丝引到加热装置外与电源接通。
2.按权利要求1所述的加热装置,其特征在于:所述的基片加热板可做成圆形或方形。
3.按权利要求1所述的加热装置,其特征在于:底座的材料可以是陶瓷或熔石英。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1303247C (zh) * 2004-11-04 2007-03-07 中国科学院研究生院 用于制备大面积均匀薄膜的非线性热丝结构
CN100505954C (zh) * 2005-10-11 2009-06-24 中国科学院物理研究所 一种用于激光分子束外延设备中的衬底加热器
CN102256386A (zh) * 2011-05-20 2011-11-23 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 具有非均匀线间距加热电阻丝的矩形微型加热器及方法

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CN100505954C (zh) * 2005-10-11 2009-06-24 中国科学院物理研究所 一种用于激光分子束外延设备中的衬底加热器
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