CN2447941Y - 具改进结构的钮扣型整流二极管 - Google Patents
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Abstract
一种具改进结构的钮扣型整流二极管，由一硅晶片上、下方涂布焊片，该焊片上再连接圆形的导接体，该硅晶片及导接体外压合环氧树脂包覆结合，其特征是该硅晶片是大于四边的多边型体，该硅晶片于多边边缘上制成具有保护层的设计，该保护层是由硅晶片底边延伸至顶面边缘，为薄膜覆盖玻璃层再覆盖薄膜，最后覆盖玻璃层所依序堆叠形成的薄层体，该硅晶片与圆形导接体对接合，其接触截面积增加，使导通的电流值提高，有效增加整体功率。
Description
本实用新型涉及一种整流二极管，特别涉及一种能提高电流值、加大功率特性的具改进结构的钮扣型整流二极管。
目前整流二极管常应用于各类电子产品上(如应用汽车上电源的整流作用)，以钮扣型整流二极管(button diode)而言，其应用于目前电子产品高功率的需求上就有渐渐不敷使用的情形，因其电流特性易受限制而无法有效的提高，因内部硅晶片以目前B.P.P晶片制程而言皆为四方形的形态，与圆形导接体的接触介质搭配上，四方形晶片截面积较圆形导接体截面积小，其导通截面积就会减少，相对导通了电流值就会较小有所损失，整体功率就无法提高了，是有待改进的必要。
然而，欲将钮扣型整流二极管提高电流值、加大功率等特性，以目前制程而言，就有针对晶片材料特性作改善，使材料阻抗下降，或将材料杂质成分浓度减少，达到较高纯度的硅晶片，但上述方式在降阻抗介质材料取得成本上、后续制程上或设备成本上所发生费用就庞大，因此成本考虑下就不符合经济效益了。
又，以目前磊晶材料特性是可取代硅晶的特性，又有高功率的电性特性，但在制程上需必备高技术之需求，以及高成本的设备需求了，是否具备良品率及大量生产的需求，还有待商榷，以目前此整流二极管的产业应用，无须如此高技术层次及高制程成本的效益，故其也不符合目前此产业的技术需求。
有鉴于目前此产业所面临的瓶颈及需求，本创作人以从事此产业多年的经验，潜心研究，终有本实用新型产生。
本实用新型的目的是要提供一种具改进结构的钮扣型整充二极管，能具提高电流值、增加功率的特性。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种具改进结构的钮扣型整流二极管，是由一硅晶片上、下方涂布焊片，该焊片上再连接圆形的导接体，再于硅晶片及导接体外压合环氧树脂包覆结合所构成，其特征在于：
该硅晶片是在光罩制程上制成大于四边以上的多边型体，该硅晶片于多边边缘上制成具有使硅晶片上、下面与导接体接合时其周缘具有绝缘保护作用的保护层，而保护层是由硅晶片底边延伸至顶面边缘，为薄膜覆盖玻璃层再覆盖薄膜，最后覆盖玻璃层所依序堆叠形成的薄层体。
本实用新型的多边型硅晶片与圆形导接体对接合，其接触截面积会增加，进而达到使导通的电流值能提高，有效增加整体功率的目的。
本实用新型结构简单，该结构使硅晶片上、下面与导接体接合时其周缘具有绝缘保护作用，藉此，该硅晶片与圆形导接体对接合，其接触截面积增加；进而使导通的电流值提高，有效增加整体功率而具经济实用性。
以下结合附图进一步说明本实用新型的技术方案和实施例。
附图说明：
图1是本实用新型钮扣型整流二极管相关构件分解示意图；
图2是本实用新型钮扣型整流二极管立体外观图；
图3是本实用新型钮扣型整流二极管剖面示意图；
图4是本实用新型硅晶片与常用硅晶片于导接体的截面积上作比较的示意图；
图5是图1的5-5剖面线箭头所指方向的剖面示意图。
请参阅图1至图3所示，本实用新型是由一硅晶片1上、下方涂布焊片2，该接着的焊片2上再连接圆形的导接体3，再于硅晶片1及导接体3外压合环氧树脂4包覆结合，即可成型为钮扣型整流二极管。其中该硅晶片1利用光罩制程制成大于四边以上的多边型体(目前制程能力以六边型的硅晶片1为最佳)，该硅晶片1于多边边缘上制成具有保护层11的设计，该保护层11是由硅晶片1底边延伸至顶面边缘，为薄膜12上覆盖玻璃层13再覆盖薄膜12，最后覆盖玻璃层13所依序堆叠形成的薄层体(如图5所示)，使硅晶片1上、下面可与导接体3接合时其周缘具有绝缘保护作用。
因此本实用新型在应用实施上，该六边型的硅晶片1与圆形导接体3对接合处，其接触截面积与已知四方型的硅晶片1′比较就多了20％的截面积(如图4所示的斜线部位)，相对导通的电流值就可有效的提高(因电流值与导通截面积成正比)，整体功率就加大了，极具先进性。
当然，若硅晶片1制成与导接体3截面积同形体的方式，就能将整体功率提高最佳化，但以目前材料切割制程上无法实圆形体的切割考虑缘故，故钮扣型整流二极管采用本实用新型的六边型硅晶片1在成本考虑及实用性上是最合理的，符合此产业的需求，也能合乎经济效益。
综上所述，本实用新型所提供一种具改进结构的钮扣形整流二极管，能达到预期的目的及实用价值，为一合于实用的设计，皆符合实用新型专利各要件，故依法提出实用新型专利申请。
Claims (1)
1、一种具改进结构的钮扣型整流二极管，是由一硅晶片上、下方涂布焊片，该焊片上再连接圆形的导接体，再于硅晶片及导接体外压合环氧树脂包覆结合所构成，其特征在于：
该硅晶片是在光罩制程上制成大于四边以上的多边型体，该硅晶片于多边边缘上制成具有使硅晶片上、下面与导接体接合时其周缘具有绝缘保护作用的保护层，而保护层是由硅晶片底边延伸至顶面边缘，为薄膜覆盖玻璃层再覆盖薄膜，最后覆盖玻璃层所依序堆叠形成的薄层体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 00257382 CN2447941Y (zh) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 具改进结构的钮扣型整流二极管 |
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| CN 00257382 CN2447941Y (zh) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 具改进结构的钮扣型整流二极管 |
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|---|---|
| CN2447941Y true CN2447941Y (zh) | 2001-09-12 |
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| CN 00257382 Expired - Fee Related CN2447941Y (zh) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 具改进结构的钮扣型整流二极管 |
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| CN (1) | CN2447941Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101577234B (zh) * | 2008-05-09 | 2010-12-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种整流二极管的生产方法 |
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2000
- 2000-11-01 CN CN 00257382 patent/CN2447941Y/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN101577234B (zh) * | 2008-05-09 | 2010-12-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种整流二极管的生产方法 |
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