CN2395387Y - 发光二极管的共晶封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管的共晶封装结构,它包括发光二极管以及安装的电板,发光二极管的底面具有一第一金属层,在电路板上有一第二金属层,此一金属层及第二金属为共晶结构接合,发光二极管及电路间电气连接。第一金属为金,第二金属为铟。本实用新型可节省作业时间,并且在较低温度下进行,以避免对于发光二极管特性及印刷电路板造成影响。
Description
本实用新型涉及一种发光二极管的共晶封装结构.
由于发光二极管具有长寿命、体积小、耗电量低、及单色发光特性,因此迄今已在计算机周边、显示器、仪表指示上有广泛的用途。再者由于发光二极管的应用广泛,因此发光二极管的封装也有益形重要。
参见图1,为一习知发光二极管封装在一电路板上的剖视图。参见此图,一个制作好且经过切割的发光二极管芯片200藉电导电黏合剂102置于一印刷电路板100之上,此发光二极管芯片200的阳极202经由一金属接线204而电气连接到印刷电路板100上的对应接点,而发光二极管芯片200的阴极(未图标)则经由导电气的银胶102而连接到印刷电路板100上的另一对应接点,藉此形成回路,以达到驱动此发光二极管芯片200的效果。
然而在上述的发光二极管封装结构之中,由于银胶102需要一段长时间且高温的烘烤,因此会使封装作业耗时且不易完成,此外高温度的烘烤作业也会造成对于发光二极管特性及印刷电路板100造成影响。
本实用新型的目的即在于提供一种发光二极管的共晶封装结构,以达到快速封装的效果,且此封装结构可在较低的温度下进行,以避免对于发光二极管特性及印刷电路板造成影响。
本实用新型的目的是这样实现的:一种发光二极管的共晶封装结构,它包括发光二极管以及安装的电板,发光二极管的底面具有一第一金属层,在电路板上有一第二金属层,此一金属层及第二金属为共晶结构接合,发光二极管及电路间电气连接。
第一金属为金,第二金属为铟。
第一金属为金,第二金属为金/锡合金。
本实用新型可节省作业时间,并且在较低温度下进行,以避免对于发光二极管特性及印刷电路板造成影响。
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明如下:
图1为习知的发光二极管封装示意图;
图2为本实用新型的发光二极管封装示意图。
参见图2,为本实用新型的发光二极管封装示意图。在本实用新型的封装结构系将一发光二极管芯片100快速地安装在一印刷电路板200之上。如此图所示在发光二极管芯片100的底面形成一个第一金属层206,例如可以为锡,而在印刷电路板200之上形成一个对应的第二金属层104,例如为金,接着将此发光二极管芯片100安装于印刷电路板200之上,并且使此第一金属层206与第二金属层104贴合。接着将温度升高至此第一金属层206与第二金属层104的共晶温度,此两个金属层即可形成共晶接合,而达成发光二极管芯片100及印刷电路板200之间的电气接合。接着,再使用习知的技术,将此发光二极管芯片100的阳极202与印刷电路板200的对应电极连接,即可完成此发光二极管芯片100所需的电气连接制造过程。
在上述的具体实例中,第一金属层为金,而第二金属层为铟,因此仅需280℃的温度即可迅速形成共晶接合。当然可以依制程的不同而使用其它的金属材料,例如第一金属为金,第二金属为金/锡合金。
由上所述,因为金属层之间的共晶接合不须习知银胶的耗时的烘烤作业,因此可以加速发光二极管芯片的封装作业,再者,由于共晶结合可以选择适当的金属而降低共晶温度,因此共晶接合不会对于发光二极管芯片100及印刷电路板200产生不利的影响。
综上所述,本实用新型的二极管共晶封装结构,可以节省作业时间,并且在较低温下进行。
Claims (3)
1、一种发光二极管的共晶封装结构,它包括发光二极管以及安装的电板,其特征在于:发光二极管的底面具有一第一金属层,在电路板上有一第二金属层,此一金属层及第二金属为共晶结构接合,发光二极管及电路间电气连接。
2、根据权利要求1所述的发光二极管的共晶封装结构,其特征在于:第一金属为金,第二金属为铟。
3、根据权利要求1所述的发光二极管的共晶封装结构,其特征在于:第一金属为金,第二金属为金/锡合金。
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CN99244277U CN2395387Y (zh) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 发光二极管的共晶封装结构 |
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CN2395387Y true CN2395387Y (zh) | 2000-09-06 |
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CN99244277U Expired - Fee Related CN2395387Y (zh) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 发光二极管的共晶封装结构 |
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CN (1) | CN2395387Y (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100407462C (zh) * | 2006-05-25 | 2008-07-30 | 吴质朴 | 一种发光二极管的封装方法 |
CN100449806C (zh) * | 2005-04-12 | 2009-01-07 | 夏普株式会社 | 氮化物基半导体发光装置及其制造方法 |
CN102024717A (zh) * | 2010-08-21 | 2011-04-20 | 比亚迪股份有限公司 | 一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构 |
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1999
- 1999-09-10 CN CN99244277U patent/CN2395387Y/zh not_active Expired - Fee Related
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