CN2273090Y - 一种半导体变流装置 - Google Patents
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Abstract
一种半导体变流装置,属半导体变流技术领域,主要由整流电路(1)、反馈滤波电路(2)、半桥变流开关(3)、负载谐振电路(4)、保护电路(5)和启动电路、自动恢复电路组成,能解决荧光灯电子镇流电源电流谐波、灯电流波峰比、过压、异常状态、过温、恶性循环兼容保护、自动恢复启动等问题,可用于管形荧光灯或其它气体放电灯电子镇流,也可适于高功率因数开关电源。
Description
一种半导体变流装置,属半导体变流技术领域,主要由整流电路(1)、反馈滤波电路(2)、半桥变流开关(3)、负载谐振电路(4)、保护电路(5)和启动电路、自动恢复电路组成,适用于管形荧光灯或其它气体放电灯的电子镇流。
在已有荧光灯和气体放电灯的电子镇流中,存在过压、异常状态、过温和可能导致的恶性循环等问题难以兼容保护,和动作不准,而且在灯管异常保护后更换好灯管时不能自动恢复启动等弊端,如中国专利1065173、2134029等;在解决电源电流谐波(或功率因数)的方法中,有的是靠大大牺牲灯电流波峰比,来弱弱解善电流谐波,如CN1023627C、CN2201767等,而较好地同时解决这两个问题,较流行的是开关电源式有源滤波,这样成本高,体积大,可靠性低,工艺要求高,多数方式是采用串联开关电源的有源滤波,滤波电容耐压余量小,而并联开关电源式的有源滤波,虽可克服这个问题,但前者问题又更突出;还有一种形式就是采用C′UK变换,它实质是综合了上述两种开关电源式有源滤波形式,仍然存在共同的缺点,而优点综合,特别是可大大提高滤波效果,但仅成本这个缺点,就大大限制了它的使用范围。因而必须研究出成本大幅度下降,性能仅次于有源滤波的滤波电路。
因此,本实用新型提出一种将过压、异常状态、过温和恶性循环高度兼容保护,也提出一种将负载变流与有源滤波兼容的反馈滤波和横向滤波技术,以提高解决电源电流谐波和灯电流波峰比的性能价格比。
现结合附图对本技术原理和结构及其特征综合叙述如下:
附图1,是方框电路示意图。
附图2,是基本原理电路图。
附图3,是基本原理电路图的保护电路图。
附图4,是反馈滤波电路变形结构之一。
附图5,是反馈滤波电路变形结构之二。
附图6,是横向滤波电路。
在附图1中,虚线方框1是电源整流电路,里面由四个二极管组成全桥整流,X、Y点为其交流输入端;方框2是反馈滤波电路;虚线方框3是半桥式变流开关电路,由上下串联的两三极管组成;方框4是负载谐振电路;方框5是保护电路,上面附有保护信号互感线圈;启动电路和自动恢复电路是很少的元件组成未画出,这样表示本技术装置的最基本组成部分。
在附图2中,二极管D7、D8、D9、D10接成全桥整流,构成整流电路(1),X、Y点是其交流电源输入端,其两直流输出端直接(也可串滤波元件或电路,后述)接至半桥变流开关电路(3)的供电电源正负端H、F;半桥开关电路(3)由半导体开关元件T1、T2串连而成,其串接点为N,是谐振电流输出端。当需要电压提高时,可再接一个半桥,构成全桥变流。T1、T2的控制端分别为K、G点。T1、T2多数情况为三极管,也可为场效应管、静电感应三极管等半导体开关元件,本例按三极管方式示出。在H、K点间和N、G点间分别接电阻R4和R7,且把电容C11与R7串联或与R4串联,构成启动(偏置)电路。这样即可完成启动,又可方便保护,又可有利于自动恢复启动。电阻R5、R6分别为T1、T2的基极电阻,分别与电容C9、C10串联,再分别与驱动变压器次级线圈L3、L4串联,所构成的串联电路,分别并联于T1、T2的发射结,同时把二极管D7、D8分别并联于T1、T2的发射结构成C9、C10的充电回路,也可把D7、D8分别并联于C9、C10上,以短路C9、C10的充电回路,与并联于发射结等效。二极管D9、D10分别并联于H、N点间和N、F点间,构成T1、T2的钳位二极管。
把谐振电感L1与负载Rf串联所构成的串联电路为负载谐振电路(4),其一端经驱动变压器的初级线圈L2接至N点,另一端接至负载谐振电路的主谐振电容C6与C7的串接点M。负载Rf为荧光灯管,分压谐振电容C8并接在灯管两端的任意两电极之间,构成灯管附属电路。主谐振电容C6、c7串联构成的串联电路跨接在H、F点间。这样T1或T2与L2、L1、Rf、C7、C6构成串联谐振电路。在谐振电容C6、C7、C8上分别并接电阻R1、R2、R3,或者仅在电容C6或C7、C8上并接电阻,构成自动恢复启动电路。其原理为将灯管Rf去掉后,M点低于电源电压许多,一般设为一半以下甚至为地电位,而C8端电压降为0,N点电压约为电源电压,当好的灯管重新接上后,由于N点大于M点电位,故有电流经L2、L1、C8流过,由于L3、L4和L2的互感,电路立即振荡。
反馈滤波电路(2)主要由二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6和电容C2、C3、C4组成,它的连接是在H、F点间接二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6按阳阴极依次串接构成串联电路,且在D1与D2的串联电路上并电容C2,在D2、D3、D4、D5的串联电路上并电容C3,在D5、D6的串联电路上并电容C4,构成反馈滤波电路的必要电路结构,其中D3、D4的串接点为P,是谐振电压的反馈输入端。P点与M点直接或经电容C5连接,即构成电压反馈,C6、C7上的电压反馈到电容C2、C3、C4上。还可在D2、D5上分别并电容,且在D2、D3的串联电路上和在D4、D5的串联电路上分别并电容,构成进一步改善波峰比特征。如果将二极管D3或D4短接,省去反馈输入端P,就可构成无反馈独立滤波电路的简易应用。
反馈滤波电路,是一种把串联充电并联放电滤波电路与反馈电压整流滤波电路兼容,由于反馈电压是谐振电容上的电压,而这个电压是靠变流开关有源器件产生,所以反馈滤波效果依赖于变流开关有源器件,可称之为兼容式有源滤波,但该滤波特点,主要是将高次谐波反馈贮能,具有仰制高次谐波效果,不能很好地克服贮能电容对整流电路产生的低次谐波,只能算被动兼容有源滤波,下述横向滤波具有主动兼容的特点,两者合并则构成完全兼容式有源滤波。
对于反馈滤波电路来说,还有变形方式。将二极管D3或D4短接,即把二极管D3或D2直接与二极管D5或D4连接省去反馈输入端P,而在二极管D1、D8上分别并电容C22、C25,且在电容C3上并接两个电容构成的串联电路,其串接点Q接入负载谐振电路的谐振元件的一端,这样构成的反馈滤波电路如附图4所示:二极管D21、D22、D23、D24、D25分别相当于附图2的D1、D2、D4或D3、D5、D6,电容C23、C26、C29分别相当于附图2中的C2、C3、C4;T21、T22分别为变流开关,其串接点与Q点间接由驱动变压器初级L21、谐振电感L22、灯管Rg构成的串联电路,而电容C21接在Rg的两端是Rg的附属电路。这样C22、C23、C24、C25为主谐振电容,只要把C22、C25的取值较小,它们上的电压就反馈到C28、C29上。
对于反馈滤波电路还可为:将二极管D3或D4短接,即把二极管D3或D2直接与二极管D5或D4连接,省去反馈输入端P,而将电容C3用两个串联电容C36、C37代替,其串接点S接至负载谐振电路的负载Rf的一端,且在电容C2的非电源端即C2与二极管D2的连接点与电容C4的非电源端即C4与二管D5的连接点之间接两个电容C33、C34组在的串联电路,其串接点与S点相连。这样构成的变形反馈滤波电路结构如附图5所示:二极管D31、D32、D33、D34、D35分别相当于附图2中的D1、D2、D4或D3、D5、D3;电容C32、C35分别相当于附图2中的C2、C4;T32、T31、L32、Rp、C31分别相发于附图4中的T21、T22、L21、L22、Rg、C21为变流开关电路和负载谐振电路。图5原理近似于图4,是把谐振电容C33、C34的电压贮存于C36、C37中构成反馈。
反馈滤波电路能很有效地滤除高次谐波,但对低次谐波就没什么大的效果,一般只能使3次谐波减到18%左右,所以本技术同时还提出一种新的横向滤波方式,改善低次谐波比先有技术更进一步。上述反馈滤波电路,由于整个电路按通常画法是纵向的,所以可称为纵向反馈滤波电路,而下述电路关键部份横惯于交流电源和纵向滤波电路之间,故称横向滤波电路。因为附图2可满足“H”标应用,可成为独立实用电路,所以把横向滤波电路单独示出和说明,用以对附图2性能补充。横向滤波电路如图6所示:
把交流电源整流电路(1)的两直流输出正负端分别直接或经过(串联)电感元件与二级管42、46连接于a点和b点,若经过(串联)电感元件,a、b点就是整流电路的可视直接等电位输出端,而把二极管42、46、分别串接二级管43、47于i点和f点,二级管43、47的另一端e、d分别与半桥变流开关电路的供电源正负端如H、F连接,那么在二级管42、43构成的串联电路上和二级管46、47构成的串联电路上分别接电容41和48,41和48也可由频带网络如LC电路取代,且还在i、f点间接负载谐振电路的主谐振电容44、45组成的串联电路,其串接点为K,K点接负载谐振电路中谐振元件的外电路连接端,如Rf的外连接端,如附图2中Rf与M点连接的那一端,从K点直接或经过电容或一个频带网络到反馈滤波电路的输入端输出反馈电压。反馈滤波电路也可以是本先有技术《一种电子镇流装置》中所述的“滤波电路19”。这样就构成了横向滤波的一种基本电路,其原理是:当e、d间电压大于a、b间电压时,谐振电流从41、42、44和48、46、45上流过,于是在41、48上产生电压,它们与a、b间电压串加,则大于e、b间电压,故交流整流电路继续整流,交流电源电流得以延续,电流谐波自然下降。又由于二级管42、46的存在,减少或杜绝了电容44、45分别通过电容41、46的放电回路,故低次谐波更易减小,这正是本技术的一大优点。
横向滤波电路接入后,自动恢复启动电路,同样是在谐振电容上并接电阻,不过此时主谐振电容是44、45,可在它们上直接并联电阻。也可在等效端并联电阻,也象前述一样,只在一个主谐振电容上并联电阻,构成恢复启动。
但是,这种横向滤波基本结构也有变形的方法。如在二极管42、43的串联电路中还可串入电感元件,在二极管46、47的串联电路中也可串入电感元件,在二极管46、47的串联电路中也可串入电感元件,甚至这两个电感可绕在同一磁芯上。当这两个电感是分别串在42、43和46、47之间具有抽头时,由电容44、45构成的串联电路可接在这个两个电感的抽头之间。电感也可只串一个。另外,二极管42、46可用电感代替,或者将二极管43、47用电感代替。
横向滤波电路也可与交流电源的整流电路(1)相兼容,以进一步降低成本,下面具体叙述。在交流电源的全波整流电路(1)中,把接在输出正极的一个二极管和接在输出负极的一个二极管或者是整流电路(1)中一个半桥的两个二极管分别用二个串联的二极管代替,其串接点分别设为H、Z点,那么分别在H、Z点接一个谐振电容到T点,T点接在负载谐振电路中谐振元件的外电路连接端,如附图(2)中Rf与M点连接的那一端,T点也可直接或经一个电容或频带网络接入反馈滤波电路的反馈输入端,构成横向滤波电路的另一种必要特征。那么充分特征还应为:在H点或与H点高频可视等电位点与整流电路(1)的一直流输出端之间接电容,同样还在Z点或与Z点高频可视等电位点与整流电路的另一直流输出端之间接电容。横向滤波原理为:当接在交流整流电路直流输出两端的纵向反馈滤波电路或通常已有技术贮能滤波电路的端电压大于交流电源的即时值时,上述充分条件中所述的电容有负载谐振回路的高频电流通过,故有相应电压,它与交流电源即时电压串加就会大于纵向反馈滤波电路或其它贮能滤波电路的端电压,故交流电源电流得以连续,其低次谐波相应下降,故有滤波效果。
图3是图1和图2保护电路(5)部分。L11是绕在负载谐振电路电感上的互感线圈或谐振电流互感器的次级线圈;二极管D11、D12对L11上的信号整流,经电容C71滤波,而把电位器W并接于C71上,W的中心触点接E点,为保护处理电路信号输入端。W也可用固定分压电阻取代。本保护技术特征是把一个PNP型三极管、T11的基极与一个NPN三极管、T12的集电极连接于C点,而T11的集电极与T12的基极连接于B点,而把T11的发射极设为A点,T12发射极设为D点,那么在A点与半桥变流开关电路的电源负极F之间接电容C1,在E点与A点间接电阻R11,且还在C点接入稳定电压,或称稳定电位点,稳定电压由公知稳压电路供给,这样可在D、F点间输出保护处理信号,推动或触发保护执行元件T13,由此构成保护电路的必要电路结构。但是还有变形结构,如在B、C间接电阻或阻容电路,也可在B、F间接阻容元件或阻容电路。在D、F间所接的C1放电负载电阻R12也可开路。保护执行元件T13是三极管,也可是可控硅、场效应管,其输入驱动信号取至于R12两端,G点为变流开关输入回路某控制点,如开关元件T2控制极上,电阻R13和稳压二极管D13组成简单的稳压电路,R13、D13的连接点为稳定电位点,也可是其它已有技术稳压方式,+V为稳压电路的供电电源。保护电路原理为:R11、C1构成积分延时,抑制瞬时过冲,当A点上升到高于C点电位后,T11、T12构成正反馈导通,C1对R12放电,R12上便获得处理的保护驱动信号。为了延长C1的放电时间,可在T11的发射极串一个电阻到A点。T13为三极管时,因其发射结并接在R12上,D点电位仅高于F点电位0.7V左右,而T11、T12导通后,A、D间和C、D间电压也立即下降到0.7V左右,这样D13上的稳定电压也将随之下降,这时C点与G点在低电位时可等同。当T13是可控硅时,而R12值较小时,可在D点与控制极之间接一个隔离二极管,以杜绝R12对可控硅性能的影响。如果把E点与R11断开,E点接门电路的一输入端,门电路的输出端再与R11连接,把门电路的另几个输入端分别输入独立的过压、过温等
信号,这样输入信号相互不受影响。本例的E是接在W的中心触点上,而L11是绕在谐振电感线圈的互感线圈,故W上的信号有异常、电源过压、负载短路、过温、恶性循环兼容信号,经试验表明对这些情况可兼容保护。
本保护电路是利用三极管廉价的特点构成一个简单易行的电压比较器,T11和T12的连结实质构成了一只可控硅,故可以用半导体制造技术和工艺或厚膜电路技术制成单只就可更进一步提高性价比和一致性。
关于保护还可用一块廉价的四运放如LM324等,它里面集成有四个单运放,完全可以把它引入电子镇的综合保护和预热控制,下面具体叙述。把四运放分为甲、乙、丙、丁,则把甲、乙、丙的一输入端接至参考电压点上,参考电压可共用,也可选不同的参考电压,参考电压点的设定可选用通常技术,那么把甲运放的另一输入端接至电源电压分压器的分压点上,获得过压取样信号,而乙运放的另一输入端接至常用温度传感器的输出端,获得过温信号,而丙运放的另一输入端接至如附图3的异常信号取样电位器W的中心触点E上,或延时取样电路的输出端,如R11、与C1的连接点上,获得异常信号和恶性循环信号,那么把甲、乙、丙的输出端分别经一耦合元件或隔离元件如或门或或非门的输入端,或门或或非门的输出端,接至半桥变流开关电路的停振控制端,该控制端为半桥变流开关元件的控制极,如附图2G点,就构成了用集成电路实现过压、过温、全异常综合保护的一种必要电路结构。这三个保护也可用一个运放完成,这里分别用独立的运放是为了精度不下降;最后将丁运放接成线性积分放大或跟随放大器,如将负输入端与输出端间用电容或直接连接,把正输入端接入负载谐振电路的谐振电压或电流取样信号,如接至附图3中的电容C71两端或电位器W的中心触点E与地点F之间,其输出端直接或再接一个开关放大元件的输入端,而开关放大元件的两输出端接本先有技术《一种变流装置)》中所述的预热控制线圈的整流直流输出端,便可兼容完成预热控制。
本技术与现有技术比能简便易行实现保护自动恢复启动;由于启动的冲击,许多保护只得把延时动作时间增长,但是,同时减小了对保护元件的驱动能力,而使动作速度、精度大大降低,本技术由于引入了比较电压,动作元件又具有强烈的正反馈,所以能有效地克服误动作、速度、精度低,特别能将异常状态、负载短路、电源过压、过温和一切因素造成的恶性循环均能兼容保护,采用集成电路的方案甚至还能兼预热控制;同时提出了一种独特的反馈滤波技术,使高次谐波很容易达到超过标准,各分次谐波很易达到L标,总谐波含量很易降到25%左右,灯电流波峰比也很容易超过标准,且贮能滤波电容C2、C3、C4、有条件使耐压余量大;更进一步提出了一种横向滤波技术,把它与反馈滤波技术结合,总谐波含量则易实现小于8.5%的高指标,特别是3次谐波能压缩到5%以下,而波峰比仍然可达标,在此基础上,功率因数自然相应达到0.99以上。
现结合附图补充说明这些效果的实现。在附图2中,电源H正端经R4、T1发射结、N点、R7、C11、T2发射结到电源F负端,构成变流开关T1、T2的偏置电路,在开机时有偏置电流,由于T1、T2的导通能力不可能绝对平衡,故负载谐振变流电路很容易起振,当保护信号使T13饱和,即相当于T2的G、F发射结短接,负载谐振变流即立停振,且C11上充满了电源电压,N点电位相应升至H端电位,如更换Rf,C8上的电压经R3放电,重新接上RF时使N点经L2、L1、C8、M构成通路,由于M点由R1、R2分压,甚至只接R2时,M点低于H点电位许多甚至到F端地电位,所以N、M间有电流且通过L2,而L3、L4、与L2互感,至使负载谐振变流振荡,完成自动恢复启动;在附图3中R11与C1串联是为了缓冲冲击电压排除误动作信号输入,由于T11、T12是正反馈连接,A、C间只须很微弱的电流,就可使T11、T12形成正反馈,所以R11可以大到几百KΩ不会影响它们动作,由于在正常工作和误信号到来时,A点都低于C点电位,因而T11、T12可靠截止,不易发生误动作,又因D13由R13给入稳定电流,克服了D13阀值误差,现在技术只使稳压二极管处于漏电电流工作状态,精度非常低,本文为了进一步提高精度,用LM324等运放器件,可实现零电位(地F)比较,即把参考电压点接于地F点,完全排除比较电压不准造成的误差;在附图2中,C2、C3、C4为三只贮能电容,整流电路(1)对它们串联充电,电源电压由三只电容承担,耐压能力相对提高;附图2结合附图6可实现完善兼容式有源滤波:即当X、Y或a、b点间电压大于H、F或e、d电压(在交流电源电压峰值区)时,负载谐振变流电流,是从a点经42、i点、44、Rf、L1、L2、N点、T2、F或d点、47、46到b点,或从a点经42、43、T1、N点、L2、L1、Rf、45、f点、46到b点,这段时间内,滤波由独立的反馈滤波电路(2)完成;在交流电源电流谷值区,X、Y或a、b点间电压小于H、F或e、d间电压,负载谐振变流电流立即自动改变线路,从H或e点经41、42、i点、44、K点、Rf、L1、L2、N点、T2到F或d点,或从H或e点经T1,N点、L2、L1、Rf、K点、45、f点,46、48、到F或d点,这样谐振电流在41、48上产生了电压,相当于通常独立式有源滤波通过变换在串联于交流电源回路的电感贮路元件上产生的电压,这个电压与电源电压串连大于贮能滤波电容或H、F端的电压,于是交流电流继续续流,又由于贮能滤波电容的能量依赖于交流电源电压,所以交流电流能较好地跟随交流电压变化,从而实现了完善兼容式源滤波,使滤波指标达以较高的水平。这是静态分析,动态时峰值区与谷值区没有绝对划分。
把附图2、附图3、附图6、结合在一起实施,是本技术最好的实施方案之一。但是交流电源与整流电路(1)的X、Y端的连接还要加LC滤波或π型滤波,和抑制传导干扰的共模抑制线圈和高频滤波电容。这是公知技术或常识,所以上文未详述。
另外,由于本技术是中频电子振荡装置,无不存在辐射干扰的问题,对此一方在注意电感线圈如L1的漏磁,使间隙较小,把电感磁芯选用罐形,或将磁芯设计成外磁路封闭,内磁路留间隙,另一方面在变流开关元件上并RC吸收电容,再一方面把整机外壳选用能静电屏蔽和磁屏蔽的材料,等这些也是公知的技术和常识。
根据本技术原理可实施成多种规格的荧光灯和气体放电灯电子镇流,T1、T2、可选用MJE1300系列或DK51-56系列,T11、T12、T13可分别选用9012、9013、9013三极管,其它阻容、二极管均为通常材料,视镇流器的规格选定。
本技术是本先有技术如《一种变流装置》、《一种电子镇流装置》等的补充,可相互参照实施。
如果把负载谐振电路的负载Rf用开关电源的输出变压器及其整流电路取代,把驱动变压器换成本先有技术或公知技术方式,本技术就可实施成开关电源,本技术解决电流谐波和功率因数乃至保护和恢复启动的原理、结构同样适于开关电源,也是开关电源中存在的突出问题,这些原理结构可以毫不加修改地应用于开关电源中,仅控制电路和输出电路不同,然而这是已有公知技术,故不再敖述。
Claims (8)
1、一种半导体变流装置主要由整流电路、反馈滤波电路、启动电路、半桥变流开关、负载谐振电路、保护电路、自动恢复电路组成,其特征在于:
a、在半桥变流开关电路的供电电源H端接电阻R4到变流开关元件T1的控制极K,且在T1与变流开关元件T2的串接点N接电阻R7到T2的控制极K,把电容C11与R7或R4串联,
b、在谐振电容C6、C7、C8上分别并接电阻R1、R2、R3或者仅在C6或C7、C8上并接电阻构成自动恢复启动,
c、把一个PNP型三极管T11的基极与一个npn型三极管T12的集电极连接于C点,而T11的集电极与T12的基极连接于B点,而把T11的发射极设为A点,T12的发射极设为D点,那么在A点与半桥变流开关的电源负极F之间接电容C1,在保护信号输入端E与A点间接电阻R11,且还把C点与稳定电位点连接,构成保护处理必要电路结构,
d、将二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6按阳阴极连接依次串联,构成的串联电路并接在半桥变流开关电路的供电源正负H、F间,且在二极管D1与D2的串联电路上并电容C2,在二极管D2、D3、D4、D5的串联电路上并电容C3,在二极管D5、D6的串联电路上并电容C4,其中二极管D3与D4的串接点P为谐振电压反馈输入端,由此构成反馈滤波电路的必要电路结构。
2、如权利要求1所述的装置,其特征在于:在二极管D2、D5上分别并电容,且在二极管D2、D3的串联电路上和在二极管D4、D5的串联电路上分别并电容,以进一步改善波峰比。
3、如权利要求1所述的装置,其特征在于:把二极管D3或D2直接与二极管D5或D4连接,省去反馈输入端P,而在二极管D1、D6上分别并接电容,且在电容C3上并接两个电容构成的串联电路,其串接点接至负载谐振电路的负载Rf的一端,构成反馈滤波电路的变形结构。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于:把二极管D3或D2直接与二极管D5或D4连接,去掉反馈输入端P,而将电容C3用两个串联电容取代,其串接接点S接至负载谐振电路的负载Rf的一端,且在电容C2与二极管D2的连接点和电容C4与二极管D5的连接点之间接两个电容组成的串联电路,其串接点与S点相连,构成反馈滤波的变形结构。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于:在交流电源整流电路(1)的两直流输出正负端分别直接或串电感元件与二极管42、46连接于a点和b点,而把二极管42、46分别串接二极管43、47于i点和f点,二极管43、47的另一端分别与半桥变流开关的供电源正负端连接,且在二极管42、43构成的串联电路上和二极管46、47构成的串联电路上分别接电容41和48,且还在i、f点间接负载谐振电路的主谐振电容44、45组成的串联电路,其串接点为K,把K点与负载谐振电路中谐振元件的外电路连接端连接,构成横向滤波电路的一种必要电路结构。
6.如权利要求1或5所述的装置,其特征在于:在二极管42、43之间和二极管46、47之间可分别串接电感。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于:在整流电路(1)中,把接在输出正极的一个二极管和接在输出负极的一个二极管分别用两个串联的二极管代替,两个串联的二极管的串接点分别为H、Z点,在H、Z点分别接一个谐振电容到T点,T点与负载谐电路中谐振元件的外电路连端相连,构成横向滤波电路的另一种必要电路结构。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于:在甲、乙、丙、丁四运放中,把甲、乙、丙运放的一输入端分别与参考电压点连接,将甲运放的另一输入端接至电源电压分压器的分压点上,且将乙运放的另一输入端接至温度传感器的输出端,且将丙运放的另一输入端接至异常信号取样电位器W的中心触点E上或电阻R11与电容C1的连接点上,那么把甲、乙、丙运放的输出端接或门或或非门的输入端,还将丁运放的负输入端与输出端间用电容连接或直接连接,而把正输入端接至电位器W的中心触点E上,把输出端与一个开关放大元件的输入端连接,构成用同一芯片完成适于电子镇流的综合保护和预热控制电路的必要电路结构。
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