CN221588657U - 掩膜框架及掩膜结构 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种掩膜框架及掩膜结构。该掩膜框架包括：第一掩膜条，第一掩膜条上形成有搭接槽；第二掩膜条，第二掩膜条搭接在搭接槽内，并与第一掩膜条围成对应面板的蒸镀单元；其中，搭接槽的边缘与第二掩膜条之间形成有第一间隙；在搭接槽的两侧设置有与面板的边缘配合的异形形成区，面板与第二掩膜条之间形成第二间隙，第一间隙在第二方向上的虚拟延伸区域位于在第二间隙内。本公开提供的掩膜框架在面板与第二掩膜条之间形成第二间隙，同时将第一间隙的虚拟延伸区域布置到第二间隙内，能够避免掩膜条在第一间隙和虚拟延伸区域处出现的下垂或褶皱影响面板，从而提高面板的显示效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜框架及掩膜结构。
背景技术
在OLED(Organic Light-Emitting Diode,即有机电激光显示或有机发光半导体)制造技术中，真空蒸镀用的掩膜框架是至关重要的部件之一，其与掩膜条配合决定了面板在真空蒸镀后的显示效果。
但目前的掩膜框架的性能有待提升。
实用新型内容
有鉴于此，本公开的目的在于提出一种掩膜框架，能够提高OLED面板的显示效果。
基于上述目的，本公开提供了一种掩膜框架，其包括：第一掩膜条，沿第一方向延伸，所述第一掩膜条上设置有搭接槽；第二掩膜条，沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述第二掩膜条搭接在所述搭接槽内，并与所述第一掩膜条围成对应面板的蒸镀单元；其中，所述搭接槽的边缘与所述第二掩膜条之间形成有第一间隙；在所述搭接槽的两侧设置有与所述面板的边缘配合的异形形成区，所述面板与所述第二掩膜条之间形成第二间隙，所述第一间隙在第二方向上的虚拟延伸区域位于所述第二间隙内。
在其中一个实施例中，所述第一掩膜条具有朝向所述第二掩膜条的第一表面，所述搭接槽位于所述第一表面上；所述第二掩膜条具有朝向所述第一掩膜条的第二表面，在所述第二表面上设置有用于容置所述第一掩膜条的半刻区；所述第一掩膜条和所述第二掩膜条通过所述搭接槽和所述半刻区相互搭接形成搭接区域；
所述第一掩膜条为遮挡条，所述第二掩膜条为支撑条。
在其中一个实施例中，所述第一掩膜条和所述第二掩膜条厚度相同；
所述第一掩膜条和所述第二掩膜条在搭接区域搭接后的厚度与所述第一掩膜条的厚度相同。
在其中一个实施例中，所述第一掩膜条沿所述第二方向间隔布置有多条；所述第二掩膜条沿所述第一方向间隔布置有多条；多条所述第一掩膜条和多条所述第二掩膜条围成至少一个所述蒸镀单元。
在其中一个实施例中，所述第二间隙的宽度大于或等于所述第一间隙的宽度。
在其中一个实施例中，所述第一间隙的宽度为0.1毫米至0.6毫米。
在其中一个实施例中，所述异形形成区包括向所述搭接槽的中心方向凹陷并且与所述面板形状相配的弧角。
在其中一个实施例中，所述掩膜框架还包括主框架，所述主框架围合形成蒸镀区域，所述第一掩膜条和所述第二掩膜条布置在所述蒸镀区域内并将所述蒸镀区域间隔成多个所述蒸镀单元。
本公开还公开了另一种掩膜框架，包括：第一掩膜条，沿第二方向延伸，所述第一掩膜条上设置有搭接槽；第二掩膜条，沿与所述第二方向相交的第一方向延伸，所述第二掩膜条搭接在所述搭接槽内，并与所述第一掩膜条围成对应面板的蒸镀单元；其中，所述搭接槽的边缘与所述第二掩膜条之间形成有第一间隙；在所述搭接槽的两侧设置有与所述面板的边缘配合的异形形成区，所述面板与所述第二掩膜条之间形成第二间隙，所述第一间隙在所述第一方向上的虚拟延伸区域位于所述第二间隙内。
在其中一个实施例中，所述第一掩膜条具有朝向所述第二掩膜条的第一表面，所述搭接槽位于所述第一表面上；所述第二掩膜条具有朝向所述第一掩膜条的第二表面，在所述第二表面上设置有用于容置所述第一掩膜条的半刻区；所述第一掩膜条和所述第二掩膜条通过所述搭接槽和所述半刻区相互搭接形成搭接区域；所述第一掩膜条为支撑条，所述第二掩膜条为遮挡条。
基于同样的构思，本公开还公开了一种掩膜结构，该掩膜结构包括：上述的掩膜框架；掩膜条，所述掩膜条固定在掩膜框架上。
与现有技术相比，本公开提供的掩膜框架在面板与第二掩膜条之间形成第二间隙，同时将第一间隙的虚拟延伸区域布置到第二间隙内，能够避免掩膜条在第一间隙和虚拟延伸区域处出现的下垂或褶皱影响面板，从而提高面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为第一间隙导致面板阴影异常的原理示意图；
图2为图1中第一掩膜条和第二掩膜条的结构示意图；
图3为第一间隙导致面板阴影异常的原理的另一示意图；
图4为图3中第一掩膜条和第二掩膜条的结构示意图；
图5为本公开一实施例提供的掩膜框架的装配示意图；
图6为本公开一实施例提供的掩膜框架的结构分解示意图；
图7为本公开另一实施例提供的掩膜框架的装配示意图；
图8为本公开另一实施例提供的掩膜框架的结构分解示意图；
图9为本公开另一实施例提供的掩膜框架的结构示意图。
附图标记：100、掩膜结构；1、第一掩膜条；11、搭接槽；12、异形形成区；12a、弧角；13、第一表面；2、第二掩膜条；21、第二表面；22、半刻区；3、蒸镀单元；4、第一间隙；41、虚拟延伸区域；5、第二间隙；201、第一掩膜条；202、第二掩膜条；203、第一搭接槽；204、第二搭接槽；205：第一间隙；206、虚拟延伸区域。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
OLED面板在真空蒸镀后，存在显示异常，该显示异常具体可表现为显示效果不平均、像素点之间亮度差异过大等。发明人经长期解析发现，造成该显示异常的主要原因在于蒸镀过程中高精度金属掩模版在搭接槽处延展受限，导致的面板阴影异常。
具体的，参照图1至图4，现有的掩膜版包括精细金属掩膜版和掩膜框架。掩膜框架用于支撑精细金属掩膜版，精细金属掩膜版为掩膜条，掩膜框架包括第一掩膜条201和第二掩膜条202，第一掩膜条201和第二掩膜条202相交围成蒸镀单元，并且在两者相交处采用半刻叠加的方式进行连接。图1和图2示意了第一掩膜条201的上表面和第二掩膜条202的下表面开设有相互搭接的第一搭接槽203，第一掩膜条201和第二掩膜条202在第一搭接槽203处进行搭接的方案。图3和图4示意了第一掩膜条201设置在第二掩膜条202和精细金属掩膜版之间，在第二掩膜条202的上表面和第一掩膜条201的下表面开设有相互搭接的第二搭接槽204，第一掩膜条201和第二掩膜条202在第二搭接槽204处进行搭接的方案。这两种连接方式需要在搭接槽处预留制作公差，这使得第二掩膜条或第一掩膜条与搭接槽边缘形成第一间隙205，并且第一间隙205的虚拟延伸区域206位于蒸镀单元内。当精细金属掩模版固定在掩膜框架上时，第一间隙205无法对精细金属掩模版进行支撑，导致精细金属掩模版在第一间隙205以及虚拟延伸区域206中局部下垂或褶皱，进而导致面板在虚拟延伸区域206阴影异常，并最终导致面板在点亮时存在局部显示异常。
为此，本公开提供一种掩膜框架，基于该掩膜框架以改善上述的显示异常，提高面板的显示效果。
图5为本公开一实施例提供的掩膜框架的结构示意图。如图5所示，该掩膜框架包括：第一掩膜条1，沿第一方向F1延伸，第一掩膜条1上设置有搭接槽11；第二掩膜条2，沿与第一方向F1相交的第二方向F2延伸，第二掩膜条2搭接在搭接槽11内，并与第一掩膜条1围成对应面板的蒸镀单元3；其中，搭接槽11的沿第一方向F1上的边缘与第二掩膜条2之间形成有第一间隙4；在搭接槽11的两侧设置有与面板的边缘配合的异形形成区12，面板与第二掩膜条2之间形成第二间隙5，第一间隙4在第二方向上的虚拟延伸区域41位于在第二间隙5内。
通过将第一间隙4的虚拟延伸区域41布置到第二间隙5内，能够避免掩膜条的褶皱或下垂影响面板的蒸镀效果，从而改善面板的显示异常，提高面板的显示效果。其中，搭接槽11与半刻区22一样，是半刻蚀区域，第一掩膜条1在搭接槽11位置厚度较其他位置薄。第二掩膜条2在半刻区22位置厚度较其他位置薄。
可以理解的是，通过掩模结构对面板进行蒸镀以得到面板上的一些相关的膜层，即上述面板为待蒸镀显示面板。
接下来结合图5和图6来详细描述本公开实施例提供的掩膜框架。
本公开一实施例中，基于图5中所示的方位，第一方向F1是指上下方向，第二方向F2是指左右方向；掩膜框架还具有第三方向，第三方向是指前后方向，即第一掩膜条1和第二掩膜条2的厚度方向。第一方向F1、第二方向F2和第三方向相交并垂直。可以理解，第一方向F1、第二方向F2和第三方向也可仅相交而不垂直。
搭接槽11用于第一掩膜条1和第二掩膜条2之间的搭接配合。搭接槽11沿第二方向F2延伸，因此搭接槽11的长度方向为第二方向F2，相应的，搭接槽的宽度方向为第一方向F1。搭接槽11的宽度大于第二掩膜条2的宽度，使得搭接槽11边缘与第二掩膜条2之间形成第一间隙4。第一间隙4的宽度为0.1毫米到0.6毫米。具体的，第一间隙4的宽度可以为0.1毫米、0.3毫米和0.6毫米。合适的第一间隙4便于第一掩膜条1和第二掩膜条2的装配。
在其中一实施例中，搭接槽11的宽度比第二掩膜条2的宽度大0.3-0.5mm，例如0.3mm、0.4mm或0.5mm等；半刻区的22的长度比搭接槽11的长度大0.3-0.5mm，例如0.3mm、0.4mm或0.5mm等。
异形形成区12与面板的边缘相配，用于适配面板的R角处，由于面板的R角处是平滑过渡的，而由于第一间隙4的存在，使面板与第二掩膜条2之间形成第二间隙5，第一间隙4在第二方向F2上的虚拟延伸区域41位于第二间隙5内。当掩膜条固定于掩膜框架上时，掩膜条在第一间隙4以及虚拟延伸区域41处可能会出现褶皱或下垂，第一间隙4的虚拟延伸区域41位于第二间隙5内，使得掩膜条的褶皱或下垂部分也位于第二间隙5内，第二间隙5布置在面板外，能够避免掩膜条的褶皱或下垂影响面板的蒸镀效果，从而改善面板的显示异常，提高面板的显示效果。
本公开一实施例中，第二间隙5宽度大于或等于第一间隙4的宽度。
第二间隙5的宽度大于或等于第一间隙4的宽度，能够避免第一间隙4的虚拟延伸区域延伸到面板内，防止掩膜条的褶皱或下垂部分影响面板的蒸镀效果。示例性的，如图5和图9所示，图5中示意了第一间隙4的宽度与第二间隙5的宽度相同，即第一间隙4的虚拟延伸区域41与第二间隙5在第三方向上重叠。图9中示意了第一间隙4的宽度小于第二间隙5的宽度，即第一间隙4的虚拟延伸区域41位于第二间隙5内，虚拟延伸区域41与面板之间存在间隙。
本公开一实施例中，第一掩膜条1沿第二方向F2间隔设置有多条，第二掩膜条2沿第一方向F1间隔设置有多条。如此，多条第一掩膜条1和多条第二掩膜条2相交，围成至少一个蒸镀单元3。例如两条第一掩膜条1与两条第二掩膜条2围成一个蒸镀单元3。第一掩膜条1和第二掩膜条2的数量及排列方式可根据需要进行设置，蒸镀单元3的数量也随之变化。
本公开一实施例中，掩膜框架包括主框架。主框架呈大致的矩形中空框架结构，并且围合形成呈大致矩形的蒸镀区域。第一掩膜条1和第二掩膜条2在蒸镀区域内交错布置，将蒸镀区域间隔成多个矩阵排列的蒸镀单元3。例如一条第一掩膜条1与一条第二掩膜条2就能够将蒸镀区域间隔呈4个蒸镀单元3。主框架的形状和大小可以根据需要进行调整，蒸镀区域内的第一掩膜条1和第二掩膜条2的数量也可以根据需要进行调整。第一掩膜条1和第二掩膜条2的两端均通过焊接方式连接到主框架上。可替代的，第一掩膜条1和第二掩膜条2也可以通过粘接、卡接等其他合适的连接方式连接到主框架上。
本公开一实施例中，第一掩膜条1具有朝向第二掩膜条2的第一表面13，搭接槽11形成在第一表面13上。第二掩膜条2具有朝向第一掩膜条1的第二表面21，在第二表面21上形成有朝向第一掩膜条1的半刻区22，半刻区22可以用于容置第一掩膜条1，第一掩膜条1和第二掩膜条2通过搭接槽11和半刻区22相互搭接形成搭接区域。
第一掩膜条1和第二掩膜条2通过搭接槽11和半刻区22相互搭接的方式进行连接，既便于第一掩膜条1和第二掩膜条2的装配，又能够保证整个掩膜框架具有较为平整的表面，以便减小掩膜框架与掩膜条之间的间隙，削弱第一掩膜条1和第二掩膜条2交叠位置处蒸镀产生的阴影效应，提高制作得到的面板的显示效果。
较佳的，第一掩膜条1和第二掩膜条2厚度相同，第一掩膜条1和第二掩膜条2在搭接区域的厚度与第一掩膜条1的厚度相同。能够保证掩膜框架具有平整的表面，进一步的减小掩膜框架与掩膜条之间的间隙。
具体地，第一掩膜条1在搭接槽11处具有第二厚度，第二掩膜条2在半刻区22处具有第三厚度。第二厚度和第三厚度之和与第一掩膜条1的预定厚度相同。第二厚度可以是二分之一的预定厚度，相应的，第三厚度也是二分之一的预定厚度。可替代的，第二厚度为四分之一的预定厚度，相应的，第三厚度为四分之三的预定厚度。第二厚度和第三厚度可以根据实际需要进行调整，只需要保证两者之和与预定厚度相同即可。
本公开一实施例中，异形形成区12包括向搭接槽11的中心方向凹陷并且与面板形状相配的弧角12a。
在蒸镀过程中，弧角12a与面板的边缘相配，并且位于搭接槽11的远离第二掩膜条2的一侧，使得面板与第二掩膜条2之间能够较为方便的形成第二间隙5。
进一步的，异形形成区12形成在第一掩膜条1上，并且沿第一方向F1间隔布置有多个。具体的，异形形成区12包括四个弧角12a，四个弧角12a沿异形形成区12的周向间隔且均匀的布置。基于图6中所示的方位，其中两个弧角12a设置在搭接槽11的上侧，另外两个弧角12a设置在搭接槽11的下侧；位于搭接槽11上侧的两个弧角12a分别设置在第一掩膜条1的左、右两侧，位于搭接槽11下侧的两个弧角12a也分别设置在第一掩膜条1的左、右两侧。可替代的，弧角12a的数量和位置可以根据实际需要进行调整，例如弧角12a可以仅设置在搭接槽11的上侧或下侧，或仅设置在第一掩膜条1的左侧或右侧。可替代的，弧角12a的形状可以根据实际需要进行调整，从而提高掩膜框架的适用性。
具体的，第一掩膜条1为遮挡条，第二掩膜条2为支撑条。
接下来结合图7和图8来详细描述本公开实施例提供的另一种掩膜框架。
图7和图8示意了另一实施例掩膜框架，与图5中实施例掩膜框架的不同之处在于：图5中的第一掩膜条1沿第一方向F1延伸，第二掩膜条2沿与所述第一方向F1相交的第二方向F2延伸；图7中的第一掩膜条1沿第二方向F2延伸，第二掩膜条2沿与所述第二方向相交的第一方向F1延伸。
具体的，本实施例的掩膜框架包括：第一掩膜条1沿第二方向F2延伸，第一掩膜条1上设置有搭接槽11；第二掩膜条2沿与第二方向F2相交的第一方向F1延伸，第二掩膜条2搭接在搭接槽11内，并与第一掩膜条1围成对应面板的蒸镀单元3；
其中，搭接槽11的边缘与第二掩膜条2之间形成有第一间隙4；在搭接槽的两侧设置有与面板的边缘配合的异形形成区12，面板与第二掩膜条2间形成第二间隙4，第一间隙4在第一方向F1上的虚拟延伸区域41位于第二间隙5内。
本公开一实施例中，第一掩膜条1有朝向第二掩膜条2的第一表面13，搭接槽11位于第一表面上13；第二掩膜条2具有朝向第一掩膜条1的第二表面21，在第二表面21上设置有用于容置第一掩膜条1的半刻区22。
第一掩膜条1和第二掩膜条2通过搭接槽11和半刻区22相互搭接形成搭接区域。
具体的，第一掩膜条1为支撑条，第二掩膜条2为遮挡条。
较佳的，第一掩膜条1和第二掩膜条2厚度相同，第一掩膜条1和第二掩膜条2在搭接区域的厚度与第一掩膜条1的厚度相同。能够保证掩膜框架具有平整的表面，进一步的减小掩膜框架与掩膜条之间的间隙。
具体地，第一掩膜条1在搭接槽11处具有第二厚度，第二掩膜条2在半刻区22处具有第三厚度。第二厚度和第三厚度之和与第一掩膜条1的预定厚度相同。第二厚度可以是二分之一的预定厚度，相应的，第三厚度也是二分之一的预定厚度。可替代的，第二厚度为四分之一的预定厚度，相应的，第三厚度为四分之三的预定厚度。第二厚度和第三厚度可以根据实际需要进行调整，只需要保证两者之和与预定厚度相同即可。
本公开一实施例中，异形形成区12包括向搭接槽11的中心方向凹陷并且与面板形状相配的弧角12a。
在蒸镀过程中，弧角12a与面板的边缘相配，并且位于搭接槽11的远离第二掩膜条2的一侧，使得面板与第二掩膜条2之间能够较为方便的形成第二间隙5。
进一步的，异形形成区12形成在第一掩膜条1上，并且沿第一方向F1间隔布置有多个。
可以理解的是，搭接槽11用于第一掩膜条1和第二掩膜条2之间的搭接配合。搭接槽11沿第一方向F1延伸，因此搭接槽11的长度方向为第二方向F1，相应的，搭接槽的宽度方向为第二方向F2。搭接槽11的宽度大于第二掩膜条2的宽度，使得搭接槽11边缘与第二掩膜条2之间形成第一间隙4。第一间隙4的宽度为0.1毫米到0.6毫米。具体的，第一间隙4的宽度可以为0.1毫米、0.3毫米和0.6毫米。合适的第一间隙4便于第一掩膜条1和第二掩膜条2的装配。
在其中一实施例中，搭接槽11的宽度比第二掩膜条2的宽度大0.3-0.5mm，例如0.3mm、0.4mm或0.5mm等；半刻区的22的长度比搭接槽11的长度大0.3-0.5mm，例如0.3mm、0.4mm或0.5mm等。
异形形成区12与面板的边缘相配，用于适配面板的R角处，由于面板的R角处是平滑过渡的，而由于第一间隙4的存在，使面板与第二掩膜条2之间形成第二间隙5，第一间隙4在第一方向F1上的虚拟延伸区域41位于第二间隙5内。当掩膜条固定于掩膜框架上时，掩膜条在第一间隙4以及虚拟延伸区域41处可能会出现褶皱或下垂，第一间隙4的虚拟延伸区域41位于第二间隙5内，使得掩膜条的褶皱或下垂部分也位于第二间隙5内，第二间隙5布置在面板外，能够避免掩膜条的褶皱或下垂影响面板的蒸镀效果，从而改善面板的显示异常，提高面板的显示效果。
本公开一实施例中，第二间隙5宽度大于或等于第一间隙4的宽度。
基于同样的构思，本公开还公开了一种掩膜结构100，其包括上述的掩膜框架；掩膜条，掩膜条固定在掩膜框架上。
掩膜条通过焊接固定在掩膜框架上，具体的，掩膜条的延伸方向可以和遮挡条的延伸方向相同。可替代的，掩膜条通过卡接、粘接等连接方式固定在掩膜框架上。在掩膜条上布置有若干的掩膜开口。在蒸镀过程中，掩膜条固定在掩膜框架上，蒸镀材料穿过掩膜框架上的蒸镀单元3和掩膜条上的掩膜开口后沉积在待蒸镀基板上，并且在蒸镀材料在沉积预定厚度后形成OLED面板。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。
本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
需要说明的是，上述对本公开的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种掩膜框架，其特征在于，包括：
第一掩膜条，沿第一方向延伸，所述第一掩膜条上设置有搭接槽；
第二掩膜条，沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述第二掩膜条搭接在所述搭接槽内，并与所述第一掩膜条围成对应面板的蒸镀单元；
其中，所述搭接槽的边缘与所述第二掩膜条之间形成有第一间隙；在所述搭接槽的两侧设置有与所述面板的边缘配合的异形形成区，所述面板与所述第二掩膜条之间形成第二间隙，所述第一间隙在所述第二方向上的虚拟延伸区域位于所述第二间隙内。
2.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述第一掩膜条具有朝向所述第二掩膜条的第一表面，所述搭接槽位于所述第一表面上；
所述第二掩膜条具有朝向所述第一掩膜条的第二表面，在所述第二表面上设置有用于容置所述第一掩膜条的半刻区；
所述第一掩膜条和所述第二掩膜条通过所述搭接槽和所述半刻区相互搭接形成搭接区域；
所述第一掩膜条为遮挡条，所述第二掩膜条为支撑条。
3.根据权利要求2所述的掩膜框架，其特征在于，所述第一掩膜条和所述第二掩膜条的厚度相同；
所述第一掩膜条和所述第二掩膜条在所述搭接区域搭接后的厚度与所述第一掩膜条的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述第一掩膜条沿所述第二方向间隔布置有多条；所述第二掩膜条沿所述第一方向间隔布置有多条；多条所述第一掩膜条和多条所述第二掩膜条围成至少一个所述蒸镀单元。
5.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述第二间隙的宽度大于或等于所述第一间隙的宽度；
所述第一间隙的宽度为0.1毫米至0.6毫米。
6.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述异形形成区包括向所述搭接槽的中心方向凹陷并且与所述面板形状相配的弧角。
7.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述掩膜框架还包括主框架，所述主框架围合形成蒸镀区域，所述第一掩膜条和所述第二掩膜条布置在所述蒸镀区域内并将所述蒸镀区域间隔成多个所述蒸镀单元。
8.一种掩膜框架，其特征在于，包括：
第一掩膜条，沿第二方向延伸，所述第一掩膜条上设置有搭接槽；
第二掩膜条，沿与所述第二方向相交的第一方向延伸，所述第二掩膜条搭接在所述搭接槽内，并与所述第一掩膜条围成对应面板的蒸镀单元；
其中，所述搭接槽的边缘与所述第二掩膜条之间形成有第一间隙；在所述搭接槽的两侧设置有与所述面板的边缘配合的异形形成区，所述面板与所述第二掩膜条之间形成第二间隙，所述第一间隙在所述第一方向上的虚拟延伸区域位于所述第二间隙内。
9.根据权利要求8所述的掩膜框架，其特征在于，所述第一掩膜条具有朝向所述第二掩膜条的第一表面，所述搭接槽位于所述第一表面上；
所述第二掩膜条具有朝向所述第一掩膜条的第二表面，在所述第二表面上设置有用于容置所述第一掩膜条的半刻区；
所述第一掩膜条和所述第二掩膜条通过所述搭接槽和所述半刻区相互搭接形成搭接区域；
所述第一掩膜条为支撑条，所述第二掩膜条为遮挡条。
10.一种掩膜结构，其特征在于，包括：
如权利要求1-9任一项所述的掩膜框架；
掩膜条，所述掩膜条固定于所述掩膜框架上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202322938874.9U CN221588657U (zh) | 2023-10-31 | 2023-10-31 | 掩膜框架及掩膜结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202322938874.9U CN221588657U (zh) | 2023-10-31 | 2023-10-31 | 掩膜框架及掩膜结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN221588657U true CN221588657U (zh) | 2024-08-23 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202322938874.9U Active CN221588657U (zh) | 2023-10-31 | 2023-10-31 | 掩膜框架及掩膜结构 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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