CN221407247U - 半导体设备的排放装置和半导体设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体设备的排放装置和半导体设备，该半导体设备的排放装置包括液体排放管路，至少用于排放半导体设备中腔室产生的各路液体化学品；液体排放管路包括相互连通的化学品排放支路和主排放管路；化学品排放支路包括第一支路，第一支路的一端与腔室连通，另一端与主排放管路连通；清洗液排放管路，清洗液排放管路包括清洗液主路管路和清洗液旁路管路，清洗液旁路管路的一端与清洗液主路管路连通，另一端与第一支路连通。如此，在不增加额外消耗的前提下，减少了被清洗的硅片等产品表面的残留物缺陷，提高了产品的电性性能和良率。

Description

半导体设备的排放装置和半导体设备

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体设备的排放装置和半导体设备。

背景技术

在半导体制造过程中，清洗是必不可少的重要环节之一，可以去除杂质和污染物，保证产品质量和性能。对于半导体用单片湿法清洗设备而言，其风扇过滤装置(FFU)的功率和转速决定腔室进风量，排气压强决定出风量，二者之间的相对变化可以决定腔室内部的风向、风速和气体氛围。

然而，针对现有的单片湿法清洗设备，经常会发现被清洗的硅片表面上出现大量的环状分布的残留物缺陷，且在残留物缺陷较高时会严重影响产品电性性能和良率。

实用新型内容

基于此，本实用新型目的在于提供一种半导体设备的排放装置和半导体设备，以解决以上至少一种技术问题。所述技术方案如下：

一方面，本实用新型提供了一种半导体设备的排放装置，包括：

液体排放管路，至少用于排放半导体设备中腔室产生的各路液体化学品；所述液体排放管路包括相互连通的化学品排放支路和主排放管路；所述化学品排放支路包括包括第一支路，所述第一支路的一端与所述腔室连通，另一端与所述主排放管路连通；

清洗液排放管路，所述清洗液排放管路包括清洗液主路管路和清洗液旁路管路，所述清洗液旁路管路的一端与所述清洗液主路管路连通，另一端与所述第一支路连通。

在一可选实施方式中，所述化学品排放支路还包括第二支路，所述第二支路的一端与所述腔室连通，另一端与所述第一支路连通；

所述清洗液旁路管路与所述第一支路之间的连通位置点，位于所述第二支路与所述第一支路之间的连通位置点和所述第一支路与所述主排放管路之间的连通位置点之间。

在一可选实施方式中，所述排放装置还包括：

阀体组件，设置在所述清洗液排放管路上，用于调整所述清洗液旁路管路中流入所述化学品排放支路的液体流量。

在一可选实施方式中，所述阀体组件包括：

第一阀体，设置在所述清洗液主路管路上，用于调整所述清洗液主路管路中流入所述化学品排放支路的液体流量；

第二阀体，设置在所述清洗液旁路管路上，用于调整所述清洗液旁路管路中流入所述化学品排放支路的液体流量。

在一可选实施方式中，在所述第一阀体和所述第二阀体中，两者择一为开合状态，另一为闭合状态；

或者，所述第一阀体和所述第二阀体均为开合状态。

在一可选实施方式中，所述第一阀体的阀体状态和所述第二阀体的阀体状态，跟随所述液体排放管路的排放状态进行相互切换。

在一可选实施方式中，在所述化学品排放支路处于排放工作状态的情况下，所述第一阀体的阀体状态为开合状态，所述第二阀体的阀体状态为闭合状态；

在所述化学品排放支路处于非排放工作状态的情况下，所述第一阀体的阀体状态为闭合状态，所述第二阀体的阀体状态为开合状态。

在一可选实施方式中，所述清洗液旁路管路的管路数量为一个，所述液体排放管路中需求排放调整的化学品排放支路的数量为多个；

所述清洗液旁路管路分别与多个需求排放调整的化学品排放支路相连通。

在一可选实施方式中，所述清洗液旁路管路的管路数量为多个，所述液体排放管路中需求排放调整的化学品排放支路的数量为一个或多个；

至少一个所述清洗液旁路管路分别与一个需求排放调整的化学品排放支路的任一端部相连通。

在一可选实施方式中，所述清洗液旁路管路的管路数量与所述腔室的类型相匹配；

其中，所述腔室包括单腔室、由多个单腔室组成的单腔室组、由多个位于同层的腔室组成的单层腔室中的一种或多种类型。

在一可选实施方式中，所述主排放管路包括：

初级排放管路，与所述第一支路连通，用于汇聚所述腔室排放的各路液体化学品；

次级排放管路，与所述初级排放管路连通，至少用于汇聚各初级排放管路排放的液体化学品。

在一可选实施方式中，所述排放装置还包括：

气体排放管路，与所述腔室连通，用于排放所述半导体设备中腔室产生的各路气体化学品。

在一可选实施方式中，所述排放装置还包括：

气液分离组件，设置在所述第一支路上，用于将所述第一支路中的残留气体和液体化学品分离；

气体排放转换组件，一端与所述气液分离组件连通，另一端与所述气体排放管路连通。

在一可选实施方式中，所述排放装置还包括：

控制装置，与所述清洗液旁路管路或阀体组件连接，用于控制所述清洗液旁路管路中流入或停止流入所述化学品排放支路。

另一方面，本实用新型提供了一种半导体设备，包括任一所述的半导体设备的排放装置。

本实用新型提供的半导体设备的排放装置和半导体设备，至少具有如下有益效果：

该半导体设备的排放装置包括液体排放管路，至少用于排放半导体设备中腔室产生的各路液体化学品；所述液体排放管路包括相互连通的化学品排放支路和主排放管路；所述化学品排放支路包括第一支路，所述第一支路的一端与所述腔室连通，另一端与所述主排放管路连通；清洗液排放管路，所述清洗液排放管路包括清洗液主路管路和清洗液旁路管路，所述清洗液旁路管路的一端与所述清洗液主路管路连通，另一端与所述第一支路连通。如此，通过在清洗液排放管道中增加清洗液旁路管路，并将该清洗液旁路管路与所述第一支路连通，通过引入清洗液旁路管路来实现液体化学品由化学品排放支路至主排放管路的单向排放，由于清洗液排放管路是半导体设备中现有的物料来源，在不增加额外物料消耗的前提下，避免排放管道中产生的中间废气反灌回腔室中而影响腔室微环境，减少了被清洗的硅片等产品表面的残留物缺陷，提高了产品的电性性能和良率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本实用新型。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案和优点，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。

图1是本实用新型一实施例的半导体设备的排放装置的结构示意图；

图2是本实用新型另一实施例的半导体设备的排放装置的结构示意图；

图3是本实用新型另一实施例的半导体设备的排放装置的结构示意图；

图4是本实用新型一实施例的半导体设备的排放装置的部分支路的改造前后的结构示意图，以及改造前的裸硅片和改造后的裸硅片的残留物缺陷的分布示意图。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一个实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本实用新型至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

在半导体制造过程中，清洗是必不可少的重要环节之一，可以去除产品上的杂质和污染物，保证产品质量和性能。然而，针对现有的单片湿法清洗设备，经常会发现被清洗的硅片表面上出现大量的环状分布的残留物缺陷，且在残留物缺陷较高时会严重影响产品电性性能和良率。

在半导体制造过程中发现，随着化学品的供应时间越长，出现环状分布的残留物缺陷的频率越高。而现有的湿法清洗设备中的液体排放管路用于汇聚和排放各路液体化学品，极易产生中间废气，这些中间废气(如酸性气体)产生后非常容易反灌回偏负压状态的湿法清洗设备的腔室中，进而影响腔室微环境，从而造成腔室中的被清洗的硅片等产品质量受到不利影响。

由于湿法清洗设备中的液体排放管路并非持续性排液，因此无法通过例如压力泵来抽取或采用其他类似方式来消除产生的中间废气。鉴于此，有必要提供一种改善腔室微环境的的半导体设备的排放装置和半导体设备，以避免腔室中的产品质量受到不利影响。

如图1-至图3所示，本实用新型提供一种半导体设备的排放装置，包括液体排放管路10和清洗液排放管路20。

液体排放管路10至少用于排放半导体设备中腔室30产生的各路液体化学品。其中，半导体设备可以是湿法清洗设备。当然，半导体设备也可以是半导体制程中其他需要排放液体化学品的加工设备。液体化学品可以包括但不限于氢氟酸、硫酸、双氧水、氨水、盐酸中一种或多种组合的混合液体。

液体排放管路10包括相互连通的化学品排放支路11和主排放管路12。化学品排放支路11包括第一支路111，第一支路111的一端与腔室30连通，另一端与主排放管路12连通。

其中，这里的化学品排放支路11可以是指需要排放调整化学品的支路。第一支路111的数量可以为一个或多个。若第一支路111的数量为多个，不同的第一支路111可以用于排放相同来源的液体化学品，也可以分别用于排放腔室30中产生的不同来源的液体化学品。

主排放管路12至少用于汇聚腔室30排放的各路排放的液体化学品。主排放管路12除了与需要排放调整的化学品排放支路11中的第一支路111连通，还可以与其他化学品排放支路11、其他液体排放支路等连通。

清洗液排放管路20包括清洗液主路管路21和清洗液旁路管路22，清洗液旁路管路22的一端与清洗液主路管路21连通，另一端与第一支路111连通。其中，清洗液主路管路21的一端与清洗液供应端的连通，另一端与清洗液回收端23连通，该清洗液供应端设置有至少一清洗液支路与半导体设备的腔室30连通，用于对半导体设备提供用于清洗产品的清洗液。该清洗液排放管路20中流通的清洗液可以包括但不限于超纯水、二氧化碳清洗液等中的一种或多种。

在湿法清洗设备中，为了保证二氧化碳清洗液、炒纯水等清洗液的洁净程度，需要始终保持清洗液管路处于流动状态，因而除了生产过程所需部分清洗液之外，还会产生一定量的未参与生产过程的“废水”，直接排放至清洗液回收端。这里通过设计将清洗液排放管路20中分出一条支路，为清洗液旁路管路22并连接到液体化学品排放的任一末端，可以降低清洗液资源的浪费，既能在保证腔室微环境的同时，不增加额外的物料消耗。

在一可选实施方式中，化学品排放支路11还包括第二支路112，第二支路112的一端与腔室30连通，另一端与第一支路111连通。可选地，继续如图2所示，清洗液旁路管路22与第一支路111之间的连通位置点b，位于第二支路112与第一支路111之间的连通位置点a和第一支路111与主排放管路12之间的连通位置点c之间。

在一可选实施方式中，上述排放装置还包括阀体组件。阀体组件设置在清洗液排放管路20上，用于调整清洗液旁路管路22中流入化学品排放支路11的液体流量。

可选地，阀体组件设置在清洗液排放管路20上，通过打开或关闭阀体组件的至少一阀体，来控制清洗液旁路管路22中清洗液是否流入化学品排放支路11，以调整清洗液旁路管路22中流入化学品排放支路11的液体流量。当然，也可以通过控制阀体组件中的至少一阀体的开合角度或开合大小，来调整清洗液旁路管路22中流入化学品排放支路11的液体流量大小。

在一可选实施方式中，如图1所示，阀体组件包括第一阀体24，该第一阀体24设置在清洗液旁路管路22上。通过控制该第一阀体24的打开或关闭，控制清洗液旁路管路22中的清洗液流入化学品排放支路11中的第一支路111的液体流量。

在另一可选实施方式中，如图2所示，阀体组件包括第一阀体24和第二阀体25。第一阀体24设置在清洗液旁路管路22上，用于调整清洗液旁路管路22中流入化学品排放支路11中的第一支路111的液体流量。第二阀体25设置在清洗液主路管路21上，用于调整清洗液主路管路21中流入化学品排放支路11的液体流量。该第一阀体24和第二阀体25可以是单通阀体。

可选地，在其他实施例中，若清洗液旁路管路22的数量为多个，该第一阀体24可以是与清洗液旁路管路22的数量匹配的多通阀体，该第一阀体24可以设置在多个清洗液旁路管路22共同连通的位置处。

在一可选实施方式中，第一阀体24和第二阀体25均为开合状态。即，在半导体制备过程或使用清洗液过程中，该第一阀体24和第二阀体25可以处于常开状态。

在一可选实施方式中，在第一阀体24和第二阀体25中，两者择一为开合状态，另一为闭合状态。示例性的，若第一阀体24处于开合状态，第二阀体25处于闭合状态；相反，若第二阀体25处于开合状态，第一阀体24处于闭合状态。

在一可选实施方式中，第一阀体24的阀体状态和第二阀体25的阀体状态，跟随液体排放管路10的排放状态进行相互切换。其中，这里的液体排放管路10的排放状态是指主排放管路12中是否存在需要排放的液体化学品，或者化学品排放支路11是否存在需要排放的液体化学品。即第一阀体24的阀体状态和第二阀体25的阀体状态并非是固定不变的，两者可以跟随液体排放管路10的排放状态进行相互切换。示例性的，若第一阀体24处于开合状态，且第二阀体25处于闭合状态，两者经状态切换后，调整为第二阀体25处于开合状态，第一阀体24处于闭合状态。

在一具体实施方式中，在化学品排放支路11处于排放工作状态的情况下，第一阀体24的阀体状态为开合状态，第二阀体25的阀体状态为闭合状态。在化学品排放支路11处于非排放工作状态的情况下，第一阀体2411的阀体状态为闭合状态，第二阀体25的阀体状态为开合状态。在化学品排放支路11处于非排放工作状态的情况下，第一阀体24的阀体状态为闭合状态，清洗液仅通过清洗液主路管路21排放，避免造成化学品的管路排放量过大甚至超标。

在一可选实施方式中，清洗液旁路管路22的管路数量为一个，液体排放管路10中需求排放调整的化学品排放支路11的数量为多个。此时，清洗液旁路管路22分别与多个需求排放调整的化学品排放支路11相连通。即，通过一个清洗液旁路管路22对多个需求排放调整的化学品排放支路11进行合并排放调整，使得该清洗液旁路管路22中液体分别流入至各连通的化学品排放支路11。

在一可选实施方式中，清洗液旁路管路22的管路数量为多个，液体排放管路10中需求排放调整的化学品排放支路11的数量为一个或多个。此时，至少一个清洗液旁路管路22分别与一个需求排放调整的化学品排放支路11的任一端部相连通。即通过一个或多个清洗液旁路管路22分别对一个需求排放调整的化学品排放支路11进行排放调整，使得至少一个清洗液旁路管路22中各自液体流入至对应的一个连通的化学品排放支路11中。

在一可选实施方式中，清洗液旁路管路22的管路数量与腔室30的类型相匹配。示例性的，腔室30可以包括单腔室(single chamber)、由多个单腔室组成的单腔室组(singletower)、由多个位于同层的腔室组成的单层腔室(single layer)中的一种或多种类型。针对不同的腔室类型，配置不同的清洗液旁路管路22的管路数量。如此，针对单片湿法清洗设备，可以以单腔室单腔室组或单层腔室为单位，基于匹配数量的清洗液旁路管路22，分别或合并进行液体排放管路10的改造，以改善各腔室的微环境，避免因腔室微环境的问题对产品造成的影响。

在一可选实施方式中，在清洗液旁路管路22的管路数量为多个的情况下，不同的清洗液旁路管路22流入相应的化学品排放支路11的液体流量至少部分不同。可选地，可以根据洗液旁路管路分别连通的不同化学品排放支路11的排放情况，分配调整清洗液旁路管路22流入化学品排放支路11的液体流量部分不同或全部不同。该液体流量可以通过调整清洗液旁路管路22的管径尺寸，或者调整清洗液旁路管路22上的第一阀体24的开合大小来控制。当然，在一些其他实施方式中，在清洗液旁路管路22的管路数量为多个的情况下，可以设置不同的清洗液旁路管路22流入相应的化学品排放支路11的液体流量均相同。

在一可选实施方式中，主排放管路12包括初级排放管路121和次级排放管路122。初级排放管路121(即厂务端sub-main管路)与第一支路111连通，用于汇聚腔室30排放的各路液体化学品。次级排放管路122(即厂务端Main drain端)与初级排放管路121连通，至少用于汇聚各初级排放管路121排放的液体化学品。

在一可选实施方式中，如图3所示，排放装置还包括气体排放管路40。气体排放管路40与腔室30连通，用于排放半导体设备中腔室30产生的各路气体化学品。该气体排放管路40可以包括环境排气管路41和酸碱排气管路42。

在一可选实施方式中，化学品排放支路11还可包括第三支路113，该第三支路113与第一支路111和第二支路112中排放液体所来源的排放口不同。示例性的，第一支路111中的排放液体可以来自于预冲洗废液回收口31，第二支路112中的排放液体可以来自于腔室废液回收口32，第三支路113中的排放液体可以来自于渗漏排液口33和气体排放管路40中冷凝产生的少量液体。可选地，该第三支路113上可以设置分离器13，通过该分离器来对第三支路在13进行基本的液体和气体分离，可以减少第三支路中产生的废气反灌至腔室。

在一可选实施方式中，排放装置还包括气液分离组件(未图示)和气体排放转换组件(未图示)。气液分离组件设置在第一支路111上，用于将第一支路111中的残留气体和液体化学品分离。气体排放转换组件的一端与气液分离组件连通，另一端与气体排放管路连通。通过气液分离组件分离出可能出现的中间废气，并通过气体排放转换组件将中间废气进行中和并水洗后，经过气体排放管路排放，从而进一步减少排放管道中产生的中间废气反灌回湿法清洗设备的腔室中而影响影响腔室微环境，保证被清洗的硅片等产品的电性性能和良率。

在一可选实施方式中，排放装置还包括控制装置(未图示)。控制装置与清洗液旁路管路22或阀体组件连接，用于控制清洗液旁路管路22中流入或停止流入化学品排放支路11。如此，通过在排放管路和阀体组件等硬件改造可搭配软件自动控制，选择在使用特定化学品或特定步骤时才进行相应洗液体排放至化学品排放支路11，其他时间可选择不进行洗液体排放至化学品排放支路11，从而减少清洗液对主排放管路12的负载量，避免造成化学品管路的排放量过大甚至超标。

如图4所示，在化学品排放支路11中第一支路111的端部增加清洗液旁路管路22，使用单片湿法清洗设备本身的淋洗液体来定量排放到化学品排放支路11中的第一支路111中，借助常流的水流产生的压力变化，保证初级排放管路121中始终保持由单片湿法清洗设备端到次级排放管路122单向的气压差，即通过液体定向流动为液体化学品排放管路提供固定的单向气压差，从而使FAC管路液体混合产生的或单一设备液体排放过程中产生的酸性气体，及时被抽至次级排放管路122，避免发生气体反灌至腔室。

在实际应用中，对半导体设备的排放装置进行排放调整的改造，如图4中，相比于改造前的裸硅片M，改造后的裸硅片N表面的缺陷的情况明显改善，无环状分布及残留物缺陷，显然，改造后的半导体设备避免了因腔室微环境的问题对产品造成的影响。

需要说明的是，各图中示例的第一支路111、第二支路112、主排放管路12、清洗液旁路管路22等仅作为示例，在实际应用中，对于各管路或各支路的数量、布局位置、布局方式、管路形状(例如L形管道、直线管路、弧形管路、异形管路等)等均不限于图中示例的。

本实用新型还提供一种半导体设备，包括上述任一的半导体设备的排放装置。该半导体设备可以包括但不限于为单片湿法清洗设备。

需要说明的是，本半导体设备中涉及排放装置的具体实施细节，请参见上述实施例，在此不再赘述。

本实施例提供的半导体设备的排放装置和半导体设备，通过在清洗液排放管道中增加清洗液旁路管路，并将该清洗液旁路管路与第一支路连通，通过引入清洗液旁路管路来实现液体化学品由化学品排放支路至主排放管路的单向排放，由于清洗液排放管路是半导体设备中现有的物料来源，在不增加额外物料消耗的前提下，避免排放管道中产生的中间废气反灌回半导体设备的腔室中而影响腔室微环境，减少了被清洗的硅片等产品表面的残留物缺陷，提高了产品的电性性能和良率。

以上是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (14)

1.一种半导体设备的排放装置，其特征在于，包括：

液体排放管路，至少用于排放半导体设备中腔室产生的各路液体化学品；所述液体排放管路包括相互连通的化学品排放支路和主排放管路；所述化学品排放支路包括第一支路，所述第一支路的一端与所述腔室连通，另一端与所述主排放管路连通；

清洗液排放管路，所述清洗液排放管路包括清洗液主路管路和清洗液旁路管路，所述清洗液旁路管路的一端与所述清洗液主路管路连通，另一端与所述第一支路连通。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述化学品排放支路还包括第二支路，所述第二支路的一端与所述腔室连通，另一端与所述第一支路连通；

所述清洗液旁路管路与所述第一支路之间的连通位置点，位于所述第二支路与所述第一支路之间的连通位置点和所述第一支路与所述主排放管路之间的连通位置点之间。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述排放装置还包括：

阀体组件，设置在所述清洗液排放管路上，用于调整所述清洗液旁路管路中流入所述化学品排放支路的液体流量。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述阀体组件包括：

第一阀体，设置在所述清洗液主路管路上，用于调整所述清洗液主路管路中流入所述化学品排放支路的液体流量；

第二阀体，设置在所述清洗液旁路管路上，用于调整所述清洗液旁路管路中流入所述化学品排放支路的液体流量。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，

在所述第一阀体和所述第二阀体中，两者择一为开合状态，另一为闭合状态；

或者，所述第一阀体和所述第二阀体均为开合状态。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，

所述第一阀体的阀体状态和所述第二阀体的阀体状态，跟随所述液体排放管路的排放状态进行相互切换。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，

在所述化学品排放支路处于排放工作状态的情况下，所述第一阀体的阀体状态为开合状态，所述第二阀体的阀体状态为闭合状态；

在所述化学品排放支路处于非排放工作状态的情况下，所述第一阀体的阀体状态为闭合状态，所述第二阀体的阀体状态为开合状态。

8.根据权利要求1-7任一所述的装置，其特征在于，

所述清洗液旁路管路的管路数量为一个，所述液体排放管路中需求排放调整的化学品排放支路的数量为多个；

所述清洗液旁路管路分别与多个需求排放调整的化学品排放支路相连通；

或者，所述清洗液旁路管路的管路数量为多个，所述液体排放管路中需求排放调整的化学品排放支路的数量为一个或多个；

至少一个所述清洗液旁路管路分别与一个需求排放调整的化学品排放支路的任一端部相连通。

9.根据权利要求1-7任一所述的装置，其特征在于，所述清洗液旁路管路的管路数量与所述腔室的类型相匹配；

其中，所述腔室包括单腔室、由多个单腔室组成的单腔室组、由多个位于同层的腔室组成的单层腔室中的一种或多种类型。

10.根据权利要求1-7任一所述的装置，其特征在于，所述主排放管路包括：

初级排放管路，与所述第一支路连通，用于汇聚所述腔室排放的各路液体化学品；

次级排放管路，与所述初级排放管路连通，至少用于汇聚各初级排放管路排放的液体化学品。

11.根据权利要求1-7任一所述的装置，其特征在于，所述排放装置还包括：

气体排放管路，与所述腔室连通，用于排放所述半导体设备中腔室产生的各路气体化学品。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述排放装置还包括：

气液分离组件，设置在所述第一支路上，用于将所述第一支路中的残留气体和液体化学品分离；

气体排放转换组件，一端与所述气液分离组件连通，另一端与所述气体排放管路连通。

13.根据权利要求1-7任一所述的装置，其特征在于，所述排放装置还包括：

控制装置，与所述清洗液旁路管路或阀体组件连接，用于控制所述清洗液旁路管路中流入或停止流入所述化学品排放支路。

14.一种半导体设备，其特征在于，包括权利要求1-13任一所述的半导体设备的排放装置。