CN221283169U - 一种内置均压电路的串联功率开关 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种内置均压电路的串联功率开关，涉及功率开关技术领域，解决了现有的串联后的功率开关均压效果较差，导致功率开关的可靠性较低的技术问题。该装置包括DBC板、多个芯片模块和电极端子，多个芯片模块和电极端子在DBC板上依次串联连接；每个芯片模块均包括芯片支路、第一均压支路和第二均压支路，芯片支路、第一均压支路和第二均压支路之间为并联连接；芯片支路包括相连接的第一功率芯片和第二功率芯片；第一均压支路包括串联连接的第一电阻和电容；第二均压支路包括第二电阻。本实用新型中设置的均压支路能够将电路中的电压进行分压，提高功率开关的均压效果，提高功率开关承受大电流、高功率的能力，提高功率开关的可靠性。

Description

一种内置均压电路的串联功率开关

技术领域

本实用新型涉及功率开关技术领域，尤其涉及一种内置均压电路的串联功率开关。

背景技术

近年来，功率开关被引入到脉冲功率开关技术中，为满足高功率，强电压，大电流领域内的多种应用，需将多个功率开关进行串联或并联。

功率开关作为电感储能型脉冲功率系统中的主断路开关，其芯片也为串联组合。但由于功率开关内芯片的个体差异，芯片在串联组合后，芯片栅极驱动信号会出现不同步的现象，进而导致功率开关在开断瞬间出现动态不均压的情况，使得功率开关的均压效果较差，影响功率开关内器件的使用寿命和可靠性。

在实现本实用新型过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

现有的串联后的功率开关均压效果较差，导致功率开关的可靠性较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种内置均压电路的串联功率开关，以解决现有技术中存在的现有的串联后的功率开关均压效果较差，导致功率开关的可靠性较低的技术问题。本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。

为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

本实用新型提供的一种内置均压电路的串联功率开关，包括：DBC板、多个芯片模块和电极端子，多个所述芯片模块和电极端子在所述DBC板上依次串联连接；

每个所述芯片模块均包括芯片支路、第一均压支路和第二均压支路，所述芯片支路、所述第一均压支路和所述第二均压支路之间为并联连接；

所述芯片支路包括相连接的第一功率芯片和第二功率芯片；所述第一均压支路包括串联连接的第一电阻和电容；所述第二均压支路包括第二电阻。

优选的，所述电极端子包括正极端子和负极端子；

所述正极端子与多个所述芯片模块的首个芯片模块串联连接，所述负极端子与多个所述芯片模块的最后一个芯片模块串联连接。

优选的，所述DBC板包括第一金属层、绝缘层和第二金属层；

所述绝缘层设置在所述第一金属层和第二金属层之间；

多个所述芯片模块和所述电极端子均设置在所述第二金属层上。

优选的，所述第一金属层上设置有多个抑场强环，每个所述抑场强环的位置与所述第二金属层上每个所述芯片模块中的所述第一功率芯片的位置相对应。

优选的，所述第二金属层包括负极端子金属层和多个芯片模块金属层；

所述负极端子设置在所述负极端子金属层上；

多个所述芯片模块中的每个芯片模块对应设置在一个芯片模块金属层上，所述正极端子设置在第一个芯片模块对应的所述芯片模块金属层上。

优选的，每个所述芯片模块金属层均包括功率金属层和电阻金属层，所述功率金属层与所述电阻金属层在纵向方向上相邻设置；

在每个所述芯片模块金属层中，所述第一功率芯片和第二功率芯片均设置在所述功率金属层上；所述第一电阻搭接在所述电阻金属层和功率金属层上，所述电容搭接在所述电阻金属层和相邻的所述芯片模块金属层上，所述第二电阻搭接在相邻两个的所述芯片模块金属层上。

优选的，每个所述芯片模块还包括门极端子和采样端子；每个所述芯片模块金属层还包括门极端子金属层和采样端子金属层；

在每个所述芯片模块对应的芯片模块金属层中，所述门极端子设置在所述门极端子金属层上，所述采样端子设置在所述采样端子金属层上。

优选的，在每个所述芯片模块中，所述门极端子金属层通过键合线与所述第一功率芯片的门极连接，所述采样端子金属层通过键合线与所述第一功率芯片上除门极之外的位置连接；

在相邻两个所述芯片模块中，相邻两个所述第一功率芯片串联连接，相邻两个所述第二功率芯片串联连接。

优选的，与所述负极端子并排的每个芯片模块中的所述第二功率芯片、第一电阻与所述门极端子、采样端子的排列方向一致，每个芯片模块中的所述第二电阻、电容与所述门极端子、采样端子的排列方向垂直；

与所述正极端子并排的最后一个芯片模块中的所述第二功率芯片、第一电阻与所述门极端子、采样端子的排列方向垂直，所述第二电阻、电容与所述门极端子、采样端子的排列方向一致；

位于所述正极端子和所述正极端子并排的最后一个芯片模块之间的每个所述芯片模块中的所述第二功率芯片、第一电阻与所述门极端子、采样端子的排列方向一致，每个芯片模块中的所述第二电阻、电容与所述门极端子、采样端子的排列方向垂直。

优选的，每个所述芯片模块金属上的门极端子金属层和采样端子金属层位于所述第二金属层的侧边，多个所述芯片模块铜层上的门极端子和采样端子呈船桨型排列；

所述门极端子和采样端子为长条形，所述正极端子和负极端子为片状形，所述正极端子、负极端子和多个芯片模块的排列形状为平面U型。

实施本实用新型上述技术方案中的一个技术方案，具有如下优点或有益效果：

本实用新型中设置的均压支路能够将电路中的电压进行分压，提高功率开关的均压效果，提高功率开关承受大电流、高功率的能力，提高功率开关的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，附图中：

图1是本实用新型实施例的第一视角示意图；

图2是本实用新型实施例的电路原理图；

图3是本实用新型实施例的第二视角示意图；

图4是本实用新型实施例图1中A的放大示意图。

图中：1、DBC板；11、第一金属层；111、抑场强环；12、第二金属层；121、功率金属层；122、电阻金属层；123、门极端子金属层；124、采样端子金属层；13、绝缘层；14、负极端子金属层；2、芯片模块；21、第一功率芯片；211、门极；22、第二功率芯片；23、第一电阻；24、电容；25、第二电阻；26、门极端子；27、采样端子；3、正极端子；4、负极端子；5、键合线。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下文将要描述的各种示例性实施例将要参考相应的附图，这些附图构成了示例性实施例的一部分，其中描述了实现本实用新型可能采用的各种示例性实施例。除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。应明白，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本实用新型公开的一些方面相一致的流程、方法和装置等的例子，还可使用其他的实施例，或者对本文列举的实施例进行结构和功能上的修改，而不会脱离本实用新型的范围和实质。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”等指示的是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的元件必须具有的特定的方位、以特定的方位构造和操作。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。术语“多个”的含义是两个或两个以上。术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接、可拆卸连接、一体连接、机械连接、电连接、通信连接、直接相连、通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

为了说明本实用新型所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明，仅示出了与本实用新型实施例相关的部分。

实施例：

本实用新型提供了一种内置均压电路的串联功率开关，如图1所示，包括：DBC板1、多个芯片模块2和电极端子，多个芯片模块2和电极端子在DBC板1上依次串联连接；如图2所示，每个芯片模块2均包括芯片支路、第一均压支路和第二均压支路，芯片支路、第一均压支路和第二均压支路之间为并联连接；芯片支路包括相连接的第一功率芯片21和第二功率芯片22；第一均压支路包括串联连接的第一电阻23和电容24；第二均压支路包括第二电阻25。

具体来说，如图1所示，多个芯片模块2和电极端子均设置在DBC板1上，且多个芯片模块2和电极端子在DBC板1上为串联连接，将多个芯片模块2与电极端子进行串联能够减小模块中的杂散电感，将电压进行分压，能够适用于大功率应用场景。

如图1-2所示，在每个芯片模块2中，均包括有芯片支路，第一均压支路和第二均压支路，且芯片支路、第一均压支路和第二均压支路为并联连接，且每个芯片模块2之间为串联连接。芯片支路包括第一功率芯片21和第二功率芯片22；第一均压支路包括串联连接的第一电阻23和电容24；第二均压电路包括第二电阻25。

如图1-2所示，第一均压支路和第二均压支路中第一电阻23、第二电阻25和电容24的设置能够将电路中的电压进行分压，提高功率开关的均压效果，使得功率开关在工作过程中因高电压而被击穿的概率大大降低，同时提高了功率开关承受大电流、高功率的能力，使得均压电流回路更短，提高了功率开关的可靠性。

作为可选的实施方式，如图1所示，电极端子包括正极端子3和负极端子4；正极端子3与多个芯片模块2的首个芯片模块2串联连接，负极端子4与多个芯片模块2的最后一个芯片模块2串联连接。

具体来说，正极端子3和负极端子4均设置在DBC板1上，且与多个芯片模块2串联连接，正极端子3、多个芯片模块2和负极端子4串联连接后能够减小模块中的杂散电感，保证功率开关的可靠性。

作为可选的实施方式，DBC板1包括第一金属层11、绝缘层和第二金属层12；绝缘层13设置在第一金属层11和第二金属层12之间。陶瓷层、第一覆铜层和第二覆铜层之间通过DBC、AMB或其他平面陶瓷衬底工艺热压、无机胶焊接、焊接或低温烧结连接。

如图1所示，多个芯片模块2和电极端子均设置在第二金属层12上。具体来说，正极端子3、负极端子4和多个芯片模块2均设置在第二金属层12上。第二金属层12上设置有多个金属层用于对应放置正极端子3、负极端子4和多个芯片模块2，由于第二金属层12上设置有用于放置正极端子3、负极端子4和多个芯片模块2的金属层，这就能够可避免正极端子3、负极端子4和多个芯片模块2中的元器件在焊接过程中产生误差，提高焊接的稳定性和可靠性。

作为可选的实施方式，如图4所示，第一金属层11上设置有多个抑场强环111，每个抑场强环111的位置与第二金属层12上每个芯片模块2中的第一功率芯片21的位置相对应。

具体来说，第一金属层11上抑场强环111的设置位置与第二金属层12上第一功率芯片21的设置位置相对应。第一金属层11上的抑场强环111有以下作用。一、抑场强环111在第一功率芯片21进行焊接时，能够消除部分功率芯片和金属层之间由于热膨胀系数不一致而导致的热应力的影响，避免芯片在高温焊接过程中被损坏，抑场强环111的设置能够降低芯片的损伤，提高产品的可靠性；二、由于功率开关在工作时，高频放电，导致功率开关整体场强较大，第一金属层11上与第二金属层12上第一功率芯片21相对应的位置上设置有抑场强环111，在功率开关在高频放电时间，能够有效愚化场强、防止突变场强和淡化场强，综合提高了功率开关的性能。

作为可选的实施方式，如图4所示，第二金属层12包括负极端子金属层14和多个芯片模块金属层；负极端子4设置在负极端子金属层14上；多个芯片模块2中的每个芯片模块2对应设置在一个芯片模块金属层上，正极端子3设置在第一个芯片模块2对应的芯片模块金属层上。

具体来说，如图1、图4所示，需要将负极端子4、正极端子3和多个芯片模块2放置在DBC板1上进行焊接时，只需将负极端子4放置在负极端子4铜层上，正极端子3放置在第一个芯片模块2对应的芯片铜层上，每个芯片模块2对应放置在每个芯片模块2铜层上，就能够进行焊接，不需要使用其他辅助工具将负极端子4、正极端子3和芯片模块2进行固定，在焊接过程中位置不会移动，可提高焊接的准确性、稳定性和产品的可靠性。

作为可选的实施方式，如图4所示，每个芯片模块金属层均包括功率金属层121和电阻金属层122，功率金属层121与电阻金属层122在纵向方向上相邻设置；在每个芯片模块金属层中，第一功率芯片21和第二功率芯片22均设置在功率金属层121上；第一电阻23搭接在电阻金属层122和功率金属层121上，电容24搭接在电阻金属层122和相邻的芯片模块金属层上，第二电阻25搭接在相邻两个的芯片模块金属层上。

具体来说，如图1、图4所示，功率金属层121和电阻金属层122均设置在芯片模块金属层上，第一功率芯片21和第二功率芯片22能够焊接在功率金属层121上的相应位置；第一电阻23通过焊料焊接在电阻金属层122和功率金属层121上，使第一电阻23和功率芯片进行电气连接；电容24通过焊料焊接在电阻金属层122和相邻的芯片模块金属层中的功率金属层121上，使电容24与相邻的芯片模块2中的功率芯片电气连接；第二电阻25通过焊料在两个相邻的功率金属层121上，并与相邻两个芯片模块2中的功率芯片进行电气连接。

在最后一个芯片模块2中，如图1所示，最后一个芯片模块2中的第一电阻23搭接在电阻金属层122和功率金属层121上，电容24搭接在电阻金属层122和负极端子金属层14上，第二电阻25搭接在功率金属层121和负极端子金属层14上。最后一个芯片模块2上的功率金属层121由于需要与负极端子金属层14连接，因此，最后一个芯片模块2上的功率金属层121为转角金属层或过渡金属层。

需要说明的是，第一功率芯片21为IGBT芯片，第二功率芯片22为FRD芯片。每个芯片模块2上优选设置有一个IGBT芯片和一个FRD芯片。IGBT芯片和FRD芯片通过焊料以真空回流焊的方式焊接在功率金属层121上的相应位置。

在本实施例中，如图2、图4所示，第一功率芯片21和第二功率芯片22连接，第一电阻23与电容24串联连接，第一电阻23和电容24串联连接后与第二电阻25一起与第一功率芯片21和第二功率芯片22并联连接。能够将电压进行均压，提高了功率开关的均压效果，提高功率开关承受大功率的能力，使均压电流回路更短，提高了功率开关的可靠性。

作为可选的实施方式，每个芯片模块2还包括门极端子26和采样端子27；每个芯片模块金属层还包括门极端子金属层123和采样端子金属层124；在每个芯片模块2对应的芯片模块金属层中，门极端子26设置在门极端子金属层123上，采样端子27设置在采样端子金属层124上。

具体来说，门极端子26和采样端子27分别对应设置在门极端子金属层123和采样端子金属层124上，并能够通过焊料以真空回流焊的方式焊接在门极端子金属层123和采样端子金属层124上。设置有门极端子金属层123和采样端子金属层124能够在门极端子26和采样端子27在焊接的过程中焊接位置不会移动，能够提高焊接时的准确性和可靠性。

作为可选的实施方式，在每个芯片模块2中，门极端子金属层123通过键合线5与第一功率芯片21的门极211连接，采样端子金属层124通过键合线5与第一功率芯片21上除门极之外的位置连接；在相邻两个芯片模块2中，相邻两个第一功率芯片21串联连接，相邻两个第二功率芯片22串联连接。

从正极端子3开始，如图1所示，正极端子3通过键合线5与第一个芯片模块2上的第一功率芯片21和第二功率芯片22串联连接，相邻两个第一功率芯片21通过键合线5串联连接，相邻两个第二功率芯片22通过键合线5串联连接，最后一个功率模块上的第一功率芯片21和第二功率芯片22通过键合线5与负极端子4连接，至负极端子4结束，形成串联结构，能够将电压进行分压，减小杂散电感。具体的，键合线5的材质包括但不限于铝线和铜线，在本实施例中优选为铝线。

作为可选的实施方式，如图1、图4所示，与负极端子4并排的每个芯片模块2中的第二功率芯片22、第一电阻23与门极端子26、采样端子27的排列方向一致，每个芯片模块2中的第二电阻25、电容24与门极端子26、采样端子27的排列方向垂直；与正极端子3并排的最后一个芯片模块2中的第二功率芯片22、第一电阻23与门极端子26、采样端子27的排列方向垂直，第二电阻25、电容24与门极端子26、采样端子27的排列方向一致；位于正极端子3和正极端子3并排的最后一个芯片模块2之间的每个芯片模块2中的第二功率芯片22、第一电阻23与门极端子26、采样端子27的排列方向一致，每个芯片模块2中的第二电阻25、电容24与门极端子26、采样端子27的排列方向垂直。多个芯片模块2、正极端子3、负极端子4按照上述方式进行排布便于进行电气连接，并且能够使功率开关更加平整，便于后续封装。

需要说明的是，本实施例中的门极端子26和采样端子27长条形、S型或Z型中的任意一种，正极端子3和负极端子4为片状型、S型或Z型中的任意一种，其主要材质包括但不限于铜、铝、铜合金、铝合金、电镀金、镍、锡、银等可焊接可导电材料。焊料包括但不限于锡膏或纳米银焊膏。键合线5包括但不限于铜线、铝线、金线，在本实施例中，键合线5优选为铝线。

作为可选的实施方式，如图1、图3所示，每个芯片模块2金属上的门极端子金属层123和采样端子金属层124位于第二金属层12的侧边，多个芯片模块2铜层上的门极端子26和采样端子27呈船桨型排列，正极端子3、负极端子4和多个芯片模块2的排列形状为平面U型。能够便于进行后续封装，同时还便于后续与外部设备的连接。

具体的，所述功率开关采用封装胶体进行封装，封装胶体能够将整个第二金属层12进行包裹，将其封装，使功率开关在使用过程中保持稳定，使电极端子和功率端子突出封装胶体，与外部进行功率输入和输出。封装胶体的封装范围为整个DBC板1的范围，封装胶提的优选高度为3～5cm。在使用封装胶体将其封装后，还可采用塑料外壳将整个功率开关进行再次封装，再次封装时可使用环形外壳进行封装。但是由于通过封装胶体进行封装之后已经能够保持模块的稳定，也可以不使用塑料外壳进行封装，具体可根据实际使用情况而定。

实施例仅是一个特例，并不表明本实用新型就这样一种实现方式。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，本领域技术人员知悉，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等同替换。另外，在本实用新型的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本实用新型的精神和范围。因此，本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，包括：DBC板(1)、多个芯片模块(2)和电极端子，多个所述芯片模块(2)和电极端子在所述DBC板(1)上依次串联连接；

每个所述芯片模块(2)均包括芯片支路、第一均压支路和第二均压支路，所述芯片支路、所述第一均压支路和所述第二均压支路之间为并联连接；

所述芯片支路包括相连接的第一功率芯片(21)和第二功率芯片(22)；所述第一均压支路包括串联连接的第一电阻(23)和电容(24)；所述第二均压支路包括第二电阻(25)。

2.根据权利要求1所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，所述电极端子包括正极端子(3)和负极端子(4)；

所述正极端子(3)与多个所述芯片模块(2)的首个芯片模块(2)串联连接，所述负极端子(4)与多个所述芯片模块(2)的最后一个芯片模块(2)串联连接。

3.根据权利要求2所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，所述DBC板(1)包括第一金属层(11)、绝缘层(13)和第二金属层(12)；

所述绝缘层(13)设置在所述第一金属层(11)和第二金属层(12)之间；

多个所述芯片模块(2)和所述电极端子均设置在所述第二金属层(12)上。

4.根据权利要求3所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，所述第一金属层(11)上设置有多个抑场强环(111)，每个所述抑场强环(111)的位置与所述第二金属层(12)上每个所述芯片模块(2)中的所述第一功率芯片(21)的位置相对应。

5.根据权利要求3所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，所述第二金属层(12)包括负极端子金属层(14)和多个芯片模块金属层；

所述负极端子(4)设置在所述负极端子金属层(14)上；

多个所述芯片模块(2)中的每个芯片模块(2)对应设置在一个芯片模块金属层上，所述正极端子(3)设置在第一个芯片模块(2)对应的所述芯片模块金属层上。

6.根据权利要求5所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，每个所述芯片模块金属层均包括功率金属层(121)和电阻金属层(122)，所述功率金属层(121)与所述电阻金属层(122)在纵向方向上相邻设置；

在每个所述芯片模块金属层中，所述第一功率芯片(21)和第二功率芯片(22)均设置在所述功率金属层(121)上；所述第一电阻(23)搭接在所述电阻金属层(122)和功率金属层(121)上，所述电容(24)搭接在所述电阻金属层(122)和相邻的所述芯片模块金属层上，所述第二电阻(25)搭接在相邻两个的所述芯片模块金属层上。

7.根据权利要求5所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，每个所述芯片模块(2)还包括门极端子(26)和采样端子(27)；每个所述芯片模块金属层还包括门极端子金属层(123)和采样端子金属层(124)；

在每个所述芯片模块(2)对应的芯片模块金属层中，所述门极端子(26)设置在所述门极端子金属层(123)上，所述采样端子(27)设置在所述采样端子金属层(124)上。

8.根据权利要求7所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，在每个所述芯片模块(2)中，所述门极端子金属层(123)通过键合线(5)与所述第一功率芯片(21)的门极(211)连接，所述采样端子金属层(124)通过键合线(5)与所述第一功率芯片(21)上除门极之外的位置连接；

在相邻两个所述芯片模块(2)中，相邻两个所述第一功率芯片(21)串联连接，相邻两个所述第二功率芯片(22)串联连接。

9.根据权利要求7所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，与所述负极端子(4)并排的每个芯片模块(2)中的所述第二功率芯片(22)、第一电阻(23)与所述门极端子(26)、采样端子(27)的排列方向一致，每个芯片模块(2)中的所述第二电阻(25)、电容(24)与所述门极端子(26)、采样端子(27)的排列方向垂直；

与所述正极端子(3)并排的最后一个芯片模块(2)中的所述第二功率芯片(22)、第一电阻(23)与所述门极端子(26)、采样端子(27)的排列方向垂直，所述第二电阻(25)、电容(24)与所述门极端子(26)、采样端子(27)的排列方向一致；

位于所述正极端子(3)和所述正极端子(3)并排的最后一个芯片模块(2)之间的每个所述芯片模块(2)中的所述第二功率芯片(22)、第一电阻(23)与所述门极端子(26)、采样端子(27)的排列方向一致，每个芯片模块(2)中的所述第二电阻(25)、电容(24)与所述门极端子(26)、采样端子(27)的排列方向垂直。

10.根据权利要求7所述的一种内置均压电路的串联功率开关，其特征在于，每个所述芯片模块(2)金属上的门极端子金属层(123)和采样端子金属层(124)位于所述第二金属层(12)的侧边，多个所述芯片模块(2)铜层上的门极端子(26)和采样端子(27)呈船桨型排列；

所述门极端子(26)和采样端子(27)为长条形、S型或Z型，所述正极端子(3)和负极端子(4)为片状形、S型或Z型，所述正极端子(3)、负极端子(4)和多个芯片模块(2)的排列形状为平面U型。