CN216411361U - 一种用于并行测试igbt芯片和frd芯片的测试夹具 - Google Patents

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林志坚
王海
谢景亮
敖利波
曾新勇
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Abstract

本实用新型提供一种用于并行测试IGBT芯片和FRD芯片的测试夹具,包括底座,所述底座上设有测试槽,所述测试槽连接有DBC测试板,所述底座上方设有升降装置,所述升降装置连接有盖板,所述盖板上排布有探针;所述探针面向所述DBC测试板;所述DBC测试板分别连接有IGBT模块、FRD模块。本实用新型测试夹具,有效减少了电气连接的次数,确保了电气连接的可靠性;同时能够测试不同的IGBT模块;同时满足了不同IGBT模块和FRD模块的搭配并行测试验证的需求。

Description

一种用于并行测试IGBT芯片和FRD芯片的测试夹具
技术领域
本实用新型属于IGBT测试技术领域,具体涉及一种用于并行测试IGBT芯片和FRD芯片的测试夹具。
背景技术
随着科技的发展和环保的要求,IGBT模块和IPM的应用将会越来越广泛,IGBT模块和IPM的核心就是IGBT和FRD,但是IGBT从晶圆分割完毕后到进行模块封装前缺乏有效手段进行测试,同时现有测试方法只能测试单颗IGBT,因此需要提供高效、多功能的并行测试夹具。
现有技术中,通常将IGBT芯片安装到DBC测试板上,使用PCB上的测试电路进行测试,通过在探针孔安装探针来连接DBC测试板和PCB测试电路以及测试设备,以实现测试目的。但是,仍存在以下缺点: 1、单次可测试芯片数量少,效率低,且无法进行横向对比;2、只能测试单IGBT,而不能和FRD构成半桥电路来充分测试IGBT-FRD的搭配性能;3、多次电气连接:IGBT和DBC连接后还要与PCB连接再接上测试设备。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种用于并行测试IGBT芯片和FRD芯片的测试夹具,本实用新型有效解决多颗IGBT并行测试、利用IGBT-FRD构成完整半桥电路以及减少电连接次数的问题。
本实用新型的技术方案为:
一种用于并行测试IGBT芯片和FRD芯片的测试夹具,其特征在于,包括底座,所述底座上设有测试槽,所述测试槽连接有DBC测试板,所述底座上方设有升降装置,所述升降装置连接有盖板,所述盖板上排布有探针;所述探针面向所述DBC测试板;
所述DBC测试板分别连接有IGBT模块、FRD模块。
本实用新型中,IGBT为Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极型晶体管;IPM为Intelligent Power Module,即智能功率模块;FRD为Fast Recovery Diode,即快恢复二极管;DBC测试板为本领域IGBT芯片测试的现有技术。
进一步的,所述DBC测试板包括栅极焊盘、漏极焊盘;所述IGBT模块包括G极、E极;所述G极与栅极焊盘连接。所述G极为栅极,E极为发射极。
进一步的,所述FRD模块包括正极,所述E极、正极分别与漏极焊盘连接。
进一步的,还包括锡膏层,所述IGBT模块、FRD模块分别通过锡膏层与DBC测试板固定连接。
进一步的,还包括键合线,所述DBC测试板通过键合线分别与IGBT模块、FRD模块电性连接。
进一步的,所述探针沿盖板的四周排布。
进一步的,所述升降装置为丝杆升降装置。
进一步的,所述探针与DBC测试板电性连接。
进一步的,所述底座为电木底座;所述盖板为电木盖板。
本实用新型的测试步骤如下:
S1.用锡膏层将IGBT模块和FRD模块安装到DBC测试板表面;
S2.用键合线分别将IGBT模块的G极bonding到DBC测试板的栅极焊盘;
S3.用键合线将IGBT的E极和FRD的正极bonding连接到DBC测试板的漏极焊盘;
S4.将贴好IGBT模块和FRD模块的DBC测试板放置入测试槽中;
S5.下压上盖,确保探针和DBC测试板的电性连接;
S6.将本测试夹具与测试设备连接进行测试。
本实用新型测试夹具,有效减少了电气连接的次数,确保了电气连接的可靠性;同时能够测试不同的IGBT模块;同时满足了不同IGBT模块和FRD模块的搭配并行测试验证的需求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的另一结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
一种用于并行测试IGBT芯片和FRD芯片的测试夹具,其特征在于,包括底座1,所述底座上设有测试槽11,所述测试槽连接有DBC测试板2,所述底座上方设有升降装置3,所述升降装置连接有盖板4,所述盖板上排布有探针5;所述探针面向所述DBC测试板;
所述DBC测试板分别连接有IGBT模块6、FRD模块7。
进一步的,所述DBC测试板包括栅极焊盘(未标注)、漏极焊盘(未标注);所述IGBT模块包括G极(未标注)、E极(未标注);所述G极与栅极焊盘连接。所述G极为栅极,E极为发射极。
进一步的,所述FRD模块包括正极(未标注),所述E极、正极分别与漏极焊盘连接。
进一步的,还包括锡膏层(未标注),所述IGBT模块、FRD模块分别通过锡膏层与DBC测试板固定连接。
进一步的,还包括键合线8,所述DBC测试板通过键合线分别与IGBT模块、FRD模块电性连接。
进一步的,所述探针沿盖板的四周排布。
进一步的,所述升降装置为丝杆升降装置。
进一步的,所述探针与DBC测试板电性连接。
进一步的,所述底座为电木底座;所述盖板为电木盖板。
本实用新型测试夹具,有效减少了电气连接的次数,确保了电气连接的可靠性;同时能够测试不同的IGBT模块;同时满足了不同IGBT模块和FRD模块的搭配并行测试验证的需求。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是,本实用新型中所未详细描述的技术特征,均可以通过任一现有技术实现。

Claims (10)

1.一种用于并行测试IGBT芯片和FRD芯片的测试夹具,其特征在于,包括底座,所述底座上设有测试槽,所述测试槽连接有DBC测试板,所述底座上方设有升降装置,所述升降装置连接有盖板,所述盖板上排布有探针;所述探针面向所述DBC测试板;
所述DBC测试板分别连接有IGBT模块、FRD模块。
2.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,所述DBC测试板包括栅极焊盘、漏极焊盘;所述IGBT模块包括G极、E极;所述G极与栅极焊盘连接。
3.根据权利要求2所述的测试夹具,其特征在于,所述FRD模块包括正极,所述E极、正极分别与漏极焊盘连接。
4.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,还包括锡膏层,所述IGBT模块、FRD模块分别通过锡膏层与DBC测试板固定连接。
5.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,还包括键合线,所述DBC测试板通过键合线分别与IGBT模块、FRD模块电性连接。
6.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,所述探针沿盖板的四周排布。
7.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,所述升降装置为丝杆升降装置。
8.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,所述探针与DBC测试板电性连接。
9.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,所述底座为电木底座。
10.根据权利要求1所述的测试夹具,其特征在于,所述盖板为电木盖板。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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