CN221199791U - 市电周期检测电路与家用电器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种市电周期检测电路与家用电器。市电周期检测电路包括整流支路、容性支路、开关支路与控制器。整流支路在市电处于负半周且市电的电压大于第一节点的电压时处于第一导通状态，在市电处于正半周且市电的电压大于第一节点的电压时处于第二导通状态，在市电的电压小于或等于第一节点的电压时处于断开状态。容性支路在整流支路处于第一导通状态或第二导通状态时充电，处于断开状态时放电。开关支路在整流支路处于第二导通状态时导通，输出市电周期检测信号至控制器，使控制器对市电周期进行计数，在整流支路处于第一导通状态或断开状态时断开。通过上述方式，能够减少每一个市电周期内市电为开关支路供电的时长，以减小功率损耗。

Description

市电周期检测电路与家用电器

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种市电周期检测电路与家用电器。

背景技术

微波炉、烤箱、搅拌机等家电通常需要有计时功能。其中，对于搅拌机这种常温环境工作的产品，我们使用MCU(Microcontroller Unit，微控制器单元)内部的晶振进行计时即可满足要求，但是对于微波炉或烤箱等产品，由于他们的工作温度高、工作温度范围大，如果直接用MCU内部晶振进行计时，则会由于内部晶振的温漂比较大，而导致在高温情况下计时产生比较大的偏差。因此，烤箱或微波炉等产品上会对市电周期进行计数以实现计时。

目前，通常通过能够实现导通与断开的开关支路，例如由光耦组成的开关支路，实现对市电周期进行计数。具体为，在市电的其中一个半周控制开关支路导通，以输出对应的信号至MCU，从而使MCU对市电周期进行计数。

然而，针对上述对市电周期进行计数的方式而言，在每一个市电周期内，接近市电的半个周期会一直保持为开关支路供电以控制开关支路导通，如此会导致较大的功率损耗。

实用新型内容

本申请旨在提供一种市电周期检测电路与家用电器，本申请能够减少每一个市电周期内市电为开关支路供电的时长，以减小功率损耗。

为实现上述目的，第一方面，本申请提供一种市电周期检测电路，包括：

整流支路、容性支路、开关支路与控制器；

所述整流支路的第一端与所述市电的第一端连接，所述整流支路的第二端分别与所述市电的第二端及所述开关支路的第二端连接，所述整流支路的第三端分别与所述容性支路的第一端及所述开关支路的第一端连接于第一节点，所述开关支路的第三端与所述控制器连接；

所述整流支路被配置为在所述市电处于负半周且所述市电的电压大于所述第一节点的电压时处于第一导通状态，并被配置为在所述市电处于正半周且所述市电的电压大于所述第一节点的电压时处于第二导通状态，还被配置为在所述市电的电压小于或等于所述第一节点的电压时处于断开状态；其中，在所述市电的任一周期内，所述整流支路处于所述第一导通状态的时长与所述整流支路处于所述第二导通状态的时长之和小于所述整流支路处于所述断开状态的时长；

所述容性支路被配置为在所述整流支路处于第一导通状态或第二导通状态时充电，并被配置为在所述整流支路处于断开状态时放电；

所述开关支路被配置为在所述整流支路处于所述第二导通状态时基于所述第一节点的电压而导通，并输出所述市电周期检测信号至所述控制器，以使所述控制器基于所述市电周期检测信号对所述市电周期进行计数，并被配置为在所述整流支路处于所述第一导通状态或所述断开状态时断开。

在一种可选的方式中，所述整流支路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管；

所述第一二极管的阳极分别与所述市电的第一端及所述第二二极管的阴极连接，所述第一二极管的阴极分别与所述第三二极管的阴极、所述容性支路的第一端及所述开关支路的第一端连接，所述第三二极管的阳极分别与所述第四二极管的阴极及所述开关支路的第二端连接，所述第二二极管的阴极及所述第四二极管的阴极均接地；

其中，在所述第二二极管与所述第三二极管导通时，所述整流支路处于所述第一导通状态；在所述第一二极管与所述第四二极管导通时，所述整流支路处于所述第二导通状态；在所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管与所述第四二极管均断开时，所述整流支路处于所述断开状态。

在一种可选的方式中，所述容性支路包括第一电容；

所述第一电容的第一端与所述整流支路的第三端连接，所述第一电容的第二端接地。

在一种可选的方式中，所述开关支路包括第一开关单元与第二开关单元；

所述第一开关单元的第一端连接至所述第一节点，所述第一开关单元的第二端与所述第二开关单元的第一端连接，第一开关单元的第三端与所述第二开关单元的第二端连接，所述第一开关单元的第四端与所述整流支路的第二端连接，所述第二开关单元的第二端与所述控制器连接；

所述第一开关单元被配置为在所述整流支路处于所述第二导通状态时基于所述第一节点的电压而导通，并被配置为在所述整流支路处于所述第一导通状态或所述断开状态时断开；

所述第二开关单元被配置为在所述第一开关单元导通时导通，以输出所述市电周期检测信号至所述控制器，并被配置为在所述第一开关单元断开时断开。

在一种可选的方式中，所述第一开关单元包括第一开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻与稳压二极管；

所述第一电阻的第一端连接至所述第一节点，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端及所述第二开关单元的第一端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第一开关管的第一端、所述第三电阻的第一端及所述稳压二极管的阴极连接，所述第三电阻的第二端分别与所述稳压二极管的阳极、所述第一开关管的第二端、所述整流支路的第二端及所述市电的第二端连接，所述第一开关管的第三端与所述第二开关单元的第二端连接。

在一种可选的方式中，所述第一开关管为NMOS管，所述NMOS管的栅极为所述第一开关管的第一端，所述NMOS管的源极为所述第一开关管的第二端，所述NMOS管的漏极为所述第一开关管的第三端。

在一种可选的方式中，所述第二开关单元包括光耦，所述光耦包括发光器与受光器；

所述发光器的阳极与所述第一开关单元的第二端连接，所述发光器的阴极与所述第一开关单元的第三端连接，所述受光器的第一端与所述控制器连接，所述受光器的第二端接地。

在一种可选的方式中，所述市电周期检测电路还包括第四电阻、第五电阻与第二电容；

所述第四电阻的第一端与第一电压连接，所述第四电阻的第二端分别与所述开关支路的第三端及所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述控制器连接，所述第二电容的第二端接地。

第二方面，本申请提供一种家用电器，包括如上所述的市电周期检测电路。

本申请的有益效果是：本申请提供的市电周期检测电路包括整流支路、容性支路、开关支路与控制器。其中，整流支路在市电处于负半周且市电的电压大于第一节点的电压时处于第一导通状态以使容性支路被充电，并使开关支路断开。整流支路在市电处于正半周且市电的电压大于第一节点的电压时处于第二导通状态以使容性支路被充电，并使开关支路导通，继而，开关支路输出市电周期检测信号至控制器，以使控制器基于市电周期检测信号对市电周期进行计数。整流支路还在市电的电压小于或等于第一节点的电压时处于断开状态以使容性支路放电，并使开关支路断开。由此可见，在市电的任一周期内，开关支路均只在整流支路处于第二导通状态时被市电供电而工作。又由于在市电的任一周期内，整流支路处于第一导通状态的时长与整流支路处于第二导通状态的时长之和小于整流支路处于断开状态的时长。则整流支路处于第二导通状态的时长小于市电周期的一半，则在每一个市电周期内市电为开关支路供电的时长小于周期的一半。从而，相对于相关技术中在每一个市电周期内，接近市电的半个周期会一直保持为开关支路供电的方案，本申请能够减少每一个市电周期内市电为开关支路供电的时长，以减小功率损耗。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为本申请实施例一提供的市电周期检测电路的结构示意图；

图2为本申请实施例二提供的市电周期检测电路的结构示意图；

图3为与图2所示的结构对应的一种电路结构；

图4为相关技术中的用于检测市电周期的电路。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参照图1，图1为本申请实施例提供的市电周期检测电路的结果示意图。如图1所示，市电周期检测电路100包括整流支路10、容性支路20、开关支路30与控制器40。

其中，整流支路10的第一端与市电200的第一端连接，整流支路10的第二端分别与市电200的第二端及开关支路30的第二端连接，整流支路10的第三端分别与容性支路20的第一端及开关支路30的第一端连接于第一节点N1，开关支路30的第三端与控制器40连接。

具体地，整流支路10被配置为在市电200处于负半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时处于第一导通状态，并被配置为在市电200处于正半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时处于第二导通状态，还被配置为在市电200的电压小于或等于第一节点N1的电压时处于断开状态。其中，在市电200的任一周期内，整流支路10处于第一导通状态的时长与整流支路10处于第二导通状态的时长之和小于整流支路10处于断开状态的时长。容性支路20被配置为在整流支路10处于第一导通状态或第二导通状态时充电，并被配置为在整流支路10处于断开状态时放电。开关支路30被配置为在整流支路10处于第二导通状态时基于第一节点N1的电压而导通，并输出市电周期检测信号至控制器40，以使控制器40基于市电周期检测信号对市电200周期进行计数，并被配置为在整流支路10处于第一导通状态或断开状态时断开。

在该实施例中，当市电200处于负半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时，整流支路10处于第一导通状态，并且容性支路20被充电，同时开关支路30断开。将该段时长记为第一时长T1。

当市电200处于正半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时，整流支路10处于第二导通状态，并且容性支路20被充电，同时开关支路30导通并输出市电周期检测信号至控制器40，以使控制器40基于市电周期检测信号对市电200周期进行计数。将该段时长记为第二时长T2。

当市电200的电压小于或等于第一节点N1的电压时，整流支路10处于断开状态，并且容性支路20向其所连接的负载放电，同时开关支路30断开。将该段时间记为第三时长T3。

综上，只有在第二时长T2内，市电200才会为开关支路30供电。又由于在市电200的一个周期内，第一时长T1+第二时长T2＜第三时长T3，所以第一时长T1小于市电200周期的一半。而在相关技术中，在每一个市电200周期内接近市电200的半个周期会一直保持为开关支路30供电。由此可见，相对于相关技术的技术方案而言，本申请的技术方案能够达到减少每一个市电200周期内市电200为开关支路30供电的时长的目的，进而就能够减小开关支路30上的功率损耗。

在一实施例中，如图2所示，开关支路30包括第一开关单元31与第二开关单元32。

其中，第一开关单元31的第一端连接至第一节点N1，第一开关单元31的第二端与第二开关单元32的第一端连接，第一开关单元31的第三端与第二开关单元32的第二端连接，第一开关单元31的第四端与整流支路10的第二端连接，第二开关单元32的第二端与控制器40连接。

具体地，第一开关单元31被配置为在整流支路10处于第二导通状态时基于第一节点N1的电压而导通，并被配置为在整流支路10处于第一导通状态或断开状态时断开。第二开关单元32被配置为在第一开关单元31导通时导通，以输出市电周期检测信号至控制器40，并被配置为在第一开关单元31断开时断开。

其中，在该实施例中，开关支路30的功耗主要为第二开关单元32的功耗。则通过设置第一开关单元31，能够实现控制第二开关单元32的导通或断开，进而实现控制第二开关单元32的功耗。

请参照图3，图3为与图2所示的结构对应的一种电路结构。

在一实施例中，如图3所示，整流支路10包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3与第四二极管D4。

其中，第一二极管D1的阳极分别与市电200的第一端(在该实施例中为火线)及第二二极管D2的阴极连接，第一二极管D1的阴极分别与第三二极管D3的阴极、容性支路20的第一端及开关支路30的第一端连接，第三二极管D3的阳极分别与第四二极管D4的阴极、开关支路30的第二端及市电200的第二端(在该实施例中为零线)连接，第二二极管D2的阴极及第四二极管D4的阴极均接地PGND。

具体地，在第二二极管D2与第三二极管D3导通时，整流支路10处于第一导通状态；在第一二极管D1与第四二极管D4导通时，整流支路10处于第二导通状态；在第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3与第四二极管D4均断开时，整流支路10处于断开状态。

当市电200处于正半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时，第一二极管D1与第四二极管D4导通；当市电200处于负半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时，第二二极管D2与第三二极管D3导通；当市电200的电压小于或等于第一节点N1的电压时，第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3与第四二极管D4均断开。

在一实施例中，容性支路包括第一电容。

其中，第一电容的第一端与整流支路的第三端连接，第一电容的第二端接地。

具体地，第一电容作为母线电容，以为负载供电。并且，由于有第一电容C1的存在，能够保持第一节点N1的电压为较为稳定的电压，从而使第一时长T1与第二时长T2远小于第三时长T3。其中，在一些实施方式中，市电200的周期为20ms，第一时长T1约为3ms-5ms，第二时长T2也约为3ms-5ms。

在一实施例中，第一开关单元31包括第一开关管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3与稳压二极管DW1。

其中，第一电阻R1的第一端连接至第一节点N1，第一电阻R1的第二端分别与第二电阻R2的第一端及第二开关单元32的第一端连接，第二电阻R2的第二端分别与第一开关管Q1的第一端、第三电阻R3的第一端及稳压二极管DW1的阴极连接，第三电阻R3的第二端分别与稳压二极管DW1的阳极、第一开关管Q1的第二端、整流支路10的第二端及市电200的第二端连接，第一开关管Q1的第三端与第二开关单元32的第二端连接。

具体地，第一电阻R1用于限流，第二电阻R2与第三电阻R3用于分压。稳压二极管DW1用于放置第一开关管Q1的第一端与第二端之间的电压过大而损坏第一开关管Q1。

其中，在该实施例中，以第一开关管Q1为NMOS管为例。NMOS管的栅极为第一开关管Q1的第一端，NMOS管的源极为第一开关管Q1的第二端，NMOS管的漏极为第一开关管Q1的第三端。

除此之外，第一开关管Q1可以是任何可控开关，比如，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、集成门极换流晶闸管(IGCT)器件、门极关断晶闸管(GTO)器件、可控硅整流器(SCR)器件、结栅场效应晶体管(JFET)器件、MOS控制晶闸管(MCT)器件等。

在一实施例中，第二开关单元32包括光耦U1，光耦U1包括发光器U11与受光器U12。

其中，发光器U11的阳极与第一开关单元31的第二端连接，发光器U11的阴极与第一开关单元31的第三端连接，受光器U12的第一端与控制器40连接，受光器U12的第二端接地SGND。

在一实施例中，市电周期检测电路100还包括第四电阻R4、第五电阻R5与第二电容C2。

其中，第四电阻R4的第一端与第一电压V1连接，第四电阻R4的第二端分别与开关支路30的第三端及第五电阻R5的第一端连接，第五电阻R5的第二端分别与第二电容C2的第一端及控制器40连接，第二电容C2的第二端接地SGND。

以下对图3所示电路结构的原理进行再次说明。

当市电200处于负半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时，第一二极管D1与第四二极管D4导通。市电200为容性支路20充电。此时，第三二极管D3两端的电压为其导通压降，通常约为0.7V。而第三二极管D3两端的电压分压后才是第一开关管Q1的栅源电压(即栅极与源极之间的电压差)。显然，第一开关管Q1的栅源电压小于第一开关管Q1的开通阈值电压Vgs(th)。第一开关管Q1保持断开。光耦U1未得电而未运行，受光器U12断开。光耦U1基于第一电压V1输出高电平信号至控制器40(对应为光耦U1未输出市电周期检测信号)。控制器40未接收到市电周期检测信号，保持市电周期的计数不变。第一二极管D1与第四二极管D4导通的这段时长记为第一时长T1。

当市电200处于正半周且市电200的电压大于第一节点N1的电压时，第二二极管D2与第三二极管D3导通。市电200为容性支路20充电。此时，第三二极管D3两端的电压约等于第一节点N1的电压(记为电压VBUS)。第一开关管Q1的栅源电压为：VBUS*R1/(R1+R2+R3)。通过第一电阻R1、第二电阻R2与第三电阻R3的电阻配置，使得VBUS*R1/(R1+R2+R3)大于第一开关管Q1的开通阈值电压Vgs(th)，第一开关管Q1导通。市电200、第一二级管D1、第一电阻R1、光耦U1、第一开关管Q1与第四二极管D4形成回路，市电200为光耦U1供电，以使光耦U1正常工作。发光器U11发光，受光器U12导通并基于地SGND输出低电平信号(对应市电周期检测信号)至控制器40，控制器40对市电周期的计数加一。将第二二极管D2与第三二极管D3导通的这段时长记为第二时长T2。

当市电200的电压小于或等于第一节点N1的电压时，第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3与第四二极管D4均断开。此时，第三二极管D3两端的电压VD3与第四二极管D4两端的电压VD4等于第一节点N1的电压VBUS。假设第三二极管D3与第四二极管D4为相同的二极管，则VD3＝VBUS/2。第一开关管Q1的栅源电压为：VBUS*R1/[2*(R1+R2+R3)]。通过第一电阻R1、第二电阻R2与第三电阻R3的电阻配置，使得VBUS*R1/[2*(R1+R2+R3)]小于第一开关管Q1的开通阈值电压Vgs(th)，第一开关管Q1断开。光耦U1未得电而未运行，受光器U12断开。光耦U1基于第一电压V1输出高电平信号至控制器40(对应为光耦U1未输出市电周期检测信号)。控制器40未接收到市电周期检测信号，保持市电周期的计数不变。并且，由于第二电阻R2与第三电阻R3没有串联在光耦U1的电流回路上，所以其二者的电阻取值不影响光耦U1的工作状态，进而能够通过增大第二电阻R2与第三电阻R3的阻值以减少功率损耗。将第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3与第四二极管D4均断开的这段时长记为第三时长T3。

综上，只有在第二时长T2内，市电200才会为光耦U1供电。又由于在市电200的一个周期内，第一时长T1+第二时长T2＜第三时长T3，所以第一时长T1小于市电200周期的一半。

而在相关技术中，在每一个市电200周期内接近市电200的半个周期会一直保持为光耦U1供电。例如如图4所示，当市电200处于正半周时，光耦U1的发光器得电，光耦U1的受光器的第一端(即光耦U1的第4引脚)接地GND而被拉低，并输出市电周期检测信号至控制器40。当市电200处于负半周时，市电200、二极管DA1与电阻RA1形成回路，光耦U1失电，并基于电压VA1输出高电平信号。

由此可见，在每个市电200周期内，本申请中的光耦U1得电的时长小于相关技术的光耦U1得电的时长，从而能够达到减少每一个市电200周期内市电200为光耦U1供电的时长的目的，进而就能够减小光耦U1上的功率损耗。

本申请实施例还提供一种家用电器，该家用电器包括本申请任一实施例中的市电周期检测电路100。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种市电周期检测电路，其特征在于，包括：

整流支路、容性支路、开关支路与控制器；

所述整流支路的第一端与所述市电的第一端连接，所述整流支路的第二端分别与所述市电的第二端及所述开关支路的第二端连接，所述整流支路的第三端分别与所述容性支路的第一端及所述开关支路的第一端连接于第一节点，所述开关支路的第三端与所述控制器连接；

所述整流支路被配置为在所述市电处于负半周且所述市电的电压大于所述第一节点的电压时处于第一导通状态，并被配置为在所述市电处于正半周且所述市电的电压大于所述第一节点的电压时处于第二导通状态，还被配置为在所述市电的电压小于或等于所述第一节点的电压时处于断开状态；其中，在所述市电的任一周期内，所述整流支路处于所述第一导通状态的时长与所述整流支路处于所述第二导通状态的时长之和小于所述整流支路处于所述断开状态的时长；

所述容性支路被配置为在所述整流支路处于第一导通状态或第二导通状态时充电，并被配置为在所述整流支路处于断开状态时放电；

所述开关支路被配置为在所述整流支路处于所述第二导通状态时基于所述第一节点的电压而导通，并输出所述市电周期检测信号至所述控制器，以使所述控制器基于所述市电周期检测信号对所述市电周期进行计数，并被配置为在所述整流支路处于所述第一导通状态或所述断开状态时断开。

2.根据权利要求1所述的市电周期检测电路，其特征在于，所述整流支路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管；

所述第一二极管的阳极分别与所述市电的第一端及所述第二二极管的阴极连接，所述第一二极管的阴极分别与所述第三二极管的阴极、所述容性支路的第一端及所述开关支路的第一端连接，所述第三二极管的阳极分别与所述第四二极管的阴极及所述开关支路的第二端连接，所述第二二极管的阴极及所述第四二极管的阴极均接地；

其中，在所述第二二极管与所述第三二极管导通时，所述整流支路处于所述第一导通状态；在所述第一二极管与所述第四二极管导通时，所述整流支路处于所述第二导通状态；在所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管与所述第四二极管均断开时，所述整流支路处于所述断开状态。

3.根据权利要求1所述的市电周期检测电路，其特征在于，所述容性支路包括第一电容；

所述第一电容的第一端与所述整流支路的第三端连接，所述第一电容的第二端接地。

4.根据权利要求1所述的市电周期检测电路，其特征在于，所述开关支路包括第一开关单元与第二开关单元；

所述第一开关单元的第一端连接至所述第一节点，所述第一开关单元的第二端与所述第二开关单元的第一端连接，第一开关单元的第三端与所述第二开关单元的第二端连接，所述第一开关单元的第四端与所述整流支路的第二端连接，所述第二开关单元的第二端与所述控制器连接；

所述第一开关单元被配置为在所述整流支路处于所述第二导通状态时基于所述第一节点的电压而导通，并被配置为在所述整流支路处于所述第一导通状态或所述断开状态时断开；

所述第二开关单元被配置为在所述第一开关单元导通时导通，以输出所述市电周期检测信号至所述控制器，并被配置为在所述第一开关单元断开时断开。

5.根据权利要求4所述的市电周期检测电路，其特征在于，所述第一开关单元包括第一开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻与稳压二极管；

所述第一电阻的第一端连接至所述第一节点，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端及所述第二开关单元的第一端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第一开关管的第一端、所述第三电阻的第一端及所述稳压二极管的阴极连接，所述第三电阻的第二端分别与所述稳压二极管的阳极、所述第一开关管的第二端、所述整流支路的第二端及所述市电的第二端连接，所述第一开关管的第三端与所述第二开关单元的第二端连接。

6.根据权利要求5所述的市电周期检测电路，其特征在于，所述第一开关管为NMOS管，所述NMOS管的栅极为所述第一开关管的第一端，所述NMOS管的源极为所述第一开关管的第二端，所述NMOS管的漏极为所述第一开关管的第三端。

7.根据权利要求4所述的市电周期检测电路，其特征在于，所述第二开关单元包括光耦，所述光耦包括发光器与受光器；

所述发光器的阳极与所述第一开关单元的第二端连接，所述发光器的阴极与所述第一开关单元的第三端连接，所述受光器的第一端与所述控制器连接，所述受光器的第二端接地。

8.根据权利要求1所述的市电周期检测电路，其特征在于，所述市电周期检测电路还包括第四电阻、第五电阻与第二电容；

所述第四电阻的第一端与第一电压连接，所述第四电阻的第二端分别与所述开关支路的第三端及所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述控制器连接，所述第二电容的第二端接地。

9.一种家用电器，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的市电周期检测电路。