CN221094275U - 一种cvd反应室及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种CVD反应室及半导体工艺设备，该CVD反应室包括：腔体，设置有容纳衬底的容置空间；腔盖，设置于腔体上并与腔体连接，用于密封腔体；第一热交换器，与腔体连通，第一热交换器用于冷却腔体；第二热交换器，与腔盖连通，第二热交换器用于冷却腔盖；其中，第一热交换器的冷端温度为第一冷端温度，第二热交换器的冷端温度为第二冷端温度，第二冷端温度底于第一冷端温度。本申请提供的CVD反应室通过将腔体和腔盖分别连通第一热交换器和第二热交换器，并且调节第二冷端温度低于第一冷端温度，使腔盖的温度低于腔体的温度，有效地抑制了反应物在腔盖内侧反应并沉积过厚的膜，减少了过厚的膜掉落产生更多的颗粒，提高了CVD反应工艺的水平。

Description

一种CVD反应室及半导体工艺设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种CVD反应室及半导体工艺设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是一种真空沉积工艺，指利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程，用于在半导体技术中生产薄膜材料。CVD反应室是一种用于实现CVD反应的真空装置，可以沉积各种形式的材料，包括单晶、多晶、非晶和外延。这些材料在半导体技术中有着广泛的应用，如硅(二氧化硅、碳化硅、氮化硅、氧氮化硅)、碳(纤维、纳米纤维、纳米管、金刚石和石墨烯)、氟碳化合物、丝束、钨、氮化钛和各种高介电常数材料等。

相关技术中，随着反应温度升高，反应物会在CVD反应室的腔盖内侧反应并沉积过厚的膜，过厚的膜会掉落形成颗粒(Particle)，使CVD反应室的腔体内的颗粒变多并超过允许范围，影响CVD反应工艺的水平。

鉴于上述技术问题的存在，本申请提供一种CVD反应室及半导体工艺设备，以至少部分地解决上述问题。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对目前存在的问题，本申请一方面提供一种CVD反应室，包括：腔体，设置有容纳衬底的容置空间；腔盖，设置于所述腔体上并与所述腔体连接，用于密封所述腔体；第一热交换器，与所述腔体连通，所述第一热交换器用于冷却所述腔体；第二热交换器，与所述腔盖连通，所述第二热交换器用于冷却所述腔盖；其中，所述第一热交换器的冷端温度为第一冷端温度，所述第二热交换器的冷端温度为第二冷端温度，所述第二冷端温度低于所述第一冷端温度。

示例性地，所述CVD反应室还包括：第一冷却回路，所述第一热交换器通过所述第一冷却回路连通所述腔体；第二冷却回路，所述第二热交换器通过所述第二冷却回路连通所述腔盖。

示例性地，所述第一冷却回路容纳有第一冷却介质，从所述第一热交换器流出的所述第一冷却介质具有第一冷端温度；所述第二冷却回路容纳有第二冷却介质，从所述第二热交换器流出的所述第二冷却介质具有第二冷端温度。

示例性地，所述第一冷却回路包括第一阀体，所述第一阀体设置于所述第一热交换器和所述腔体之间；所述第二冷却回路包括第二阀体，所述第二阀体设置于所述第二热交换器和所述腔盖之间。

示例性地，所述CVD反应室还包括：加热器，用于加热所述衬底，所述加热器通过所述第一冷却回路连通所述第一热交换器和所述腔体。

示例性地，所述CVD反应室还包括：第一温度传感器，设置于所述腔体内，所述第一温度传感器用检测所述腔体的腔体温度；第二温度传感器，设置于所述腔盖内侧，所述第二温度传感器用于检测所述腔盖的腔盖温度，其中，所述腔盖温度低于所述腔体温度。

示例性地，所述CVD反应室还包括：气源，与所述腔体连通，所述气源用于提供反应物。

示例性地，所述CVD反应室还包括：气路，所述气源通过所述气路与所述腔体连通，所述气路用于向所述腔体输送所述反应物。

示例性地，所述气路还包括真空泵，所述真空泵通过所述气路与所述腔体连通，所述真空泵用于维持所述腔体的真空度以及将未反应的反应物和反应副产物抽离所述腔体。

本申请再一方面提供一种半导体工艺设备，包括上述中任一项所述的CVD反应室。

本申请提供的CVD反应室通过将腔体和腔盖分别连通第一热交换器和第二热交换器，并且调节第二冷端温度低于第一冷端温度，使腔盖的温度低于腔体的温度，有效地抑制了反应物在腔盖内侧反应并沉积过厚的膜，减少了过厚的膜掉落产生更多的颗粒，提高了CVD反应工艺的水平。

附图说明

本申请的下列附图在此作为本申请的一部分用于理解本申请。附图中示出了本申请的实施例及其描述，用来解释本申请的原理。

在附图中：

图1示出了根据相关技术的CVD反应室的示意性框图；

图2示出了本申请一实施例的CVD反应室的示意性框图；

附图标记：

CVD反应室100，热交换器110，腔体121，衬底1211，加热器123，腔盖122，冷却回路101，阀体1011；

CVD反应室200，第一热交换器210，腔体231，衬底2311，加热器233，第二热交换器220，腔盖232，第一冷却回路201，第一阀体2011，第二冷却回路202，第二阀体2022。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本申请能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本申请的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细步骤和结构，以便阐释本申请提出的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。

如图1所示，根据相关技术的CVD反应室100包括通过冷却回路101(在图1中以箭头连线表示)依次连通的热交换器110、腔体121、腔盖122和加热器123。在CVD反应工艺进行时，冷却介质沿冷却回路101流经腔盖122、腔体121和加热器123吸收热量，并在热交换器110进行热交换，其中，冷却回路101设置有阀体1011，阀体1011用于调节冷却回路1011中冷却介质的流量。具体地，在CVD反应室100中，以正硅酸乙酯(Tetraethyl Orthosilicate，TEOS)和臭氧进行反应工艺，当反应温度升高时，腔盖122的温度过高，使得TEOS和臭氧在腔盖内侧反应产生过厚的膜，过厚的膜会脱离腔盖内侧掉落形成更多的颗粒，使腔体121内的颗粒数目增加，颗粒数目超过了允许范围，影响产品良率和CVD反应工艺的水平；然而热交换器110只通过冷却回路101无法分别调节腔体121的温度和腔盖122的温度，如果降低腔盖122的温度，腔体121的温度也会降低，而腔体121过冷也会影响CVD反应的平衡和产品良率，因此热交换器110和冷却回路101在CVD反应工艺进行时无法抑制反应物在腔盖122内侧反应并沉积过厚的膜，使得腔体121内的颗粒在短时间内就超出允许范围，导致需要对CVD反应室100进行更频繁的开腔清洁维护，缩短了CVD反应室的工作周期，减少了CVD反应室在工作周期内能够处理的衬底数目，增加了生产成本。

针对相关技术中存在的上述技术问题，本申请提供了一种新的CVD反应室，下面将结合图2详细地描述CVD反应室200。

在一些实施例中，如图2所示，CVD反应室200包括：腔体231，腔体231设置有容纳衬底2311的容置空间；腔盖232，腔盖232设置于腔体231上并与腔体231连接，腔体232用于密封腔体231；第一热交换器210，第一热交换器210与腔体231连通，第一热交换器210用于冷却腔体231；第二热交换器220，第二热交换器220与腔盖232连通，第二热交换器220用于冷却腔盖232；第一冷却回路201(在图2中以单箭头表示)和第二冷却回路202(在图2中以/>双箭头表示)，第一热交换器210通过第一冷却回路201连通腔体231，第一热交换器210单独与腔体231形成回路，第二热交换器220通过第二冷却回路202连通腔盖232，第二热交换器220单独与腔盖232形成回路，进一步地，第一冷却回路201容纳有第一冷却介质，第二冷却回路202容纳有第二冷却介质，第一冷却介质通过第一冷却管路201流经腔体231吸收热量并在第一热交换器210进行热交换，第二冷却介质通过第二冷却管路202流经腔盖232吸收热量并在第二热交换器220进行热交换。

具体地，CVD反应室200增加了用于单独冷却腔盖232的第二热交换器220，第一交换器210用于冷却腔体231而不再同时冷却腔盖232，其中，第一热交换器210的冷端温度为第一冷端温度，第二热交换器220的冷端温度为第二冷端温度，通过分别调节第一热交换器210的冷端温度和第二热交换器220的冷端温度，使第二冷端温度低于第一冷端温度，从第一热交换器210流出的第一冷却介质具有第一冷端温度，从第二热交换器220流出的第二冷却介质具有第二冷端温度，因此，经由第二冷却介质冷却的腔盖232比经由第一冷却介质冷却的腔体231温度更低，这使得反应物在腔盖232处的反应受到抑制，例如，TEOS与臭氧不会过早地在腔盖232(如分流盘(Showerhead)或者挡板(block plate))处反应并沉积过厚的膜，延缓过厚的膜掉落形成更多的颗粒，降低腔体231内颗粒的数目。示例性地，当反应物为TEOS和臭氧时，第一冷端温度设置为65.0℃～75.0℃，第二冷端温度低于第一冷端温度。应当注意，当反应物为其他气体时，可以根据CVD反应选择合适的第一冷端温度和第二冷端温度，且第二冷端温度低于第一冷端温度。

示例性地，CVD反应室的冷却回路中的冷却介质可以有不同的种类和组成，一般要求具有以下特点：低沸点，冷却介质应该有较低的沸点，以便在较低的压力下汽化，从而提高热交换效率和安全性。高比热：冷却介质应该有较高的比热，以便在较小的流量下传递较多的热量，从而降低能耗和成本；高导热，冷却介质应该有较高的导热，以便在较小的温差下实现较快的热平衡，从而提高温度控制精度和均匀性；化学惰性，冷却介质应该有较强的化学惰性，以便不与CVD反应室的材料或反应物发生化学反应，从而避免污染或腐蚀。CVD反应室的冷却回路中常用的的冷却介质包括：水，一种最常用的冷却介质，它具有低成本、高比热、高导热和高化学惰性等优点，但是它也有沸点较高、易结冰、易生物污染等缺点；乙二醇，乙二醇是一种常用于与水混合的冷却介质，它具有沸点较低、抗结冰、抗生物污染等优点，但是它也有成本较高、比热较低、导热较差等缺点；氟利昂，氟利昂是一种常用于替代水或乙二醇的冷却介质，它具有沸点极低、比热极高、导热好等优点，但是它也有成本极高、环境污染、易燃爆等缺点。在一些实施例中，第一冷却介质和第二冷却介质包括水和乙二醇的混合液，其中水和乙二醇的比例为1：1，可选的，第一冷却介质和/或第二冷却介质还包括其他冷却介质。在一些实施例中，第一冷却介质与第二冷却介质相同，或者，第一冷却介质与第二冷却介质不同。

在一些实施例中，如图2所示，第一冷却回路201包括第一阀体2011，第一阀体2011设置于第一热交换器210和腔体231之间；第二冷却回路202包括第二阀体2022，第二阀体2022设置于第二热交换器220和腔盖232之间。示例性地，CVD反应室的冷却回路的阀体是指用于调节冷却介质流量和压力的阀门部件，阀体通常由阀芯、阀座、阀杆、阀盖、密封圈等组成，可以根据不同的工作原理和结构，分为球阀、蝶阀、闸阀、针阀等。CVD反应室的冷却回路的阀体的作用是根据CVD反应室的温度和冷却需求，调节冷却介质的流量和压力，以保证CVD反应室的腔体内的温度稳定和均匀，避免腔体过热或过冷。阀体可以由控制器或传感器控制，可以实现自动或手动的开关和调节。CVD反应室的冷却回路的阀体的选择和设计，需要考虑以下几个因素：根据冷却介质的类型、温度、压力、流量、粘度、腐蚀性等物理化学性质，以选择合适的材料和结构；根据冷却回路的布局、尺寸、连接方式等工程要求，以选择合适的规格和形式；根据冷却效率、可靠性、安全性、节能性等性能指标，以选择合适的工作原理和控制方式。在一些实施例中，本领域技术人员可以根据第一冷却介质和第二冷却介质的种类以及CVD反应工艺的要求选择合适的第一阀体2021和第二阀体2022。

在一些实施例中，如图2所示，CVD反应室200还包括：加热器233，用于加热衬底2311，加热器233通过第一冷却回路201连通第一热交换器210和腔体231，第一冷却介质从第一热交换器210流出，并流入腔体231，再流经加热器233的底部后返回第一热交换器210。加热器233的作用是将腔体231加热到CVD反应工艺所需的温度，以使CVD反应发生，不同的CVD反应工艺可能需要不同的反应温度，一般在200℃到1000℃之间。加热器通常是高功率的电阻线圈，可以在短时间内快速加热腔体，并且能够在整个反应工艺过程中维持稳定的温度。在CVD反应工艺进行时，气态或蒸汽态的反应物在由加热器加热的衬底表面，即气相或气固界面上，发生反应生成固态沉积物。一般来说，CVD反应的过程可以分为以下步骤：反应物进入腔体并被激活，反应物以气态形式进入腔体，并在腔体内被激活，其中，激活方式通常包括加热，等离子体，或者两者的结合；反应物在衬底表面发生反应，激活的反应物在衬底表面发生CVD反应，形成薄膜，其中，CVD反应可以是氧化、还原、沉积等化学反应；薄膜生长，反应物不断进入腔体，与衬底表面反应，从而形成薄膜，其中，薄膜的生长速率受到反应条件和反应物浓度的影响；附着与结晶，形成的薄膜会在衬底表面附着并结晶，形成具有特定形态和结构的材料。示例性地，以TEOS和臭氧的CVD反应为例，该CVD反应用于在衬底上制备二氧化硅(SiO₂)薄膜，TEOS是一种有机硅化合物，可以作为硅源提供硅原子，臭氧是一种强氧化剂，可以作为氧源提供氧原子。TEOS和臭氧在高温下发生化学反应，生成二氧化硅和乙醇。该反应可以表示为：

Si(OC₂H₅)₄+2O₃→SiO₂+4C₂H₅OH↑

该反应通常在400℃到800℃之间进行，并且需要低压或超高真空条件，该CVD反应工艺可以制备出高质量、高纯度、高均匀性和低缺陷密度的二氧化硅薄膜，广泛用于半导体、光电子、太阳能电池等领域。

在一些实施例中，本申请提供的CVD反应室还包括：第一温度传感器，第一温度传感器设置于腔体231内，第一温度传感器用检测腔体231的腔体温度，并且第一温度传感器通过测量腔体的温度，从而推断出衬底的温度；第二温度传感器，设置于腔盖232内侧，第二温度传感器用于检测腔盖232的腔盖温度，其中，腔盖温度低于腔体温度。第一温度传感器和第二温度传感器可以是热电偶、热敏电阻、热电堆等类型，根据不同的反应室类型和结构而变化。第一温度传感器的作用是保证反应室内的温度达到所需的反应条件，以使化学反应发生。第二温度传感器的作用是保证反应腔盖的温度低于反应腔体和衬底的温度，以防止反应物在腔盖上反应并沉积过厚的膜，影响CVD反应工艺。示例性地，腔体温度设置为530℃～550℃，腔盖温度低于腔体温度，以抑制反应物(TEOS和臭氧)在腔盖232内侧反应并沉积过厚的膜，延缓过厚的膜掉落形成更多的颗粒，降低腔体231内颗粒的数目。

在一些实施例中，本申请提供的CVD反应室还包括：气源、气路和真空泵，其中，气源通过气路与腔体连通，气源用于提供反应物，气路用于向腔体输送反应物，真空泵通过气路也与腔体连通，真空泵用于维持CVD反应工艺所需的腔体的真空度以及将未反应的反应物和反应副产物抽离腔体。具体地，气源是指用于提供反应物和载气的气体来源，通常是高纯度的气瓶或气体发生器；气路是指用于输送和控制气源的管道和阀门系统，通常由进气管、分流管、混合管、出气管等组成，不同的CVD技术和应用可能需要不同的气路设计，以实现不同的流量、压力、比例和顺序等；真空泵是指用于抽取和维持腔体内的真空状态的设备，通常由前级泵和主泵组成，不同的CVD技术和应用可能需要不同的真空度，一般在10^-3到10^-9Torr之间，真空泵的类型和性能要求根据不同的真空度而变化，例如机械泵、分子泵、扩散泵等。示例性地，TEOS和臭氧由气源通过气路输送到腔体内参与CVD反应，并且未参与反应的TEOS和臭氧以及反应副产物乙醇(C₂H₅OH)由真空泵抽离腔体。

进一步地，CVD反应室的腔体对真空度和洁净度有较高的要求，以保证CVD反应的效率和成膜质量。一般来说，CVD反应室的腔体需要保持高真空和高洁净的状态，并且避免以下问题：真空度不足，导致反应物在气相中发生不完全或副反应，影响反应的平衡和选择性；真空度不足，导致反应物在基片表面发生不均匀或非理想的沉积，影响成膜的形貌和结构；真空度不足，导致反应物在基片表面发生过快或过慢的沉积，影响沉积物的厚度和均匀性；洁净度不足，导致反应室内存在杂质或污染物，与反应物发生干扰或竞争反应，影响沉积物的纯度和性能。

在每次完成一定数量或时间的CVD过程后，也即处理了一定数量的衬底后，需要对CVD反应室进行开腔清洁，即打开CVD反应室的腔体并进行清洁和维护的操作。开腔清洁的目的是去除反应室内残留的反应物、沉积物、杂质和污染物，以恢复反应室的真空度和洁净度，防止设备的老化和损坏，提高产品的质量和一致性。开腔清洁的方法通常包括机械清洁、化学清洁、等离子体清洁等。本申请提供的CVD反应室由于能够抑制反应物在腔盖内侧反应并沉积过厚的膜，延缓过厚的膜掉落形成更多的颗粒，能够使腔体在CVD反应工艺进行时满足洁净度的要求。

CVD反应室的工作周期是指从开始进行CVD反应工艺到需要进行开腔清洁的时间间隔。CVD反应室的工作周期受到多种因素的影响，例如反应物的类型和数量、基片的大小和数量、反应温度和压力、沉积速率和厚度、开腔清洁的频率和方法等。一般来说，CVD反应室的工作周期越长，工作周期内处理的衬底数目越多，进行开腔清洁的频次越低，更能节约生产成本。本申请提供的CVD反应室由于能够抑制反应物在腔盖内侧反应并沉积过厚的膜，延缓过厚的膜掉落形成更多的颗粒，能够使腔体在CVD反应工艺进行时满足洁净度的要求，避免频繁的开腔清洁，延长CVD反应室的工作周期，节约了生产成本。

至此完成了对本申请提供的CVD反应室的描述，本申请提供的CVD反应室通过将腔体和腔盖分别连通第一热交换器和第二热交换器，并且调节第二冷端温度低于第一冷端温度，使腔盖的温度低于腔体的温度，有效地抑制了反应物在腔盖内侧反应产生过厚的膜，减少了过厚的膜掉落产生更多的颗粒，降低腔体内颗粒的数目，能够使腔体在CVD反应工艺进行时满足洁净度的要求，避免频繁的开腔清洁，延长CVD反应室的工作周期，提高了CVD反应工艺的水平，节约了生产成本。

本申请再一方面提供一种半导体工艺设备，包括前述的CVD反应室。本申请提供的半导体工艺设备由于包括了前述的CVD反应室而具有相似的有益效果。

尽管这里已经参考附图描述了示例实施例，应理解上述示例实施例仅仅是示例性的，并且不意图将本申请的范围限制于此。本领域普通技术人员可以在其中进行各种改变和修改，而不偏离本申请的范围和精神。所有这些改变和修改意在被包括在所附权利要求所要求的本申请的范围之内。

类似地，应当理解，为了精简本申请并帮助理解各个申请方面中的一个或多个，在对本申请的示例性实施例的描述中，本申请的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该本申请的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本申请要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如相应的权利要求书所反映的那样，其申请点在于可以用少于某个公开的单个实施例的所有特征的特征来解决相应的技术问题。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本申请的单独实施例。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

应该注意的是上述实施例对本申请进行说明而不是对本申请进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

Claims (10)

1.一种CVD反应室，其特征在于，包括：

腔体，设置有容纳衬底的容置空间；

腔盖，设置于所述腔体上并与所述腔体连接，用于密封所述腔体；

第一热交换器，与所述腔体连通，所述第一热交换器用于冷却所述腔体；

第二热交换器，与所述腔盖连通，所述第二热交换器用于冷却所述腔盖；

其中，所述第一热交换器的冷端温度为第一冷端温度，所述第二热交换器的冷端温度为第二冷端温度，所述第二冷端温度低于所述第一冷端温度。

2.如权利要求1所述的CVD反应室，其特征在于，还包括：

第一冷却回路，所述第一热交换器通过所述第一冷却回路连通所述腔体；

第二冷却回路，所述第二热交换器通过所述第二冷却回路连通所述腔盖。

3.如权利要求2所述的CVD反应室，其特征在于，所述第一冷却回路容纳有第一冷却介质，从所述第一热交换器流出的所述第一冷却介质具有第一冷端温度；所述第二冷却回路容纳有第二冷却介质，从所述第二热交换器流出的所述第一冷却介质具有第二冷端温度。

4.如权利要求2所述的CVD反应室，其特征在于，所述第一冷却回路包括第一阀体，所述第一阀体设置于所述第一热交换器和所述腔体之间，所述第二冷却回路包括第二阀体，所述第二阀体设置于所述第二热交换器和所述腔盖之间。

5.如权利要求2所述的CVD反应室，其特征在于，还包括：加热器，用于加热所述衬底，所述加热器通过所述第一冷却回路连通所述第一热交换器和所述腔体。

6.如权利要求1所述的CVD反应室，其特征在于，还包括：第一温度传感器，设置于所述腔体，所述第一温度传感器用检测所述衬底的腔体温度；第二温度传感器，设置于所述腔盖，所述第二温度传感器用于检测所述腔盖的腔盖温度；其中，所述腔盖温度低于所述腔体温度。

7.如权利要求1所述的CVD反应室，其特征在于，还包括：气源，与所述腔体连通，所述气源用于提供反应物。

8.如权利要求7所述的CVD反应室，其特征在于，还包括：气路，所述气源通过所述气路与所述腔体连通，所述气路用于向所述腔体输送所述反应物。

9.如权利要求8所述的CVD反应室，其特征在于，所述气路还包括真空泵，所述真空泵通过所述气路与所述腔体连通，所述真空泵用于维持所述腔体的真空度以及将未反应的反应物和反应副产物抽离所述腔体。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的CVD反应室。