CN221071729U - 一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 abstract description 3
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 abstract description 3
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 abstract description 3
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本实用新型公开了单晶炉技术领域的一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,包括,炉体,所述炉体内设置有托碗和加热器,且托碗上设置有坩埚;所述炉体的顶部两侧均设置有液压伸缩杆,所述液压伸缩杆的活塞杆均与固定环连接,所述固定环底部开设有环形槽,且固定环通过环形槽转动连接有若干个连接杆,通过液压伸缩杆带动固定环向下移动,使得连接杆带动隔热筒移动到坩埚和加热器之间,直到挡住坩埚的中下部,进而通过通孔不仅不影响对坩埚进行加热,且可以降低加热器对坩埚中下部热辐射加热的面积,降低了坩埚中下部的温度,减少坩埚中下部氧元素的析出。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶炉技术领域,具体为一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉。
背景技术
目前单晶炉内的加热器对坩埚的辐射面积大,加热器会加热石英坩埚中底部,石英坩埚中底部处于高温环境使得石英坩埚部分熔解进入硅熔体中,增大了坩埚中下部氧元素的析出,进而提高了高温下液态硅对石英坩埚的侵蚀,从而增加了硅晶体中的氧含量,影响了单晶硅的生产质量,为此,我们提出一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,包括,炉体,所述炉体内设置有托碗和加热器,且托碗上设置有坩埚;
所述炉体的顶部两侧均设置有液压伸缩杆,所述液压伸缩杆的活塞杆均与固定环连接,所述固定环底部开设有环形槽,且固定环通过环形槽转动连接有若干个连接杆,且连接杆的底部设置有隔热筒,所述隔热筒位于坩埚和加热器之间,所述隔热筒上均匀开设有通孔;
所述固定环上设置有转动组件。
作为本实用新型所述一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉的一种优选方案,其中:所述固定环位于炉体内。
作为本实用新型所述一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉的一种优选方案,其中:所述转动组件包括连接在固定环上的固定座,所述固定座的底部通过轴承转动连接有转轴,所述转轴上设置有主动齿轮和从动锥齿轮,所述主动齿轮与从动齿轮啮合连接,所述从动锥齿轮与主动锥齿轮啮合连接,所述主动锥齿轮上设置有转动轴,所述转动轴上设置有传动齿轮,所述传动齿轮与齿杆啮合连接,所述转动轴通过轴承转动连接在安装座上,所述安装座设置在固定座上。
作为本实用新型所述一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉的一种优选方案,其中:所述从动齿轮的内壁连接在连接杆上。
作为本实用新型所述一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉的一种优选方案,其中:所述齿杆竖向设置在炉体内。
作为本实用新型所述一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉的一种优选方案,其中:所述主动锥齿轮位于从动锥齿轮的后侧,所述安装座位于从动锥齿轮的后侧。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、通过液压伸缩杆带动固定环向下移动,使得连接杆带动隔热筒移动到坩埚和加热器之间,直到挡住坩埚的中下部,进而通过通孔不仅不影响对坩埚进行加热,且可以降低加热器对坩埚中下部热辐射加热的面积,降低了坩埚中下部的温度,减少坩埚中下部氧元素的析出,从而降低了高温下液态硅对坩埚的侵蚀,能够有效的降低硅晶体中的氧含量,避免硅片基体在高温下氧化,保证了单晶硅的生产质量;
2、通过隔热筒竖向来回移动较短的距离,可以通过转动组件带动隔热筒转动,使得通孔跟随转动,从而在降低加热面积的同时,避免出现坩埚中下部加热不均匀的情况。
附图说明
图1为本实用新型一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉的整体结构示意图;
图2为本实用新型一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉所述的转动组件结构放大示意图。
图中:1、炉体;2、托碗;3、坩埚;4、加热器;5、隔热筒;6、通孔;7、连接杆;8、固定环;9、液压伸缩杆;10、固定座;11、转轴;12、主动齿轮;13、从动齿轮;14、从动锥齿轮;15、主动锥齿轮;16、转动轴;17、传动齿轮;18、安装座;19、齿杆。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
诚如背景技术中所提到的,针对于现有技术中不能避免硅片基体在高温下氧化的问题。本实用新型提出一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉。
实施例1
参照图1至图2,一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,包括,炉体1,炉体1内设置有托碗2和加热器4,且托碗2上设置有坩埚3;
炉体1的顶部两侧均设置有液压伸缩杆9,液压伸缩杆9的活塞杆均与固定环8连接,固定环8底部开设有环形槽,且固定环8通过环形槽转动连接有若干个连接杆7,且连接杆7的底部设置有隔热筒5,使得隔热筒5转动时,连接杆7能够在固定环8的环形槽内转动,隔热筒5位于坩埚3和加热器4之间,隔热筒5上均匀开设有通孔6,不影响加热器4对坩埚3进行加热;
液压伸缩杆9通过活塞杆伸长,使得固定环8向下移动,使得连接杆7带动隔热筒5移动到坩埚3和加热器4之间,直到挡住坩埚3的中下部,进而通过通孔6不仅不影响对坩埚3进行加热,且可以降低加热器4对坩埚3中下部热辐射加热的面积,热辐射通过通孔6作用到坩埚3上,降低了坩埚3中下部的温度,减少坩埚3中下部氧元素的析出,从而降低了高温下液态硅对坩埚3的侵蚀,能够有效的降低硅晶体中的氧含量,避免硅片基体在高温下氧化,保证了单晶硅的生产质量;
固定环8上设置有转动组件。
固定环8位于炉体1内,使得向下移动时不用通过炉体1的顶部。
实施例2
参照图1至图2,当使用隔热筒5时,与通孔6相对的坩埚3受加热效果好,为了使坩埚3中下部可以受热均匀,需要使隔热筒5转动,带动通孔6转动,转动组件包括连接在固定环8上的固定座10,固定座10的底部通过轴承转动连接有转轴11,转轴11上设置有主动齿轮12和从动锥齿轮14,固定环8向下移动时,固定座10带动转轴11、主动齿轮12和从动锥齿轮14同步移动,主动齿轮12与从动齿轮13啮合连接,从动齿轮13的内壁连接在连接杆7上,从动锥齿轮14与主动锥齿轮15啮合连接,主动锥齿轮15上设置有转动轴16,转动轴16上设置有传动齿轮17,传动齿轮17与齿杆19啮合连接,其中齿杆19竖向设置在炉体1内,转动轴16通过轴承转动连接在安装座18上,安装座18设置在固定座10上,主动锥齿轮15位于从动锥齿轮14的后侧,安装座18位于从动锥齿轮14的后侧,当隔热筒5移动到坩埚3中下部外侧时,使固定环8来回竖向移动较短的距离,不影响对坩埚3中下部热辐射的阻挡,且可以使传动齿轮17在齿杆19上转动,进而带动转动轴16转动,使得主动锥齿轮15可以带动从动锥齿轮14转动,即可带动主动齿轮12和转轴11转动,然后带动从动齿轮13转动,使得连接杆7即可带动隔热筒5来回转动。
其余结构均与实施例1相同。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,其特征在于:包括,
炉体(1),所述炉体(1)内设置有托碗(2)和加热器(4),且托碗(2)上设置有坩埚(3);
所述炉体(1)的顶部两侧均设置有液压伸缩杆(9),所述液压伸缩杆(9)的活塞杆均与固定环(8)连接,所述固定环(8)底部开设有环形槽,且固定环(8)通过环形槽转动连接有若干个连接杆(7),且连接杆(7)的底部设置有隔热筒(5),所述隔热筒(5)位于坩埚(3)和加热器(4)之间,所述隔热筒(5)上均匀开设有通孔(6);
所述固定环(8)上设置有转动组件。
2.根据权利要求1所述的一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,其特征在于:所述固定环(8)位于炉体(1)内。
3.根据权利要求1所述的一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,其特征在于:所述转动组件包括连接在固定环(8)上的固定座(10),所述固定座(10)的底部通过轴承转动连接有转轴(11),所述转轴(11)上设置有主动齿轮(12)和从动锥齿轮(14),所述主动齿轮(12)与从动齿轮(13)啮合连接,所述从动锥齿轮(14)与主动锥齿轮(15)啮合连接,所述主动锥齿轮(15)上设置有转动轴(16),所述转动轴(16)上设置有传动齿轮(17),所述传动齿轮(17)与齿杆(19)啮合连接,所述转动轴(16)通过轴承转动连接在安装座(18)上,所述安装座(18)设置在固定座(10)上。
4.根据权利要求3所述的一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,其特征在于:所述从动齿轮(13)的内壁连接在连接杆(7)上。
5.根据权利要求3所述的一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,其特征在于:所述齿杆(19)竖向设置在炉体(1)内。
6.根据权利要求3所述的一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉,其特征在于:所述主动锥齿轮(15)位于从动锥齿轮(14)的后侧,所述安装座(18)位于从动锥齿轮(14)的后侧。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202323030433.5U CN221071729U (zh) | 2023-11-10 | 2023-11-10 | 一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202323030433.5U CN221071729U (zh) | 2023-11-10 | 2023-11-10 | 一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN221071729U true CN221071729U (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=91263627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202323030433.5U Active CN221071729U (zh) | 2023-11-10 | 2023-11-10 | 一种避免硅片基体在高温下氧化的耐热性单晶炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN221071729U (zh) |
-
2023
- 2023-11-10 CN CN202323030433.5U patent/CN221071729U/zh active Active
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