CN221071627U - 用于制造显示装置的设备以及掩模组件 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及用于制造显示装置的设备和掩模组件。用于制造显示装置的设备包括：掩模组件，包括掩模框架和掩模片，掩模框架包括开口区域，并且掩模片覆盖开口区域，其中，掩模片包括：主体，固定到掩模框架；开口，布置在主体中，沉积材料穿过开口；以及校正器，布置在主体中，并且配置成校正开口的变形，并且校正器包括：校正孔，穿透主体；以及校正构件，与校正孔的至少一部分交叉，并且可切割地连接到主体。

Description

用于制造显示装置的设备以及掩模组件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年7月21日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0090620号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开的实施方式涉及设备和方法，并且例如涉及用于制造显示装置的设备、掩模组件和制造该显示装置的方法。
背景技术
近来，电子装置被广泛使用。诸如移动电子装置和固定电子装置的电子装置以一种或多种合适的方式被利用，并且这些电子装置包括可提供诸如图像或视频的可视信息以支持一种或多种合适的功能的显示装置。
通过沉积一个或多个合适的层(诸如，有机层、金属层等)来形成显示装置，所述显示装置是配置成可视地显示数据的装置。可以对沉积材料进行沉积以形成显示装置的多个层。例如，沉积材料从沉积源喷射并通过掩模组件沉积在衬底上。在这种情况下，当掩模片变形或在掩模片和屏蔽杆之间发生阻断时，沉积材料不会沉积到衬底上的期望或合适的位置上，并且因此，降低了沉积的质量。
以上描述的相关技术可以包括申请人所拥有的用于衍生出本公开或在衍生本公开期间获得的技术信息，并且不一定是在应用本公开的申请之前向公众公开的合适技术。
实用新型内容
实施方式的方面涉及用于制造显示装置的设备、掩模组件和制造显示装置的方法，通过其可以校正在将掩模片固定到掩模框架的工艺中发生的开口的变形。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践而习得。
根据一个或多个实施方式，用于制造显示装置的设备包括：掩模组件，包括掩模框架和掩模片，掩模框架包括开口区域，并且掩模片覆盖开口区域，其中，掩模片包括：主体，固定到掩模框架；开口，布置在主体中，并且沉积材料穿过开口；以及校正器，布置在主体中，并且配置成校正开口的变形，其中，校正器包括：校正孔，穿透主体；以及校正构件，与校正孔的至少一部分交叉，并且可切割地连接到主体。
根据一个或多个实施方式，校正孔包括：第一孔；第二孔，从第一孔在第一方向上延伸；以及第三孔，从第一孔在第二方向上延伸。
根据一个或多个实施方式，第一方向与第二方向彼此交叉。
根据一个或多个实施方式，校正构件包括：第一校正构件，与第二孔交叉；以及第二校正构件，与第三孔交叉。
根据一个或多个实施方式，校正孔的平面具有十字形形状。
根据一个或多个实施方式，校正构件的厚度可以小于主体的厚度。
根据一个或多个实施方式，开口设置为多个开口，多个开口布置在第一开口方向上和与第一开口方向交叉的第二开口方向上，以及校正器的至少一部分布置在选自多个开口中的彼此相邻的四个开口之间的区域中。
根据一个或另一实施方式，掩模组件包括：掩模框架，包括开口区域；以及掩模片，覆盖开口区域，其中，掩模片包括：主体，在拉伸状态下固定到掩模框架；开口，布置在主体中，沉积材料穿过开口；以及校正器，布置在主体中并且能够至少部分地切割以校正在主体被拉伸时引起的开口的变形。
根据一个或多个实施方式，校正器可以包括：校正孔，穿透主体；以及校正构件，覆盖校正孔的至少一部分并且可切割地连接到主体。
根据一个或多个实施方式，校正构件的厚度可以小于主体的厚度。
根据一个或多个实施方式，开口设置为多个开口，多个开口布置在第一开口方向和与第一开口方向交叉的第二开口方向上，以及校正器的至少一部分布置在选自多个开口中的彼此相邻的四个开口之间的区域中。
附图说明
从下面结合附图的描述中，本公开的特定实施方式的以上和其它方面、特征和优点将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的用于制造显示装置的设备的剖视图；
图2是根据实施方式的掩模组件的示意性立体图；
图3A是根据实施方式的图2所示的部分A的放大图，并且图3B是根据实施方式的图3A所示的部分III-III'的剖视图；
图4A、图4B、图5A和图5B是根据实施方式的掩模片的一部分的俯视图；
图6是根据实施方式的根据制造显示装置的方法制造的显示装置的示意性俯视图；
图7是根据实施方式的根据制造显示装置的方法制造的显示装置的示意性剖视图；以及
图8是根据实施方式的像素的等效电路图。
具体实施方式
现在将更详细地参考其示例在附图中示出的实施方式，其中相同的附图标记通篇表示相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这一点上，这些实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，仅通过参考附图来描述实施方式，以解释本说明书的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a到c中的至少一个”、“a至c中的至少一个”、“a、b和c中的至少一个”等指示仅a、仅b、仅c、a和b二者(例如，同时)、a和c二者(例如，同时)、b和c二者(例如，同时)、所有的a、b和c、或其变形。
在本说明书中，“包括A或B”、“A和/或B”等表示A或B、或者A和B。
在下文中，将参考附图更详细地描述本公开的实施方式。在参考附图的描述中，相同的附图标记将被赋予相同或相应的部件，并且将不提供其重复的描述。
在下面的实施方式中，诸如“第一”、“第二”的术语不是以限制含义来使用，而是用于将一个部件与其它部件区分开。
在下面的实施方式中，除非另外明确指示，否则单数形式也包括复数形式。
在下面的实施方式中，诸如“包含”、“包括”和“具有”的术语指示在说明书中公开的特征或部件的存在，并且不排除添加一个或多个其它特征或部件的可能性。
在下面的实施方式中，当诸如膜、区域或部件的一部分在另一部分上或在另一部分上方时，所述一部分可以直接在另一部分上，可选地，另一膜、区域、部件等可以在所述一部分和另一部分之间。
为了便于说明，可以放大或缩小附图中的部件的尺寸。例如，为了便于说明，任意地示出了附图中所示的部件的尺寸和厚度，并且因此，本公开不一定限于附图。
在下面的实施方式中，X轴(X)、Y轴(Y)和Z轴(Z)不限于正交坐标系上的三个轴，并且可以被解释为包括正交坐标系上的三个轴的更宽泛的含义。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此正交，但是也可以表示彼此不正交的不同方向。
当实施方式可以被不同地实施时，可以执行不同于所描述的顺序的特定顺序。例如，先后描述的两个过程可以基本上同时(例如，同步地)执行，并且可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在本说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“联接到”另一元件、或“与”另一元件“相邻”时，表示其可以被直接放置在其它部件上/直接连接到其它部件/直接联接到其它部件，或一个或多个第三部件可以被布置在它们之间。即，应理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“联接到”另一元件或层、或者“与”另一元件或层相邻时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层、直接联接到另一元件或层或者直接与另一元件或层相邻，或者可以存在一个或多个中间的元件或层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层、“直接联接到”另一元件或层、或者“与”另一元件或层“直接相邻”时，不存在中间的元件或层。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如本文中所使用的，“约”或“基本上”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”或“基本上”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
根据本文中所描述的本公开的实施方式的显示设备和/或任何其它相关装置或部件可以利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，所述装置的各种部件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分开的IC芯片上。另外，所述装置的各种部件可以实现在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。另外，所述装置的各种部件可以是在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并且与用于执行本文中所描述的各种功能的其它系统部件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在可利用标准存储装置实现在计算装置中的存储器(例如，以随机存取存储器(RAM)为例)中。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(例如，以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。另外，本领域技术人员将认识到，在不背离本公开的示例性实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨过一个或多个其它计算装置分布。
图1是根据实施方式的用于制造显示装置的设备的剖视图。
参考图1，用于制造显示装置的设备1可以包括腔室10、第一支承件20、第二支承件30、掩模组件40、沉积源50、磁力单元60、视觉单元70和压力调节器80。
腔室10可以包括形成在其中的空间，并且可以容纳显示衬底DS和掩模组件40。在这种情况下，腔室10的一部分可以敞开，并且闸式阀11可以放置在腔室10的开口部分中。在这种情况下，腔室10的开口部分可以根据闸式阀11的操作而打开或关闭。
第一支承件20可以支承显示衬底DS。在这种情况下，第一支承件20可以具有固定在腔室10中的板的形式。作为另一实施方式，显示衬底DS可以安装在第一支承件20上方，并且第一支承件20可以具有可在腔室10中线性移动的穿梭件的形式。作为另一实施方式，为了固定到腔室10或可在腔室10中移动，第一支承件20也可以包括布置在腔室10中的静电卡盘或粘附卡盘。
第二支承件30可以支承掩模组件40。在这种情况下，第二支承件30可以在腔室10中。第二支承件30可以精细地调节掩模组件40的位置。在这种情况下，第二支承件30可以包括单独的驱动器或对准单元，使得掩模组件40可以移动到不同的方向上。
作为另一实施方式，第二支承件30也可以具有穿梭件的形式。在这种情况下，掩模组件40安装在第二支承件30上，并且第二支承件30可以传送掩模组件40。例如，第二支承件30可以移动到腔室10外部，并且在掩模组件40安装在第二支承件30上之后，从腔室10的外部进入腔室10中。
在上述情况下，第一支承件20和第二支承件30可以一体地形成。在这种情况下，第一支承件20和第二支承件30可以包括可移动的穿梭件。在这种情况下，第一支承件20和第二支承件30包括在显示衬底DS安装在掩模组件40上的状态下固定掩模组件40和显示衬底DS的结构，并且可以使显示衬底DS和掩模组件40同时(例如，同步地)执行线性移动。
然而，为了便于说明，将更详细地描述第一支承件20和第二支承件30分离地形成和布置在不同位置处的情况、以及第一支承件20和第二支承件30布置在腔室10中的情况。
掩模组件40可以在腔室10中面对显示衬底DS。沉积材料M可以穿过掩模组件40并沉积在显示衬底DS上。
沉积源50可以布置成面对掩模组件40，并且可以供应沉积材料M，使得沉积材料M穿过掩模组件40的沉积区域并且沉积在显示衬底DS上。这里，沉积源50可以通过加热沉积材料M来蒸发或升华沉积材料M。沉积源50可以固定在腔室10中，或者可以在腔室10中布置成在一方向上执行线性移动。
磁力单元60可以布置在腔室10中以面对显示衬底DS和/或掩模组件40。这里，磁力单元60可以向掩模组件40施加磁力，从而向掩模组件40施加朝向显示衬底DS的力。例如，磁力单元60可以防止或减少掩模片44(参见图2)的松动，并且可以使掩模片44与显示衬底DS相邻。在一些实施方式中，磁力单元60可以恒定地保持掩模片44和显示衬底DS之间的间隙。
视觉单元70可以布置在腔室10中，并且可以捕获显示衬底DS和掩模组件40的位置。这里，视觉单元70可以包括配置成捕获显示衬底DS和掩模组件40的相机。基于由视觉单元70捕获的图像，可以识别显示衬底DS和掩模组件40的位置，并且可以识别掩模组件40的变形。在一些实施方式中，基于图像，可以精细地调整显示衬底DS在第一支承件20上的位置，或者可以精细地调整掩模组件40在第二支承件30上的位置。然而，在下文中，将描述通过精细调节掩模组件40在第二支承件30上的位置来对准显示衬底DS和掩模组件40的位置的情况。
压力调节器80可以连接到腔室10并调节腔室10中的压力。例如，压力调节器80可以将腔室10中的压力调节成与空气压力相同或类似。在一些实施方式中，压力调节器80可以将腔室10中的压力调节成与真空状态相同或类似。
压力调节器80可以包括连接到腔室10的连接管81和设置在连接管81中的泵82。这里，根据泵82的操作，外部空气可以通过连接管81被引入，或者腔室10中的空气可以通过连接管81被引导到外部。
在通过利用如上所述的用于制造显示装置的设备1来制造显示装置的方法中，首先，可以制备显示衬底DS。
压力调节器80可以将腔室10的内部保持成与空气压力相同或类似，并且腔室10的开口部分可以通过闸式阀11的操作而敞开。
接下来，显示衬底DS可以从腔室10的外部安装到腔室10中。这里，显示衬底DS可以以一种或多种合适的方式安装到腔室10中。例如，显示衬底DS可以通过布置在腔室10外部的机械手等从腔室10外部安装到腔室10中。作为另一实施方式，当第一支承件20形成为穿梭件时，第一支承件20可以从腔室10的内部被抽出到腔室10的外部，可以通过利用布置在腔室10外部的单独的机器人臂等将显示衬底DS安装在第一支承件20上，并且可以将第一支承件20从腔室10外部安装到腔室10中。
如上所述，掩模组件40可以布置在腔室10中。作为另一实施方式，掩模组件40可以如同或类似于显示衬底DS从腔室10的外部安装到腔室10中。
当显示衬底DS被安装到腔室10中时，显示衬底DS可以安置在第一支承件20上。在这种情况下，视觉单元70可以捕获显示衬底DS和掩模组件40的位置。可以基于由视觉单元70捕获的图像来识别显示衬底DS和掩模组件40的位置。这里，用于制造显示装置的设备1可以包括单独的控制器，以识别显示衬底DS和掩模组件40的位置。
当识别显示衬底DS和掩模组件40的位置时，第二支承件30可以精细地调整掩模组件40的位置。
此后，沉积源50可以操作以向掩模组件40提供沉积材料M，并且穿过掩模片44中的多个图案孔的沉积材料M可以沉积在显示衬底DS上。在这种情况下，沉积源50可以平行于显示衬底DS和掩模组件40移动，或者可选地，显示衬底DS和掩模组件40可以平行于沉积源50移动。例如，沉积源50可以相对于显示衬底DS和掩模组件40移动。这里，泵82可以通过吸收腔室10中的空气并将空气排放到外部来将腔室10中的压力保持为与真空相同或类似。
图2是根据实施方式的掩模组件的示意性立体图。
参考图2，掩模组件40可以包括掩模框架41、第一支承杆42、第二支承杆43和掩模片44。
掩模框架41可以通过连接多个侧部而形成，并且可以包括由多个侧部限定的开口区域OA。例如，开口区域OA可以由多个侧部围绕，并且可以穿透掩模框架41的中心。
在实施方式中，掩模框架41可以包括方形框架。然而，掩模框架41的形状不限于此，并且可以包括一个或多个合适的多边形形状。在下文中，为了便于说明，将主要描述掩模框架41是方形框架的情况。
当掩模框架41是方形框架时，多个侧部可以包括在X轴方向上延伸的一对第一侧S1和在Y轴方向上延伸的一对第二侧S2。一对第一侧S1包括彼此面对的两个第一侧S1，一对第二侧S2包括彼此面对的两个第二侧S2，并且第一侧S1和第二侧S2可以彼此连接。在实施方式中，第一侧S1可以包括短侧，并且第二侧S2可以包括长侧。然而，实施方式不限于此：例如，第一侧S1可以包括长侧，并且第二侧S2可以包括短侧，或者可选地，第一侧S1和第二侧S2可以具有相同的长度。在下文中，为了便于说明，将描述第一侧S1包括短侧并且第二侧S2包括长侧的情况。
第一支承杆42可以布置成在X轴方向上延伸跨过开口区域OA。例如，用于容纳第一支承杆42的两个端部分的凹槽可以布置在掩模框架41中。然而，这仅是示例，可以不在掩模框架41中布置单独的凹槽，并且第一支承杆42可以布置在掩模框架41上。第一支承杆42可以布置在多个掩模框架41之间，以阻挡或减少沉积材料M穿过彼此相邻的两个掩模框架41。多个第一支承杆42可以在Y轴方向上彼此分开并且彼此平行。
第二支承杆43可以布置成在Y轴方向上延伸跨过开口区域OA。在开口区域OA中，第二支承杆43可以与第一支承杆42交叉，并且可以在第一支承杆42上方。例如，用于容纳第二支承杆43的两个端部分的凹槽可以布置在掩模框架41中。然而，这仅是示例，可以不在掩模框架41中布置单独的凹槽，并且可以在掩模框架41上布置第二支承杆43。第二支承杆43可以通过在开口区域OA中支承掩模片44来防止或减少掩模片44的松动。
掩模片44可以覆盖掩模框架41的开口区域OA。掩模片44可以包括主体441、开口442和校正器443。
主体441形成掩模片44的外观，并且可以以拉伸状态固定到掩模框架41。例如，主体441的周边可以通过熔接方法固定到掩模框架41。然而，这仅是示例，并且将主体441固定到掩模框架41的方法不限于此。主体441可以具有与掩模框架41的开口区域OA的形状对应的形状。例如，如图2所示，当开口区域OA的形状是矩形时，主体441可以具有矩形形状。在该结构中，在拉伸状态下的主体441可以覆盖掩模框架41的开口区域OA。
开口442可以在主体441中并且可以穿透主体441以允许沉积材料M穿过。尽管图2示出了开口442的形状是矩形的示例，但是开口442的形状不限于此，并且将理解的是，开口442可以根据其目的和用途形成为圆形或其它多边形形状。
可以设置多个开口442，并且多个开口442可以在第一开口方向D442-1和与第一开口方向D442-1交叉的第二开口方向D442-2上彼此间隔开地布置成多个列和行。例如，如图2所示，第一开口方向D442-1可以包括X轴方向，并且第二开口方向D442-2可以包括Y轴方向。在这种结构中，多个开口442可以以网格的形式布置。尽管图2示出多个开口442布置成十列和五行，但这仅是示例，并且开口442的布置不限于此。
在主体441被拉伸的工艺中可能使开口442的形状变形。例如，在示出了主体441在被拉伸之前的状态的图2中，开口442的形状保持为矩形。然而，在主体441被拉伸的工艺中，开口442的形状可以改变成不同于矩形的形状。开口442的形状的变形的细节将稍后参考图5A和图5B进行描述。
校正器443可以在主体441中，并且可以配置成校正由于主体441被拉伸而导致的开口442的形状的变形。校正器443校正开口442的变形的方法的细节将稍后参考图5A和图5B进行描述。
图3A是根据实施方式的图2所示的部分A的放大图，并且图3B是根据实施方式的图3A所示的部分III-III'的剖视图。
参考图3A和图3B，校正器443可以包括校正孔4431和校正构件4432。
校正孔4431可以在主体441中并穿透主体441。校正孔4431可以包括：第一孔44311；第二孔44312，从第一孔44311在第一方向D1上延伸；第三孔44313，从第一孔44311在第二方向D2上延伸；第四孔44314，从第一孔44311在第三方向D3上延伸；以及第五孔44315，从第一孔44311在第四方向D4上延伸。
第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3和第四方向D4中的至少两个可以是彼此交叉的方向。例如，第一方向D1和第三方向D3可以基本上彼此平行；第二方向D2和第四方向D4可以基本上彼此平行；并且第一方向D1和第二方向D2可以基本上彼此垂直。在该结构中，如图3A所示，校正孔4431在校正孔4431的平面图中可以具有十字形形状。因此，校正器443可以校正开口442的在一个或多个适当的方向上的变形。尽管图3A示出了具有方形形状的第一孔44311、第二孔44312、第三孔44313、第四孔44314和第五孔44315的平面，但是这仅是实施方式，并且校正孔4431的形状不限于此。
校正构件4432可以与校正孔4431的至少一部分交叉，并且可以可切割地连接到主体441。可以设置多个校正构件4432。例如，校正构件4432可以包括：第一校正构件4432-1，与第二孔44312交叉；第二校正构件4432-2，与第三孔44313交叉；第三校正构件4432-3，与第四孔44314交叉；以及第四校正构件4432-4，与第五孔44315交叉。在这种结构中，校正构件4432可以与具有十字形形状的校正孔4431的每个接合部交叉。尽管图3A将校正构件4432的形状示出为方形，但这仅是示例，并且校正构件4432的形状不限于此。
第一校正构件4432-1、第二校正构件4432-2、第三校正构件4432-3和第四校正构件4432-4中的至少一个可以设置成多个。在由校正器443校正开口442的变形的工艺中，可以调整正被切割的校正构件4432的数量。在这种结构中，校正构件4432可以被切割成与开口442的变形对应的一个或多个合适的形状。尽管图3A示出第一校正构件4432-1、第二校正构件4432-2、第三校正构件4432-3和第四校正构件4432-4中的每个的数量为四，但这仅是示例，并且校正构件4432的数量不限于此。
校正器443的至少一部分可以布置在多个开口442之中的彼此相邻的四个开口442之间的区域F中。彼此相邻的四个开口442将被称为第一开口442-1、第二开口442-2、第三开口442-3和第四开口442-4。这里，彼此相邻的四个开口442之间的区域F指示通过用虚线从彼此相邻的四个开口442连接与校正器443相邻的拐角而形成的区域。在该结构中，一个校正器443可以校正至少四个开口442的变形。例如，在图3A中，校正器443可以校正第一开口442-1、第二开口442-2、第三开口442-3和第四开口442-4的变形。
校正器443可以布置在彼此相邻的四个开口442之间的区域F的中心处。例如，校正器443和彼此相邻的四个开口442之间的距离可以彼此相等。例如，第一开口442-1和第四开口442-4距第二孔44312的距离可以相同，第一开口442-1和第二开口442-2距第三孔44313的距离可以相同，第二开口442-2和第三开口442-3距第四孔44314的距离可以相同，以及第三开口442-3和第四开口442-4距第五孔44315的距离可以相同。因此，一个校正器443可以对称且同时(例如，同步地)校正多个开口442的变形。
校正构件4432的厚度431H可以小于主体441的厚度441H。例如，如图3B所示，主体441的面对显示衬底(例如，图1所示的显示衬底DS)的表面(例如，朝向+Z轴方向的表面)和校正构件4432的面对显示衬底DS的表面(例如，朝向+Z轴方向的表面)可以彼此共面，并且可以在主体441的面对沉积源(例如，图1所示的沉积源50)的表面(例如，朝向-Z轴方向的表面)和校正构件4432的朝向沉积源50的表面(例如，面对-Z轴方向的表面)之间形成台阶。在该结构中，在通过校正器443校正开口442的变形的工艺中，校正构件4432可以容易地被切割。然而，图3B所示的校正器443的形状仅是示例，并且校正器443的形状不限于此。例如，也可以在主体441的朝向显示衬底DS的表面(例如，朝向+Z轴方向的表面)和校正构件4432的朝向显示衬底DS的表面(例如，朝向+Z轴方向的表面)之间形成台阶。
图4A至图5B是根据实施方式的掩模片的一部分的俯视图。参考图4A至图5B，校正器443可以校正开口442的变形。
参考图4A，开口442的变形可以在主体441被拉伸的状态下发生。例如，开口442可以变形成使得开口442的与校正器443相邻的部分朝向校正器443倾斜。例如，开口442可以变形成使得第一开口442-1的与校正器443相邻的拐角和第二开口442-2的与校正器443相邻的拐角可以在第四方向D4上朝向校正器443倾斜，并且第三开口442-3的与校正器443相邻的拐角和第四开口442-4的与校正器443相邻的拐角各自在第二方向D2上朝向校正器443倾斜。
参考图4B，校正构件4432可以被切割以使得开口442的变形被校正。校正构件4432可以在与开口442倾斜的方向交叉的方向上切割。例如，当开口442如参考图4A描述的那样变形时，校正构件4432可以如图4B所示在第一方向D1和第三方向D3(其分别与第二方向D2和第四方向D4交叉)上被切割。
在这种结构中，第二校正构件4432-2可以与第三孔44313交叉并且可以连接到主体441，从而防止或减少第三孔44313变宽。在一些实施方式中，第四校正构件4432-4可以与第五孔44315交叉并且可以连接到主体441，从而防止或减少第五孔44315被加宽。然而，可以切割第一校正构件4432-1，并且第二孔44312可以在与第一方向D1交叉的方向上被加宽。然而，可以切割第三校正构件4432-3，并且第四孔44314可以在与第三方向D3交叉的方向上被加宽。因此，当第二孔44312和第四孔44314加宽时，开口442的形状可以再次是矩形。
尽管图4B示出了在第二孔44312中的四个第一校正构件4432-1和在第四孔44314中的四个第三校正构件4432-3中的全部被切割，但是这仅是示例，并且被切割的校正构件4432的数量不限于此。正被切割的校正构件4432的数量可以考虑期望或合适的校正孔4431被加宽的程度来确定。
参考图5A，开口442可以变形成使得第一开口442-1的与校正器443相邻的拐角和第四开口442-4的与校正器443相邻的拐角各自在第三方向D3上朝向校正器443倾斜，并且第二开口442-2的与校正器443相邻的拐角和第三开口442-3的与校正器443相邻的拐角各自在第一方向D1上朝向校正器443倾斜。
当开口442如参考图5A描述那样变形时，校正构件4432可以如图5B所示在第二方向D2和第四方向D4(其分别与第一方向D1和第三方向D3交叉)上被切割。
在这种结构中，第一校正构件4432-1可以与第二孔44312交叉并且可以连接到主体441，从而防止或减少第二孔44312被加宽。在一些实施方式中，第三校正构件4432-3可以与第四孔44314交叉并且可以连接到主体441，从而防止或减少第四孔44314被加宽。然而，可以切割第二校正构件4432-2，并且第三孔44313可以在与第二方向D2交叉的方向上被加宽。在一些实施方式中，可以切割第四校正构件4432-4，并且第五孔44315可以在与第四方向D4交叉的方向上被加宽。因此，当第三孔44313和第五孔44315被加宽时，开口442的形状可以再次是矩形。
除了参考图4A至图5B描述的形状之外，开口442可以变形成一个或多个合适的形状。校正器443可以调节正被切割的校正构件4432的位置和数量，并且可以响应于开口442的一个或多个合适的变形来校正开口442的变形。
图6是根据实施方式的根据制造显示装置的方法制造的显示装置的示意性俯视图。
参考图6，根据实施方式制造的显示装置2可以包括显示区域DA和布置在显示区域DA外部的外围区域PA。显示装置2可以通过在显示区域DA中二维布置的多个像素PX的阵列来提供图像。
不提供图像的外围区域PA可以完全或部分地围绕显示区域DA。在外围区域PA中，可以布置被配置成向与像素PX对应的像素电路提供电信号或电力的驱动器等。可以在外围区域PA中布置焊盘。焊盘是电子装置或印刷电路板(PCB)等可电连接到其的区域。
在下文中，对显示装置2包括有机发光二极管OLED(参见图7)作为发光元件的示例进行描述，但是显示装置2不限于此。作为另一实施方式，显示装置2可以包括发光显示装置，其包括无机发光二极管，即无机发光显示器。无机发光二极管可以包括PN(例如，正-负)二极管，其包括基于无机半导体的材料。当在正方向上向PN二极管施加电压时，空穴和电子被注入到PN二极管中，并且由空穴和电子的复合产生的能量可以被转换成光能以发射具有特定颜色的光。以上描述的无机发光二极管可以具有约数微米至数百微米的宽度，并且在一些实施方式中，无机发光二极管可以称为微LED。作为另一实施方式，显示装置2可以包括量子点发光显示器。
显示装置2可以用作用于诸如电视、笔记本电脑、监视器、广告牌、物联网(IOT)装置的一个或多个合适产品的显示屏、以及用于诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动终端、电子调度器、电子书、便携式多媒体播放器、导航装置和超移动PC的移动电子装置的显示屏。在一些实施方式中，根据实施方式的显示装置2可以用于可穿戴装置，诸如智能手表、手表电话、眼镜类型或种类的显示装置、以及头戴式显示(HMD)装置。在一些实施方式中，根据实施方式的显示装置2可以用作汽车的仪表板、布置在汽车的中心仪表盘或仪表板上的中心信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的室镜显示器、用于汽车的后座的娱乐装置、以及布置在前座的后表面上的显示屏。
图7是根据实施方式的根据制造显示装置的方法制造的显示装置的示意性剖视图，并且可以对应于沿着图6中所示的线VIII-VIII'截取的显示装置的剖面。
参考图7，显示装置2可以包括叠层结构，其包括衬底100、像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层300。
衬底100可以包括基础层和无机层，其中基础层包括聚合物树脂。例如，衬底100可以包括基础层和阻挡层，基础层包括聚合物树脂，阻挡层包括无机绝缘层。例如，衬底100可以包括顺序地堆叠的第一基础层101、第一阻挡层102、第二基础层103和第二阻挡层104。第一基础层101和第二基础层103可以包括聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚芳酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅。衬底100可以是柔性的。
像素电路层PCL设置在衬底100上。图7示出了像素电路层PCL包括薄膜晶体管TFT、以及设置在薄膜晶体管TFT的部件下方和/或上方的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114、第一平坦化绝缘层115和第二平坦化绝缘层116。
缓冲层111可以减少或防止异物、湿气或外部空气从衬底100下方的渗透，并且可以在衬底100上提供平面。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘层，并且可以包括包含上述材料中的一种或多种的单层或多层结构。
缓冲层111上的薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施方式中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。半导体层Act可以包括沟道区C、以及分别布置在沟道区C的两侧处的漏区D和源区S。栅电极GE可以与沟道区C重叠。
栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括导电材料，包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。
半导体层Act和栅电极GE之间的第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、锌氧化物(ZnOx)等。ZnOx可以包括氧化锌和/或过氧化锌(ZnO2)。
第二栅极绝缘层113可以设置成覆盖栅电极GE。类似于第一栅极绝缘层112，第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnOx等。这里，ZnOx可以包括或者可以是氧化锌和/或过氧化锌(ZnO2)。
可以在第二栅极绝缘层113上设置存储电容器Cst的上电极Cst2。上电极Cst2可以与其下方的栅电极GE重叠。这里，彼此重叠且第二栅极绝缘层113在其间的栅电极GE和上电极Cst2可以形成存储电容器Cst。例如，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极Cst1。
与此类似，存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以彼此重叠。在一些实施方式中，存储电容器Cst也可以不与薄膜晶体管TFT重叠。
上电极Cst2可以包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
层间绝缘层114可以覆盖上电极Cst2。层间绝缘层114可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnOx等。ZnOx可以包括或者可以是ZnO和/或ZnO2。层间绝缘层114可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
漏电极DE和源电极SE可以分别在层间绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE可以通过形成在漏电极DE和源电极SE下方的绝缘层中的接触孔分别连接到漏区D和源区S。漏电极DE和源电极SE可以包括高导电材料。漏电极DE和源电极SE可以包括导电材料，其包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以包括包含上述材料多层或单层。根据实施方式，漏电极DE和源电极SE可以各自具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化绝缘层115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一平坦化绝缘层115可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、聚苯乙烯(PS)、具有酚基团的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、含氟聚合物、对二甲苯聚合物、基于乙烯醇的聚合物、和/或其一种或多种共混物。
第二平坦化绝缘层116可以设置在第一平坦化绝缘层115上。第二平坦化绝缘层116可以包括与第一平坦化绝缘层115相同的材料，并且可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、聚苯乙烯(PS)、具有酚基团的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、含氟聚合物、对二甲苯聚合物、基于乙烯醇的聚合物、和/或其一种或多种共混物。
显示元件层DEL可以设置在具有上述结构的像素电路层PCL上。显示元件层DEL包括有机发光二极管OLED作为显示元件(即，发光装置)，并且有机发光二极管OLED可以包括堆叠结构，其包括像素电极210、中间层220和公共电极230(例如，以这种顺序堆叠)。有机发光二极管OLED可以配置成发射红光、绿光或蓝光，或者可以配置成发射红光、绿光、蓝光或白光。有机发光二极管OLED可以配置成通过发射区域发射光，并且发射区域可以限定为像素PX。
有机发光二极管OLED的像素电极210可以通过形成在第二平坦化绝缘层116和第一平坦化绝缘层115中的接触孔以及设置在第一平坦化绝缘层115上的接触金属CM电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极210可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。作为另一实施方式，像素电极210可以包括反射膜，其包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其一种或多种化合物。作为另一实施方式，像素电极210还可以包括在以上描述的反射膜上方/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。
具有开口117OP的像素限定膜117设置在像素电极210上方。开口117OP暴露像素电极210的中心部分。像素限定膜117可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口117OP可以限定用于从有机发光二极管OLED发射的光的发射区域。例如，开口117OP的尺寸/宽度可以对应于发射区域的尺寸/宽度。因此，像素PX的尺寸/宽度可以取决于像素限定膜117的与像素PX对应的开口117OP的尺寸/宽度。
中间层220可以包括与像素电极210对应的发射层222。发射层222可以包括发射具有特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。在一些实施方式中，发射层222可以包括无机发射材料或量子点。
在实施方式中，中间层220可以包括分别设置在发射层222下方和上的第一功能层221和第二功能层223(例如，第一功能层221/发射层222/第二功能层223)。第一功能层221可以包括例如空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。作为设置在发射层222上的部件，第二功能层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层221和/或第二功能层223可以如下文将描述的公共电极230那样是完全覆盖衬底100的公共层。
公共电极230可以设置在像素电极210上方，并且可以与像素电极210重叠。公共电极230可以包括具有小功函数的导电材料。例如，公共电极230可以包括(半)透明层，其包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其一种或多种合金。在一些实施方式中，公共电极230还可以包括在包括上述材料的(半)透明层上的包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料的层。公共电极230可以一体地形成以完全覆盖衬底100。
封装层300可以设置在显示元件层DEL上并且可以覆盖显示元件层DEL。封装层300包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，并且作为实施方式，图7示出了封装层300包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括(选自)氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料。有机封装层320可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料可以包括基于丙烯酸的树脂、基于环氧的树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。作为实施方式，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。有机封装层320可以通过固化单体或涂覆聚合物来形成。有机封装层320可以是透明的。
在一些实施方式中，触摸传感器层可以设置在封装层300上方，并且光学功能层可以在触摸传感器层上方。触摸传感器层可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。光学功能层可以降低从外部入射到显示装置2的光(外部光)的反射率、和/或可以改善从显示装置2发射的光的颜色纯度。作为实施方式，光学功能层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以包括膜类型或种类、或者液晶涂层类型或种类，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以包括膜类型或种类、或者液晶类型或种类。膜类型或种类可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层类型或种类可以包括特定布置的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。
粘附构件可以设置在触摸传感器层和光学功能层之间。在本领域中适合的任何粘附构件可以不受限制地用作粘附构件。粘附构件可以包括压敏粘合剂(PSA)。
参考图1至图5B描述的显示衬底DS包括图7所示的衬底100，并且沉积在参考图1至图5B描述的显示衬底DS上的沉积材料M可以包括像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层300中的一个。
图8是根据实施方式的像素的等效电路图。
参考图8，像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7，并且根据晶体管的类型或种类和/或操作条件，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个的第一端子可以包括源极端子或漏极端子，并且第二端子可以包括不同于第一端子的端子。例如，当第一端子包括源极端子时，第二端子可以包括漏极端子。
像素电路PC可以连接到：第一扫描线SL，配置成传输第一扫描信号Sn；第二扫描线SL-1，配置成传输第二扫描信号Sn-1；第三扫描线SL+1，配置成传输第三扫描信号Sn+1；发射控制线EL，配置成传输发射控制信号En；数据线DL，配置成传输数据信号DATA；驱动电压线PL，配置成传输驱动电压ELVDD；以及初始化电压线VL，配置成传输初始化电压Vint。
第一晶体管T1包括连接到第二节点N2的栅极端子、连接到第一节点N1的第一端子、以及连接到第三节点N3的第二端子。用作驱动晶体管的第一晶体管T1响应于第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，并且向发光元件(或发射装置)提供驱动电流。发射装置可以包括有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2(即，开关晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到数据线DL的第一端子、以及连接到第一节点N1(或第一晶体管T1的第一端子)的第二端子。第二晶体管T2可以执行开关操作，其响应于通过第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而被导通并且将通过数据线DL传输的数据信号DATA传输到第一节点N1。
第三晶体管T3(即，补偿晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到第二节点N2(或第一晶体管T1的栅极端子)的第一端子、以及连接到第三节点N3(或第一晶体管T1的第二端子)的第二端子。第三晶体管T3可以响应于通过第一扫描线SL传输的第一扫描信号Sn而导通，并且使第一晶体管T1二极管式连接。第三晶体管T3可以具有两个或更多个晶体管串联连接的结构。
第四晶体管T4(即，第一初始化晶体管)包括连接到第二扫描线SL-1的栅极端子、连接到初始化电压线VL的第一端子、以及连接到第二节点N2的第二端子。第四晶体管T4可以响应于通过第二扫描线SL-1传送的第二扫描信号Sn-1而被导通，并将初始化电压Vint传送到第一晶体管T1的栅极端子，从而初始化第一晶体管T1的栅极电压。第四晶体管T4可以具有两个或更多个晶体管串联连接的结构。
第五晶体管T5(即，第一发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到驱动电压线PL的第一端子、以及连接到第一节点N1的第二端子。第六晶体管T6(即，第二发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到第三节点N3的第一端子、以及连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二端子。当第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En而同时(例如，同步地)导通时，电流流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7(即，第二初始化晶体管)包括连接到第三扫描线SL+1的栅极端子、连接到第六晶体管T6的第二端子和有机发光二极管OLED的像素电极的第一端子、以及连接到初始化电压线VL的第二端子。第七晶体管T7可以响应于通过第三扫描线SL+1传送的第三扫描信号Sn+1而被导通，并将初始化电压Vint传送到有机发光二极管OLED的像素电极，从而初始化有机发光二极管OLED的像素电极的电压。可以不设置第七晶体管T7。
存储电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到驱动电压线PL的第二电极。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极和面对像素电极的对电极，并且公共电压ELVSS可以被施加到对电极。有机发光二极管OLED可以通过从第一晶体管T1接收驱动电流并发射具有特定颜色的光来显示图像。对电极可以公共地(即，一体地)设置在多个像素中。
根据实施方式，通过校正在掩模片被拉伸的工艺中引起的开口的变形，可以将沉积材料沉积在显示衬底上的精确位置上。
通过所附附图、权利要求书和详细描述，将清楚地理解除了描述之外的方面、特征和优点。
应理解，本文中描述的实施方式应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。在每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求及其等同限定的精神和范围的情况下，可以在其中在形式和细节上做出一个或多个合适的改变。

Claims (10)

1.用于制造显示装置的设备，其特征在于，所述设备包括：
掩模组件，包括掩模框架和掩模片，所述掩模框架包括开口区域，并且所述掩模片覆盖所述开口区域，其中，所述掩模片包括：
主体，固定到所述掩模框架；
开口，布置在所述主体中，并且沉积材料穿过所述开口；以及
校正器，布置在所述主体中，并且配置成校正所述开口的变形，其中，所述校正器包括：
校正孔，穿透所述主体；以及
校正构件，与所述校正孔的至少一部分交叉，并且可切割地连接到所述主体。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述校正孔包括：
第一孔；
第二孔，从所述第一孔在第一方向上延伸；以及
第三孔，从所述第一孔在第二方向上延伸。
3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向彼此交叉。
4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述校正构件包括：
第一校正构件，与所述第二孔交叉；以及
第二校正构件，与所述第三孔交叉。
5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述校正孔在所述校正孔的平面图中具有十字形形状。
6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述校正构件的厚度小于所述主体的厚度。
7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，
所述开口设置为多个开口，
所述多个开口布置在第一开口方向上和与所述第一开口方向交叉的第二开口方向上，以及
所述校正器的至少一部分在选自所述多个开口中的彼此相邻的四个开口之间的区域中。
8.掩模组件，其特征在于，包括：
掩模框架，包括开口区域；以及
掩模片，覆盖所述开口区域，
其中，所述掩模片包括：
主体，在拉伸状态下固定到所述掩模框架；
开口，布置在所述主体中；以及
校正器，布置在所述主体中并且能够至少部分地切割以校正在所述主体被拉伸时引起的所述开口的变形。
9.根据权利要求8所述的掩模组件，其特征在于，所述校正器包括：
校正孔，穿透所述主体；以及
校正构件，覆盖所述校正孔的至少一部分并且可切割地连接到所述主体。
10.根据权利要求9所述的掩模组件，其特征在于，所述校正构件的厚度小于所述主体的厚度。
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