CN221040904U - 薄膜开关件及应用其之键盘 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种薄膜开关件及应用其之键盘。该薄膜开关件包括第一层、第二层、间隔层、第一讯号线、第二讯号线及电感。间隔层配置在第一层与第二层之间。第一讯号线形成于第一层上。第二讯号线形成于第二层上。电感连接于第一讯号线或第二讯号线。如此，薄膜开关件可实现屏蔽交流电干扰的技术效果。

Description

薄膜开关件及应用其之键盘

技术领域

本实用新型涉及一种开关件及应用其之键盘，且特别是有关于一种薄膜开关件及应用其之键盘。

背景技术

键盘包含许多电子部件。然而，外部环境若存在交流电，此交流电可能干扰键盘的电子部件，导致电子部件失效。因此，亟需提出一种新的键盘，以解决上述提到的问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种薄膜开关件及应用其之键盘，能够解决上述问题。

根据本实用新型之一实施例，提出一种薄膜开关件。薄膜开关件包括一第一层、一第二层、一间隔层、一第一讯号线、一第二讯号线及一电感。间隔层配置在第一层与第二层之间。第一讯号线形成于第一层上。第二讯号线形成于第二层上。电感连接于第一讯号线或第二讯号线。

根据本实用新型之另一实施例，提出一种键盘。键盘包括一键帽、一底板、一升降机构、一薄膜开关件、一线路及一电感。升降机构配置在底板与键帽之间。薄膜开关件配置在底板与键帽之间且包括一线路及一电感。电感连接于讯号线。

根据本实用新型之另一实施例，提出一种键盘。键盘包括一键帽、一底板、一升降机构、一薄膜开关件及一屏蔽件。升降机构配置在底板与键帽之间。薄膜开关件配置在底板与键帽之间。屏蔽件配置在薄膜开关件下方且电性连接于一接地电位。

根据本实用新型之另一实施例，提出一种键盘。键盘包括一键帽、一底板、一升降机构、一薄膜开关件及一处理器。升降机构配置在底板与键帽之间。薄膜开关件配置在底板与键帽之间且包括一开关。处理器电性连接于薄膜开关件且用以：基于开关之触发，取得一触发讯号之一触发时间长度，以及基于触发时间长度小于一预设时间长度，忽略触发讯号。

通过前述实施例，薄膜开关件及/或键盘可实现屏蔽交流电干扰的技术效果。

为了对本实用新型之上述及其他方面有更佳的了解，以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述。

附图说明

图1A为本实用新型一实施例的键盘100的俯视图；

图1B为图1A的键盘100沿方向1B-1B’的剖面图；

图2为图1B的薄膜开关件140之第二层140B的俯视图；

图3为图1B的屏蔽件160的俯视图；

图4为图1B之干扰薄膜开关件140的噪声讯号示意图；

其中，附图标记

100-键盘；

105-壳体；

110-键帽；

120-底板；

130-升降机构；

131-第一枢接件；

132-第二枢接件；

140-薄膜开关件；

140A-第一层；

140A1-输入/出(I/O)区；

140B-第二层；

140C-间隔层；

141-线路；

141A-第一讯号线；

141B-第二讯号线；

142-电感；

1421-第一端；

1422-第二端；

1423-连接段；

143A-第一接垫；

143B-第二接垫；

150-弹性体；

160-屏蔽件；

161-金属线；

170-处理器。

具体实施方式

以下将详述本实用新型的各实施例，并配合附图作为例示。除了这些详细描述之外，本实用新型还可以广泛地施行在其他的实施例中，任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都包含在本实用新型的范围内，并以本实用新型的权利要求书为准。在说明书的描述中，为了使读者对本实用新型有较完整的了解，提供了许多特定细节及实施范例；然而，这些特定细节及实施范例不应视为本实用新型的限制。此外，众所周知的步骤或组件并未描述于细节中，以避免造成本实用新型不必要之限制。

请参照图1A～图3，图1A为根据本实用新型一实施例的键盘100的俯视图，图1B为图1A的键盘100沿方向1B-1B’的剖面图，图2为图1B的薄膜开关件140之第二层140B的俯视图，图3为图1B的屏蔽件160的俯视图，而图4为图1B之干扰薄膜开关件140的噪声讯号示意图。

键盘100本身可以是独立产品，或应用一电子装置，例如是笔记本电脑、家电等各种需要按键之产品。

如图1A～1B所示，键盘100包括壳体105、至少一键帽110、一底板120、至少一升降机构130、一薄膜开关件140、至少一弹性体150、一屏蔽件160及处理器170。升降机构130配置在底板120与键帽110之间。薄膜开关件140配置在底板120与键帽110之间。薄膜开关件140包括至少一线路141及至少一电感142。电感142连接于讯号线路141。电感142可阻挡/屏蔽交流电的传输，因此能避免交流电干扰薄膜开关件140的电路，以维持薄膜开关件140及键盘100的正常操作。

如图1B所示，壳体105例如是下壳。键盘100更包括一上壳，其可与下壳对接。键帽110、底板120、升降机构130、薄膜开关件140、弹性体150及屏蔽件160可配置在下壳与上壳包覆的空间。上壳具有至少一开孔，各键帽110从对应之开孔露出或突出，以方便操作者按压/触发按键。底板120例如是金属板，其可以冲压/或板金工法制成。

如图1B所示，升降机构130例如是包含第一枢接件131及第二枢接件132。第一枢接件131与第二枢接件132彼此枢接，而能相对底板120上下升降。此外，第一枢接件131枢接键帽110与底板120，而第二枢接件132枢接键帽110与底板120，使键帽110可随升降机构130相对底板120上下升降。当键帽110往-Z轴向移动时，升降机构130下降，弹性体150形变而储存弹性位能。当释放键帽110时，弹性体150释放弹性位能，驱使升降机构130上升，进而驱使键帽110复位。在一实施例中，升降机构130例如是剪刀脚机构，或其它应用于键盘的升降机构。

如图1B所示，当键帽110往-Z轴向移动，驱使弹性体150形变而触发(例如，由弹性体150的一触发部实现)薄膜开关件140的一开关SW1(至少由图1B之第一接垫143A及第二接垫143B所组成)，触发讯号可通过此开关SW1的导通(第一接垫143A及第二接垫143B彼此接触)传送给处理器170。

如图1B所示，薄膜开关件140更包括第一层140A、第二层140B、间隔层140C、至少一第一接垫143A及至少一第二接垫143B，间隔层140C配置在第一层140A与第二层140B之间。前述多条线路141包括至少一第一讯号线141A及至少一第二讯号线141B，其中第一讯号线141A形成于第一层140A上，而第二讯号线141B形成于第二层140B上。电感142可连接于第一讯号线141A或第二讯号线141B。第一接垫143A连接于第一讯号线141A之一端部，而第二接垫143B连接于第二讯号线141B之一端部。当键帽110往-Z轴向移动直到第一接垫143A与第二接垫143B接触时，第一接垫143A、第二接垫143B、第一讯号线141A、第二讯号线141B与电感142形成一回路，使一触发讯号(未绘示)可通过此回路给处理器170，处理器170据以执行对应的功能。

如图2所示，多条第一讯号线141A、多个第一接垫143A及多个电感142形成在第一层140A上。各第一讯号线141A延伸至输入/出(I/O)区140A1。输入/出区140A1可电性连接于处理器170，使前述触发讯号通过输入/出区140A1传送至处理器170。此外，延伸至输入/出区140A1的一条第一讯号线141A可与至少一电感142电性连接，以实现屏蔽交流电干扰的技术效果。在一实施例中，延伸至输入/出区140A1的每条第一讯号线141A可与至少一电感142电性连接，以实现屏蔽交流电干扰的最大效果。

如图2所示，电感142为一电感线，此电感线连续且迂回地延伸，以产生电感功能。迂回的匝数愈多，间距愈小，则改善噪声干扰的技术效果愈明显。电感142具有第一端1421、第二端1422及连接段1423，其中连接段1423连接第一端1421与第二端1422，连接段1423例如是连续且迂回地延伸，第一端1421连接于一条第一讯号线141A，而第二端1422连接于另一条第一讯号线141A。在本实施例中，连接段1423例如呈圆弧蛇形延伸、直角蛇形延伸、尖角蛇形延伸等各种迂回形延伸几何型态。

虽然未绘示，然而多条第二讯号线141B、多个第二接垫143B及多个电感142形成在第二层140B上。于第二层140B上之第二讯号线141B、第二接垫143B及电感142的技术特征(例如，结构、连接关系等)同于或相似于位于第一层140A上之第一讯号线141A、第一接垫143A及电感142，于此不再赘述。

以制造方法来说，线路141与电感142可于同一道制程所形成。换言之，线路141与电感142可以是一体成形结构。

如图1B所示，弹性体150配置在键帽110与薄膜开关件140之间。此外，弹性体150的材质例如是包含橡胶。

如图1B所示，屏蔽件160配置在薄膜开关件140下方及壳体105上方。在另一实施例中，屏蔽件160可配置在壳体105的下表面。屏蔽件160电性连接于一接地电位G1，可将来自于下方的交流电场疏导至接地电位。此外，接地电位G1例如是电性连接于一电路板(未绘示)的接地层，前述处理器170可配置且电性连接于此电路板。如图3所示，屏蔽件160包含多条金属线161交织而成的金属网。在另一实施例中，键盘100可省略屏蔽件160。

如图1B及4所示，处理器170电性连接于薄膜开关件140。处理器170用以：基于开关SW1之触发，取得触发讯号S1之一触发时间长度T_S1；及，基于触发时间长度T_S1小于一预设时间长度T_P忽略触发讯号S1。详言之，在正常按压键帽110时，触发时间长度T_S1大致上等于或大于预设时间长度T_P，处理器170据以判断触发讯号S1属于正常触发讯号。当交流电场侵入键盘100时，触发时间长度T_S1小于预设时间长度T_P，处理器170据以判断触发讯号S1属于异常触发讯号(例如，噪声(Noise))，因而可忽略此异常的触发讯号。在一实施例中，预设时间长度例如是毫秒级时间长度，而异常的触发时间长度T_S1小于毫秒级时间长度，例如是微秒级时间长度。在另一实施例中，键盘100可省略此处所揭露之忽略噪声的技术特征。

综上，本实用新型提出一种薄膜开关件及应用其之键盘。键盘可采用至少三种方法屏蔽或排除交流电场的干扰。在第一种方法中，薄膜开关件包括至少一电感及二讯号线，当薄膜开关件的一开关导通(例如，二讯号线导通)时，一回路形成，以传输触发讯号。电感为回路的一部分，例如串接于讯号线。在第二种方法中，屏蔽件可配置在薄膜开关件下方，以屏蔽来自于下方的交流电场。在第三种方法中，可采用讯号分析方式判断是否为交流电场干扰。键盘可应用于前述三种方法之至少一者。

综上所述，虽然本实用新型已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型。本实用新型所属技术领域中的技术人员，在不脱离本实用新型之精神和范围内，当可作各种之更动与润饰。因此，本实用新型之保护范围当视附之权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种薄膜开关件，其特征在于，该薄膜开关件包括：

一第一层；

一第二层；

一间隔层，配置在该第一层与该第二层之间；

一第一讯号线，形成于该第一层上；

一第二讯号线，形成于该第二层上；以及

一电感，连接于该第一讯号线或该第二讯号线。

2.根据权利要求1所述的薄膜开关件，其特征在于，该薄膜开关件更包括一第一接垫及一第二接垫，该第一接垫连接于该第一讯号线之一端部，而该第二接垫连接于该第二讯号线之一端部；基于该第一接垫与该第二接垫的连接，该第一讯号线、该第二讯号线与该电感形成一回路。

3.根据权利要求1所述的薄膜开关件，其特征在于，该电感是一电感线，该电感线连续且迂回地延伸。

4.一种键盘，其特征在于，该键盘包括：

一键帽；

一底板；

一升降机构，配置在该底板与该键帽之间；以及

权利要求1-3中任一所述的薄膜开关件，该薄膜开关件配置在该底板与该键帽之间，且包括：

一线路；及

一电感，连接于该线路。

5.根据权利要求4所述的键盘，其特征在于，该薄膜开关件包括：

一第一层；

一第二层；

一间隔层，配置在该第一层与该第二层之间；

其中，该线路包括一第一讯号线及一第二讯号线，该第一讯号线形成于该第一层上，该第二讯号线形成于该第二层上，该电感连接于该第一讯号线或该第二讯号线。

6.根据权利要求5所述的键盘，其特征在于，该薄膜开关件更包括一第一接垫及一第二接垫，该第一接垫连接于该第一讯号线之一端部，而该第二接垫连接于该第二讯号线之一端部；基于该第一接垫与该第二接垫的连接，该第一讯号线、该第二讯号线与该电感形成一回路。

7.根据权利要求4所述的键盘，其特征在于，该电感是一电感线，该电感线连续且迂回地延伸。

8.一种键盘，其特征在于，该键盘包括：

一键帽；

一底板；

一升降机构，配置在该底板与该键帽之间；

权利要求1-3中任一所述的薄膜开关件，该薄膜开关件配置在该底板与该键帽之间；以及

一屏蔽件，配置在该薄膜开关件下方且电性连接于一接地电位。

9.根据权利要求8所述的键盘，其特征在于，该屏蔽件包括由多条金属线交织而成的金属网。

10.一种键盘，其特征在于，该键盘包括：

一键帽；

一底板；

一升降机构，配置在该底板与该键帽之间；

权利要求1-3中任一所述的薄膜开关件，该薄膜开关件配置在该底板与该键帽之间且包括一开关；

一处理器，电性连接于该薄膜开关件，且用以：

基于该开关之触发，取得一触发讯号之一触发时间长度；及

基于该触发时间长度小于一预设时间长度，忽略该触发讯号。