CN221010341U - 一种具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，包括MOS管TR1、MOS管TR2、变压器T1和变压器T2，所述MOS管TR1的G极连接至所述变压器T1的副边绕组6‑9，所述MOS管TR1的D极连接至所述变压器T2，所述MOS管TR1的S极接地，所述MOS管TR2的G极连接至所述变压器T1的副边绕组1‑10，所述MOS管TR2的S极接地，所述MOS管TR2的D极连接所述变压器T1的原边绕组2‑3，所述变压器T2和所述变压器T1的原边绕组4‑5、所述变压器T1的原边绕组2‑3串联，所述变压器T1的原边绕组4‑5和所述变压器T1的原边绕组2‑3之间连接至电感L1，所述MOS管TR1和所述MOS管TR2交替工作。该镇流器的推挽电路适用于低压供电驱动的荧光灯。
Description
技术领域
本实用新型涉及了荧光灯驱动技术领域，尤其涉及一种低压供电荧光灯镇流器的推挽驱动电路。
背景技术
荧光灯(Fluorescent Lamp)的工作特性在于需要由镇流器(Ballest)产生启动高压，使灯管内的气体分子激发电离导电，形成电子流进而促使荧光发光。
通常电子镇流器采用半桥驱动形式，如图1所示，以储能电感谐振输出荧光灯所需工作高压。因此，普通镇流器的半桥驱动电路结构适用于220V或以上的电压。而100V或120V的低电压供电，则半桥驱动的谐振高压明显不足，因此难以使荧光灯启动。由此，由低压供电的电子镇流器采用了推挽驱动电路。但是，常规的推挽输出变压器为使电路工作推挽平衡，初级绕组需要双线并绕使得两个功率三极管推动能量相等。由于三极管相互交替工作，输出变压器的双线绕组的线间电压差很大，因此容易线间击穿失效。有必要对现有的推挽驱动电路及双线并绕的方式进行改进以解决绕组压差的问题，避免线间击穿失效的情况。
实用新型内容
为了克服现有技术中的缺陷，本实用新型实施例提供了一种具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，该镇流器的推挽电路能够解决绕组压差的问题，避免线间击穿失效的情况。该具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，包括MOS管TR1、MOS管TR2、变压器T1和变压器T2，所述MOS管TR1的G极连接至所述变压器T1的副边绕组6-9，所述MOS管TR1的D极连接至所述变压器T2，所述MOS管TR1的S极接地，所述MOS管TR2的G极连接至所述变压器T1的副边绕组1-10，所述MOS管TR2的S极接地，所述MOS管TR2的D极连接所述变压器T1的原边绕组2-3，所述变压器T2和所述变压器T1的原边绕组4-5、所述变压器T1的原边绕组2-3串联，所述变压器T1的原边绕组4-5和所述变压器T1的原边绕组2-3之间连接至电感L1，所述MOS管TR1和所述MOS管TR2交替工作。
进一步地，所述变压器T1的原边绕组4-5外包绕绝缘层，所述变压器T1的原边绕组2-3外包绕绝缘层，先包绕经过绝缘包覆的所述变压器T1的原边绕组4-5，再包绕经过绝缘包覆的所述变压器T1的原边绕组2-3。
进一步地，所述变压器T1的副边绕组6-9和所述变压器T1的原边绕组1-10之间串联四个电阻，依次是RS3、R9、R8、RS2，所述MOS管TR1的G极连接至所述电阻RS3和所述电阻R9之间，所述MOS管TR2的G极连接至所述电阻R8和所述电阻RS2之间。
进一步地，所述变压器T2的副边绕组连接MOS管TR3，所述MOS管TR3用于荧光灯管异常镇流器保护。
进一步地，所述MOS管TR1、所述MOS管TR2和所述MOS管TR3均为N沟道MOS管。
进一步地，所述变压器T1的原边绕组2-3有副边绕组8-11，所述变压器T1的副边绕组8-11的一端并联两条支路，其一连接电容C8至输出RD1，其二连接电容C10至输出RD2，所述变压器T1的副边绕组8-11的另一端连接至所述输出RD1和所述输出RD2的两组公共输出回路端YW。
进一步地，所述电容C8和所述输出RD1之间通过连接电容C11接地；所述电容C10和所述输出RD2之间通过连接电容C12接地；所述变压器T1的副边绕组8-11的另一端和所述输出YW之间通过连接电容C13接地，其中所述电容C11,C12,C13均为小容量电容器，以消除荧光灯管外壁的高频感生电。
本实用新型的有益效果如下：
本方案设计了新型的推挽绕组驱动电路，适用于低压供电荧光灯的镇流器。将变压器的绕组包覆绝缘层实现双组隔离的绕组方式，有效解决了推挽绕组的线间压差大的技术问题，同时也改善了变压器输出绕组因漏感产生的初次级能量反射的现象，运用于实际产品中取得了积极效果，提高了产品的品质可靠性。
为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型背景技术中半桥驱动电路图。
图2是本实用新型实施例中推挽驱动电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或隐含地包括一个或者更多个该特征。
为达到上述目的，本实用新型提供一种具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，如图2所示。该具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器包括MOS管TR1、MOS管TR2、变压器T1和变压器T2，所述MOS管TR1的G极11连接至所述变压器T1的副边绕组6-9，所述MOS管TR1的D极13连接至所述变压器T2，所述MOS管TR1的S极12接地，所述MOS管TR2的G极21连接至所述变压器T1的副边绕组1-10，所述MOS管TR2的S极22接地，所述MOS管TR2的D极23连接所述变压器T1的原边绕组2-3，所述变压器T2和所述变压器T1的原边绕组4-5、所述变压器T1的原边绕组2-3串联，所述变压器T1的原边绕组4-5和所述变压器T1的原边绕组2-3之间连接至电感L1，所述MOS管TR1和所述MOS管TR2交替工作。
进一步地，所述变压器T1的原边绕组4-5外包绕绝缘层，所述变压器T1的原边绕组2-3外包绕绝缘层，先包绕经过绝缘包覆的所述变压器T1的原边绕组4-5，再包绕经过绝缘包覆的所述变压器T1的原边绕组2-3。
该推挽电路中，MOS管TR1和MOS管TR2并联，使MOS管TR1和MOS管TR2交替工作。具体的，当MOS管TR1工作时，MOS管TR2不工作；此时，变压器T1的原边绕组4-5接地，变压器T1的原边绕组2-3接电源电压，故变压器T1的原边绕组4-5和2-3之间的电压差为电源电压，两绕组间的电压差大。当MOS管TR1不工作时，MOS管TR2工作；此时，变压器T1的原边绕组4-5接电源电压，变压器T1的原边绕组2-3接地，故变压器T1的原边绕组4-5和2-3之间的电压差为电源电压，两绕组间的电压差大。因此，如果将变压器T1的这两个绕组裸线进行双线并绕包绕时，由于电压差大，容易导致线间击穿失效。故，本实施例中，将变压器T1的原边绕组4-5和2-3分别包绕绝缘层后，先包绕绕组4-5，再包绕绕组2-3，能够有效地解决由于绕组线间电压差大的问题，避免线间击穿失效，同时也改善了变压器输出绕组应漏感产生的初次级能量反射，并且成本低。
具体的，所述变压器T1的副边绕组6-9和所述变压器T1的原边绕组1-10之间串联四个电阻，依次是RS3、R9、R8、RS2，所述MOS管TR1的G极11连接至所述电阻RS3和所述电阻R9之间，所述MOS管TR2的G极21连接至所述电阻R8和所述电阻RS2之间。
所述变压器T2的副边绕组连接MOS管TR3，所述MOS管TR3用于荧光灯管异常镇流器保护。
所述MOS管TR1、所述MOS管TR2和所述MOS管TR3均为N沟道MOS管。
所述变压器T1的原边绕组2-3有副边绕组8-11，所述变压器T1的副边绕组8-11的一端并联两条支路，其一连接电容C8至输出RD1，其二连接电容C10至输出RD2，所述变压器T1的副边绕组8-11的另一端连接至所述输出RD1和所述输出RD2的两组公共输出回路端YW。
所述电容C8和所述输出RD1之间通过连接电容C11接地；所述电容C10和所述输出RD2之间通过连接电容C12接地；所述变压器T1的副边绕组8-11的另一端和所述输出YW之间通过连接电容C13接地。其中，电容C11,C12,C13均为小容量电容器，以消除荧光灯管外壁的高频感生电，使之符合安全规范要求。
本实用新型中应用了具体实施例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (7)
1.一种具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，其特征在于，包括MOS管TR1、MOS管TR2、变压器T1和变压器T2，所述MOS管TR1的G极连接至所述变压器T1的副边绕组6-9，所述MOS管TR1的D极连接至所述变压器T2，所述MOS管TR1的S极接地，所述MOS管TR2的G极连接至所述变压器T1的副边绕组1-10，所述MOS管TR2的S极接地，所述MOS管TR2的D极连接所述变压器T1的原边绕组2-3，所述变压器T2和所述变压器T1的原边绕组4-5、所述变压器T1的原边绕组2-3串联，所述变压器T1的原边绕组4-5和所述变压器T1的原边绕组2-3之间连接至电感L1，所述MOS管TR1和所述MOS管TR2交替工作。
2.根据权利要求1所述的具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，其特征在于，所述变压器T1的原边绕组4-5外包绕绝缘层，所述变压器T1的原边绕组2-3外包绕绝缘层，先包绕经过绝缘包覆的所述变压器T1的原边绕组4-5，再包绕经过绝缘包覆的所述变压器T1的原边绕组2-3。
3.根据权利要求2所述的具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，其特征在于，所述变压器T1的副边绕组6-9和所述变压器T1的原边绕组1-10之间串联四个电阻，依次是RS3、R9、R8、RS2，所述MOS管TR1的G极连接至所述电阻RS3和所述电阻R9之间，所述MOS管TR2的G极连接至所述电阻R8和所述电阻RS2之间。
4.根据权利要求3所述的具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，其特征在于，所述变压器T2的副边绕组连接MOS管TR3，所述MOS管TR3用于荧光灯管失效或灯管管压升高异常时的镇流器保护。
5.根据权利要求4所述的具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，其特征在于，所述MOS管TR1、所述MOS管TR2和所述MOS管TR3均为N沟道MOS管。
6.根据权利要求4所述的具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，其特征在于，所述变压器T1的原边绕组2-3有副边绕组8-11，所述变压器T1的副边绕组8-11的一端并联两条支路，其一连接电容C8至输出RD1，其二连接电容C10至输出RD2，所述变压器T1的副边绕组8-11的另一端连接至所述输出RD1和所述输出RD2的两组公共输出回路端YW。
7.根据权利要求6所述的具有推挽驱动电路的低压供电荧光灯镇流器，其特征在于，所述电容C8和所述输出RD1之间通过连接电容C11接地；所述电容C10和所述输出RD2之间通过连接电容C12接地；所述变压器T1的副边绕组8-11的另一端和所述输出YW之间通过连接电容C13接地，其中所述电容C11,C12,C13均为小容量电容器，以消除荧光灯管外壁的高频感生电。
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