CN220965261U - 基板结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种基板结构。所述基板结构包括第一基板组件及第二基板组件。第一基板组件包括第一基板、第一导电件及第一保护层。第一导电件设置于第一基板的第一表面上。第一保护层覆盖第一基板的第一表面，并暴露第一导电件，其中第一保护层具有定位凹部。第二基板组件设置于第一基板组件上，其中第二基板组件包括第二基板、第二导电件及第二保护层。第二导电件设置于第二基板的第二表面上，并电性连接第一导电件。第二保护层覆盖第二基板的第二表面，并暴露第二导电件，其中第二保护层具有定位凸部，且定位凹部与定位凸部互相对应。

Description

基板结构

技术领域

本实用新型是关于基板结构，特别是关于在保护层上设置有定位部的基板结构。

背景技术

随着电子产业的高度发展，各式各样的电子产品被制造出并应用在不同的领域。以堆叠设置的两个电路板为例，为了使两个电路板能够稳固地电性连接，通常会放大用于连接两者的导电件的尺寸。如此一来，即便两个电路板在对准过程中产生偏差，也能够不影响电性连接的稳定性。然而，大尺寸的导电件占用了过多的基板空间，从而不利于电子装置的微缩化或是复杂化。因此，虽然现存的基板结构已大致符合需求，但并非在各方面都令人满意。如何在降低导电件尺寸的情况下仍保持稳固的电性连接，便成为本领域亟待解决的课题。

实用新型内容

在一些实施例中，提供基板结构。所述基板结构包括第一基板组件及第二基板组件。第一基板组件包括第一基板、第一导电件及第一保护层。第一导电件设置于第一基板的第一表面上。第一保护层覆盖第一基板的第一表面，并暴露第一导电件，其中第一保护层具有定位凹部。第二基板组件设置于第一基板组件上，其中第二基板组件包括第二基板、第二导电件及第二保护层。第二导电件设置于第二基板的第二表面上，并电性连接第一导电件。第二保护层覆盖第二基板的第二表面，并暴露第二导电件，其中第二保护层具有定位凸部，且定位凹部与定位凸部互相对应。

在一些实施例中，第一导电件具有第一高度，且第二导电件具有第二高度，其中第一高度大于第二高度。

在一些实施例中，第一保护层具有第三高度，且第二保护层具有第四高度，其中第一高度大于第三高度，且第二高度大于第四高度。

在一些实施例中，定位凸部具有第五高度，且第一高度>第五高度>定位凸部的上表面与第二导电件的上表面之间的高度差。

在一些实施例中，第一导电件具有第一宽度，且第二导电件具有第二宽度，其中第一宽度小于第二宽度。

在一些实施例中，定位凹部具有第三宽度，且定位凸部具有第四宽度，其中第三宽度大于第四宽度。

在一些实施例中，第三宽度与第四宽度之间的差值小于第二宽度与第一宽度之间的差值。

在一些实施例中，定位凹部位于第一基板组件的角隅处，且定位凸部位于第二基板组件的角隅处。

在一些实施例中，第一导电件为铜柱或锡球，且第二导电件为垫片。

在一些实施例中，第一基板组件还包括第一垂直互连件，且第一导电件贯穿第一基板并电性连接第一垂直互连件。第二基板组件还包括第二垂直互连件，且第二导电件贯穿第二基板并电性连接第二垂直互连件。

本实用新型的基板结构可应用于多种类型的电子装置中。为让本实用新型的特征及优点能更明显易懂，下文特举出各种实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

通过以下的详细叙述配合所附附图，能更加理解本实用新型实施例的观点。值得注意的是，根据工业上的标准惯例，一些部件(feature)可能没有按照比例绘制。事实上，为了能清楚地描述，不同部件的尺寸可能被增加或减少。

图1至图7分别是根据本实用新型的一些实施例，显示第一基板组件在不同的形成阶段的剖面图；

图8是根据本实用新型的一些实施例，显示第一基板组件的底视图；

图9至图14分别是根据本实用新型的一些实施例，显示第二基板组件在不同的形成阶段的剖面图；

图15是根据本实用新型的一些实施例，显示基板结构在不同的形成阶段的剖面图；

图16是根据本实用新型的一些实施例，显示基板结构的剖面示意图；

图17是根据本实用新型的另一些实施例，显示基板结构的形成阶段的示意图；以及

图18是根据本实用新型的又一些实施例，显示基板结构的形成阶段的示意图。

具体实施方式

以下揭露提供了很多不同的实施例或范例，用于实施所提供的基板结构中的不同部件。各部件及其配置的具体范例描述如下，以简化本实用新型实施例，当然并非用以限定本实用新型。举例而言，叙述中若提及第一部件形成在第二部件之上，可能包括第一部件及第二部件直接接触的实施例，也可能包括形成额外的部件在第一部件及第二部件之间，使得第一部件及第二部件不直接接触的实施例。此外，本实用新型可能在不同的实施例或范例中重复元件符号及/或字符。如此重复是为了简明及清楚，而非用以表示所讨论的不同实施例及/或范例之间的关系。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“左”、“右”及其类似用语是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明而非限制本实用新型。

在本实用新型的一些实施例中，关于设置、连接的用语例如“设置”、“连接”及其类似用语，除非特别定义，否则可指两个部件直接接触，或者也可指两个部件并非直接接触，其中有额外结部件位于此两个结构之间。关于设置、连接的用语也可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。

另外，本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”及其类似用语是用以命名不同的部件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制部件数量上的上限或下限，也并非用以限定部件的制造顺序或设置顺序。

于下文中，“大约”、“实质上”或其类似用语表示在给定数值或数值范围的10％内、或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，即在没有特定说明“大约”或“实质上”的情况下，仍可隐含“大约”或“实质上”的含义。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与所属技术领域中技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本实用新型的背景或上下文一致的意思，而不应以理想化或过度正式的方式解读，除非在本实用新型的实施例有特别定义。

以下描述实施例的一些变化。在不同附图和说明的实施例中，相同或相似的元件符号被用来标明相同或相似的部件。可以理解的是，在方法之前、期间中、之后可以提供额外的步骤，且一些所叙述的步骤可为了方法的其他实施例被取代或删除。

在现有的一些基板结构中，可通过成对的导电件来实现两个电路板之间的电性连接。为了避免两个电路板因组装公差或对位偏移而导致电性连接失效，通常会采用较大尺寸的导电件来提升对位工艺的裕度。然而，大尺寸的导电件并不利于电子产品的微缩化及复杂化，且仍有可能因为对位偏移而使得电性连接失效。为了解决至少上述问题，本实用新型在两个电路板上分别设置对应的定位元件，且所述对位元件能够有效地提升对位精准度。如此一来，用于电性连接两个电路板的导电件便可进一步缩小，从而能够在相同面积的电路板上提供更多导电件以实现更复杂的功能。

参照图1至图7，其分别是根据本实用新型的一些实施例，显示第一基板组件在不同的形成阶段的剖面图。如图1所示，提供基础基板10，基础基板10可为或可包括铜箔基板，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，基础基板10可包括介电层100、导电层101及导电层101’。在一些实施例中，介电层100可为或可包括含有高分子材料、纤维材料、其他合适的材料的预浸材(prepreg)，但本实用新型不限于此。举例而言，所述高分子材料可为或可包括环氧树脂(epoxy resin)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、其组合或其他合适的高分子材料，但本实用新型不限于此。举例而言，所述纤维材料可包括碳纤维(carbon fiber)、玻璃纤维(glass fiber)、其组合或其他合适的纤维材料，但本实用新型不限于此。

在一些实施例中，导电层101及导电层101’分别完整覆盖介电层100的上表面及下表面，或部分覆盖介电层100的上表面及下表面。在一些实施例中，导电层101及导电层101’可为或可包括导电材料。举例而言，所述导电材料可为铝(Al)、铜(Cu)、其合金、其化合物、其组合或其他合适的导电材料，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，导电层101及导电层101’可为铜箔。举例而言，所述铜箔可为或可包括黄铜(brass)、磷青铜(phosphorbronze)、铍铜(beryllium alloy)或无氧铜，但本实用新型不限于此。

如图2所示，接续上述工艺，将基础基板10形成为中间结构11。在一些实施例中，可在基础基板10上设置增层基板(未示出)，并通过增层工艺(build up process)使基础基板10与增层基板共同形成中间结构11。举例而言，所述增层工艺可包括压合工艺(laminationprocess)、光刻工艺(photolithography process)、电镀工艺(electroplating process)、蚀刻工艺(etching process)、钻孔工艺(drilling process)、其组合或其他合适的工艺，但本实用新型不限于此。值得一提的是，图2所示的中间结构11仅用于使本实用新型的特征更加清楚且易懂，而不旨在限制本实用新型。因此，中间结构11及其内部的各个元件的形状、位置、尺寸等具体配置皆可根据实际需求调整。

在一些实施例中，中间结构11包括第一基板110、第一垂直互连件111、水平互连件112、水平互连件112’、导电件113及导电件113’。在一些实施例中，第一基板110是由基础基板10的介电层100与增层基板的介电层所组成，且第一基板110具有彼此相对的上表面110a及下表面110b。在一些实施例中，增层基板的介电层的材料可相似或相同于基础基板10的介电层100的材料，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，增层基板的介电层可为单层结构或是多层结构。

在一些实施例中，第一垂直互连件111沿着第一基板110的法线方向穿设于第一基板110中，并被配置以电性连接不同水平上(例如，不同层)的多个元件。举例而言，第一垂直互连件111可电性连接导电件113、导电件113’、水平互连件112或其他元件(未示出)。在一些实施例中，第一垂直互连件111的材料可为或可包括上文提及的导电材料，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，第一垂直互连件111的数量可为单个或是多个。

在一些实施例中，水平互连件112是通过使导电层101图案化而形成，其沿着第一基板110的延伸方向在第一基板110内部水平延伸，并被配置以电性连接在相同水平上(例如，同一层)的多个元件。举例而言，水平互连件112可电性连接第一垂直互连件111及其他元件(未示出)。类似地，水平互连件112’是通过使导电层101’图案化而形成，其沿着第一基板110的延伸方向在第一基板110内部水平延伸，并被配置以电性连接在相同水平上(例如，同一层)的多个元件。在一些实施例中，水平互连件112及水平互连件112’的材料可为或可包括上文提及的导电材料，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，水平互连件112及水平互连件112’的数量可为单个或是多个。

在一些实施例中，导电件113突出于上表面110a。换言之，导电件113的上表面113a与第一基板110的上表面110a不共平面。类似地，导电件113’突出于下表面110b。换言之，导电件113’的下表面113’b与第一基板110的下表面110b不共平面。在一些实施例中，导电件113及导电件113’可为垫片，但本实用新型不限于此。

如图3所示，接续上述工艺，在导电件113’上沉积导电材料，以使导电件113’与所述导电材料共同形成第一导电件114。举例而言，可通过光刻工艺、电镀工艺、蚀刻工艺、其组合或其他合适的工艺在导电件113’的下表面113’b上沉积诸如铜的金属，以使片状的导电件113’与其上的金属共同形成柱状(pillar)的第一导电件114。在一些实施例中，第一导电件114可为铜柱，但本实用新型不限于此。

如图4所示，接续上述工艺，在第一基板110的上表面110a及下表面110b上分别设置保护层材料115及保护层材料115’，其中保护层材料115及保护层材料115’分别覆盖导电件113及第一导电件114。在一些实施例中，可通过压合工艺、浸涂工艺(dip coatingprocess)、滚涂工艺(roller coating process)、帘涂工艺(curtain coating process)、喷涂工艺(spraying process)、印刷工艺(screen printing process)、其组合或其他合适的工艺设置保护层材料115及保护层材料115’，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，保护层材料115及保护层材料115’可为或可包括树脂或其他合适的材料，但本实用新型不限于此。举例而言，保护层材料115及保护层材料115’可为防焊油墨(solder mask)。

如图5所示，接续上述工艺，对上表面110a上的保护层材料115执行第一曝光工艺(exposure process)，以形成保护层116。具体而言，第一曝光工艺用于使保护层材料115的一部分固化成保护层116，以便于在后续工艺中移除尚未固化的保护层材料115，例如移除位于导电件113上的保护层材料115。

如图6所示，接续上述工艺，对下表面110b上的保护层材料115’执行减薄工艺(thinning process)，以暴露第一导电件114的下表面114b及侧表面114c。

如图7所示，接续上述工艺，对下表面110b上的保护层材料115’执行第二曝光工艺，以形成第一保护层117，其中第一保护层117具有定位凹部1170。具体而言，第二曝光工艺用于使保护层材料115’的一部分固化成具有定位凹部1170的第一保护层117，且也可便于在后续工艺中移除尚未固化的保护层材料115’，例如移除位于第一导电件114上的保护层材料115’。

接续上述工艺，可在相同道或不同道工艺中移除尚未固化的保护层材料115及保护层材料115’，以分别暴露导电件113及第一导电件114。在完成上述工艺之后，可将第一基板110及其内部的元件(例如，第一垂直互连件111、水平互连件112及水平互连件112’等)、导电件113、第一导电件114、保护层116、第一保护层117等元件共同称为第一基板组件12。

在一些实施例中，定位凹部1170可暴露第一基板110的下表面110b。换言之，定位凹部1170的深度可相同于第一保护层117的厚度(或称高度)，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，可设置有多个定位凹部1170，且多个定位凹部1170的深度可彼此相同或不同。

一并参照图8，其是根据本实用新型的一些实施例，显示第一基板组件的底视图。如图所示，在一些实施例中，定位凹部1170可位于第一基板组件12的角隅处，例如位于第一基板组件12的四个角隅，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，定位凹部1170的数量可为四个或多于四个，例如五个、六个、七个或八个，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，定位凹部1170的形状可为圆形、三角形、矩形、梯形、多边形、具有弧边的多边形、异形、其组合或其他合适的形状，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，多个定位凹部1170的形状可彼此不同，以避免在组装第一基板组件12与其他基板组件(例如，后文中的第二基板组件)的过程中出现错置。

在下文中，相同或相似的元件符号及其叙述可表示相似或相同的元件及其叙述，因此不再赘述。

参照图9至图14，其分别是根据本实用新型的一些实施例，显示第二基板组件在不同的形成阶段的剖面图。在形成第一基板组件12之前或之后，可形成第二基板组件。在一些实施例中，第二基板组件的形成方法可如下文所述，但本实用新型不限于此。如图9所示，提供基础基板20，且基础基板20可为或可包括铜箔基板，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，基础基板20可包括介电层200、导电层201及导电层201’。在一些实施例中，介电层200、导电层201及导电层201’可分别相似或相同于介电层100、导电层101及导电层101’，但本实用新型不限于此。

如图10所示，接续上述工艺，将基础基板20形成为中间结构21。值得一提的是，图10所示的中间结构21仅用于使本实用新型的特征更加清楚且易懂，而不旨在限制本实用新型。因此，中间结构21及其内部的各个元件的形状、位置、尺寸等具体配置皆可根据实际需求调整。

在一些实施例中，中间结构21包括介电层200(下文中改称为第二基板210)、第二垂直互连件211、第二导电件212及导电件212’。在一些实施例中，第二基板210具有彼此相对的上表面210a及下表面210b。

在一些实施例中，第二垂直互连件211沿着第二基板210的法线方向穿设于第二基板210中，并被配置以电性连接不同水平上(例如，不同层)的多个元件。举例而言，第二垂直互连件211可电性连接第二导电件212、导电件212’或其他元件(未示出)。在一些实施例中，第二垂直互连件211的材料可为或可包括上文提及的导电材料，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，第二垂直互连件211的数量可为单个或是多个。

在一些实施例中，第二导电件212突出于上表面210a。换言之，第二导电件212的上表面212a与第二基板210的上表面210a不共平面。类似地，导电件212’突出于下表面210b。换言之，导电件212’的下表面212’b与第二基板210的下表面210b不共平面。在一些实施例中，第二导电件212及导电件212’可为垫片，但本实用新型不限于此。

如图11所示，接续上述工艺，在第二基板210的上表面210a及下表面210b上分别设置保护层材料213及保护层材料213’，其中保护层材料213及保护层材料213’分别覆盖第二导电件212及导电件212’。在一些实施例中，可通过压合工艺、浸涂工艺、滚涂工艺、帘涂工艺、喷涂工艺、印刷工艺、其组合或其他合适的工艺设置保护层材料213及保护层材料213’，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，保护层材料213及保护层材料213’可分别相似或相同于保护层材料115及保护层材料115’，但本实用新型不限于此。

如图12所示，接续上述工艺，对上表面210a上的保护层材料213执行第三曝光工艺以形成第二保护层214的一部分。具体而言，第三曝光工艺用于使保护层材料213的一部分固化，以便于后续形成具有定位凸部的第二保护层214。除此之外，第三曝光工艺也可便于在后续工艺中移除尚未固化的保护层材料213，例如移除位于第二导电件212上的保护层材料213。在一些实施例中，对保护层材料213’执行第四曝光工艺以形成保护层215。在一些实施例中，第三曝光工艺与第四曝光工艺可为同一道工艺或不同道工艺。

如图13所示，接续上述工艺，对上表面210a上的保护层材料213执行减薄工艺，以暴露第二导电件212的上表面212a及侧表面212c。在经历减薄工艺之后，第二保护层214的一部分P明显突出于尚未固化的保护层材料213。

如图14所示，接续上述工艺，对上表面210a上的保护层材料213执行第五曝光工艺，以形成第二保护层214的另一部分。在这种情况下，第二保护层214具有对应于定位凹部1170的定位凸部2140，且所述定位凸部2140即是图13中第二保护层214的明显突出的部分P。

接着，移除尚未固化的保护层材料213’，以暴露导电件212’。在完成上述工艺之后，可将第二基板210及其内部的元件(例如，第二垂直互连件211等)、第二导电件212、导电件212’、第二保护层214及保护层215等元件共同称为第二基板组件22。

由于定位凸部2140被配置为对应定位凹部1170，因此定位凸部2140可具有对应于定位凹部1170的形状及尺寸。举例而言，定位凸部2140可位于第二基板组件22的角隅处，例如位于第二基板组件22的四个角隅，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，定位凸部2140的数量可为四个或多于四个，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，定位凸部2140的形状可为圆形、三角形、矩形、梯形、多边形、具有弧边的多边形、异形、其组合或其他合适的形状，但本实用新型不限于此。在一些实施例中，多个定位凸部2140的形状可彼此不同，以避免在组装第二基板组件22与第一基板组件12的过程中出现错置。

参照图15，其是根据本实用新型的一些实施例，显示基板结构的形成阶段的示意图。如图所示，在经由上述工艺形成第一基板组件12及第二基板组件22之后，将第一基板组件12的第一基板110的下表面110b(又称为第一表面)对准第二基板组件22的第二基板210的上表面210a(又称为第二表面)。由于第一基板组件12具有定位凹部1170，且第二基板组件22具有定位凸部2140，因此可使第一基板组件12及第二基板组件22精准地对位，从而防止两个基板组件之间的偏移。在一些实施例中，当第一基板组件12及第二基板组件22之间产生偏移时，定位凹部1170无法与定位凸部2140卡合。在这种情况下，可重新执行对位工艺。在将第一基板组件12及第二基板组件22互相接合之后，形成基板结构1。

参照图16，其是根据本实用新型的一些实施例，显示基板结构的剖面示意图。为了便于说明，图16中仅绘示第一基板110、第一导电件114、第一保护层117、定位凹部1170、第二基板210、第二导电件212、第二保护层214及定位凸部2140，并省略其余元件。

在一些实施例中，第一导电件114具有第一高度H1，第二导电件212具有第二高度H2，第一保护层117具有第三高度H3，第二保护层214具有第四高度H4，且定位凸部2140具有第五高度H5。在一些实施例中，第一高度H1大于第三高度H3，且第二高度H2可大于第四高度H4。换言之，第一导电件114及第二导电件212分别突出于第一保护层117及第二保护层214。在一些实施例中，第三高度H3可大于第四高度H4。举例而言，第一保护层117可更厚于第二保护层214。在一些实施例中，第一高度H1>第五高度H5>定位凸部2140的上表面2140a与第二导电件212的上表面212a之间的高度差D。在这种情况下，可防止在接合过程中，定位凸部2140先接触到由定位凹部1170暴露的第一基板110，但第一导电件114尚未接触第二导电件212的情况。换言之，当第一导电件114与第二导电件212接触时，定位凸部2140可与由定位凹部1170暴露的第一基板110之间具有一间隙。

在一些实施例中，第一导电件114具有第一宽度W1，第二导电件212具有第二宽度W2，定位凹部1170具有第三宽度W3，且定位凸部2140具有第四宽度W4。在一些实施例中，第一宽度W1小于第二宽度W2。在一些实施例中，第三宽度W3大于第四宽度W4，以避免定位凸部2140无法嵌入定位凹部1170中。在一些实施例中，第三宽度W3与第四宽度W4之间的差值小于第二宽度W2与第一宽度W1之间的差值。在这种情况下，即使定位凸部2140在定位凹部1170中水平偏移，仍可使第一导电件114落在第二导电件212上方，从而避免电性连接失效的问题。

参照图17，其是根据本实用新型的另一些实施例，显示基板结构的形成阶段的示意图。虽然在上文中描述了第一基板组件12及第二基板组件22的范例结构及范例形成方法，但本实用新型不限于第一基板组件12及第二基板组件22的具体配置。举例而言，在图17所示的实施例中，第一基板组件12’或第二基板组件22’可包括有更多不同层的内层线路(例如，水平互连结构或是内层电路图案)，或包括有更多层的介电层。除此之外，第一基板组件12’或第二基板组件22’也可包括诸如处理芯片216的其他主动元件或是其他被动元件(未示出)。

参照图18，其是根据本实用新型的又一些实施例，显示基板结构的形成阶段的示意图。在图18所示的实施例中，用于电性连接第一基板组件12”与第二基板组件22”的第一导电件114’可为锡球而非铜柱。换言之，本实用新型的定位凸部及定位凹部可应用于各种基板组件中，而不限于基板组件的互连导电件的具体配置、形状、尺寸、材质等。

综上所述，根据本实用新型的实施例，提供一种基板结构。与现有技术的基板结构相比，本实用新型通过在两者的保护层上分别设置定位凸部及定位凹部，有效地提升了定位精准度。如此一来，可进一步缩减用于连接两个基板组件的导电件的尺寸，从而在单位面积上提供更多的电性互连结构，以实现电子产品的复杂化。

以上概述数个实施例，以便本领域中的技术人员可以更理解本实用新型实施例的观点。本领域中的技术人员应该理解的是，能以本实用新型实施例为基础，设计或修改其他工艺与结构，以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。本领域中的技术人员也应该理解的是，此类等效的工艺与结构并无悖离本实用新型的精神与范围，且能在不违背本实用新型的精神与范围之下，做各式各样的改变、取代与替换。

【符号说明】

1:基板结构

10:基础基板

100:介电层

101:导电层

101’:导电层

11:中间结构

110:第一基板

110a:上表面

110b:下表面

111:第一垂直互连件

112:水平互连件

112’:水平互连件

113:导电件

113’:导电件

113’b:下表面

113a:上表面

114:第一导电件

114’:第一导电件

114b:下表面

114c:侧表面

115:保护层材料

115’:保护层材料

116:保护层

117:第一保护层

1170:定位凹部

12:第一基板组件

12’:第一基板组件

12”:第一基板组件

20:基础基板

200:介电层

201:导电层

201’:导电层

21:中间结构

210:第二基板

210a:上表面

210b:下表面

211:第二垂直互连件

212:第二导电件

212’:导电件

212’b:下表面

212a:上表面

212c:侧表面

213:保护层材料

213’:保护层材料

214:第二保护层

2140:定位凸部

2140a:上表面

215:保护层

216:处理芯片

22:第二基板组件

22’:第二基板组件

22”:第二基板组件

D:高度差

H1:第一高度

H2:第二高度

H3:第三高度

H4:第四高度

H5:第五高度

P:部分

W1:第一宽度

W2:第二宽度

W3:第三宽度

W4:第四宽度。

Claims (10)

1.一种基板结构，其特征在于，包括：

第一基板组件，包括:

第一基板；

第一导电件，设置于该第一基板的第一表面上；及

第一保护层，覆盖该第一基板的该第一表面，并暴露该第一导电件，其中该第一保护层具有定位凹部；以及

第二基板组件，设置于该第一基板组件上，其中该第二基板组件包括：

第二基板；

第二导电件，设置于该第二基板的第二表面上，并电性连接该第一导电件；及

第二保护层，覆盖该第二基板的该第二表面，并暴露该第二导电件，其中该第二保护层具有定位凸部，且该定位凸部与该定位凹部互相对应。

2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该第一导电件具有第一高度，且第二导电件具有第二高度，其中该第一高度大于该第二高度。

3.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，该第一保护层具有第三高度，且该第二保护层具有第四高度，其中该第一高度大于该第三高度，且该第二高度大于该第四高度。

4.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，该定位凸部具有第五高度，且该第一高度>该第五高度>该定位凸部的上表面与该第二导电件的上表面之间的高度差。

5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该第一导电件具有第一宽度，该第二导电件具有第二宽度，且该第一宽度小于该第二宽度。

6.根据权利要求5所述的基板结构，其特征在于，该定位凹部具有第三宽度，该定位凸部具有第四宽度，且该第三宽度大于该第四宽度。

7.根据权利要求6所述的基板结构，其特征在于，该第三宽度与该第四宽度之间的差值小于该第二宽度与该第一宽度之间的差值。

8.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该定位凹部位于该第一基板组件的角隅处，且该定位凸部位于该第二基板组件的角隅处。

9.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该第一导电件为铜柱或锡球，且该第二导电件为垫片。

10.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，

其中，该第一基板组件还包括第一垂直互连件，且该第一导电件贯穿该第一基板并电性连接该第一垂直互连件，

其中，该第二基板组件还包括第二垂直互连件，且该第二导电件贯穿该第二基板并电性连接该第二垂直互连件。