CN220913937U - 抑制铜箔层龟裂型同轴电缆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，包括若干镀银铜绞线围绕软铜绞线绞合并紧压形成内导体，内导体外部依次包覆FEP内绝缘层、发泡FEP外绝缘层、铜塑复合绕包屏蔽层、镀银铜丝缠绕屏蔽层和聚氨酯外护套，铜塑复合绕包屏蔽层为铜塑复合带螺旋绕包结构，铜塑复合带包括聚酰亚胺薄膜基层且厚度不超过250μm，聚酰亚胺薄膜基层的外表面上电镀形成有铜箔层且厚度不超过6μm，铜箔层外表面粗糙度不超过3μm。该同轴电缆在经受弯曲时，能够降低铜箔层与金属丝编织屏蔽层摩擦，并有助于抑制发热引起的铜箔层过度热膨胀，进而避免铜箔层发生龟裂失效，保证稳定的信号传送特性，耐用性更好。
Description
技术领域
本申请涉及电缆技术领域，特别涉及一种抑制铜箔层龟裂型同轴电缆。
背景技术
同轴电缆是电线电缆的主要品种之一。工业应用现场环境复杂，电磁噪声的辐射或传导（EMI）可能会严重干扰设备的正常工作，而在这个过程中，电磁噪声传播的一类重要载体，就是产线设备中使用的各种电缆。在自动化工业制造生产线上，小型机器人及电子机器等电气连接及控制需要应用到同轴电缆，屏蔽层通常为铜箔屏蔽与金属丝编织屏蔽的二重屏蔽结构，电缆在工作状态下经受弯曲，铜箔屏蔽层与金属丝编织屏蔽层之间产生摩擦，更易造成铜箔屏蔽层龟裂失效，屏蔽密度降低，内部信号或外部噪音穿过金属丝编织屏蔽层的空隙发生泄漏或信号干扰，信号传送衰减量大，抗干扰能力减弱，而且，发热引起的铜箔屏蔽层过度热膨胀容易也容易造成铜箔龟裂失效，信号传送特性不稳定，影响电缆的电气特性，耐用性较差。
实用新型内容
本申请针对现有技术的不足，所要解决的技术问题是提供一种抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，优化屏蔽层结构，在经受弯曲时能够降低铜箔层与金属丝编织屏蔽层摩擦，并有助于抑制发热引起的铜箔层过度热膨胀，进而避免铜箔层发生龟裂失效，保证稳定的信号传送特性，耐用性更好。
本申请是通过以下技术方案使上述技术问题得以解决。
抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，包括若干镀银铜绞线围绕软铜绞线绞合并紧压形成内导体，所述内导体外部依次包覆FEP内绝缘层、发泡FEP外绝缘层、铜塑复合绕包屏蔽层、镀银铜丝缠绕屏蔽层和聚氨酯外护套，所述铜塑复合绕包屏蔽层为铜塑复合带螺旋绕包结构，所述铜塑复合带包括聚酰亚胺薄膜基层且厚度不超过250μm，所述聚酰亚胺薄膜基层的外表面上电镀形成有铜箔层且厚度不超过6μm，所述铜箔层外表面粗糙度不超过3μm，若干镀银铜丝并排螺旋缠绕在所述铜塑复合绕包屏蔽层外部形成镀银铜丝缠绕屏蔽层，所述铜塑复合绕包屏蔽层绕向与所述镀银铜丝缠绕屏蔽层绕向相反。
作为优选，所述铜箔层厚度为2μm至5μm。
作为优选，所述聚酰亚胺薄膜基层厚度为80μm至200μm。
作为优选，所述镀银铜丝线径为0.01mm至0.04mm。
作为优选，软铜绞线为若干直径0.05mm至0.08mm软铜丝绞合构成。
作为优选，镀银铜绞线为若干线径为0.02mm至0.04mm镀银铜单丝绞合构成。
作为优选，镀银铜单丝绞向与镀银铜绞线复绞绞向相反。
作为优选， FEP内绝缘层和发泡FEP外绝缘层的共计厚度为0.3mm至2mm。
作为优选， FEP内绝缘层和发泡FEP外绝缘层厚度比为2:1至5:1。
作为优选，聚氨酯外护套厚度为0.3mm至0.9mm。
本申请的有益效果：
1.通过优化铜塑复合带的聚酰亚胺薄膜基层和铜箔层的厚度，兼顾保证铜箔层的柔韧性和机械强度，同时，铜箔层外表面粗糙度不超过3μm，电缆弯曲时，有助于降低铜箔层与镀银铜丝之间产生摩擦，抑制铜箔层发生龟裂失效，保证屏蔽效果的稳定性，减少信号传送衰减量，耐久使用性更好。
2.通过在发泡FEP外绝缘层外部绕包聚酰亚胺薄膜基层的铜塑复合绕包屏蔽层，发泡FEP外绝缘层的介电常数高于聚酰亚胺薄膜的介电常数，有助于提高电缆的高频信号传送特性，聚酰亚胺薄膜的热膨胀系数小于发泡FEP外绝缘层的热膨胀系数且大于铜箔层的热膨胀系数，聚酰亚胺薄膜与铜箔层的热膨胀系数偏差更小，在电缆工作状态下，有利于抑制铜箔层不会过度热膨胀，减少热应力，进而避免铜箔层发生龟裂失效，保证稳定可靠的屏蔽性能，耐用性更好。
3.内导体外部包覆在非发泡的FEP内绝缘层，非发泡的FEP内绝缘层比发泡FEP外绝缘层具有更好的机械强度，弯曲及导体发热过程中不易发生变形，从而对发泡FEP外绝缘层形成有效的保护，耐用性更好。
附图说明
图1为本申请实施例的断面结构示意图。
附图标记说明：
1-软铜绞线，2-镀银铜绞线，3-内导体，4-FEP内绝缘层，5-发泡FEP外绝缘层，6-铜塑复合绕包屏蔽层，7-镀银铜丝缠绕屏蔽层，8-聚氨酯外护套。
实施方式
本申请的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请，下面将结合附图对本申请实施例的实施方式进行详细描述。
参见图1，本申请实施例的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，包括若干镀银铜绞线2围绕软铜绞线1绞合并紧压形成内导体3，具体的说，软铜绞线1为若干直径0.05mm至0.08mm软铜丝绞合构成。镀银铜绞线2为若干线径为0.02mm至0.04mm镀银铜单丝绞合构成，进一步的，镀银铜单丝绞向与镀银铜绞线2复绞绞向相反。
所述内导体3外部依次包覆FEP内绝缘层4、发泡FEP外绝缘层5、铜塑复合绕包屏蔽层6、镀银铜丝缠绕屏蔽层7和聚氨酯外护套8。FEP内绝缘层4和发泡FEP外绝缘层5的共计厚度为0.3mm至2mm。FEP内绝缘层4和发泡FEP外绝缘层5厚度比为2:1至5:1。所述铜塑复合绕包屏蔽层6为铜塑复合带螺旋绕包结构，所述铜塑复合带包括聚酰亚胺薄膜基层且厚度不超过250μm，优选的，所述聚酰亚胺薄膜基层厚度为80μm至200μm。所述聚酰亚胺薄膜基层的外表面上电镀形成有铜箔层且厚度不超过6μm，优选的，所述铜箔层厚度为2μm至5μm。所述铜箔层外表面粗糙度不超过3μm。若干镀银铜丝并排螺旋缠绕在所述铜塑复合绕包屏蔽层6外部形成镀银铜丝缠绕屏蔽层7，所述镀银铜丝线径为0.01mm至0.04mm。所述铜塑复合绕包屏蔽层6绕向与所述镀银铜丝缠绕屏蔽层7绕向相反。聚氨酯外护套8厚度为0.3mm至0.9mm。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：包括若干镀银铜绞线（2）围绕软铜绞线（1）绞合并紧压形成内导体（3），所述内导体（3）外部依次包覆FEP内绝缘层（4）、发泡FEP外绝缘层（5）、铜塑复合绕包屏蔽层（6）、镀银铜丝缠绕屏蔽层（7）和聚氨酯外护套（8），所述铜塑复合绕包屏蔽层（6）为铜塑复合带螺旋绕包结构，所述铜塑复合带包括聚酰亚胺薄膜基层且厚度不超过250μm，所述聚酰亚胺薄膜基层的外表面上电镀形成有铜箔层且厚度不超过6μm，所述铜箔层外表面粗糙度不超过3μm，若干镀银铜丝并排螺旋缠绕在所述铜塑复合绕包屏蔽层（6）外部形成镀银铜丝缠绕屏蔽层（7），所述铜塑复合绕包屏蔽层（6）绕向与所述镀银铜丝缠绕屏蔽层（7）绕向相反。
2.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：所述铜箔层厚度为2μm至5μm。
3.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：所述聚酰亚胺薄膜基层厚度为80μm至200μm。
4.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：所述镀银铜丝线径为0.01mm至0.04mm。
5.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：软铜绞线（1）为若干直径0.05mm至0.08mm软铜丝绞合构成。
6.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：镀银铜绞线（2）为若干线径为0.02mm至0.04mm镀银铜单丝绞合构成。
7.根据权利要求6所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：镀银铜单丝绞向与镀银铜绞线（2）复绞绞向相反。
8.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：FEP内绝缘层（4）和发泡FEP外绝缘层（5）的共计厚度为0.3mm至2mm。
9.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：FEP内绝缘层（4）和发泡FEP外绝缘层（5）厚度比为2:1至5:1。
10.根据权利要求1所述的抑制铜箔层龟裂型同轴电缆，其特征是：聚氨酯外护套（8）厚度为0.3mm至0.9mm。
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