CN220795129U - 一种用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及无损检测辅助工具技术领域,特别提供了一种用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,所述验证试块为长方体,在验证试块上设有第一缺陷、第二缺陷、第三缺陷、第四缺陷和第五缺陷,第一缺陷设在验证试块的左侧面,为横向设置的圆形槽孔;第二缺陷设在验证试块下表面,为纵向设置的圆形槽孔;第三缺陷设在验证试块上表面,为纵向设置的长方形槽孔;第四缺陷设在验证试块下表面,为纵向设置的长方形槽孔;第五缺陷设在验证试块右侧面,为长方形槽孔。本实用新型可以实现一次扫描便可选择相应的模式,不再使用软件分别模拟,加工简单,携带方便,提高了工作效率,并且该验证试块可长期重复使用,降低了时间成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及无损检测辅助工具技术领域,特别提供了一种用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块。
背景技术
相控阵超声检测技术因其检测灵敏度高、周期短、成本低、对人体无害等优势广泛应用于无损检测行业中。相控阵超声技术是通过改变超声波到达物体内部的相位关系、使声束发生聚焦偏转,从而实现对工件的波束扫描并得到内部图像。该技术能够在很大程度上改善检测的灵敏度、覆盖范围和精度要求,可以得到高分辨率的裂纹等缺陷的图像。近年来,相控阵超声技术广泛应用于航空、铁路、船舶海工、特种设备等工业领域中。
常规的相控阵超声检测技术,通过聚焦延时算法,对声束进行合成,实现声束聚焦、偏转,形成一系列扫描线,对检测物体进行扫描,也就是S扫(扇扫)和E扫(电子扫),只要声束相应聚焦,就能提供横向分辨率为2-3个波长的声成像。而使用相控阵超声全聚焦时,是通过全聚焦成像算法(Total Focusing Method,TFM)处理,能有效的聚焦到成像平面的每一像素点,所得到的图像分辨率和质量有了极大的提高,若虚拟探头用大孔径(如64阵元),可得到分辨率为1个波长。能准确的判断缺陷的类型、大小和位置。该方法具有比当前常规相控阵超声检测技术更高的缺陷成像能力。
在将相控阵超声全聚焦采集到的数据进行TFM全聚焦方法处理的时候,利用FMC数据对波束进行综合重建,通过组合不同的波形(纵向或横向)和波路径的不同分支,可以组合多种不同的模式,多达10种。不同的模式对应的检测结果不同,针对的缺陷类型也不同,因而模式的选择成为使用TFM技术的关键。而目前应用在检测对接焊缝上的模式有TT,TTT,TTTT,LL等4种模式。无论是目标缺陷还是被检测部分,都会影响到每个模式的检测能力。为了有效检出缺陷,选择合适的检测模式,成了使用TFM的当务之急。
而目前在开始使用TFM之前,会使用软件模拟(如声学影响图(AIM)建模)验证给的探头、楔块和TFM模式组合是否可达到覆盖范围和灵敏度。目前没有专门用于验证此工艺的对比试块。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块。
本实用新型是这样实现的,提供一种用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,所述验证试块为长方体,在验证试块上设有第一缺陷、第二缺陷、第三缺陷、第四缺陷和第五缺陷,第一缺陷设在验证试块的左侧面,为横向设置的圆形槽孔,第一缺陷的中心线距离验证试块的下表面的距离为10mm,第一缺陷的中心线距离验证试块前侧面的距离是验证试块宽度的一半;第二缺陷设在验证试块下表面,为纵向设置的圆形槽孔,第二缺陷的中心线距离验证试块左侧面的距离为90mm,第二缺陷的中心线距离验证试块的前侧面的距离是验证试块宽度的一半;第三缺陷设在验证试块上表面,为纵向设置的长方形槽孔,第三缺陷的左侧距离验证试块左侧面的距离为140mm,第三缺陷的中心线距离验证试块的前侧面的距离是验证试块宽度的一半;第四缺陷设在验证试块下表面,为纵向设置的长方形槽孔,第四缺陷的左侧距离验证试块左侧面的距离为190mm,第一缺陷、第二缺陷、第三缺陷、第四缺陷的中心线距离验证试块的前侧面的距离均是验证试块宽度的一半;第五缺陷设在验证试块右侧面,为长方形槽孔,第五缺陷与验证试块上表面的最小距离为5mm,与验证试块下表面的距离为5mm,第五缺陷的走向与验证试块的高角度为30°。
优选的,所述验证试块的尺寸为250mm*250mm*20mm。
进一步优选,所述第一缺陷的直径为2mm,深度为40mm。
进一步优选,所述第二缺陷的直径为5mm,深度为1mm。
进一步优选,所述第三缺陷的宽为0.25mm、深度为1mm,长度为20mm。
进一步优选,所述第四缺陷的宽为0.25mm、深度为1mm,长度为20mm。
进一步优选,所述第五缺陷的宽为1mm、深度为40mm,长度在所述验证试块高上的投影为10mm。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
本实用新型可以实现TFM选用模式与现场实际危害性缺陷相对应,较容易选择TFM模式,一次扫描便可选择相应的模式,不再使用软件分别模拟,加工简单,携带方便,提高了工作效率,并且该验证试块可长期重复使用,降低了时间成本。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本实用新型作进一步详细的说明:
图1为本实用新型提供的验证试块俯视透视结构示意图;
图2为本实用新型提供的验证试块右视图;
图3为本实用新型提供的验证试块主视透视结构示意图;
图4为图1的右向视图;
图5为图1中A部分放大图;
图6为图4中B部分放大图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
参考图1、图2、图3、图4、图5和图6,本实用新型提供一种用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,所述验证试块为长方体,在验证试块上设有第一缺陷1、第二缺陷2、第三缺陷3、第四缺陷4和第五缺陷5,第一缺陷1设在验证试块的左侧面,为横向设置的圆形槽孔,第一缺陷1的中心线距离验证试块的下表面的距离为10mm,第一缺陷1的中心线距离验证试块前侧面的距离是验证试块宽度的一半;第二缺陷2设在验证试块下表面,为纵向设置的圆形槽孔,第二缺陷2的中心线距离验证试块左侧面的距离为90mm,第二缺陷2的中心线距离验证试块的前侧面的距离是验证试块宽度的一半;第三缺陷3设在验证试块上表面,为纵向设置的长方形槽孔,第三缺陷3的左侧距离验证试块左侧面的距离为140mm,第三缺陷3的中心线距离验证试块的前侧面的距离是验证试块宽度的一半;第四缺陷4设在验证试块下表面,为纵向设置的长方形槽孔,第四缺陷4的左侧距离验证试块左侧面的距离为190mm,第四缺陷4的中心线距离验证试块的前侧面的距离是验证试块宽度的一半;第五缺陷5设在验证试块右侧面,为长方形槽孔,第五缺陷5与验证试块上表面的最小距离为5mm,与验证试块下表面的距离为5mm,第五缺陷5的走向与验证试块的高角度为30°。
第一缺陷1为横通孔,模拟气孔夹渣体积型缺陷,第二缺陷2为平底孔,模拟腐蚀面积型缺陷状况,第三缺陷3为表面刻槽,模拟表面缺陷,第四缺陷4为底面刻槽,模拟根部缺陷,第五缺陷5为侧面刻槽,模拟未熔合面积型缺陷。
使用本验证试块时,比如针对未熔合缺陷,事先校准好设备,选择TFM的模式(TT,TTT,TTTT,LL等),依次扫查验证试块上的五个缺陷,存数据,由于事先知道未熔合缺陷的位置,对比看哪种模式针对未熔合缺陷最敏感。如此就能针对现场体积型缺陷或者面积型缺陷选择最佳的TFM模式,提高检出率。
根据检测设备尺寸,优选所述验证试块的尺寸为250mm*250mm*20mm。
根据气孔夹渣体积型缺陷的尺寸范围,设定所述第一缺陷1的直径为2mm,深度为40mm。
根据腐蚀面积型缺陷尺寸范围,设定所述第二缺陷2的直径为5mm,深度为1mm。
根据表面缺陷尺寸范围,设定所述第三缺陷3的宽为0.25mm、深度为1mm,长度为20mm。
根据根部缺陷尺寸范围,设定所述第四缺陷4的宽为0.25mm、深度为1mm,长度为20mm。
根据未熔合面积型缺陷尺寸范围,设定所述第五缺陷5的宽为1mm、深度为40mm,长度在所述验证试块高上的投影为10mm。
上面结合附图对本实用新型的实施方式做了详细说明,但是本实用新型并不限于上述实施方式,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (7)
1.一种用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,其特征在于,所述验证试块为长方体,在验证试块上设有第一缺陷(1)、第二缺陷(2)、第三缺陷(3)、第四缺陷(4)和第五缺陷(5),第一缺陷(1)设在验证试块的左侧面,为横向设置的圆形槽孔,第一缺陷(1)的中心线距离验证试块的下表面的距离为10mm;第二缺陷(2)设在验证试块下表面,为纵向设置的圆形槽孔,第二缺陷(2)的中心线距离验证试块左侧面的距离为90mm;第三缺陷(3)设在验证试块上表面,为纵向设置的长方形槽孔,第三缺陷(3)的左侧距离验证试块左侧面的距离为140mm;第四缺陷(4)设在验证试块下表面,为纵向设置的长方形槽孔,第四缺陷(4)的左侧距离验证试块左侧面的距离为190mm,第一缺陷(1)、第二缺陷(2)、第三缺陷(3)、第四缺陷(4)的中心线距离验证试块的前侧面的距离均是验证试块宽度的一半;第五缺陷(5)设在验证试块右侧面,为长方形槽孔,第五缺陷(5)与验证试块上表面的最小距离为5mm,与验证试块下表面的距离为5mm,第五缺陷(5)的走向与验证试块的高角度为30°。
2.根据权利要求1所述的用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,其特征在于,所述验证试块的尺寸为250mm*250mm*20mm。
3.根据权利要求1所述的用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,其特征在于,所述第一缺陷(1)的直径为2mm,深度为40mm。
4.根据权利要求1所述的用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,其特征在于,所述第二缺陷(2)的直径为5mm,深度为1mm。
5.根据权利要求1所述的用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,其特征在于,所述第三缺陷(3)的宽为0.25mm、深度为1mm,长度为20mm。
6.根据权利要求1所述的用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,其特征在于,所述第四缺陷(4)的宽为0.25mm、深度为1mm,长度为20mm。
7.根据权利要求1所述的用于相控阵超声全聚焦模式的验证试块,其特征在于,所述第五缺陷(5)的宽为1mm、深度为40mm,长度在所述验证试块高上的投影为10mm。
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