CN220753460U - 一种可提高光反射效果led灯芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及LED封装芯片技术领域，尤其是一种可提高光反射效果LED灯芯片，包括DBR膜层，对称设在DBR膜层中部的电极扩展条，所述DBR膜层为片状体，所述DBR膜层的中部设置有焊盘电极，所述焊盘电极的中部外侧设有I TO‑导电层，所述I TO‑导电层的两端均设置有P‑GaN层。此装置设计合理，该DBR结构应用于白光LED倒装结构中作为反光层时，能够有效的提升光线的反射率，有效的提高了白光LED的光提取效率，进一步的达到了提高光反射效率的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED封装芯片技术领域，尤其涉及一种可提高光反射效果LED灯芯片。
背景技术
近年来，氮化镓基发光二极管(GaN LED)因具有使用寿命长、可靠性高、体积小以及功耗低等优点，在固态照明、图像显示等领域得到广泛应用。为了提高光提取效率，GaNLED常采用器件倒装结构，其优点是通过P型氮化镓(P-GaN)表面设置的反光层能够将激发出的光直接从透明衬底发射出去，避免了正面电极对发射光的遮挡。
而传统的倒装LED芯片常采用高反射率金属作为反光层，如铝、银等，但这些金属的反射率在白光的主要波段400-650nm的反射率并不相同，无法将所有光子反射出去，影响光子的提取效率，最终影响LED芯片的光反射效果。为此，亟需提出改进方案用于解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种可提高光反射效果LED灯芯片，该DBR结构应用于白光LED倒装结构中作为反光层时，能够有效的提升光线的反射率，有效的提高了白光LED的光提取效率，进一步的达到了提高光反射效率的目的。
为达到以上目的，本实用新型采用的技术方案为：一种可提高光反射效果LED灯芯片，包括DBR膜层，对称设在DBR膜层中部的电极扩展条，所述DBR膜层为片状体，所述DBR膜层的中部设置有焊盘电极，所述焊盘电极的中部外侧设有I TO-导电层，所述I TO-导电层的两端均设置有P-GaN层。
优选的，所述电极扩展条包括有负极和正极，所述电极扩展条上的负极处于外侧，所述电极扩展条上的正极处于内侧。
优选的，所述焊盘电极为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成。
优选的，所述电极扩展条为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成。
优选的，所述P-GaN层为高阻层，所述P-GaN层表面采取纹理化刻蚀。
优选的，所述I TO-导电层为透明导电层。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：于白光LED倒装结构中采用DBR结构作为反光层，能够有效的提升光线的反射率，有效的提高了白光LED的光提取效率，进一步的达到了提高光反射效率的目的。
附图说明
图1为本实用新型的LED封装版图；
图2为本实用新型的带有复合金属结构的LED封装版图；
图3为本实用新型的DBR结构与Ag/T iW金属结构的白光LED倒装芯片的光电参数对比表。
图中：1、DBR膜层；2、焊盘电极；201、焊盘电极二；3、电极扩展条；4、P-GaN层；401、P-GaN层二；5、I TO-导电层；6、Si O2绝缘层；7、负极扩展条；8、复合层。
具体实施方式
以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
如附图1所示的一种可提高光反射效果LED灯芯片，包括DBR膜层1，对称设在DBR膜层1中部的电极扩展条3，DBR膜层1为片状体，DBR膜层1的中部设置有焊盘电极2，焊盘电极2的中部外侧设有I TO-导电层5，I TO-导电层5的两端均设置有P-GaN层4。
电极扩展条3包括有负极和正极，电极扩展条3上的负极处于外侧，电极扩展条3上的正极处于内侧。
焊盘电极2为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成，电极扩展条3为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成。
P-GaN层4为高阻层，P-GaN层4表面采取纹理化刻蚀，I TO-导电层5为透明导电层。
参照图2，与现有技术中的白光LED封装结构不同的是，DBR膜层1对应的为SiO2绝缘层6，焊盘电极2对应的为焊盘电极二201，电极扩展条3中的负极对应的为负极扩展条7，P-GaN层4对应的为P-GaN层二401，I TO-导电层5对应的为复合层8，该复合层8由I TO-导电层和Ag/T iW膜层重合而成。
本实用新型的工作原理：
参照说明书附图1-3所示，该LED芯片在制备时，其流片过程如下，首先通过电感耦合等离子体刻蚀外延片至P-GaN层；利用磁控溅射在P-GaN层表面沉积I TO薄膜，即P-GaN外采用纹理化刻蚀形成I TO薄膜，并快速热退火形成欧姆接触；蒸发Cr/Pt/Au金属层作为电极扩展条3；利用光学镀膜技术在整个外延片上制备DBR膜层1；采用电感耦合等离子体刻蚀技术在DBR膜层1上刻蚀出导电通道；蒸发Cr/Pt/Au金属层作为焊盘电极；(而现有技术中的外延片上流片需要蒸发Cr/Pt/Au金属层作为N电极扩展条，溅射Ag/T iW膜层，以及沉积SiO2作为绝缘层)；最后，经过减薄、研磨、激光划片、倒装焊、灌胶和烘烤等工序，完成器件的倒装结构；
在实际使用过程中，进行该DBR结构的光提取效率的验证时：通过使用HP1500源表和积分球03mLED-R98-A-V1对器件的光电性能进行测试：
在150mA电流下DBR结构的白光LED倒装芯片与Ag/T iW金属结构的白光LED倒装芯片的光电性能参数对比参照下表：可以得出，对于DBR结构器件，当发射波长为451.94nm时，其正向电压为3.27V，辐射功率为207.56mW；对于Ag/T iw结构器件，当发射波长为451.63nm时,其正向电压为3.23V,辐射功率为200.37mW；
对比结果表明,25个周期DBR结构的白光LED倒装芯片相对提高了3.59％,证明该DBR结构可以更加有效地提高白光LED的光提取效率；
综上：该DBR结构应用于白光LED倒装结构中作为反光层时，能够有效的提升光线的反射率，有效的提高了白光LED的光提取效率，进一步的达到了提高光反射效率的目的。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (6)
1.一种可提高光反射效果LED灯芯片，包括DBR膜层(1)，对称设在DBR膜层(1)中部的电极扩展条(3)，其特征在于，所述DBR膜层(1)为片状体，所述DBR膜层(1)的中部设置有焊盘电极(2)，所述焊盘电极(2)的中部外侧设有ITO-导电层(5)，所述ITO-导电层(5)的两端均设置有P-GaN层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述电极扩展条(3)包括有负极和正极，所述电极扩展条(3)上的负极处于外侧，所述电极扩展条(3)上的正极处于内侧。
3.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述焊盘电极(2)为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成。
4.根据权利要求2所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述电极扩展条(3)为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成。
5.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述P-GaN层(4)为高阻层，所述P-GaN层(4)表面采取纹理化刻蚀。
6.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述ITO-导电层(5)为透明导电层。
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