CN220665442U - 半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种半导体工艺设备，包括外腔体，外腔体内具有多个反应区域，每一反应区域设置有反应腔体、承载装置、管状的伸缩密封件以及密封驱动机构；反应腔体具有开口；承载装置包括承载晶圆的承载部和可升降的支撑轴；伸缩密封件位于反应腔体的下方，伸缩密封件的第一端与外腔体的内壁固定连接，处于第一状态时，伸缩密封件的第二端与反应腔体的底端贴合密封，隔离其对应的开口与其他开口；处于第二状态时，伸缩密封件的第二端远离开口，避让晶圆进出传输位；密封驱动机构与伸缩密封件的第二端相连，带动伸缩密封件在第一状态和第二状态之间切换。密封驱动机构长时间使用不会影响密封驱动机构的支撑力，保证了工艺位气流场的均匀性和稳定性。

Description

半导体工艺设备

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备。

背景技术

受电子产品的普及、更新换代及国际形势的推动，半导体行业发展迅速，尤其是超大规模集成电路尤为突出。各代工厂急需最优的扩产方案，即产能与占地面积加操作维护成本比值最大化。采用现有单腔室或双腔室扩大产能，相比于大产能多腔室设备势必会增加占地面积和操作维护成本。在此情况下，大产能多腔室设备优势明显，大产能多腔室设备势必会成为各代工厂首要考虑设备。

大产能多腔室设备的关键技术为各个反应腔室的隔离密封结构，以化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)为例，隔离密封结构可保证气流场稳定、均匀，进一步保证成膜的稳定性、均匀性。

现有的隔离密封结构通常采用弹性部件依靠其自身弹力对各个反应腔室进行隔离密封，因此弹性部件的弹力大小是密封效果的关键影响因素。但是，弹性部件在长时间使用后，弹性系数降低，会造成密封效果不足的问题，影响气流场的均匀性和稳定性。

因此，如何保证隔离密封结构的密封效果是本领域技术人员急需解决的技术问题。

实用新型内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备，其能够保证长时间使用后伸缩密封件对反应区域仍有较好的密封效果。

为实现本申请的目的而提供一种半导体工艺设备，包括外腔体，所述外腔体内具有多个反应区域，每一所述反应区域设置有反应腔体、承载装置、呈管状的伸缩密封件以及密封驱动机构；

所述反应腔体的底端具有开口；

所述承载装置包括承载部和可升降的支撑轴，所述承载部用于承载晶圆，所述支撑轴设置在所述承载部的底部，用于支撑所述承载部经所述开口在所述反应腔体内的工艺位和位于所述反应腔体下方的传输位之间升降；

所述伸缩密封件位于所述反应腔体的下方，所述伸缩密封件的第一端与所述外腔体的底部内壁固定连接，所述伸缩密封件处于第一状态时，所述伸缩密封件的第二端与所述反应腔体的底端贴合密封，以隔离其对应的所述开口与其他所述开口；所述伸缩密封件处于第二状态时，所述第二端远离所述开口，以避让所述晶圆进出所述传输位；

所述密封驱动机构与所述伸缩密封件的第二端相连，用于带动所述伸缩密封件在所述第一状态和所述第二状态之间切换。

在一些实施例中，所述伸缩密封件包括同轴设置的伸缩部、第一密封部以及第二密封部；所述伸缩部的两端分别与所述第一密封部和所述第二密封部密封连接，所述第一密封部与所述外腔体的底部内壁密封连接，所述第二密封部远离所述伸缩部的一侧具有用于与所述反应腔体的底端贴合密封的密封面，所述第二密封部还与所述密封驱动机构相连，并能够在所述密封驱动机构的带动下移动。

在一些实施例中，所述外腔体的底部设有贯穿的通孔，所述密封驱动机构包括驱动部、连接部和密封机构；

所述连接部的一端与所述驱动部相连，另一端穿过所述通孔与所述伸缩密封件的第二端固定连接，所述驱动部位于所述外腔体外，用于通过所述连接部带动所述伸缩密封件的第二端移动，所述密封机构用于所述通孔和所述连接部之间密封。

在一些实施例中，所述密封机构包括密封波纹管和密封环，所述密封波纹管套设于所述连接部外周，所述密封波纹管的一端通过所述密封环与所述外腔体的底部外侧壁密封连接，所述密封波纹管远离所述密封环的一端与所述连接部或所述驱动部密封连接。

在一些实施例中，所述连接部包括连接杆和连接盘，所述连接杆穿过所述通孔与所述伸缩密封件的第二端固定连接，所述连接盘位于所述连接杆远离所述伸缩密封件的第二端的一端，并与所述连接杆同轴设置，所述密封波纹管套设于所述连接杆外周，并与所述连接盘密封连接。

在一些实施例中，所述密封驱动机构的数量为2个以上，各个所述密封驱动机构沿所述第二密封部的周向均匀分布。

在一些实施例中，所述密封面中具有沿所述第二密封部的周向延伸的密封槽，所述密封槽中设有第二密封圈。

在一些实施例中，所述第一密封部和所述外腔体的底部内壁之间设有第一密封圈。

在一些实施例中，所述密封环和所述外腔体的底部外侧壁之间设有第三密封圈。

在一些实施例中，还包括气体保护机构，所述外腔体的底端具有贯穿的升降孔，所述支撑轴穿过所述升降孔与所述承载部相连，所述承载装置还包括围绕所述支撑轴设置的基座波纹管，所述基座波纹管一端与所述外腔体的底端密封连接，另一端与所述支撑轴密封连接，所述气体保护机构通过所述基座波纹管向所述伸缩密封件的内侧输送防护气体。一种半导体工艺设备

本申请具有以下有益效果：

本申请提供的半导体工艺设备，包括外腔体，外腔体内具有多个反应区域，每一反应区域设置有反应腔体、承载装置、呈管状的伸缩密封件以及密封驱动机构；反应腔体的底端具有开口；承载装置包括承载部和可升降的支撑轴，承载部用于承载晶圆，支撑轴设置在承载部的底部，用于支撑承载部经开口在反应腔体内的工艺位和位于反应腔体下方的传输位之间升降；伸缩密封件位于反应腔体的下方，伸缩密封件的第一端与外腔体的内壁固定连接，伸缩密封件处于第一状态时，伸缩密封件的第二端与反应腔体的底端贴合密封，以隔离其对应的开口与其他开口；伸缩密封件处于第二状态时，第二端远离开口，以避让晶圆进出传输位；密封驱动机构与伸缩密封件的第二端相连，用于带动伸缩密封件在第一状态和第二状态之间切换。

伸缩密封件处于第二状态时，密封驱动机构的支撑力使伸缩密封件的第二端与反应腔体的底端贴合密封。密封驱动机构的支撑力不会受到使用时间长度的影响，因而能够保证伸缩密封件对其对应的反应区域的密封效果，进而保证了工艺位气流场的均匀性和稳定性。

附图说明

图1为本申请一种具体实施方式中半导体工艺设备的结构示意图；

图2为图1中工艺位的结构示意图；

图3为图1中伸缩密封件的结构示意图；

图4为图1中密封驱动机构的结构示意图；

图5为机械手进入传输腔体的结构示意图；

图6为基座的结构示意图；

图7为机械手与基座配合的结构示意图；

图8为机械手托起晶圆的结构示意图。

其中，图1至图8中的附图标记为：

加热基座1、喷淋头2、喷淋头安装板3、工艺组件4、反应腔体5、传输腔体6、基座波纹管7、基座安装板8、基座升降电机9、连接部10、隔离波纹管11、晶圆12、密封法兰13、连接法兰14、第一密封圈15、第二密封圈16、密封环17、第三密封圈18、密封波纹管19、顶针20、机械手21、密封升降电机22。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本申请的技术方案，下面结合附图来对本申请提供的半导体工艺设备进行详细描述。

本申请所提供的半导体工艺设备，结构如图1所示，包括外腔体，外腔体内具有多个反应区域，每一反应区域设置有反应腔体、承载装置、呈管状的伸缩密封件以及密封驱动机构。其中，反应腔体5的底端具有开口。承载装置包括承载部和可升降的支撑轴，承载部用于承载晶圆12，半导体加工的过程在反应腔体5内完成，反应腔体5内具有工艺位，工艺过程中承载部处于工艺位。反应腔体5的下方具有传输腔体6，传输腔体6通过开口与反应腔体5连通，传输腔体6内具有与工艺位相对应的传输位。承载部位于传输位时，机械手等设备从位于传输位的承载部上取放晶圆12。支撑轴设置在承载部的底部，用于支撑承载部，并带动承载部升降。升降过程中，承载部经反应腔5底端的开口，在承载装置反应腔体内的工艺位和位于反应腔体下方的传输位之间移动。

可选的，加工晶圆12前，承载部位于传输位，机械手21等设备可将晶圆12放置在承载装置的顶针20上。随后支撑轴带动承载部上升，托起晶圆12上升至反应腔体5，反应腔体5顶部设有进气机构。进气机构包括喷淋头2和喷淋头安装板3，喷淋头2通过喷淋头安装板3安装在外腔体上，喷淋头安装板3的中央具有输气孔，喷淋头安装板3和喷淋头2之间形成匀气腔，喷淋头2具有多个出气孔。反应气体由输气孔进入匀气腔后，由各个出气孔进入反应腔体5中，与晶圆12发生反应，保证了反应气体在反应腔体5内均匀分布。反应腔体5还具有沿其侧壁的周向分布的工艺组件4，工艺组件4的内侧壁具有排气孔，多余的工艺气体和反应产物可沿工艺组件4的排气孔和设置在反应腔体5侧壁的排出孔排出反应腔体5。承载部与反应腔体5中的工艺组件4配合密封，减少工艺气体和反应产物泄漏至传输腔体6。

本申请中，伸缩密封件围绕承载部设置。伸缩密封件的第一端与传输腔体6的底部固定连接并密封。加工晶圆12时，伸缩密封件处于第一状态。此时，伸缩密封件的第二端与反应腔体5底端开口的外周贴合密封，伸缩密封件作为隔离密封结构将其对应的反应区域与其他反应区域隔离，保证该反应区域的气流平稳、均匀。晶圆12加工完成后，伸缩密封件变换至第二状态，此时其第二端移动至靠近传输腔体6的底部，第二端的高度低于承载部的上表面，为晶圆12进出工艺位让位，方便机械手21抓取和放置晶圆12。密封驱动机构与伸缩密封件的第二端相连，用于带动伸缩密封件的第二端升降，从而使伸缩密封件在第一状态和第二状态之间切换。

密封驱动机构能够带动伸缩密封件的第二端上升，从而使其与开口的外周贴合密封。密封驱动机构对第二端的支撑力保证了伸缩密封件对工艺位的密封效果，密封驱动机构的支撑力不会受到使用时间和温度等因素的影响，因而解决了隔离密封结构长时间使用造成密封失效的问题。

可选的，伸缩密封件间隔围绕在承载装置的外周。工艺过程中，承载部需要加热晶圆12，承载部可具体为加热基座1。现有技术中隔离密封结构与加热基座的边缘接触，造成加热基座边缘损失一部分热量，影响加热基座的热均匀性。本实施例中，伸缩密封件与加热基座1不接触，避免了加热基座1与伸缩密封件接触散热，进而提高了加热基座1的热均匀性，保证了成膜的稳定性和均匀性。

在一些实施例中，伸缩密封件可包括伸缩部、第一密封部以及第二密封部。如图2和图3所示，伸缩部可为隔离波纹管11，第一密封部可为连接法兰14，第二密封部可为密封法兰13，隔离波纹管11、连接法兰14以及密封法兰13同轴设置。隔离波纹管11的两端分别与连接法兰14和密封法兰13密封连接，连接法兰14与传输腔体6的底部内壁固定连接并密封，密封法兰13远离隔离波纹管11的一侧具有密封面，密封面能够与开口外周贴合密封。密封驱动机构与密封法兰13相连，密封驱动机构能够带动密封法兰13上下移动，从而使伸缩密封件在第一状态和第二状态间切换。

可选的，本申请中，针对每一反应区域，密封驱动机构的数量可为2个以上，每个密封驱动机构均与密封法兰13相连，用于向密封法兰13施加支撑力，使其与开口的外周紧密贴合。各个密封驱动机构沿密封法兰13的周向均匀分布，从而使支撑力在密封法兰13的周向上均匀分布，保证密封法兰13周向上各点均与开口的外周紧密贴合，保证伸缩密封件的密封效果。

进一步的，各个密封驱动机构能够同步升降，进而带动伸缩密封件伸缩。密封驱动机构同步升降能够使密封法兰13升降过程中始终平行开口所在平面，一方面能够使密封法兰13的密封面能够更好地贴合开口的外周，避免密封法兰13倾斜上升，造成密封法兰13周向受力不均的问题。另一方面，密封法兰13平行开口所在平面升降，能够避免密封法兰13因倾斜导致与承载装置等部件发生摩擦，进而减少了加工过程中产生的颗粒，提高了晶圆12加工的成品率。

在一些实施例中，如图2所示，连接法兰14和传输腔体6的底部内壁之间设有第一密封圈15。连接法兰14和传输腔体6的底面固定连接时，挤压第一密封圈15，使其产生弹性变形，进而提高连接法兰14和传输腔体6的底面之间的密封性，避免工艺位内部产生气体泄漏。

可选的，如图2和图3所示，密封法兰13的密封面中具有沿第二密封部的周向延伸的密封槽，密封槽中设有第二密封圈16，第二密封圈16的厚度大于密封槽的深度。密封法兰13与开口的外周贴合时，第二密封圈16受到挤压产生弹性变形，从而提高了密封法兰13与开口的外周之间的密封性。

可选的，如图3所示，密封槽的横截面呈梯形，密封槽的宽度沿远离密封面的方向逐渐增加，密封槽的侧壁能够对第二密封圈16起到限位作用，避免密封圈从密封槽中脱落。当然，密封槽的横截面也可采用其他形状，例如矩形等，在此不做限定。

本实施例中，连接法兰14和传输腔体6的底面之间设有第一密封圈15，密封面的密封槽内设有第二密封圈16。工艺过程中，第一密封圈15和第二密封圈16分别贴合传输腔体6的底面和反应腔体5的开口的外周，第一密封圈15和第二密封圈16提高了伸缩密封件的密封性能，有效隔离工艺位的内侧和外侧，进而保证了工艺过程中气流稳定、均匀，提高了成膜的稳定性和均匀性。

在一些实施例中，如图2和图4所示，传输腔体6的底部设有贯穿的通孔，通孔位于伸缩密封件的外侧。密封驱动机构包括驱动部、连接部10以及密封机构，驱动部位于反应腔体5外侧，连接部10穿设于通孔中，连接部10的一端与驱动部相连，另一端与伸缩密封件的密封法兰13固定连接。驱动部固定设置，用于带动连接部10升降，进而推动密封法兰13升降，实现缩密封件在第一状态和第二状态之间切换。密封机构用于通孔和连接部10之间密封，避免外腔体与外界环境之间发生泄漏。驱动部可具体为密封升降电机22，密封升降电机22可通过丝杠副等传动机构带动连接部10升降。当然，驱动部也可采用气缸或油缸等机构，在此不做限定。

可选的，密封机构包括密封波纹管19和密封环17。如图2和4所示，连接部10与传输腔体6底部的通孔间隙配合，连接部10与通孔的内壁之间间隔一定距离，避免连接部10升降过程中与通孔摩擦产生颗粒。密封波纹管19套设于连接部10外周，密封波纹管19的一端与密封环17相连，另一端与连接部10或驱动部的移动端密封连接，密封环17与外腔体的外侧壁密封连接。密封波纹管19的内侧与外腔体的内部连通，密封波纹管19和密封环17配合将外腔体的内部与外部隔离，实现了连接部10与通孔之间的密封。驱动部的移动端与连接部10相连，并带动连接部10升降。连接部10上升时，密封波纹管19收缩；连接部10下降升时，密封波纹管19拉伸。密封机构在密封驱动机构升降过程中均能有效地密封外腔体，同时密封驱动机构不会与通孔或密封机构摩擦，减少了工艺过程中产生的颗粒，进而提高了晶圆12加工的成品率。当然，密封机构也可采用其他形式，例如填料密封、迷宫密封等，在此不做限定。

可选的，如图4所示，连接部10包括连接杆和连接盘，二者同轴设置，连接盘的直径大于连接杆的直径。连接盘与驱动部固定连接，连接杆穿设在通孔中，连接杆的一端与伸缩密封件的密封法兰13固定连接，连接杆的另一端与连接盘固定连接。密封波纹管19套设在连接杆外周，并与连接盘远离驱动部的一侧密封连接。连接部10设置了连接盘，连接盘的一侧与驱动部相连，另一侧与密封波纹管19相连，提高了连接部10与驱动部和密封波纹管19之间连接的可靠性。

可选的，密封环17和外腔体的外侧壁之间设有第三密封圈18。密封环17可通过螺栓连接等方式与外腔体固定连接，密封环17和外腔体的外侧壁挤压第三密封圈18，使其产生弹性变形，进而提高密封机构的密封效果。

本实施例中，密封驱动机构的连接部10与传输腔体6底面的通孔间隙配合，能够避免连接部10在升降过程中与通孔摩擦，进而减少了颗粒的产生，提高了晶圆12加工的成品率。连接部10的连接盘与外腔体的外侧壁之间通过密封波纹管19相连，实现密封，保证连接部10能够自由升降，同时避免了升降过程中因摩擦产生颗粒。

在一些实施例中，半导体工艺设备还包括气体保护机构。如图2所示，气体保护机构与伸缩密封组件的内侧连通。伸缩密封件的第二端与外腔体的内壁贴合密封时，气体保护机构向伸缩密封件的内侧输送防护气体，防护气体可由工艺组件4的排气孔和反应腔体5侧壁的排出孔排出外腔体。防护气体通常为惰性气体，例如氩气等。防护气体在工艺过程中填充伸缩密封件内部，能够避免反应气体或反应产物进入加热基座1下方，保护隔离波纹管11，避免其受到反应气体或反应产物腐蚀。

可选的，如图2所示，承载装置还包括基座升降电机9、基座波纹管7以及基座安装板8。传输腔体6的底部设有升降孔，支撑轴穿设在升降孔中，支撑轴的下端与基座安装板8固定连接。基座升降电机9固定设置，并通过丝杠副等传动机构与基座安装板8固定连接。基座升降电机9用于通过支撑轴带动加热基座1升降。基座波纹管7套设在支撑轴的外周，基座波纹管7的两端均连有连接环，其中一端通过连接环与外腔体的外侧壁密封连接，另一端通过连接环与基座安装板8密封连接。基座波纹管7能够随加热基座1的上升和下降而收缩和拉伸，保证承载装置与外腔体的密封。另外，支撑轴与升降孔间隙配合，避免加热基座1升降过程中，支撑轴与升降孔摩擦产生颗粒。

可选的，基座安装板8具有沿厚度方向贯穿的进气孔，气体保护机构与进气孔相连，通过进气孔向伸缩密封件内输送防护气体。防护气体依次穿过基座波纹管7、升降孔、伸缩密封件、工艺组件4的排气孔以及反应腔体5侧壁的排出孔排出外腔体，防护气体流动过程中能够阻挡工艺气体和反应产物向传输腔体6流动，形成气体保护，避免传输腔体6腐蚀。

可选的，承载装置还包括顶针20，如图5至图8所示，加热基座1具有沿厚度方向贯穿的顶针孔，顶针20穿设于顶针孔中。顶针20的上端设有限位部，顶针孔的外周设有用于与限位部配合的限位槽。顶针20的长度大于加热基座1的厚度，在加热基座1下降至最底端的时候，顶针20的下端与传输腔体的底部相抵，顶针20的上端支撑晶圆12，从而使晶圆12与加热基座1的上表面之间产生间隙。机械手21可伸入该间隙中，取出加工完成的晶圆12，放置待加工的晶圆12。待加工的晶圆12放置完成后，加热基座1上升，顶针20在重力作用下相对加热基座1向下移动，直至限位部进入限位槽内。此时，晶圆12与加热基座1的上表面贴合。随后，加热基座1继续上升至反应腔体5内，对晶圆12进行加工。

本实施例中，半导体工艺设备设置了气体保护机构，气体保护机构能够在加工过程中向伸缩密封件内侧输送防护气体，在伸缩密封件内形成气体保护，避免伸缩密封件和传输腔体6被反应气体和反应产物腐蚀。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本申请的原理而采用的示例性实施方式，然而本申请并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本申请的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括外腔体，所述外腔体内具有多个反应区域，每一所述反应区域设置有反应腔体、承载装置、呈管状的伸缩密封件以及密封驱动机构；

所述反应腔体的底端具有开口；

所述承载装置包括承载部和可升降的支撑轴，所述承载部用于承载晶圆，所述支撑轴设置在所述承载部的底部，用于支撑所述承载部经所述开口在所述反应腔体内的工艺位和位于所述反应腔体下方的传输位之间升降；

所述伸缩密封件位于所述反应腔体的下方，所述伸缩密封件的第一端与所述外腔体的底部内壁固定连接，所述伸缩密封件处于第一状态时，所述伸缩密封件的第二端与所述反应腔体的底端贴合密封，以隔离其对应的所述开口与其他所述开口；所述伸缩密封件处于第二状态时，所述第二端远离所述开口，以避让所述晶圆进出所述传输位；

所述密封驱动机构与所述伸缩密封件的第二端相连，用于带动所述伸缩密封件在所述第一状态和所述第二状态之间切换。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述伸缩密封件包括同轴设置的伸缩部、第一密封部以及第二密封部；所述伸缩部的两端分别与所述第一密封部和所述第二密封部密封连接，所述第一密封部与所述外腔体的底部内壁密封连接，所述第二密封部远离所述伸缩部的一侧具有用于与所述反应腔体的底端贴合密封的密封面，所述第二密封部还与所述密封驱动机构相连，并能够在所述密封驱动机构的带动下移动。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述外腔体的底部设有贯穿的通孔，所述密封驱动机构包括驱动部、连接部和密封机构；

所述连接部的一端与所述驱动部相连，另一端穿过所述通孔与所述伸缩密封件的第二端固定连接，所述驱动部位于所述外腔体外，用于通过所述连接部带动所述伸缩密封件的第二端移动，所述密封机构用于所述通孔和所述连接部之间密封。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述密封机构包括密封波纹管和密封环，所述密封波纹管套设于所述连接部外周，所述密封波纹管的一端通过所述密封环与所述外腔体的底部外侧壁密封连接，所述密封波纹管远离所述密封环的一端与所述连接部或所述驱动部密封连接。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述连接部包括连接杆和连接盘，所述连接杆穿过所述通孔与所述伸缩密封件的第二端固定连接，所述连接盘位于所述连接杆远离所述伸缩密封件的第二端的一端，并与所述连接杆同轴设置，所述密封波纹管套设于所述连接杆外周，并与所述连接盘密封连接。

6.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述密封驱动机构的数量为2个以上，各个所述密封驱动机构沿所述第二密封部的周向均匀分布。

7.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述密封面中具有沿所述第二密封部的周向延伸的密封槽，所述密封槽中设有第二密封圈。

8.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一密封部和所述外腔体的底部内壁之间设有第一密封圈。

9.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述密封环和所述外腔体的底部外侧壁之间设有第三密封圈。

10.根据权利要求1至9任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括气体保护机构，所述外腔体的底端具有贯穿的升降孔，所述支撑轴穿过所述升降孔与所述承载部相连，所述承载装置还包括围绕所述支撑轴设置的基座波纹管，所述基座波纹管一端与所述外腔体的底端密封连接，另一端与所述支撑轴密封连接，所述气体保护机构通过所述基座波纹管向所述伸缩密封件的内侧输送防护气体。