CN220543020U - 电流传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种电流传感器。电流传感器具备：至少一个磁电转换元件；导体，其在俯视时至少部分包围至少一个磁电转换元件，由至少一个磁电转换元件测量的测量电流流过导体；元件支承部，其由半导体基板构成，通过第一面来支承至少一个磁电转换元件和导体；信号处理IC，其对从至少一个磁电转换元件输出的信号进行处理；密封部，其将至少一个磁电转换元件、导体以及信号处理IC进行密封；以及一对第一引线端子，该一对第一引线端子的一部分在密封部的侧面露出，该一对第一引线端子与导体电连接，用于向导体输入测量电流，并将来自导体的所述测量电流输出。

Description

电流传感器

技术领域

本实用新型涉及一种电流传感器。

背景技术

在专利文献1和专利文献2中公开了一种具有磁电转换元件的电流传感器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6415148号

专利文献2：日本专利第6017182号

实用新型内容

实用新型要解决的问题

在具有磁电转换元件的电流传感器中，由于磁电转换元件的位置存在个体差异，从而由磁电转换元件测量的测量电流的灵敏度产生个体差异，有可能损害电流传感器的品质。

用于解决问题的方案

本实用新型的一个方式所涉及的电流传感器可以具备至少一个磁电转换元件。所述电流传感器可以具备导体，所述导体在俯视时至少部分包围所述至少一个磁电转换元件，由所述至少一个磁电转换元件测量的测量电流流过所述导体。所述电流传感器可以具备元件支承部，所述元件支承部由半导体基板构成，通过第一面来支承所述至少一个磁电转换元件和所述导体。所述电流传感器可以具备信号处理IC(Integrated Circuit：集成电路)，所述信号处理IC对从所述至少一个磁电转换元件输出的信号进行处理。所述电流传感器可以具备密封部，所述密封部将所述至少一个磁电转换元件、所述导体以及所述信号处理IC进行密封。所述电流传感器可以具备一对第一引线端子，所述一对第一引线端子的一部分在所述密封部的侧面露出，所述一对第一引线端子与所述导体电连接，用于向所述导体输入所述测量电流，并将来自所述导体的所述测量电流输出。

所述电流传感器可以具备多个第二引线端子，所述多个第二引线端子的一部分在所述密封部的侧面露出，所述多个第二引线端子与所述信号处理IC电连接。所述电流传感器可以具备IC支承部，所述IC支承部与所述多个第二引线端子中的至少一个第二引线端子一体地构成，所述IC支承部通过与所述第一面相同一侧的面来支承所述信号处理IC。

在任一所述电流传感器中，可以是，所述一对第一引线端子和所述多个第二引线端子在第一方向上隔着所述信号处理IC相向配置。所述导体可以包括俯视时在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此分离的第一部分和第二部分。所述至少一个磁电转换元件可以配置于所述第一部分与所述第二部分之间。所述元件支承部可以通过所述第二方向的两端部分来支承所述第一部分和所述第二部分。可以是，在将所述元件支承部的所述两端部分之间的未支承所述第一部分和所述第二部分的部分的所述第二方向上的距离设为L、将所述元件支承部的厚度设为h的情况下，满足以下关系：L<8×10⁶×h²。

在任一所述电流传感器中，所述元件支承部的厚度h可以在从0.1mm到0.7mm的范围内。

在任一所述电流传感器中，还可以具备粘接层，所述粘接层使所述导体粘接于所述元件支承部的所述第一面。

在任一所述电流传感器中，所述粘接层可以是芯片贴装膜。

在任一所述电流传感器中，所述半导体基板可以是硅基板。

此外，上述的实用新型的概要并未列举出本实用新型的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为实用新型。

通过上述各方式，起到解决上述技术问题的技术效果。

附图说明

图1A是本实施方式所涉及的电流传感器的从顶面侧观察时的示意性的俯视图。

图1B是图1A所示的电流传感器的A-A线截面图。

图2是示出本实施方式所涉及的电流传感器的制造方法的过程的流程图。

图3A是示意性地示出本实施方式所涉及的电流传感器的制造工序的图。

图3B是示意性地示出本实施方式所涉及的电流传感器的制造工序的图。

图3C是示意性地示出本实施方式所涉及的电流传感器的制造工序的图。

图3D是示意性地示出本实施方式所涉及的电流传感器的制造工序的图。

图4是本实施方式的变形例所涉及的电流传感器的导体周边的从顶面侧观察时的示意性的俯视图。

具体实施方式

下面，通过本实用新型的实施方式来说明本实用新型，但是下面的实施方式不用于限定权利要求书所涉及的实用新型。另外，实施方式中说明的特征的全部组合不一定是本实用新型的解决方式所必需的。

电流传感器具备：一次导体，作为测量对象的测量电流流过该一次导体；磁电转换元件，其检测由测量电流引起产生的磁场；以及信号处理IC，其将磁电转换元件的信号放大并输出到外部，其中，通过利用模制树脂对一次导体、磁电转换元件以及信号处理IC进行密封来作为一个半导体封装提供。

例如，在专利文献1中，公开了一种具备U字形状的一次导体、配置于一次导体的开口部的磁电转换元件的电流传感器、以及信号处理IC。支承磁电转换元件的绝缘构件以不与一次导体接触、与支承信号处理IC的支承部的底面接触的方式配置。

另外，在专利文献2中公开了一种同样地具备U字形状的一次导体、配置于一次导体的开口部的磁电转换元件、以及信号处理IC的电流传感器。支承磁电转换元件的绝缘构件以与一次导体的背面接触的方式配置。

在专利文献1和专利文献2所记载的电流传感器中，支承磁电转换元件的绝缘构件由绝缘带或绝缘片构成。然而，由于绝缘构件的刚性低，因此在装配工序中进行树脂的密封时，绝缘构件有可能变形。当绝缘构件变形时，设置于一次导体的开口部的磁电转换元件的位置改变，由磁电转换元件测量的测量电流的灵敏度产生个体差异，有可能损害电流传感器的品质。

另外，制造在专利文献1和专利文献2所记载的那样的电流传感器中使用的绝缘构件的装置不是在一般的后续工序中使用的通用装置，而是专用装置。专用的装置进行以下处理：将绝缘构件剪切为期望的大小并粘附于引线框。由此，为了制造这样的电流传感器，需要对专用装置投资，制造工序会变烦杂，因此会导致成本增加。

因此，在各实施方式中提供一种能够抑制个体间的测量电流的测量灵敏度的差异的、小型且高灵敏度的高品质的电流传感器。除此以外，在各实施方式中，还提供一种能够通过高效的生产来实现降低量产效果所带来的成本的、小型且高灵敏度的电流传感器。

图1A和图1B示出作为实施方式所涉及的电流传感器10发挥功能的半导体封装的内部结构。图1A是实施方式所涉及的电流传感器10的从顶面侧(Z轴方向)观察时的示意性的俯视图。图1B是图1A所示的电流传感器10的A-A线截面图。

关于坐标，在图1A中，将与纸面平行且从下到上的朝向定义为X轴方向，将与纸面平行且从右到左的朝向定义为Y轴方向，将与纸面垂直且从里到外的朝向定义为Z轴方向。X轴、Y轴以及Z轴中的任一轴与其它轴正交。

电流传感器10具备信号处理IC 100、磁电转换元件20、IC支承部112、元件支承部114、导体120、密封部130、一对引线端子140、多个引线端子150以及支承销(日文：吊りピン)160。磁电转换元件20经由线30而与信号处理IC 100电连接。信号处理IC 100经由线108而与多个引线端子150电连接。线30和线108可以由以Au、Ag、Cu或Al为主要成分的导电体材料形成。

密封部130利用模制树脂将磁电转换元件20、导体120、信号处理IC 100、IC支承部112、元件支承部114、线30以及线108进行密封。模制树脂例如可以由添加有二氧化硅的环氧系热固化型树脂构成，通过传递模塑而成形为半导体封装。由于成形为半导体封装，因此能够实现小型的电流传感器10。

磁电转换元件20检测根据流过导体120的测量电流而变化的特定方向的磁场，信号处理IC 100将与磁场的大小相应的信号放大，并经由引线端子150将放大后的信号输出。磁电转换元件20可以由形成于GaAs基板上的化合物半导体构成，并且是在从Z轴方向俯视时以正方形或长方形剪切出的芯片。磁电转换元件20可以具有由硅或化合物半导体构成的基板、以及设置于基板上的磁电转换部。关于基板的厚度，通过对Z轴方向负侧的面进行研磨来进行调整。基板可以具有从50μm到600μm的范围的期望的厚度。由于要检测Z轴方向的磁场，因此霍尔元件作为图示的磁电转换元件是合适的。另外，如果磁电转换元件20配置于检测XY平面上的任一轴方向的磁场的位置，例如，如果配置于检测X轴方向的磁场的位置，则磁阻元件或磁通门元件作为磁电转换元件是合适的。

在本实施方式中，说明电流传感器10具备一个磁电转换元件20的例子。但是，电流传感器10也可以具备两个以上的磁电转换元件20。在俯视时，多个磁电转换元件20各自的至少一部分可以被导体120包围。可以在多个磁电转换元件20的各磁电转换元件20之间配置导体120的一部分。

信号处理IC 100对从磁电转换元件20输出的信号进行处理。信号处理IC 100是大规模集成电路(LSI)。信号处理IC 100在俯视时被剪切为长方形或正方形。信号处理IC 100可以是由形成于Si基板上的Si整体式半导体构成的信号处理电路。也可以替代Si基板而是化合物半导体基板。信号处理电路对与从磁电转换元件20输出的磁场的大小相应的输出信号进行处理。信号处理电路基于输出信号经由引线端子150将表示流过导体120的测量电流的电流值的输出信号输出。关于信号处理IC 100的基板的厚度，通过对Z轴方向负侧的面进行研磨来进行调整。基板具有从50μm到600μm的范围的期望的厚度。信号处理IC 100的信号处理电路中具备输入与磁电转换元件的磁场的大小相应的微小的输出信号且至少将输入信号放大的电路。

导体120在俯视时呈U字形状，在俯视时至少部分包围磁电转换元件20，由磁电转换元件20测量的测量电流流过导体120。导体120与一对引线端子140电连接。导体120可以与一对引线端子140在物理上一体地构成。从一对引线端子140的一个引线端子140输入测量电流，经由导体120从另一个引线端子140输出测量电流。一对引线端子140和导体120可以由以铜为主要成分的导电体材料的引线框一体地构成。由磁电转换元件20测量的测量电流流过一对引线端子140和导体120。导体120具有在密封部130的侧面130a侧开口的狭缝140a。磁电转换元件20配置于狭缝140a内。流过导体120的测量电流沿从U字形状的一个端部到另一个端部的方向流动。由此，在导体120的周围生成与测量电流的大小及离导体120的距离相应的磁场。在配置有磁电转换元件20的位置处产生Z轴方向成分最大的磁场。磁电转换元件20配置于狭缝140a中，因此对于测量电流得到高的灵敏度。

一对引线端子140和多个引线端子150在与信号处理IC 100的厚度方向(Z轴方向)交叉的方向(Y轴方向)上隔着信号处理IC 100相向配置。一对引线端子140的一部分从密封部130的侧面130a露出。多个引线端子150的一部分从密封部130的与侧面130a相反一侧的侧面130b露出。支承销160的一部分从密封部130的与侧面130a及侧面130b不同地在X轴方向上相向的侧面130c及侧面130d露出。支承销160是用于在制造阶段将半导体封装支承于引线框的金属制构件。支承销160是用于在装配工序中对成型出的模制树脂即密封部130进行支承的引线。

多个引线端子150是与信号处理IC 100电连接的金属制构件，支承销160是不与信号处理IC 100电连接的金属制构件。支承销160不同于多个引线端子150。多个引线端子150及支承销160可以与一对引线端子140及导体120一起由以铜为主要成分的导电体材料的引线框构成。多个引线端子150及支承销160与导体120分离，且与导体120电绝缘。

一对引线端子140、导体120、多个引线端子150、IC支承部112以及支承销160可以由以铜为主要成分的导电体材料的单个引线框一体地构成。一对引线端子140是一次侧的引线端子，是一对第一引线端子的一例。多个引线端子150是二次侧的引线端子，是多个第二引线端子的一例。引线框具有从50μm到600μm的范围的期望的厚度。

IC支承部112是板状的构件，通过电流传感器10的顶面侧的面112a来支承信号处理IC 100。IC支承部112是用于搭载信号处理IC 100的焊盘(日文：ランド)。IC支承部112可以与多个引线端子150中的至少一个引线端子一体地构成。在本实施方式中，IC支承部112与多个引线端子150中的在X轴方向上位于两端的引线端子150a及引线端子150b一体地构成。IC支承部112可以与多个引线端子150一起由引线框构成。信号处理IC 100可以经由粘接层116粘接于IC支承部112的面112a。粘接层116可以是粘贴带。

IC支承部112具有以包围导体120的方式朝向一对引线端子140延伸的延长部112c及延长部112d。在延长部112c与延长部112d之间配置有导体120和磁电转换元件20。

但是，也可以是，在俯视时，IC支承部112仅处于比导体120的Y轴方向上的信号处理IC 100侧的端部靠信号处理IC侧的位置。即，IC支承部112也可以不具有延长部112c和延长部112d，不以包围导体120的方式配置。由此，能够容易地在IC支承部112与导体120之间填埋树脂。

元件支承部114由半导体基板构成，通过与IC支承部112的面112a相同一侧的面114a来支承磁电转换元件20和导体120。元件支承部114经由粘接层21及粘接层115粘接于磁电转换元件20，经由粘接层115粘接于导体120。元件支承部114配置为粘接于导体120的Z轴方向负侧的面的一部分，且元件支承部114延伸到磁电转换元件20的位置。元件支承部114与导体120接触，因此导体120不具有台阶。构成元件支承部114的半导体基板可以是硅基板或化合物半导体基板。半导体基板的厚度可以在从100μm到700μm的范围内。由于也依赖于半导体基板的尺寸，因此半导体基板也可以具有不裂开的程度的适当的厚度。粘接层21和粘接层115可以是芯片贴装膜。

在俯视时，粘接层21、粘接层115及粘接层116的尺寸可以是与磁电转换元件20、元件支承部114及信号处理IC 100相同的尺寸。粘接层21、粘接层115以及粘接层116既可以是由非导电性树脂构成的芯片贴装膜，也可以是由导电性树脂构成的芯片贴装膜。非导电性树脂可以是环氧系或硅系树脂。导电性树脂可以是在环氧系树脂中混合有Ag的填料的树脂。粘接层21、粘接层115以及粘接层116具有从1μm到50μm的范围的期望的厚度。粘接层21、粘接层115以及粘接层116也可以是由导电性或非导电性构成的糊剂。

导体120包括在X轴方向上分离的第一部分120a和第二部分120b。即，导体120包括在俯视时分离的第一部分120a和第二部分120b。磁电转换元件20配置于第一部分120a与第二部分120b之间。元件支承部114通过X轴方向上的两端部分来支承第一部分120a和第二部分120b。将元件支承部114的两端部分之间的未支承第一部分120a和第二部分120b的部分的长边即X轴方向上的距离设为L(m)，将元件支承部114未支承导体120的短边即Y轴方向上的距离设为b(m)，将元件支承部114的厚度设为h(m)。在对元件支承部114的配置磁电转换元件20的位置沿Z轴方向的负方向施加了荷重P(N)时，与三点弯曲试验相同地，用下式(1)表示在元件支承部114产生的应力σ(Pa)。

σ＝(2/3)×(PL/bh²)…(1)

在此，可知在元件支承部114为硅基板时，硅基板的断裂应力σ_b的实验值约为400MPa。例如，在以100gf(≈100×10^-4N)使霍尔元件与硅基板进行芯片接合时，只要在硅基板所产生的应力σ比断裂应力小的范围内进行该芯片接合，就能够不使硅基板破裂地执行装配。在此，当将硅基板的短边的宽度b设为与霍尔元件的最小宽度同等的0.3mm时，得到L与h之间的关系式(2)。

σ＝(2/3)×((100×10-⁴)×L/(0.3×10-³)×h²)<(400×10⁶)＝σ_b

由此，L<8×10⁶×h²…(2)

在使关系式(2)成立的L和h的范围内，能够抑制霍尔元件的位置偏移来执行稳定的装配。

即，优选的是，在将元件支承部114的两端部分之间的未支承第一部分120a和第二部分120b的部分的长边即X轴方向上的距离设为L、将元件支承部114的厚度设为h的情况下，满足L<8×10⁶×h²。

在此，还可知在元件支承部114为GaAs基板时，GaAs基板的断裂应力σ_b的实验值约为100MPa。因而，如果将上述的(400×10⁶)替换为(100×10⁶)，则得到L与h之间的关系式(A)，因此，更优选满足L<2×10⁶×h²。

L<2×10⁶×h²…(A)

另一方面，元件支承部114的两端部分之间的未支承第一部分120a和第二部分120b的部分的长边即X轴方向上的距离L必须大于引线框的裁切加工的最小宽度。因而，引线框的裁切加工的最小宽度与引线框的厚度t_LF为相同程度，因此得到L与t_LF之间的关系式(B)。

t_LF<L…(B)

根据本实施方式所涉及的电流传感器，支承磁电转换元件20的元件支承构件由具有刚性的半导体基板构成，因此能够防止元件支承构件变形，从而磁电转换元件20的位置稳定。由此，能够抑制由磁电转换元件20测量的测量电流的灵敏度产生个体差异，并能够使电流传感器10的品质提高。

图2是示出本实施方式所涉及的电流传感器10的制造方法的过程的流程图。图3A、图3B、图3C以及图3D是示意性地示出本实施方式所涉及的电流传感器10的制造工序的图。

首先，对半导体晶圆进行切割，来使作为元件支承部114的硅基板单片化(S100)。可以通过在后续工序中使用的背面研磨装置对硅晶圆进行研磨，使得成为期望的厚度，之后，通过在后续工序中使用的切割装置来进行切断，使得成为期望的尺寸，由此制作作为元件支承部114的硅基板。在切割时，当对切割带使用芯片贴装膜时，同时形成元件支承部114和作为粘接层115的芯片贴装膜。

并且，对信号处理IC 100的晶圆进行切割来使信号处理IC 100单片化(S102)。除此以外，还对磁电转换元件20的晶圆进行切割来使磁电转换元件20单片化(S104)。在信号处理IC 100的单片化的工序中，通过背面研磨装置对信号处理IC 100的晶圆进行研磨，使得成为期望的厚度，之后，通过切割装置来进行切断，使得成为期望的尺寸，由此制作信号处理IC 100。在切割时，在对切割带使用芯片贴装膜的情况下，同时形成信号处理IC 100和作为粘接层116的芯片贴装膜。另外，在磁电转换元件20的单片化的工序中，通过背面研磨装置对磁电转换元件20的晶圆进行研磨，使得成为期望的厚度，之后，通过切割装置来进行切断，使得成为期望的尺寸，由此制作磁电转换元件20。在切割时，在对切割带使用芯片贴装膜的情况下，同时形成磁电转换元件20和作为粘接层21的芯片贴装膜。

如图3A所示，包括导体120、IC支承部112、引线端子140、引线端子150以及支承销160的引线框200在导体120的部分不设置台阶，平坦地形成。在此，在引线框200中，将元件支承部114的支承导体120的面114a定义为第一面，将与第一面相反一侧的面定义为第二面114b。作为元件支承部114的硅基板经由粘接层115通过芯片接合粘接于引线框200的与第二面相同一侧的面的导体120的部分(S106)。在芯片接合后，期望进行硬化以使粘接层115粘着于导体120。

接下来，如图3B所示，信号处理IC 100经由粘接层116通过芯片接合而粘接于引线框200的与第一面相同一侧的面的IC支承部112的部分，并且磁电转换元件20经由粘接层21通过芯片接合以俯视时导体120至少部分包围磁电转换元件20的方式粘接于引线框200的元件支承部114的第一面(S108)。在芯片接合后，信号处理IC 100的粘接层116粘着于IC支承部112，因此，期望进行固化。另外，在芯片接合后，期望进行硬化以使磁电转换元件20的粘接层21粘着于元件支承部114。

并且，通过线接合将信号处理IC 100与磁电转换元件20电连接，并且，通过线接合将信号处理IC 100与二次侧的引线端子150电连接(S110)。

如图3C所示，在树脂密封的工序中，通过利用模制树脂将包括IC支承部112、引线端子140、引线端子150及支承销160的引线框200、磁电转换元件20、元件支承部114以及信号处理IC 100进行密封来形成密封部130(S112)。另外，在树脂密封的工序中，安装元件支承部114、磁电转换元件20以及信号处理IC 100，通过线30及线108进行了电连接的引线框200夹在树脂密封模具71与树脂密封模具72之间，通过流入的模制树脂而固定。在密封后，期望进行硬化以使模制树脂充分固化。

如图3D所示，使密封后的电流传感器单片化(S114)，将引线端子140和引线端子150裁切为期望的长度，并以使引线成形为期望的形状的方式实施引线成形(S116)。由此，本件实施方式所涉及的电流传感器10完成。

如以上那样，电流传感器10的制造方法能够全部通过后续工序的设备来处理，因此，不需要投资专用设备，能够高效地生产电流传感器10，能够削减量产效果带来的成本。

图4是本实施方式的变形例，示出作为仅表示出导体120的周边的电流传感器10发挥功能的半导体封装的内部结构。图4是本实施方式的变形例所涉及的电流传感器10的从顶面侧(Z轴方向)观察时的示意性的俯视图。

如图4所示，本实施方式的变形例的电流传感器10形成为将两个磁电转换元件20及40配置于导体120的附近。磁电转换元件20经由线30而与信号处理IC 100电连接，磁电转换元件40经由线50而与信号处理IC 100电连接。磁电转换元件20处于狭缝140a内，且配置于元件支承部114的顶面侧的面114a上。另外，磁电转换元件40相对于导体120处于在X轴方向上与磁电转换元件20相向的位置，且配置于元件支承部114的顶面侧的面114a上。

通过这样，当沿着图示的箭头的朝向供给要在导体120中流通的测量电流时，在磁电转换元件20的位置处沿Z轴方向正侧的朝向产生磁场，在磁电转换元件40的位置处沿Z轴方向负侧的朝向产生磁场。磁电转换元件20及40的输出电压得到正电压和负电压、或者负电压和正电压。因而，信号处理电路当运算磁电转换元件20及40的输出电压之差时，得到与电流的大小相应的信号。另一方面，对于外部磁场、例如地磁，磁电转换元件20及40的输出电压得到相同的正电压、或相同的负电压，因此，通过运算差而被抵消。电流传感器10对于测量电流得到更高的灵敏度，并且对于外部噪声得到强的抗扰性。

以上，使用实施方式说明了本实用新型，但是本实用新型的技术范围不限于上述实施方式所记载的范围。本领域技术人员应当清楚的是，能够对上述实施方式施加多种变更或改良。根据权利要求书的记载可以明确的是，施加了这种变更或改良所得到的方式也能够包含在本实用新型的技术范围内。

应当注意的是，关于权利要求书、说明书以及附图中示出的装置、系统、程序以及方法中的动作、过程、步骤以及阶段等各处理的执行顺序，只要没有特别注明“先于…”、“在…之前”等、并且不是在后面的处理中使用前面的处理的输出，就能够以任意的顺序实现。关于权利要求书、说明书以及附图中的动作流程，为了方便而使用“首先，”、“接着，”等来进行了说明，但是并不意味着必须以该顺序来实施。

附图标记说明

10：电流传感器；20、40：磁电转换元件；30、50、108：线；100：信号处理IC；112：IC支承部；114：元件支承部；115、116：粘接层；120：导体；130：密封部；140、150：引线端子；160：支承销；200：引线框。

Claims (7)

1.一种电流传感器，其特征在于，具备：

至少一个磁电转换元件；

导体，其在俯视时至少部分包围所述至少一个磁电转换元件，由所述至少一个磁电转换元件测量的测量电流流过所述导体；

元件支承部，其由半导体基板构成，通过第一面来支承所述至少一个磁电转换元件和所述导体；

信号处理集成电路，其对从所述至少一个磁电转换元件输出的信号进行处理；

密封部，其将所述至少一个磁电转换元件、所述导体以及所述信号处理集成电路进行密封；以及

一对第一引线端子，所述一对第一引线端子的一部分在所述密封部的侧面露出，所述一对第一引线端子与所述导体电连接，用于向所述导体输入所述测量电流，并将来自所述导体的所述测量电流输出。

2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，还具备：

多个第二引线端子，所述多个第二引线端子的一部分在所述密封部的侧面露出，所述多个第二引线端子与所述信号处理集成电路电连接；以及

集成电路支承部，其与所述多个第二引线端子中的至少一个第二引线端子一体地构成，所述集成电路支承部通过与所述第一面相同一侧的面来支承所述信号处理集成电路。

3.根据权利要求2所述的电流传感器，其特征在于，

所述一对第一引线端子与所述多个第二引线端子在第一方向上隔着所述信号处理集成电路相向配置，

所述导体包括俯视时在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此分离的第一部分和第二部分，

所述至少一个磁电转换元件配置于所述第一部分与所述第二部分之间，

所述元件支承部通过所述第二方向上的两端部分来支承所述第一部分和所述第二部分，

在将所述元件支承部的所述两端部分之间的未支承所述第一部分和所述第二部分的部分的所述第二方向上的距离设为L、将所述元件支承部的厚度设为h的情况下，满足以下关系：

L<8×10⁶×h²。

4.根据权利要求3所述的电流传感器，其特征在于，

所述元件支承部的厚度h在从0.1mm到0.7mm的范围内。

5.根据权利要求2～4中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，

还具备粘接层，所述粘接层使所述导体粘接于所述元件支承部的所述第一面。

6.根据权利要求5所述的电流传感器，其特征在于，

所述粘接层是芯片贴装膜。

7.根据权利要求1～4中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，

所述半导体基板是硅基板。