CN220475743U - 兼容4g和5g多频段的射频功率放大器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，包括：4G放大器单元，5G放大器单元，以及4G/5G控制电路，其被配置为为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供偏置电压，并且为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供控制逻辑，其中，所述4G放大器单元被配置为能够在MLB频段下工作。

Description

兼容4G和5G多频段的射频功率放大器

技术领域

本实用新型涉及射频功率放大器，并且具体地，涉及兼容5G和4G多频段的射频功率放大器。

背景技术

射频功率放大器芯片(Power Amplifier，PA)是手机智能终端中重要的元件，其主要功能是将数据信号加载到特定载波频点，然后将信号放大到一定的功率，满足远端的基站的接收要求，以保持数据传输的稳定。

在当前主流的4G和5G通信网络中，手机终端都支持多模式多频段。4G手机的多模式包括GSM、CDMA、CDMA2000、WCDMA、TD-SCDMA、TD-LTE、FDD-LTE；5G手机的多模式在4G的基础上，还包括了NR模式，其又细分为NSA和SA两种不同的组网模式。4G通信网络中使用的频段主要集中在660M到2700M之间，当前的5G阶段使用的通信频段主要集中在660M到6000M范围内(为了表示方便，这里的660M代表660MHz，以下同理)，也就是通常所说的Sub-6GHz。

在660M到2700M频段范围内，通常将4G和5G的射频功率放大器集成在一颗芯片上实现，这里将这种芯片叫做多模多频射频模组(Multimode Multiband(MMMB)PowerAmplifier(PA))芯片。通常地，该芯片支持的4G LTE的Band频段包括B1、B2、B3、B4、B5、B7、B8、B9、B12、B13、B17、B20、B25、B26、B28、B30、B34、B38、B39、B40、B41、B66、B77并且其支持的5G NR的频段包括N1、N2、N3、N5、N7、N8、N20、N25、N28、N40、N41、N66、N71。

在世界的部分地区，比如日本、东南亚或者北美等部分地区，还会使用频率范围在1428M到1468M的Band频段B11和B21及频率范围在1626M到1660M的Band频段B24。如果手机等终端不支持B11、B21和B24频段，则当其处于该地区时会存在无法使用B11、B21和B24频段进行网络通信的问题。通常地，需要在手机内部单独外加一颗射频功率放大器，来支持这三个频段。由此不仅增加了手机芯片的整体成本，还增加了手机板内布局布线的技术难度。为了方便表述，以下将B11、B21和B24频段，简称MLB频段。

实用新型内容

本实用新型的一方面提供一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，通过4G/5G控制电路实现对在MLB频段下进行工作。该方案具有易集成的特点，降低多芯片PCB板级布局布线的难度，同时降低了终端中射频模块的芯片数量和整体成本。

本实用新型的一方面提供一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，包括：4G放大器单元，5G放大器单元，以及4G/5G控制电路，其被配置为为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供偏置电压，并且为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供控制逻辑，其中，所述4G放大器单元被配置为能够在MLB频段下工作。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述4G频段包括B1、B2、B3、B4、B5、B7、B8、B12、B20、B34、B38、B39、B40、B41以及MLB频段，以及其中，所述5G频段包括N1、N2、N3、N4、N5、N7、N8、N12、N20、N34、N38、N39、N40、N41、N77、N78、N79。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，4G放大器单元包括MLB射频功率放大器和MB射频功率放大器，其中，所述MLB射频功率放大器包括超带宽MLB功率单元并且MB射频功率放大器包括超带宽MB功率单元，所述超带宽MLB功率单元和所述超带宽MB功率单元被配置在同一个管芯中。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述MLB功率放大器功率单元包括：MLB阻抗匹配电容器、MLB偏置电阻器、MLB射频电阻器、MLB功率晶体管、MLB片上输出匹配电容器和MLB片上偏置电流生成电路；所述MB功率放大器功率单元包括：MB阻抗匹配电容器、MB偏置电阻器、MB射频电阻器、MB功率晶体管、MB片上输出匹配电容器和MB片上偏置电流生成电路。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述MLB片上输出匹配电容器通过多个片上电容器并联形成，以及所述MB片上输出匹配电容器通过多个片上电容器并联形成；并且其中，所述MLB射频电阻器的电阻值被配置为0欧姆到10欧姆的范围，并且所述MB射频电阻器的电阻值被配置为0欧姆到10欧姆的范围。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，4G放大器单元还包括MLB基板匹配网络和MB基板匹配网络，其中，所述MLB基板匹配网络包括由键合线和基板迹线形成的电感器和贴片电容器形成的MLB可调谐匹配网络以及由键合线和基板迹线形成的MLB扼流电感器；以及所述MB基板匹配网络包括由键合线和基板迹线形成的电感器和贴片电容器形成的MB可调谐匹配网络以及由键合线和基板迹线形成的MB扼流电感器。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述4G/5G控制电路被配置为为MLB射频功率放大器提供低静态工作点的参考电压，并且为MB射频功率放大器提供高静态工作点的参考电压。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述MLB射频功率放大器还包括频段开关，所述频段开关被配置为对所述MLB射频功率放大器放大后的射频信号进行选择。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述射频功率放大器通过LGA封装方式来封装。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，在所述MLB射频功率放大器和所述MB射频功率放大器之间配置有基板通孔列阵。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，通过所述MLB扼流电感器来为MLB射频功率放大器提供供电电压，以及通过所述MB扼流电感器来为MB射频功率放大器提供供电电压，并且其中，所述MLB扼流电感器和MB扼流电感器之间的间距L被配置为大于第一阈值距离。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述MLB扼流电感器和所述MB扼流电感器被配置为靠近基板通孔列阵来布置。

本实用新型的一方面提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其中，所述由键合线和基板迹线形成的电感器被配置为在超带宽MLB功率单元和超带宽MB功率单元的同一侧。

附图说明

图1是示出了现有的4G/5G双模式的多模多频射频模组的示意图；

图2是示出了根据本实用新型实施例的MLB射频功率放大器示意图；

图3是示出了根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器的电路图；

图4是示出了根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器的工作条件的示意图；

图5是示出了根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器的布局示意图；

图6是示出了根据本实用新型实施例的集成了MLB射频功率放大器的4G/5G双模式的多模多频射频模组的示意图；

图7是示出了根据本实用新型实施例的4G/5G双模式的多模多频射频模组的LGA封装的示意图；

图8是示出了根据本实用新型另一实施例的集成了MLB射频功率放大器的4G/5G双模式的多模多频射频模组的示意图；以及

图9是是示出了根据本实用新型另一实施例的4G/5G双模式的多模多频射频模组的LGA封装的示意图。

具体实施方式

在进行下面的详细描述之前，阐述贯穿本专利文件使用的某些单词和短语的定义可能是有利的。术语“耦接”“连接”及其派生词指两个或多个元件之间的任何直接或间接通信或者连接，而无论那些元件是否彼此物理接触。术语“传输”、“接收”和“通信”及其派生词涵盖直接和间接通信。术语“包括”和“包含”及其派生词是指包括但不限于。术语“或”是包含性的，意思是和/或。短语“与……相关联”及其派生词是指包括、包括在……内、互连、包含、包含在……内、连接或与……连接、耦接或与……耦接、与……通信、配合、交织、并列、接近、绑定或与……绑定、具有、具有属性、具有关系或与……有关系等。术语“控制器”是指控制至少一个操作的任何设备、系统或其一部分。这种控制器可以用硬件、或者硬件和软件和/或固件的组合来实施。与任何特定控制器相关联的功能可以是集中式的或分布式的，无论是本地的还是远程的。短语“至少一个”，当与项目列表一起使用时，意指可以使用所列项目中的一个或多个的不同组合，并且可能只需要列表中的一个项目。例如，“A、B、C中的至少一个”包括以下组合中的任意一个：A、B、C、A和B、A和C、B和C、A和B和C。

贯穿本专利文件提供了其他特定单词和短语的定义。本领域普通技术人员应该理解，在许多情况下，即使不是大多数情况下，这种定义也适用于这样定义的单词和短语的先前和将来使用。

在本专利文件中，模块的应用组合以及子模块的划分层级仅用于说明，在不脱离本公开的范围内，模块的应用组合以及子模块的划分层级可以具有不同的方式。

图1是示出了现有的4G/5G双模式的多模多频射频模组的示意图。

当前在手机等终端内使用的多模多频射频模组(MMMB PA)，可以同时支持4G和5G的通信网络，其内部基本结构如图1所示。参考图1，该多模多频射频模组主要包括四大模块部分：第一部分为高频段射频功率放大器和接收发开关；第二部分为中频段射频功率放大器和发射开关；第三部分为低频段输入切换开关、射频功率放大器和发射开关；以及第四部分为数字逻辑控制器，其被配置为为各个射频功率放大器提供偏置电流和控制逻辑。

从输入输出端口角度来看，多模多频射频模组中包括RFIN_H、RFIN_M、RFIN_L三个主要频段的输入端口；HB1、HB2、HB3、HB4四个高频段的输出端口；MB1、MB2、MB3、MB4、MB5五个中频段的输出端口；LB1、LB2、LB3、LB4、LB5五个低频段的输出端口；T/R1、T/R2两个接收端口以及SDATA、SCLK、VIO三个MIPI写入端口和VBATT电源端口。

参考图1，该多模多频射频模组的HB可以支持频率范围在2300M到2700M之间，MB可以支持频率范围在1700M到2020M之间，LB可以支持频率范围在660M到915M之间。但是，其不能支持频率范围在1428M到1468M的B11和B21，也不能支持频率范围在1626M到1660M的B24。

如果手机等终端设备需要涵盖对频段B11、B21和B24三个频段(Band)的服务支持，就需要在原有MMMB PA的基础上，在外围单独增加一颗卫星PA，这样增加了整体手机方案的设计和制造成本。同时，单独增加的延长走线也会增加射频链路上的功率损耗，使得该三个频段的工作电流增大，同时线性度等性能参数也会受到一定的影响。

常规的多模多频射频模组，不能支持频率范围在1428M到1468M的B11和B21，也不能支持频率范围在1626M到1660M的B24，这样限制了其在全球的应用范围。因此手机等终端要涵盖对频段B11、B21和B24三个频段的支持，则需要在主PA的周围再外加一颗卫星PA，来补充这个频率范围的应用。根据本实用新型的实施例，通过将B11、B21和B24三个频段(Band)集成到常规的多模多频射频模组一颗芯片内，使得具有更灵活更广泛的地区适应性，同时也降低了射频链路在手机内部的集成度。

图2是示出了根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器示意图。

参考图2，B11、B21和B24三个频段的射频信号由U1 MLB射频功率放大器的RFIN_ML端口进入驱动级，驱动级由VCC1供电，Verf3来提供偏置(bias)电流；射频信号经过驱动级放大后，再由功率级放大，功率级由VCC2供电，Verf4来提供偏置(bias)电流。最后射频信号由频段开关进行选择，其分别对应MLB1和MBL2端口。两个输出端口，可以对B11、B21和B24两两进行任意组合。

同理，MB频段信号由RFIN_M输入其驱动级，由U2 MB射频功率放大器进行放大，最后从MB1-MB5五个端口进行选择输出功率。

为了使得U1 MLB射频功率放大器和U2 MB射频功率放大器能够复用同一个管芯中，根据本实用新型实施例的多模多频射频模组采用超宽带设计方案。以使得超带宽功率放大器功率单元可以满足MB和MLB的所有频段覆盖。

此外，根据本实用新型实施例的多模多频射频模组采用超带宽GaAs HBT功率放大器功率单元，以满足MB和MLB的所有频段覆盖。

根据本实用新型实施例的，可以满足从频段1428M(B11最低频)到2025M(B34最高频)，总计约600M带宽的覆盖。

图3是示出了根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器的电路图。

参考图3，图3中的左侧示出了MLB和MB射频功率放大器的示意图，并且其右侧示出了左图虚线框内(驱动级放大器)的电路结构的实现方案。其包括超带宽GaAs HBT(MBL-MB)功率放大器功率单元(UWB功率单元)、MLB基板匹配网络和MB基板匹配网络。通过使用超带宽结构，使得U1 MLB射频功率放大器和U2 MB射频功率放大器能够复用在同一个GaAs HBT管芯中。

根据本实用新型的实施例，超带宽GaAs HBT(MBL-MB)功率放大器功率单元包括：阻抗匹配电容C、偏置电阻Res_DC、射频电阻Res_RF、功率晶体管HBT、片上输出匹配电容(其通过C1-C4组成)和片上偏置电流生成电路。射频电阻Res_RF的电阻值被配置为0欧姆到10欧姆的范围，通过加大该电阻值，有助于提升功率单元的带宽。

根据本实用新型的实施例，通过采用4组电容器C1-C4并联的方式来形成片上输出匹配电容，并且其与基板上的网络匹配元件形成高Q值网络，以实现MB的输出匹配网络。此外，通过该4组电容器也起到了很好的隔直作用。

根据本实用新型的实施例，MB基板上匹配网络包括：通过两组键合线(Bondingwire)和顶层基板迹线(Trace)形成的L1和L2电感器、两组键合线Bonding wire和顶层基板迹线Trace形成的L3电感器、两组键合线Bonding wire和顶层基板迹线Trace形成的L4和L5电感器和由基板上的贴片电容器C5和片上电容器C6组成的可调谐匹配网络，以及两组键合线Bonding wire和顶层基板迹线Trace形成的L6扼流(choke)电感器。例如，可以通过调整L2电感器和片上电容器C6的开关状态，来对MB输出匹配网络的阻抗进行调整。

根据本实用新型实施例，由于U1和U2的管芯(die)可以复用，这里的MLB输出匹配网络，使用相同的C1-C4电容器,并且采用4组并联电容方案。

根据本实用新型实施例，MLB基板上匹配网络包括：通过两组键合线(Bondingwire)和顶层基板迹线(Trace)形成的L7和L8电感器、两组键合线Bonding wire和顶层基板迹线Trace形成的L9电感器、两组键合线Bonding wire和顶层基板迹线Trace形成的L10和L11电感器和由基板上的贴片电容器C7和片上电容器C8组成的可调谐匹配网络，以及通过两组键合线Bonding wire和顶层基板迹线Trace形成的L12扼流choke电感器。例如，通过调整L8电感器和片上电容器C8的开关状态，可以对MLB输出匹配网络的阻抗进行调整。

图4是示出了根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器的工作条件的示意图。

参考图4，超带宽GaAs HBT(MBL-MB)功率放大器功率单元采用双静态工作点设计，以实现对MLB频段和MB频段的支持。

为了对MB频段的支持，采用高静态工作点方案，即，驱动级和功率级分别通过CMOS控制器来提供参考电压Vref1和Vref2，对驱动级和功率级供电。高静态工作点可以给MB频段提供更高的线性增益。

为了对MLB频段的支持，采用低静态工作点方案，即，驱动级和功率级分别通过CMOS控制器来提供参考电压Vref3和Vref4，对驱动级和功率级供电。由于MLB频段频率更低一些，寄生参数更小，在低静态工作点仍可以提供较高的线性增益，从而可以满足设计指标的要求。

根据本实用新型的实施例，在U1和U2管芯(die)复用的情况下，采用双静态工作点设计，可以通过CMOS控制器提供不同的参考电压，实现超带宽GaAs HBT(MBL-MB)功率放大器功率单元分别对MLB频段和MB频段的支持。

图5是示出了根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器的布局示意图。

根据本实用新型的实施例的MLB和MB射频功率放大器支持MLB和MB频段的同时发射功率的载波聚合模式，即，对MLB频段中的B11、B21和B24和MB频段中的B1、B2、B3、B4等进行两两频段组合的CA发射模式。为了解决CA发射模式下，两频段之间的互扰问题，根据本实用新型实施例的MLB和MB射频功率放大器进行了单独优化和设计，如图5所示。

参考图5，在MLB和MB射频功率放大器的之间增加基板通孔(Through Holes)列阵，进行物理层隔离。

根据本实用新型的实施例，采用不同的供电电源管脚(pin)，对MLB和MB射频功率放大器进行直流供电。MLB采用VCC2电源pin，MB采用VCC2-2电源pin。

根据本实用新型的实施例，将基板上MLB电源扼流(choke)走线(L12)和MB电源choke走线(L6)的间距L配置为大于第一阈值距离，例如，将该间距L配置为至少大于500um以上。

根据本实用新型的实施例，在基板布局上将MLB电源choke走线(L12)配置为靠近基板通孔，例如，其被配置在基板通孔和L9电感器之间，这样增加了L9电感器向下的射频辐射到MB射频功率放大器的阻抗层。同理，在基板布局上将MB电源choke走线(L6)配置为靠近基板通孔，例如，在基板通孔和L3电感器之间，这样增加了L3电感器向上的射频辐射到MLB射频功率放大器的阻抗层。从而起到MLB和MB射频功率放大器之间更好的物理隔离作用。

根据本实用新型的实施例，在基板布局上，由键合线和基板迹线形成的电感器，例如，MLB输出匹配电感器L7和L8与MB输出匹配电感器L1和L2的方向被配置为是一致的。即，在基板上同时在U1和U2管芯的上面，或者在基板上同时在U1和U2管芯的下面。

图6示出了根据本实用新型实施例的集成了MLB射频功率放大器的4G/5G双模式的多模多频射频模组的示意图。

参考图6，通过将两级结构的MLB射频功率放大器与多模多频射频模组集成在一起，来实现对4G/5G双模式的支持。MLB频段射频信号，由RFIN_ML端口输入，在内部经过两级结构的MLB射频功率放大器放大后，在射频输出端，由MLB1和MLB2两个端口进行输出，其中，通过单端双掷开关来形成频段开关。集成的单端双掷开关在实际应用中更为灵活，从而降低了设计难度。

图7是示出了根据本实用新型实施例的4G/5G双模式的多模多频射频模组的LGA封装的示意图。

参考图7，采用LGA封装方式来实现4G/5G双模式的多模多频射频模组芯片，并且其背面对应的管脚(Pin)端口如图4所示。其中，4G/5G双模式的多模多频射频模组芯片包括：RFIN_H、RFIN_ML、RFIN_M、RFIN_L四个频段的输入端口；HB1、HB2、HB3、HB4四个高频段的输出端口；MLB1和MLB2两个中低频段的输出端口；MB1、MB2、MB3、MB4、MB5五个中频段的输出端口；LB1、LB2、LB3、LB4、LB5五个低频段的输出端口；T/R1、T/R2两个接收端口以及SDATA、SCLK、VIO三个MIPI写入端口和VBATT电源端口。

根据本实用新型的实施例，在4G/5G双模式的多模多频射频模组芯片的射频输入端增加了RFIN_ML端口，并且在射频输出端增加了MLB1和MLB2两个端口。这样，其他端口和原常规多模多频射频模组保持一致，这样既可以兼容原模组的端口，和原射频模组进行替换使用，又同时可以支持了MLB频段。

图8是示出了根据本实用新型另一实施例的集成了MLB射频功率放大器的4G/5G双模式的多模多频射频模组的示意图。

在一些应用场景中，仅需要单独一个MLB输出端口，对B11、B21和B24中的一个频段进行输出。根据本实用新型的另一个实施例，在4G/5G双模式的多模多频射频模组芯片中不需要MLB的射频选择开关，而仅通过MLB端口进行射频输出。该种4G/5G双模式的多模多频射频模组芯片被应用于仅有B11、B21和B24中的仅一个频段的应用情况的某些地区。

图9是示出了根据本实用新型另一个实施例的4G/5G双模式的多模多频射频模组的LGA封装的示意图。

参考图9，采用LGA封装方式来实现4G/5G双模式的多模多频射频模组芯片，并且其背面对应的管脚(Pin)端口如图6所示。其中，4G/5G双模式的多模多频射频模组芯片包括：RFIN_H、RFIN_ML、RFIN_M、RFIN_L四个频段的输入端口；HB1、HB2、HB3、HB4四个高频段的输出端口；MLB中低频段的输出端口；MB1、MB2、MB3、MB4、MB5五个中频段的输出端口；LB1、LB2、LB3、LB4、LB5五个低频段的输出端口；T/R1、T/R2两个接收端口以及SDATA、SCLK、VIO三个MIPI写入端口和VBATT电源端口。相较于需要两个中低频段的输出端口的应用场景，根据本实施例的装置

通过在同一芯片上集成4G/5G功率放大器单元，根据本实用新型的实施例降低了整体模块的芯片数量和整体成本，并且易于集成和大规模量产实施。

尽管已经用示例性实施例描述了本公开，但是可以向本领域技术人员建议各种改变和修改。本公开旨在涵盖落入所附权利要求范围内的这种改变和修改。

本实用新型中的任何描述都不应被理解为暗示任何特定的元件、步骤或功能是必须包括在权利要求范围内的必要元件。专利主题的范围仅由权利要求限定。

Claims (13)

1.一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，其特征在于，包括：

4G放大器单元，

5G放大器单元，以及

4G/5G控制电路，其被配置为为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供偏置电压，并且为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供控制逻辑，

所述4G放大器单元被配置为能够在MLB频段下工作，所述MLB频段包括B11、B21和B24频段。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，4G频段包括B1、B2、B3、B4、B5、B7、B8、B12、B20、B34、B38、B39、B40、B41以及MLB频段，以及

5G频段包括N1、N2、N3、N4、N5、N7、N8、N12、N20、N34、N38、N39、N40、N41、N77、N78、N79。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，4G放大器单元包括MLB射频功率放大器和MB射频功率放大器，

所述MLB射频功率放大器包括超带宽MLB功率单元并且MB射频功率放大器包括超带宽MB功率单元，所述超带宽MLB功率单元和所述超带宽MB功率单元被配置在同一个管芯中。

4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述MLB射频功率放大器包括：MLB阻抗匹配电容器、MLB偏置电阻器、MLB射频电阻器、MLB功率晶体管、MLB片上输出匹配电容器和MLB片上偏置电流生成电路；

所述MB射频功率放大器包括：MB阻抗匹配电容器、MB偏置电阻器、MB射频电阻器、MB功率晶体管、MB片上输出匹配电容器和MB片上偏置电流生成电路。

5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述MLB片上输出匹配电容器通过多个片上电容器并联形成，以及所述MB片上输出匹配电容器通过多个片上电容器并联形成；并且

所述MLB射频电阻器的电阻值被配置为0欧姆到10欧姆的范围，并且所述MB射频电阻器的电阻值被配置为0欧姆到10欧姆的范围。

6.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，4G放大器单元还包括MLB基板匹配网络和MB基板匹配网络，

所述MLB基板匹配网络包括由键合线和基板迹线形成的电感器和贴片电容器形成的MLB可调谐匹配网络以及由键合线和基板迹线形成的MLB扼流电感器；以及所述MB基板匹配网络包括由键合线和基板迹线形成的电感器和贴片电容器形成的MB可调谐匹配网络以及由键合线和基板迹线形成的MB扼流电感器。

7.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述4G/5G控制电路被配置为为MLB射频功率放大器提供低静态工作点的参考电压，并且为MB射频功率放大器提供高静态工作点的参考电压。

8.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述MLB射频功率放大器还包括频段开关，所述频段开关被配置为对所述MLB射频功率放大器放大后的射频信号进行选择。

9.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器通过LGA封装方式来封装。

10.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，在所述MLB射频功率放大器和所述MB射频功率放大器之间配置有基板通孔列阵。

11.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，通过所述MLB扼流电感器来为MLB射频功率放大器提供供电电压，以及通过所述MB扼流电感器来为MB射频功率放大器提供供电电压，并且

所述MLB扼流电感器和MB扼流电感器之间的间距L被配置为大于第一阈值距离。

12.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述MLB扼流电感器和所述MB扼流电感器被配置为靠近基板通孔列阵来布置。

13.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述由键合线和基板迹线形成的电感器被配置为在超带宽MLB功率单元和超带宽MB功率单元的同一侧。