CN220381240U - 一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，属于测试工装技术领域。其中，一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，包括电源，多个芯片温度测试电路和示波器；所述电源与多个所述芯片温度测试电路的电源输入端连接；所述芯片温度测试电路与芯片电连接，所述芯片的信号输出端发送温度信号到芯片温度测试电路；多个所述芯片温度测试电路与所述示波器电连接，所述芯片温度测试电路的信号输出端发送方波驱动信号到示波器。本实用新型能更准确的测试芯片设计的过温保护温度以及测试芯片设计的过温保护后的滞回温度，且本工装能在相同条件下同时测试多个芯片的过温保护与滞回温度便于多个芯片的过温保护与滞回温度的对比。
Description
技术领域
本实用新型涉及测试工装领域，尤其涉及一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装。
背景技术
现在的电子产品都有过温保护要求，以避免电子产品温度过高，烧坏产品与烫伤使用者以及引起火灾，开关电源是其中关键的部分，电源控制芯片便是其关键器件，要使电源能正常工作又不能温度过高，就要对控制芯片的过温保护温度与滞回温度做合适的设计，设计完成后必须对芯片的过温保护与滞回温度做一个准确的测量，常规的测试方法是把芯片装到产品上，给产品上电，用热风枪吹芯片表面，同时用红外线测试芯片的温度，当产品不工作时认为芯片过温保护，这样测试芯片表面的温度与芯片的结温差异比较大，在多个芯片对比测试时，要对芯片进行多次更换，可能存在更大的误差，测试起来费时费力。
实用新型内容
实用新型目的：提供一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，以解决现有技术存在的上述问题。
技术方案：一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，包括电源，多个芯片温度测试电路和示波器；
所述电源与多个所述芯片温度测试电路的电源输入端连接；
所述芯片温度测试电路与电表电源芯片电连接，所述芯片的信号输出端发送温度信号到芯片温度测试电路；
多个所述芯片温度测试电路与所述示波器电连接，所述芯片温度测试电路的信号输出端发送方波驱动信号到示波器；
其中，所述芯片温度测试电路包括芯片放置槽、外围电路和温度保护电路，所述芯片放置槽与所述外围电路和温度保护电路电连接，所述外围电路与所述温度保护电路电连接，所述芯片温度试电路包括三极管Q3，所述三极管Q3的发射极连接偏置电阻R11的一端，所述三极管Q3的集电极分四路，第一路与电容C4的一端相连，第二路与二极管D3的负极相连，第三路与芯片放置槽相连，第四路连接VCC脚，所述三极管Q3的基极分两路，一路连接电阻R9的一端，另一路连接电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端与所述三极管Q2的集电极相连，所述三极管Q2的发射极连接所述电容C4的另一端，所述三极管Q2的基极分两路，第一路连接限流电阻R8的一端，另一路连接电阻R13的一端，所述限流电阻R8的另一端与隔离二极管D4的负极相连，所述隔离二极管D4的正极连接耦合电容C3的一端，所述耦合电容C3的一端连接SW脚，所述SW脚连接示波器，所述连接偏置电阻R11的另一端与所述连接电阻R9的另一端相连后连接外围电路，所述二极管D3的正极和所述电容C4的另一端与所述三极管Q2的发射极和所述电阻R13的另一端相连后连接外围电路。
进一步的，所述芯片温度测试电路通过芯片放置槽与芯片电连接，所述芯片放置槽设置有与所述芯片匹配的CS引脚、GND引脚、VDD引脚、COMP引脚、SW1引脚、SW2引脚、NC1引脚和NC2引脚。
进一步的，所述外围电路包括二极管D5，所述二极管D5的正极连接温度保护电路与电容C5的一端，所述二极管D5的负极分为四路，第一路连接电阻R5的一端，第二路连接限流电阻R4的一端，第三路连接限流电阻R3的一端，第四路经过隔离二极管D1连接电源正极，所述电阻R5的另一端分别连接电阻R6、电容C1与芯片放置槽的NC2引脚，所述电阻R6的另一端与所述电容C1另一端和所述电容C5的另一端相连后接地，所述电阻R4的另一端和所述电阻R3的另一端与SW脚连接后分别与芯片放置槽的SW1引脚、SW2引脚相连，所述芯片放置槽的CS引脚分别经过电阻R1与电阻R2后连接电源负极，所述芯片放置槽的COMP引脚分别经过电容C2与电阻R7后连接电源负极。
进一步的，在芯片放置槽的VCC脚电压充到13V的情况下，SW脚会产生方波驱动信号，芯片温度测试电路内部停止给VCC脚电容C4充电。
进一步的，所述VCC引脚的电压范围为9.5到15V,所述SW1引脚与SW2引脚的启动电压为40V，最高耐受电压为1000V。
有益效果：本实用新型能更准确的测试芯片设计的过温保护温度以及测试芯片设计的过温保护后的滞回温度，且本工装能在相同条件下同时测试多个芯片的过温保护与滞回温度便于多个芯片的过温保护与滞回温度的对比。
附图说明
图1是本实用新型提供的一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装的原理框图；
图2是本实用新型芯片温度测试电路的电路图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本实用新型可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本实用新型发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
如图1至2所示，一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，包括电源，多个芯片温度测试电路和示波器；
所述电源与多个所述芯片温度测试电路的电源输入端连接；
所述芯片温度测试电路与电表电源芯片电连接，所述芯片的信号输出端发送温度信号到芯片温度测试电路；
多个所述芯片温度测试电路与所述示波器电连接，所述芯片温度测试电路的信号输出端发送方波驱动信号到示波器；
其中，所述芯片温度测试电路包括芯片放置槽、外围电路和温度保护电路，所述芯片放置槽与所述外围电路和温度保护电路电连接，所述外围电路与所述温度保护电路电连接，所述芯片温度试电路包括三极管Q3，所述三极管Q3的发射极连接偏置电阻R11的一端，所述三极管Q3的集电极分四路，第一路与电容C4的一端相连，第二路与二极管D3的负极相连，第三路与芯片放置槽相连，第四路连接VCC脚，所述三极管Q3的基极分两路，一路连接电阻R9的一端，另一路连接电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端与所述三极管Q2的集电极相连，所述三极管Q2的发射极连接所述电容C4的另一端，所述三极管Q2的基极分两路，第一路连接限流电阻R8的一端，另一路连接电阻R13的一端，所述限流电阻R8的另一端与隔离二极管D4的负极相连，所述隔离二极管D4的正极连接耦合电容C3的一端，所述耦合电容C3的一端连接SW脚，所述SW脚连接示波器，所述连接偏置电阻R11的另一端与所述连接电阻R9的另一端相连后连接外围电路，所述二极管D3的正极和所述电容C4的另一端与所述三极管Q2的发射极和所述电阻R13的另一端相连后连接外围电路。
如图2所示，所述芯片温度测试电路通过芯片放置槽与芯片电连接，所述芯片放置槽设置有与所述芯片匹配的CS引脚、GND引脚、VDD引脚、COMP引脚、SW1引脚、SW2引脚、NC1引脚和NC2引脚。所述外围电路包括二极管D5，所述二极管D5的正极连接温度保护电路与电容C5的一端，所述二极管D5的负极分为四路，第一路连接电阻R5的一端，第二路连接限流电阻R4的一端，第三路连接限流电阻R3的一端，第四路经过隔离二极管D1连接电源正极，所述电阻R5的另一端分别连接电阻R6、电容C1与芯片放置槽的NC2引脚，所述电阻R6的另一端与所述电容C1另一端和所述电容C5的另一端相连后接地，所述电阻R4的另一端和所述电阻R3的另一端与SW脚连接后分别与芯片放置槽的SW1引脚、SW2引脚相连，所述芯片放置槽的CS引脚分别经过电阻R1与电阻R2后连接电源负极，所述芯片放置槽的COMP引脚分别经过电容C2与电阻R7后连接电源负极。
其中，VCC脚可悬空用于也可以连接电压测试装置，在本实施例中VCC脚连接电压测试装置用于测试VCC脚的电压。
在芯片放置槽的VCC脚电压充到13V的情况下，SW脚会产生方波驱动信号，芯片温度测试电路内部停止给VCC脚电容C4充电。所述VCC脚的电压范围为9.5到15V，在本实施例中VCC脚的电压设计为15V，所述SW1引脚与SW2引脚的启动电压为40V，最高耐受电压为1000V。
本实用新型在使用时，在每个芯片温度测试电路的芯片放置槽上安装一个芯片，若干个芯片温度测试电路分别连接示波器，示波器上显示各芯片温度测试电路上的芯片方波驱动信号，具体的芯片温度测试电路的SW引脚与GND引脚接线连接到示波器上，从示波器上观看对应芯片的SW脚输出波形，在每个芯片上点上温度测试线，观看芯片保护时的表面温度，然后把测试板放到可缓慢加热的高温箱内，缓慢提升高温箱内的温度。
在芯片没有过温保护时，芯片能正常输出方波的直流电压为40Vdc以上，设计用直流电源50Vdc给芯片温度测试板供电，通过导线连接电源，电源电压通过隔离二极管D1限流电阻R4和限流电阻R3给芯片供电，同时通过芯片内部电路给芯片VCC脚电容C4充电，当VCC脚电压充到13V时，芯片SW脚产生方波驱动信号，当芯片SW脚有方便驱动信号时，芯片内部回停止给VCC脚供电，VCC脚的电压则来自外部供电，这时方波信号电压通过耦合电容C3，隔离二极管D4，限流电阻R8给三极管Q2的基极提供电压，三极管Q2为NPN三极管，三极管Q2的集电极通过偏置电阻R9与偏置电阻R10接电源提供电压，三极管Q2发射极接地，这时三极管Q2的Vc>Vb>Ve导通，把三极管Q3基极的电压拉低，三极管Q3为PNP型三级管，发射极通过偏置电阻R11接电源供电，集电极接15V二极管D3，这时Q3Ve>Vb>Vc,Q3三级管导通，电源电压通过三极管Q3给VCC脚供电，由于Q3集电极接15V二极管D3，电压会稳定在15V，VCC脚正常工作电压为9.5-19V，VCC脚供电在正常工作范围内，SW脚会有持续的方波输出，当没有方波信号时，说明芯片已经过温保护，记录此时的温度为芯片过温保护温度。
当芯片温度升高过温保护时，芯片内部过温保护电路动作，关断芯片SW脚方波驱动信号输出，SW脚的直流电压被耦合电容C3隔离，三极管Q2的基极没有导通电压会截止，三极管Q3的基极电压会升高，导致基极电压高于或等于发射极电压，三极管Q3也会截止，电源电压不能通过三极管Q3给VCC脚供电，VCC脚没有外部供电，VCC脚电压会下降，当降到8.5V(VCC欠压保护阈值)后芯片内部会重新给电容C4充电，当充到13V后，SW脚就会有方波输出，但是因为过温保护的原因，如果温度没有降到芯片的滞回温度或以下，由于芯片内部控制，SW脚没有方波输出，所以VCC脚电压会不断重复启动，当芯片温度降到滞回温度或以下时,芯片内部检测到温度正常，过温保护功能关闭，当芯片再一次启动时，SW脚才会有方波驱动信号输出，芯片可以正常工作。记录此时的温度为芯片的滞回温度。
通过上述步骤在相同的条件下记录多个芯片的过温保护与滞回温度便于多个芯片的过温保护与滞回温度的对比。
以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式，但是，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，其特征在于，包括电源，多个芯片温度测试电路和示波器；
所述电源与多个所述芯片温度测试电路的电源输入端连接；
所述芯片温度测试电路与电表电源芯片电连接，所述芯片的信号输出端发送温度信号到芯片温度测试电路；
多个所述芯片温度测试电路与所述示波器电连接，所述芯片温度测试电路的信号输出端发送方波驱动信号到示波器；
其中，所述芯片温度测试电路包括芯片放置槽、外围电路和温度保护电路，所述芯片放置槽与所述外围电路和温度保护电路电连接，所述外围电路与所述温度保护电路电连接，所述芯片温度试电路包括三极管Q3，所述三极管Q3的发射极连接偏置电阻R11的一端，所述三极管Q3的集电极分四路，第一路与电容C4的一端相连，第二路与二极管D3的负极相连，第三路与芯片放置槽相连，第四路连接VCC脚，所述三极管Q3的基极分两路，一路连接电阻R9的一端，另一路连接电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端与所述三极管Q2的集电极相连，所述三极管Q2的发射极连接所述电容C4的另一端，所述三极管Q2的基极分两路，第一路连接限流电阻R8的一端，另一路连接电阻R13的一端，所述限流电阻R8的另一端与隔离二极管D4的负极相连，所述隔离二极管D4的正极连接耦合电容C3的一端，所述耦合电容C3的一端连接SW脚，所述SW脚连接示波器，所述连接偏置电阻R11的另一端与所述连接电阻R9的另一端相连后连接外围电路，所述二极管D3的正极和所述电容C4的另一端与所述三极管Q2的发射极和所述电阻R13的另一端相连后连接外围电路。
2.根据权利要求1所述的一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，其特征在于，所述芯片温度测试电路通过芯片放置槽与电表电源芯片电连接，所述芯片放置槽设置有与所述芯片匹配的CS引脚、GND引脚、VDD引脚、COMP引脚、SW1引脚、SW2引脚、NC1引脚和NC2引脚。
3.根据权利要求1或2所述的一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，其特征在于，所述外围电路包括二极管D5，所述二极管D5的正极连接温度保护电路与电容C5的一端，所述二极管D5的负极分为四路，第一路连接电阻R5的一端，第二路连接限流电阻R4的一端，第三路连接限流电阻R3的一端，第四路经过隔离二极管D1连接电源正极，所述电阻R5的另一端分别连接电阻R6、电容C1与芯片放置槽的NC2引脚，所述电阻R6的另一端与所述电容C1另一端和所述电容C5的另一端相连后接地，所述电阻R4的另一端和所述电阻R3的另一端与SW脚连接后分别与芯片放置槽的SW1引脚、SW2引脚相连，所述芯片放置槽的CS引脚分别经过电阻R1与电阻R2后连接电源负极，所述芯片放置槽的COMP引脚分别经过电容C2与电阻R7后连接电源负极。
4.根据权利要求3所述的一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，其特征在于，在芯片放置槽的VCC脚电压充到13V的情况下，SW脚会产生方波驱动信号，芯片温度测试电路内部停止给VCC脚电容C4充电。
5.根据权利要求4所述的一种电表电源芯片过温保护温度与滞回温度测试工装，其特征在于，所述VCC脚的电压范围为9.5到15V，所述SW1引脚与SW2引脚的启动电压为40V，最高耐受电压为1000V。
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