CN220325844U - 发热芯片和发热地板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提出一种发热芯片和发热地板，发热芯片包括基膜、电热转换层、第一电极和第二电极、绝缘层、第一导电条和第二导电条，电热转换层设置在基膜上；第一电极和第二电极分别设置在基膜的两个短边上；绝缘层设置在电热转换层上；第一导电条和第二导电条分别设置在绝缘层的两个长边上，第一导电条与第一电极重叠且重叠位置上的绝缘层具有开口以使第一导电条与第一电极重叠位置接触连接；第二导电条与第二电极重叠且重叠位置上的绝缘层具有开口以使第二导电条与第二电极重叠位置接触连接。本实用新型将发热芯片上导电条连接的电源转接至短边的电极上，以在短边的电极之间形成电流，解决了发热芯片加热功率过大的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及发热地板技术领域，尤其涉及一种发热芯片和发热地板。
背景技术
长条发热地板的特性是窄而长，长条发热地板铺装时长边要错缝铺装，长条发热地板进行电连接时需要在其内部安装两个电极，如果两个电极设置在长条木地板的长边两侧进行电连接，安装时无法保证相邻长条木地板之间的电连接接点在同一尺寸位置，导致长条木地板的制作和电连接安装存在一定难度，所以相邻长条木地板之间的电连接接点必须在短边接出。
但是长条木地板在短边做电连接，按照传统的导电电极复合方式，正负电极电流方向是沿着长边方向布置，这将导致同一长条木地板的两个电极间距小，功率会非常大，木地板升温温度会非常高，不利于木地板的稳定性。
发明内容
本实用新型实施例提供一种发热芯片和发热地板，以解决现有技术中遇到的一个或者多个技术问题。
第一方面，本实用新型实施例提供一种发热芯片，包括：
基膜；
电热转换层，所述电热转换层设置在所述基膜上，所述电热转换层用于通电时进行电热转换；
第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述基膜的两个短边上，且所述第一电极和所述第二电极均与所述电热转换层连接；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述电热转换层上；
第一导电条和第二导电条，所述第一导电条和所述第二导电条分别设置在所述绝缘层的两个长边上，所述第一导电条和所述第二导电条与电源连接，其中，所述第一导电条与所述第一电极重叠且重叠位置上的所述绝缘层具有开口以使所述第一导电条与所述第一电极重叠位置接触连接；所述第二导电条与所述第二电极重叠且重叠位置上的所述绝缘层具有开口以使所述第二导电条与所述第二电极重叠位置接触连接。
在一种较佳的实施方式中，发热芯片还包括封装层，所述封装层覆盖在所述绝缘层上，所述封装层用于将所述基膜、电热转换层、第一电极和第二电极、绝缘层、第一导电条和第二导电条封装为一体结构。
在一种较佳的实施方式中，导电条为铜条，电极为银浆。
在一种较佳的实施方式中，所述电热转换层的厚度为10nm～1000nm。
在一种较佳的实施方式中，所述基膜和所述绝缘层的厚度小于100mm。
在一种较佳的实施方式中，所述电热转换层包括石墨烯、镍铬合金、ZnOxS(1-x)、InOxS(1-x)、SnxIn(1-x)O、ZnxMg(1-x)O、ZnxAl(1-x)O、CdO、NiO、Cu2O、ATO、FTO、CTO、FZO、SiC和SnO中的一种。
第二方面，本实用新型实施例提供了一种发热地板，包括：
上述任一实施方式中所述的发热芯片；所述发热芯片用于通电后进行电热转换；
饰面层；所述饰面层覆盖在所述发热芯片上；
基材，所述基材设置在所述发热芯片下方，所述基材与所述发热芯片固定连接。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：将发热芯片上导电条连接的电源转接至短边的电极上，以在短边的电极之间形成电流，解决了发热芯片加热功率过大的问题。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本发明进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本发明公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本发明范围的限制。
图1示出根据本发明实施例发热芯片的截面图。
图2示出根据本发明实施例发热芯片部分结构的透视图。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
第一方面，本实用新型实施例提供一种发热芯片，参见图1和图2所示，发热芯片包括基膜110、电热转换层120、第一电极131和第二电极132、绝缘层140、第一导电条151和第二导电条152。
电热转换层120设置在基膜110上，电热转换层120用于通电时进行电热转换。
第一电极131和第二电极132分别设置在基膜110的两个短边上，且第一电极131和第二电极132均与电热转换层120连接。
绝缘层14设置在电热转换层120上。
第一导电条151和第二导电条152分别设置在绝缘层140的两个长边上，第一导电条151和第二导电条152与电源连接，其中，第一导电条151与第一电极131重叠且重叠位置上的绝缘层140具有开口以使第一导电条151与第一电极131重叠位置接触连接；第二导电条152与第二电极132重叠且重叠位置上的绝缘层140具有开口以使第二导电条152与第二电极132重叠位置接触连接。
本实施例将发热芯片上导电条连接的电源转接至短边的电极上，以在短边的电极之间形成电流，解决了发热芯片加热功率过大的问题。
在一种具体实施例中，参见图1所示，发热芯片还包括封装层160，所述封装层160覆盖在所述绝缘层140上，所述封装层160用于将所述基膜110、电热转换层120、第一电极131和第二电极132、绝缘层140、第一导电条151和第二导电条152封装为一体结构。
在一种具体实施例中，导电条为铜条，电极为银浆。
在一种具体实施例中，电热转换层120的厚度为10nm～1000nm。
在一种具体实施例中，基膜110和绝缘层140的厚度小于100mm。
在一种具体实施例中，电热转换层120包括石墨烯、镍铬合金、ZnOxS(1-x)、InOxS(1-x)、SnxIn(1-x)O、ZnxMg(1-x)O、ZnxAl(1-x)O、CdO、NiO、Cu2O、ATO、FTO、CTO、FZO、SiC和SnO中的一种。
第二方面，本实用新型实施例提供了一种发热地板，包括上述任一具体实施例中的发热芯片、饰面层和基材。
发热芯片用于通电后进行电热转换。
饰面层覆盖在发热芯片上。
基材设置在发热芯片下方，基材与发热芯片固定连接。
本实施例将发热芯片上导电条连接的电源转接至短边的电极上，以在短边的电极之间形成电流，解决了发热芯片加热功率过大的问题，提高了发热地板的性能。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种发热芯片，其特征在于，包括：
基膜；
电热转换层，所述电热转换层设置在所述基膜上，所述电热转换层用于通电时进行电热转换；
第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述基膜的两个短边上，且所述第一电极和所述第二电极均与所述电热转换层连接；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述电热转换层上；
第一导电条和第二导电条，所述第一导电条和所述第二导电条分别设置在所述绝缘层的两个长边上，所述第一导电条和所述第二导电条与电源连接，其中，所述第一导电条与所述第一电极重叠且重叠位置上的所述绝缘层具有开口以使所述第一导电条与所述第一电极重叠位置接触连接；所述第二导电条与所述第二电极重叠且重叠位置上的所述绝缘层具有开口以使所述第二导电条与所述第二电极重叠位置接触连接。
2.如权利要求1所述的发热芯片，其特征在于，还包括封装层，所述封装层覆盖在所述绝缘层上，所述封装层用于将所述基膜、电热转换层、第一电极和第二电极、绝缘层、第一导电条和第二导电条封装为一体结构。
3.如权利要求1所述的发热芯片，其特征在于，导电条为铜条，电极为银浆。
4.如权利要求1所述的发热芯片，其特征在于，所述电热转换层的厚度为10nm～1000nm。
5.如权利要求1所述的发热芯片，其特征在于，所述基膜和所述绝缘层的厚度小于100mm。
6.一种发热地板，其特征在于，包括：
权利要求1-5任一项所述的发热芯片；所述发热芯片用于通电后进行电热转换；
饰面层；所述饰面层覆盖在所述发热芯片上；
基材，所述基材设置在所述发热芯片下方，所述基材与所述发热芯片固定连接。
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