CN220307184U - 一种半导体制冷式高功率微波功率放大器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于高功率微波功率放大器技术领域，具体涉及一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器，所述微波功率放大器的两侧分别安装有一组接头；所述微波功率放大器的底部开设有卡槽，所述微波功率放大器的底部还设置有一个底盒，所述底盒的一侧安装有进液口，所述进液口斜下端的底盒上还安装有一个出液口，所述底盒顶部开口端安装有吸热机构，本实用新型将传导板顶部与卡槽进行对接，然后将盖板安装在底盒上，此时通过进液口向底盒内部加注冷却液，冷却液会将传导板整体温度降低，这样传导板便能有效的吸收微波功率放大器底部产生的热量，从而可以使微波功率放大器具备良好的降温效果。
Description
技术领域
本实用新型属于高功率微波功率放大器技术领域，具体涉及一种半导体制冷式高功率微波功率放大器。
背景技术
微波功率放大器的作用是为发射系统放大高电平信号，主要提供相当大的信号功率给负载─天线。所以要求放大器工作在高电流、电压上，它的效率特别具有重要性；
其中申请号为“CN201520313740.0”所公开的“温控半导体制冷式高功率微波功率放大器”也是日益成熟的技术，该实用新型采用半导体制冷芯片阵列对微波功率放大器进行散热，散热效果好，温度相对稳定，为功率放大器的稳定运行提供保障；对温度进行实时监控，从而控制散热风扇的转速，更加省电，也减少了风扇的损耗；
但是该装置还存在以下缺陷：半导体制冷芯片在吸收一段时间的热量后，此时半导体制冷芯片的热量也会渐渐增高，如此在长时间使用后半导体制冷芯片的吸热散热效果便会大大下降，从而无法持续满足对微波功率放大器进行散热效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，旨在解决现有技术中半导体制冷芯片在吸收一段时间的热量后，此时半导体制冷芯片的热量也会渐渐增高，如此在长时间使用后半导体制冷芯片的吸热散热效果便会大大下降，从而无法持续满足对微波功率放大器进行散热效果的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器，所述微波功率放大器的两侧分别安装有一组接头；
所述微波功率放大器的底部开设有卡槽，所述微波功率放大器的底部还设置有一个底盒，所述底盒的一侧安装有进液口，所述进液口斜下端的底盒上还安装有一个出液口，所述底盒顶部开口端安装有吸热机构。
为了及时吸收微波功率放大器底部产生的热量，作为本实用新型一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述吸热机构包括安装槽、密封条、盖板和传导板，所述安装槽的内部安装有密封条，所述密封条的上表面连接有盖板，所述盖板的两侧贯穿焊接有传导板。
为了使得盖板能够与底盒完成对接，作为本实用新型一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述安装槽开设在底盒开口端的内壁上，所述盖板的尺寸与底盒开口端最大尺寸相匹配。
为了提升对微波功率放大器底部热量的吸收效果，作为本实用新型一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述传导板为半导体材质，所述传导板在盖板上等间距安装有十一个，每一个所述传导板的顶部与一个卡槽插接。
为了使得微波功率放大器和底盒之间的对接安装更加便捷，作为本实用新型一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述底盒顶角端的表面上安装有限位柱，所述底盒的外壁上固定安装有第一侧板，所述第一侧板的表面上固定安装有螺杆，所述螺杆的顶部贯穿安装在第二侧板的内部。
为了防止微波功率放大器与底盒之间的间距过小，作为本实用新型一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述第二侧板的一侧固定安装在微波功率放大器的外壁上，所述第一侧板和第二侧板之间互相平行，所述限位柱为硬质橡胶材质，所述限位柱的顶部与微波功率放大器的底部相接触。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1)通过将传导板顶部与卡槽进行对接，然后将盖板安装在底盒上，此时通过进液口向底盒内部加注冷却液，冷却液会将传导板整体温度降低，这样传导板便能有效的吸收微波功率放大器底部产生的热量，从而可以使微波功率放大器具备良好的降温效果；
2)将第二侧板与螺杆顶部对接，然后将螺帽拧紧，这样微波功率放大器便能向下移动，最终微波功率放大器便能与底盒完成组装，由此在使用时便能通过该方式简化微波功率放大器与底盒之间的安装方式。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1为本实用新型主视的结构示意图；
图2为本实用新型微波功率放大器的仰视结构示意图；
图3为本实用新型盖板的连接结构示意图；
图4为本实用新型底盒的爆炸结构示意图。
图中：1、微波功率放大器；2、接头；3、卡槽；4、底盒；5、进液口；6、出液口；7、安装槽；8、密封条；9、盖板；10、传导板；11、限位柱；12、第一侧板；13、螺杆；14、第二侧板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4，本实用新型提供以下技术方案：一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器1，微波功率放大器1的两侧分别安装有一组接头2；
微波功率放大器1的底部开设有卡槽3，微波功率放大器1的底部还设置有一个底盒4，底盒4的一侧安装有进液口5，进液口5斜下端的底盒4上还安装有一个出液口6，底盒4顶部开口端安装有吸热机构。
优选的：吸热机构包括安装槽7、密封条8、盖板9和传导板10，安装槽7的内部安装有密封条8，密封条8的上表面连接有盖板9，盖板9的两侧贯穿焊接有传导板10。
具体使用时，将准备好的冷却液通过进液口5渐渐加入到底盒4当中，冷却液加注完成后，再用软胶塞将进液口5堵住，这样底盒4内部的冷却液便能对传导板10进行降温，当微波功率放大器1工作时，微波功率放大器1底部产生的热量便会被冷却后的传导板10及时吸收。
优选的：安装槽7开设在底盒4开口端的内壁上，盖板9的尺寸与底盒4开口端最大尺寸相匹配。
具体使用时，使用时将盖板9安装在底盒4开口端，然后将固定螺栓穿过盖板9上的通孔与底盒4对接，这样盖板9便能通过密封条8与底盒4之间形成密封结构。
优选的：传导板10为半导体材质，传导板10在盖板9上等间距安装有十一个，每一个传导板10的顶部与一个卡槽3插接。
具体使用时，使用时传导板10便能有效的吸收微波功率放大器1工作时产生的热量，从而可以进一步提升热量的吸收效果。
优选的：底盒4顶角端的表面上安装有限位柱11，底盒4的外壁上固定安装有第一侧板12，第一侧板12的表面上固定安装有螺杆13，螺杆13的顶部贯穿安装在第二侧板14的内部。
具体使用时，将微波功率放大器1底部的卡槽3和两侧的四个第二侧板14分别与对应的传导板10和螺杆13对接，对接完成后将螺帽拧紧在螺杆13的顶部，由此便能使微波功率放大器1与底盒4之间完成对接，并且传导板10的顶部也会与卡槽3完成对接。
优选的：第二侧板14的一侧固定安装在微波功率放大器1的外壁上，第一侧板12和第二侧板14之间互相平行，限位柱11为硬质橡胶材质，限位柱11的顶部与微波功率放大器1的底部相接触。
具体使用时，微波功率放大器1安装过程中向下移动至最大行程时便会与限位柱11的顶部接触，这时限位柱11便会对微波功率放大器1的行程进行阻挡，以防止微波功率放大器1行程过大对传导板10造成挤压破坏。
工作原理：将十一块传导板10依次插进盖板9上对应的卡槽3当中，然后将传导板10和盖板9对接处进行焊接，接着将密封条8安装在底盒4开口端的安装槽7当中，然后再把盖板9安装进底盒4的开口端，并利用固定螺栓将盖板9拧紧固定在底盒4开口当中，这样盖板9便能和底盒4构成密封结构；
接下来，将微波功率放大器1底部的卡槽3和两侧的四个第二侧板14分别与对应的传导板10和螺杆13对接，对接完成后将螺帽拧紧在螺杆13的顶部，由此便能使微波功率放大器1与底盒4之间完成对接，并且传导板10的顶部也会与卡槽3完成对接；
紧接着，先将出液口6用软塞堵住，并且将准备好的冷却液通过进液口5渐渐加入到底盒4当中，冷却液加注完成后，再用软胶塞将进液口5堵住，这样底盒4内部的冷却液便能对传导板10进行降温，当微波功率放大器1工作时，微波功率放大器1底部产生的热量便会被冷却后的传导板10及时吸收，由此在使用时便能通过该结构提升微波功率放大器1散热功能。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器(1)，其特征在于：所述微波功率放大器(1)的两侧分别安装有一组接头(2)；
所述微波功率放大器(1)的底部开设有卡槽(3)，所述微波功率放大器(1)的底部还设置有一个底盒(4)，所述底盒(4)的一侧安装有进液口(5)，所述进液口(5)斜下端的底盒(4)上还安装有一个出液口(6)，所述底盒(4)顶部开口端安装有吸热机构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述吸热机构包括安装槽(7)、密封条(8)、盖板(9)和传导板(10)，所述安装槽(7)的内部安装有密封条(8)，所述密封条(8)的上表面连接有盖板(9)，所述盖板(9)的两侧贯穿焊接有传导板(10)。
3.根据权利要求2所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述安装槽(7)开设在底盒(4)开口端的内壁上，所述盖板(9)的尺寸与底盒(4)开口端最大尺寸相匹配。
4.根据权利要求2所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述传导板(10)为半导体材质，所述传导板(10)在盖板(9)上等间距安装有十一个，每一个所述传导板(10)的顶部与一个卡槽(3)插接。
5.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述底盒(4)顶角端的表面上安装有限位柱(11)，所述底盒(4)的外壁上固定安装有第一侧板(12)，所述第一侧板(12)的表面上固定安装有螺杆(13)，所述螺杆(13)的顶部贯穿安装在第二侧板(14)的内部。
6.根据权利要求5所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述第二侧板(14)的一侧固定安装在微波功率放大器(1)的外壁上，所述第一侧板(12)和第二侧板(14)之间互相平行。
7.根据权利要求5所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述限位柱(11)为硬质橡胶材质，所述限位柱(11)的顶部与微波功率放大器(1)的底部相接触。
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