CN220284292U - 一种单晶硅边皮料的双层酸洗花篮 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于晶体硅太阳能电池生产技术领域,具体涉及一种单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,包括下层花篮和上层花篮;上层花篮包括第一左边框和第一右边框,第一左边框与第一右边框之间并排设置有多个第一限位板,多个第一限位板的第一卡槽位置前后相对应形成多个第一单晶硅边皮料限位槽;下层花篮包括由前边框、后边框、第二左边框和第二右边框构成的框架体,第二左边框与第二右边框之间并排设置有多个第二限位板,多个第二限位板的第二卡槽位置前后相对应形成多个第二单晶硅边皮料限位槽。本实用新型的多尺寸单晶硅边皮料都能保持竖直状态,使得物料表面的酸洗液快速滑落;单晶硅边皮料与第一限位板/第二限位板为线接触,物料酸洗效果较好。
Description
技术领域
本实用新型属于晶体硅太阳能电池生产技术领域,具体涉及一种单晶硅边皮料的双层酸洗花篮。
背景技术
硅锭经过开方、去头尾后会产生大量的单晶硅边皮料,由于边皮料的杂质含量过多,不能直接回炉,需要首先对单晶硅边皮料表面的灰尘、泥进行初步擦洗,然后再对其进行酸洗去除杂质,最后对物料进行冲洗和烘干工序,实现不同品质单晶硅边皮料的回收利用,避免资源浪费。
生产线中通过转运花篮机械手夹住装有单晶硅边皮料的花篮,将其运送到酸洗池中进行反复酸洗,目前使用的花篮为单层花篮,一次运输的单晶硅边皮料数量较少,酸洗效率低,而且花篮与单晶硅边皮料为面接触,使酸洗时接触面位置处接触不到酸液,酸洗效果较差。
发明内容
本实用新型目的是针对上述存在的问题和不足,提出了一种单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,该花篮为双层结构,提高了酸洗效率;多尺寸单晶硅边皮料都能保持竖直状态,使得从酸洗池出来的物料表面的酸洗液快速滑落;单晶硅边皮料与第一限位板/第二限位板为线接触,物料酸洗效果较好。
为实现上述目的,所采取的技术方案是:
本实用新型提供了一种单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,所述花篮用于盛装上下两层单晶硅边皮料,所述花篮包括下层花篮和放置于下层花篮正上方的上层花篮;所述上层花篮包括第一左边框和第一右边框,所述第一左边框与第一右边框之间并排设置有多个第一限位板,每个第一限位板上均匀开设有多个第一卡槽,所述第一卡槽为下窄上部逐渐变宽的槽,所述多个第一限位板的第一卡槽位置前后相对应,形成前后贯通的多个第一单晶硅边皮料限位槽;所述下层花篮包括由前边框、后边框、第二左边框和第二右边框构成的框架体,所述第二左边框与第二右边框之间并排设置有与第一限位板上下对应的第二限位板,每个第二限位板上均匀开设有多个第二卡槽,所述第二卡槽为下窄上部逐渐变宽的槽,所述多个第二限位板的第二卡槽位置前后相对应,形成前后贯通的多个第二单晶硅边皮料限位槽。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述第一左边框和第一右边框上各设置有两个吊装孔。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述第一左边框和第一右边框上开设有多对第一矩形孔,每个第一限位板的左右端分别紧插入一对第一矩形孔中。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述上层花篮还包括间隔布置的多个第一加强板,每个第一加强板前后贯穿所有第一限位板。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述前边框和后边框的外侧面各设置有两个吊装柱。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述前边框和后边框上开设有均匀的漏液孔和多对加强板固定孔。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述下层花篮还包括间隔布置的多个第二加强板,每个第二加强板前后贯穿所有第二限位板,且端部紧插入一对加强板固定孔中。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述第二左边框和第二右边框上开设有多对第二矩形孔,每个第二限位板的左右端分别紧插入一对第二矩形孔中。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述第二左边框和第二右边框的内侧上端伸出设有两个挡块;所述第二左边框和第二右边框的上表面与第一左边框和第一右边框的形状相匹配。
根据本实用新型单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,进一步地,所述单晶硅边皮料的横截面为矩形,纵截面为月牙形;在第一单晶硅边皮料限位槽/第二单晶硅边皮料限位槽中的单晶硅边皮料与第一限位板/第二限位板为线接触。
采用上述技术方案,所取得的有益效果是:
1、单晶硅边皮料放置在由多个第一卡槽形成的第一单晶硅边皮料限位槽中和由多个第二卡槽形成的第二单晶硅边皮料限位槽中,由于第一卡槽和第二卡槽为下窄上部逐渐变宽的结构,使得多尺寸物料都能保持竖直状态,转运花篮机械手从酸洗池将花篮夹持出来后,竖直状态的物料表面的酸洗液会快速滑落到酸洗池中进行回收利用。
2、单晶硅边皮料侧壁与第一限位板/第二限位板的接触均为线接触,与面接触相比,物料被酸洗的面积大大增加,酸洗效果较好。本实用新型的花篮为双层结构,一次运输物料的数量大大增加,提高了酸洗效率,节约了设备消耗电能。
3、本实用新型下层花篮装满物料后,抓料架机械手夹持住上层花篮直接放置在下层花篮上,进行上层花篮的装料,这种上下花篮的活动式结构,大大方便了装卸料。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下文中将对本实用新型实施例的附图进行简单介绍。其中,附图仅仅用于展示本实用新型的一些实施例,而非将本实用新型的全部实施例限制于此。
图1是本实用新型实施例的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮的结构示意图;
图2是本实用新型实施例的上层花篮的结构示意图;
图3是本实用新型实施例的第一左边框/第一右边框的结构示意图;
图4是本实用新型实施例的第一限位板的结构示意图;
图5是本实用新型实施例的下层花篮的结构示意图;
图6是本实用新型实施例的下层花篮框架体的结构示意图之一;
图7是本实用新型实施例的下层花篮框架体的结构示意图之一 ;
图8是本实用新型实施例的第二限位板的结构示意图;
图9是本实用新型实施例的单晶硅边皮料的结构示意图;
图10是本实用新型实施例的单晶硅边皮料放置在第一单晶硅边皮料限位槽/第二单晶硅边皮料限位槽内的结构示意图。
图中序号所代表的含义为:
1.上层花篮,101.第一左边框,102.第一右边框,103.第一限位板,104.第一卡槽,105.第一单晶硅边皮料限位槽,106.吊装孔,107.第一矩形孔,108.第一加强板;
2.下层花篮,201.前边框,202.后边框,203.第二左边框,204.第二右边框,205.第二限位板,206.第二卡槽,207.第二单晶硅边皮料限位槽,208.吊装柱,209.加强板固定孔,210.第二加强板,211.第二矩形孔,212.挡块,213. 漏液孔;
3.单晶硅边皮料。
具体实施方式
下文中将结合本实用新型具体实施例的附图,对本实用新型实施例的示例方案进行清楚、完整地描述。除非另作定义,本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
如图1、图2和图5所示,本实施例的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,该花篮用于盛装上下两层单晶硅边皮料3,该花篮包括下层花篮2和放置于下层花篮2正上方的上层花篮1,设置双层花篮能够增加一次运输物料的数量,提高酸洗效率。上层花篮1包括第一左边框101和第一右边框102,第一左边框101与第一右边框102之间并排设置有9个第一限位板103,如图4所示,每个第一限位板103上均匀开设有8个第一卡槽104,第一卡槽104为下窄上部逐渐变宽的槽,槽内一侧壁为锥形凸楞,相对侧壁从下至上为竖直面、倾斜面和竖直面,9个第一限位板103的第一卡槽104位置前后相对应,形成前后贯通的8个第一单晶硅边皮料限位槽105,上层花篮1可以放置8个边皮料。下层花篮2包括由前边框201、后边框202、第二左边框203和第二右边框204构成的框架体,第二左边框203与第二右边框204之间并排设置有与第一限位板103上下对应的9个第二限位板205,如图8所示,每个第二限位板205上均匀开设有8个第二卡槽206,第二卡槽206与上面第一卡槽104的结构相同,9个第二限位板205的第二卡槽206位置前后相对应,形成前后贯通的8个第二单晶硅边皮料限位槽207,下层花篮2也可放置8个边皮料。第一卡槽104和第二卡槽206的这种形状,能够使一定范围内多种尺寸物料(不同宽度或/和不同厚度)都能保持竖直状态,转运花篮机械手从酸洗池将物料夹持出来后,竖直状态的物料表面的酸洗液会快速滑落到酸洗池中回收利用。
如图9所示,在本实例中单晶硅边皮料3的横截面为矩形,纵截面为月牙形,如图10所示,在第一单晶硅边皮料限位槽105/第二单晶硅边皮料限位槽207中的单晶硅边皮料3侧壁与第一限位板103/第二限位板205的接触均为线接触,与面接触相比,物料被酸洗的面积大大增加,酸洗效果更好。
如图3所示,在第一左边框101和第一右边框102上各设置有两个吊装孔106,当下层花篮2装满物料后,抓料架机械手穿入四个吊装孔106,将整个上层花篮1运输到下层花篮2上。
第一左边框101和第一右边框102上开设有9对第一矩形孔107,每个第一限位板103的左右端分别紧插入一对第一矩形孔107中,可采用过盈配合。
上层花篮1还包括间隔布置的3个第一加强板108,每个第一加强板108前后贯穿所有第一限位板103,设置第一加强板108增强了第二花篮的结构强度,能承载更大负荷。
如图7所示,前边框201和后边框202的外侧面各设置有两个吊装柱208,当上下花篮都装满料后,转运花篮机械手夹住四个吊装柱208,将上下花篮一起运送到酸洗池中进行酸洗。
如图7所示,前边框201和后边框202上开设有均匀的漏液孔213和3对加强板固定孔209,下层花篮2还包括间隔布置的3个第二加强板210,每个第二加强板210前后贯穿所有第二限位板205,且端部紧插入一对加强板固定孔209中,可采用过盈配合。
如图6所示,第二左边框203和第二右边框204上开设有9对第二矩形孔211,每个第二限位板205的左右端分别紧插入一对第二矩形孔211中,可采用过盈配合。
如图6所示,第二左边框203和第二右边框204的内侧上端各设置两个挡块212,挡块212突出第二左边框203和第二右边框204上端面,第二左边框203和第二右边框204的上表面与第一左边框101和第一右边框102的形状相匹配。通过四个挡块212限制上层花篮1左右摆动,通过第二左边框203和第二右边框204限制上层花篮1前后摆动,稳定较好,不易发生脱落情况,这种活动式花篮结构,大大方便了装卸料。
本实用新型的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮为双层结构,提高了酸洗效率;再者,能够使多尺寸边皮料都能保持竖直状态,加速物料表面酸洗液滑落;边皮料与第一限位板103和第二限位板205为线接触,酸洗效果较好。上下花篮为活动式结构,便于装卸物料。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,“第一”、“第二”的表述用来描述本实用新型的各个元件,并不表示任何顺序、数量或者重要性的限制,而只是用来将一个部件和另一个部件区分开。
应注意到,当一个元件与另一元件存在“连接”、“耦合”或者“相连”的表述时,可以意味着其直接连接、耦合或相连,但应当理解的是,二者之间可能存在中间元件;即涵盖了直接连接和间接连接的位置关系。
应当注意到,使用“一个”或者“一”等类似词语也不必然表示数量限制。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
应注意到,“上”、“下”、“左”、“右”等指示方位或位置关系的术语,仅用于表示相对位置关系,其是为了便于描述本实用新型,而不是所指装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作;当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应的改变。
上文已详细描述了用于实现本实用新型的较佳实施例,但应理解,这些实施例的作用仅在于举例,而不在于以任何方式限制本实用新型的范围、适用或构造。本实用新型的保护范围由所附权利要求及其等同方式限定。所属领域的普通技术人员可以在本实用新型的教导下对前述各实施例作出诸多改变,这些改变均落入本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,所述花篮用于盛装上下两层单晶硅边皮料,其特征在于,所述花篮包括下层花篮和放置于下层花篮正上方的上层花篮;所述上层花篮包括第一左边框和第一右边框,所述第一左边框与第一右边框之间并排设置有多个第一限位板,每个第一限位板上均匀开设有多个第一卡槽,所述第一卡槽为下窄上部逐渐变宽的槽,所述多个第一限位板的第一卡槽位置前后相对应,形成前后贯通的多个第一单晶硅边皮料限位槽;所述下层花篮包括由前边框、后边框、第二左边框和第二右边框构成的框架体,所述第二左边框与第二右边框之间并排设置有与第一限位板上下对应的第二限位板,每个第二限位板上均匀开设有多个第二卡槽,所述第二卡槽为下窄上部逐渐变宽的槽,所述多个第二限位板的第二卡槽位置前后相对应,形成前后贯通的多个第二单晶硅边皮料限位槽。
2.根据权利要求1所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述第一左边框和第一右边框上各设置有两个吊装孔。
3.根据权利要求1或者2所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述第一左边框和第一右边框上开设有多对第一矩形孔,每个第一限位板的左右端分别紧插入一对第一矩形孔中。
4.根据权利要求1所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述上层花篮还包括间隔布置的多个第一加强板,每个第一加强板前后贯穿所有第一限位板。
5.根据权利要求1所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述前边框和后边框的外侧面各设置有两个吊装柱。
6.根据权利要求1或者5所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述前边框和后边框上开设有均匀的漏液孔和多对加强板固定孔。
7.根据权利要求6所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述下层花篮还包括间隔布置的多个第二加强板,每个第二加强板前后贯穿所有第二限位板,且端部紧插入一对加强板固定孔中。
8.根据权利要求1所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述第二左边框和第二右边框上开设有多对第二矩形孔,每个第二限位板的左右端分别紧插入一对第二矩形孔中。
9.根据权利要求1或者8所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述第二左边框和第二右边框的内侧上端伸出设有两个挡块;所述第二左边框和第二右边框的上表面与第一左边框和第一右边框的形状相匹配。
10.根据权利要求1所述的单晶硅边皮料的双层酸洗花篮,其特征在于,所述单晶硅边皮料的横截面为矩形,纵截面为月牙形;在第一单晶硅边皮料限位槽/第二单晶硅边皮料限位槽中的单晶硅边皮料与第一限位板/第二限位板为线接触。
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