CN220250017U - 一种半导体工艺设备的尾气处理系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体工艺设备的尾气处理系统，包括第一工艺机，还包括第一等离子清洗室和第一燃烧清洗室，通过在第一干管上设置第一气体检测装置，能够区分第一尾气和第二尾气，第一尾气包含有毒气体和/或易爆气体，第二尾气不包含毒气体和/或易爆气体。当第一气体检测装置检测到第一尾气时，能够将第一尾气输送至第一等离子清洗室进行等离子燃烧处理并清洗。当第一气体检测装置检测到第二尾气时，能够将第二尾气输送至第一燃烧清洗室中进行燃烧清洗处理，由此实现了有毒气体、易爆气体与常规的酸性气体、碱性气体的分区处理，减少了有毒气体以及易爆气体生成有害副产物对整体废气排放质量的影响，有利于提高尾气处理质量。

Description

一种半导体工艺设备的尾气处理系统

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备的尾气处理技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备的尾气处理系统。

背景技术

半导体工艺例如化学半导体工艺或者物理半导体工艺等会产生大量的废气，这些废气中混杂着酸性气体、碱性气体以及像三甲基铝、磷化氢、氢气等有毒易爆气体。现有技术通常将整个生产中所产生的各种尾气全部集中排放至燃烧室中处理，部分有毒气体或易爆气体在燃烧中还会产生大量有害副产物，导致尾气整体难以达到回收净化处理的要求。

实用新型内容

本实用新型实施例公开了一种半导体工艺设备的尾气处理系统，所述尾气处理系统能够实现有毒或易爆气体与不包含毒气体和/或易爆气体的两种尾气的区分处理，能够提高尾气的回收净化处理的质量。

为了实现上述目的，本实用新型公开了一种半导体工艺设备的尾气处理系统，包括第一工艺机，还包括：

第一等离子清洗室，所述第一等离子清洗室通过第一干管与所述第一工艺机连接，所述第一等离子清洗室与所述第一工艺机电耦接，所述第一干管上设有第一气体检测装置，所述第一气体检测装置用于检测所述第一工艺机产生的第一尾气和/或第二尾气，所述第一尾气包含有毒气体和/或易爆气体，所述第二尾气不包含毒气体和/或易爆气体；

第一燃烧清洗室，所述第一燃烧清洗室与所述第一干管连接，所述第一燃烧清洗室与所述第一工艺机电耦接；

当所述第一气体检测装置检测到所述第一尾气时，所述第一工艺机用于控制所述第一等离子清洗室与所述第一干管连通，以使所述第一尾气经所述第一干管输送至所述第一等离子清洗室处理，和/或，当所述第一气体检测装置检测到所述第二尾气时，所述第一工艺机用于控制所述第一燃烧清洗室与所述第一干管连通，以使所述第二尾气经所述第一干管输送至所述第一燃烧清洗室。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二等离子清洗室，所述第二等离子清洗室通过第一支管与所述第一干管连接，所述第二等离子清洗室与所述第一工艺机电耦接；

当所述第一等离子清洗室出现故障时，所述第一工艺机用于控制所述第二等离子清洗室与所述第一支管以及所述第一干管连通，以使所述第一尾气经所述第一干管以及所述第一支管输送至所述第二等离子清洗室。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二工艺机，所述第一等离子清洗室以及所述第二等离子清洗室与所述第二工艺机电耦接；

所述第二等离子清洗室通过第二干管与所述第二工艺机连接，所述第二干管上设有第二气体检测装置，所述第二气体检测装置用于检测所述第二工艺机产生的所述第一尾气，所述第一等离子清洗室通过第二支管与所述第二干管连接；

当所述第二气体检测装置检测到第一尾气时，所述第一工艺机和/或所述第二工艺机用于控制所述第二等离子清洗室与所述第二干管连通，以使所述第一尾气从经所述第二干管输送至所述第二等离子清洗室。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，当所述第二等离子清洗室出现故障时，所述第一工艺机和/或所述第二工艺机用于控制所述第二支管与所述第二干管连通，以使所述第一尾气经所述第二支管输送至所述第一等离子清洗室。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二燃烧清洗室，所述第二燃烧清洗室与所述第一燃烧清洗室连接，所述第二燃烧清洗室与所述第一工艺机电耦接；

当所述第一燃烧清洗室出现故障时，所述第一工艺机用于控制所述第一燃烧清洗室与所述第二燃烧清洗室连通，以使所述第二尾气经输送至所述第二燃烧清洗室。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二工艺机；

所述第二燃烧清洗室通过第二干管与所述第二工艺机连接，所述第二燃烧清洗室与所述第二工艺机电耦接；所述第二干管上设有第二气体检测装置，所述第二气体检测装置用于检测所述第二工艺机产生的所述第二尾气；

当所述第二气体检测装置检测到第二尾气时，所述第一工艺机和/或所述第二工艺机用于控制所述第二燃烧清洗室与所述第二干管连通，以使所述第二尾气从所述第二干管输送至所述第二燃烧清洗室。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，当所述第二燃烧清洗室出现故障时，所述第一工艺机和/或第二工艺机用于控制所述第二燃烧清洗室与所述第一燃烧清洗室连通，以使所述第二尾气从所述第二燃烧清洗室输送至所述第一燃烧清洗室。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，所述第一等离子清洗室包括第一燃烧装置以及第一清洗装置，所述第一清洗装置连接于所述第一燃烧装置的顶部，所述第一燃烧装置与所述第一干管连接；和/或，

所述第一燃烧清洗室包括相连接的第二燃烧装置以及第二清洗装置，所述第二清洗装置连接于所述第二燃烧装置的顶部，所述第二燃烧装置与所述第一干管连接。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，所述第一等离子清洗室还包括排水管和第一排气筒，所述排水管与所述第一燃烧装置连接，所述第一排气筒与所述第一清洗装置连接，所述第一燃烧清洗室包括第二排气筒，所述第二排气筒与所述第二清洗装置连接。

作为一种可选的实施方式，在本实用新型的实施例中，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括阀门，所述阀门与所述第一工艺机电耦接；

所述阀门具有第一开口、第二开口以及第三开口，所述第一开口与所述第一工艺机连接，所述第二开口与所述第一等离子清洗室连接，所述第三开口与所述第一燃烧清洗室连接；和/或，

所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括真空泵，所述真空泵设置于所述第一干管上且位于所述第一工艺机和所述第一燃烧清洗室之间，所述真空泵与所述第一工艺机电耦接；和/或，

所述第一干管、所述第一等离子清洗室以及所述第一燃烧清洗室设置有压力检测装置，所述压力检测装置与所述第一工艺机电耦接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型实施例提供的一种半导体工艺设备的尾气处理系统，通过在第一干管上设置第一气体检测装置，能够区分第一尾气和第二尾气，第一尾气包含有毒气体和/或易爆气体，第二尾气不包含毒气体和/或易爆气体。当第一气体检测装置检测到第一尾气时，能够将第一尾气输送至第一等离子清洗室进行等离子燃烧处理并清洗。当第一气体检测装置检测到第二尾气时，能够将第二尾气输送至第一燃烧清洗室中进行燃烧清洗处理，由此实现了有毒气体、易爆气体与不包含毒气体和/或易爆气体的两种尾气的分区处理，减少了有毒气体以及易爆气体生成有害副产物对整体废气排放质量的影响，有利于提高尾气处理质量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要的使用的附图做简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例公开的一种半导体工艺设备的尾气处理系统的结构示意图；

图2是本实用新型实施例公开的另一种半导体工艺设备的尾气处理系统的结构示意图；

图3是本实用新型实施例公开的再一种半导体工艺设备的尾气处理系统的结构示意图。

附图标记：100、一种半导体工艺设备的尾气处理系统；10、第一工艺机；11、第二工艺机；12、第一等离子清洗室；121、第一燃烧装置；122、第一燃烧处理管道；13、第二等离子清洗室；14、第一干管；141、第一气体检测装置；142、第一支管；15、第二干管；151、第二气体检测装置；152、第二支管；16、第二尾气处理管道A；17、第二尾气处理管道B；18、阀门；181、第一开口；182、第二开口；183、第三开口；19、真空泵；20、压力检测装置。

具体实施方式

下面将结合实施例和附图对本实用新型的技术方案作进一步的说明。

半导体工艺中薄膜沉积、掺杂、蚀刻、离子注入等工艺会产生大量废气。例如像薄膜沉积工艺中的CVD工艺(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)会产生大量的有毒气体以及易爆气体，现有技术中常将上述气体一并排放至燃烧室中进行燃烧并集中排放，然而，部分有毒气体或易爆气体在燃烧过程中会生产有害副产物，会导致尾气整体难以达到回收净化处理的要求。

基于此，本申请提供一种半导体工艺设备的尾气处理系统100，能够实现对包含有毒气体、易爆气体与不包含有毒气体和易爆气体的两种尾气分区处理，提高尾气的处理质量，达到环保排放的要求。

请参阅图1，该半导体工艺设备的尾气处理系统100包括第一工艺机10，还包括第一等离子清洗室12、第一燃烧清洗室(图中未示出)。第一等离子清洗室12通过第一干管14与第一工艺机10连接，第一等离子清洗室12与第一工艺机10电耦接，第一干管14上设有第一气体检测装置141，第一气体检测装置141用于检测第一工艺机10产生的第一尾气和/或第二尾气，第一尾气包含有毒气体和/或易爆气体，第二尾气不包含毒气体和/或易爆气体。第一燃烧清洗室与第一干管14之间设置有用于连通第一燃烧清洗室与第一干管的第二尾气处理管道A14，第一燃烧清洗室与第一工艺机10电耦接；当第一气体检测装置141检测到第一尾气时，第一工艺机10用于控制第一等离子清洗室12与第一干管14连通，以使第一尾气经第一干管14输送至第一等离子清洗室12处理，当第一气体检测装置141检测到第二尾气时，第一工艺机10用于控制第一燃烧清洗室与第一干管14连通，以使第二尾气经第一干管14输送至第一燃烧清洗室。由此，本申请通过在第一干管14上设置第一气体检测装置141，能够检测区分有毒易爆的第一尾气和非有毒易爆的第二尾气。

具体而言，第一工艺机10排放出包含有毒气体和/或易爆气体的第一尾气时，向第一气体检测装置141传递气体信号，第一气体检测装置141检测到包含有毒气体和/或易爆气体的气体信号时，能够将该气体信号转变为电信号，控制第一干管14与第一等离子清洗室12连通，以使第一尾气输送至第一等离子清洗室12进行等离子燃烧处理并清洗。第一工艺机10排放出不包含有毒气体和/或易爆气体的第二尾气时，向第一气体检测装置141传递气体信号，第一气体检测装置141检测到该气体信号时，能够将气体信号转变为电信号，控制第一干管14与第一燃烧清洗室连通，以使第二尾气输送至第一燃烧清洗室进行燃烧清洗处理。由此实现对含有毒气体、易爆气体与不含有毒气体、易爆气体的两种尾气的分区处理，减少有毒气体以及易爆气体生成有害副产物对整体废气排放质量的影响，有利于提高尾气处理质量。

需要强调的是，第一尾气为含有毒气体或者易爆气体的尾气，示例性地，第一尾气可为N₂O、PH₃、H₂、TMA、O₃中一种或多种的组合。第二尾气为不含有毒气体或者易爆气体的尾气，例如为酸性尾气、碱性尾气或者易燃尾气。示例性地，第二尾气可为SiH₄、NH₃、N₂或惰性气体等中一种或多种的组合。本申请的尾气处理系统还能够处理AsH₃、B₂H₆、SiH₂Cl₂、Si₂H₆、SiHCl₃、GeH₄、H₂Se、H₂S、AsCl₃、BF₃、Cl₂、SiF₄、CCl₄、HBr、HF、PCl₃、POCL₃、PF₃、HCl等一种或多种尾气的组合。

为了进一步保证半导体工艺设备的尾气处理系统100运行的安全性和可靠性，请参阅图2，本申请还设有第二等离子清洗室13以及第二燃烧清洗室(图中未示出)作为备份装置。

可通过第一工艺机10控制第一等离子清洗室12、第二等离子清洗室13、第一燃烧清洗室以及第二燃烧清洗室，实现彼此之间互相备用的功能，由此，当上述四个装置中任一一个装置出现故障时，半导体工艺设备的尾气处理系统100都能够正常运行。

一些实施例中，第二等离子清洗室13通过第一支管142与第一干管14连接，第二等离子清洗室13与第一工艺机10电耦接。当第一等离子清洗室12出现故障无法处理第一尾气时，第二等离子清洗室13能够作为备用装置继续处理第一尾气，保证半导体工艺设备尾气处理系统的正常运行。当第一等离子清洗室12出现故障时，第一工艺机10用于控制第二等离子清洗室13与第一支管142以及第一干管14连通，以使第一尾气经第一干管14以及第一支管142输送至第二等离子清洗室13。可以理解的是，第一等离子清洗室12出现故障指的是第一等离子清洗室12因为堵塞、装置腐蚀损坏、短路等现象无法启动。当第一等离子清洗室12出现上述情况而无法处理第一尾气时，第一等离子清洗室12向第一工艺机10传递出现故障的电信号，第一工艺机10接受到该电信号并进一步输出电信号控制第二等离子清洗室13与第一支管142、第一干管14连通，从而使得第一尾气能够输送至第二等离子清洗室13中进行处理。

一些实施例中，半导体工艺设备的尾气处理系统100还包括第二燃烧清洗室(图中未示出)，第二燃烧清洗室与第一燃烧清洗室连接，第二燃烧清洗室与第一燃烧清洗室之间设有用于连通第二燃烧清洗室与第一燃烧清洗室的第二尾气处理管道B17，第二燃烧清洗室与第一工艺机10电耦接；当第一燃烧清洗室出现故障时，第一工艺机10用于控制第一燃烧清洗室与第二燃烧清洗室连通，以使第二尾气经输送至第二燃烧清洗室。当第一燃烧清洗室出现故障时，第一燃烧清洗室向第一工艺机10传递出现故障的电信号，第一工艺机10接收到该电信号并进一步输出电信号控制第二燃烧清洗室与第一燃烧清洗室连通，从而使无法处理的第二尾气输送进入第二燃烧清洗室中进行处理。当第二燃烧清洗室出现上述情况而无法处理第二尾气时，第二燃烧清洗室向第一工艺机10传递出现故障的电信号，第一工艺机10接收到该电信号并进一步输出电信号控制第一燃烧清洗室与第二燃烧清洗室连通，从而使无法处理的第二尾气输送进入第一燃烧清洗室中进行处理。

进一步地，请参阅图3，一些实施例中，本申请的半导体工艺设备的尾气处理系统100还设置有第二工艺机11，不仅能够增加对第一尾气和第二尾气的处理量，提高尾气处理效率，而且能够在第一工艺机10的基础上实现更好的控制效果。

请参阅图3，一些实施例中，第一等离子清洗室12通过第二支管152与第二干管15连接，当第二等离子清洗室13出现故障时，第一工艺机10和/或第二工艺机11用于控制第二支管152与第二干管15连通，以使第一尾气经第二支管152输送至第一等离子清洗室12。可以理解的是，第二等离子清洗室13出现故障是指第二等离子清洗室13因为堵塞、装置腐蚀损坏、短路等现象无法启动。当第二等离子清洗室13出现上述情况而无法处理第一尾气时，第二等离子清洗室13向第一工艺机10传递出现故障的电信号，第一工艺机10接受到该电信号并进一步输出电信号控制第一等离子清洗室12与第二支管152以及第二干管15连通，从而使第一尾气能够输送至第一等离子清洗室12中进行处理。

一些实施例中，第二等离子清洗室13通过第二干管15与第二工艺机11连接，第二干管15上设有第二气体检测装置151，第二气体检测装置151用于检测第二工艺机11产生的第一尾气。当第二气体检测装置151检测到第一尾气时，第一工艺机10和/或第二工艺机11用于控制第二等离子清洗室13与第二干管15连通，以使第一尾气从经第二干管15输送至第二等离子清洗室13。具体地，当第二工艺机11和/或第一工艺机10排放出第一尾气时，能够向第二气体检测装置151传递气体信号，第二气体检测装置151检测到该气体信号时，能够将气体信号转变为电信号，控制第二干管15与第二等离子清洗室13连通，以使第一尾气输送至第二等离子清洗室13中进行等离子燃烧处理并清洗。由此，在正常工作状态下，第一工艺机10和/或第二工艺机11控制第一等离子清洗室12与第一干管14连通以实现对第一尾气的处理。第一工艺机10和/或第二工艺机11也能够控制第二等离子清洗室13与第二干管15连通从而实现对第一尾气的处理。

一些实施例中，第二燃烧清洗室通过第二干管15与第二工艺机11连接，第二燃烧清洗室与第二工艺机11电耦接；第二干管15上设有第二气体检测装置151，第二气体检测装置151用于检测第二工艺机11产生的第二尾气；当第二气体检测装置151检测到第二尾气时，第一工艺机10和/或第二工艺机11用于控制第二燃烧清洗室与第二干管15连通，以使第二尾气从第二干管15输送至第二燃烧清洗室。由此，在正常工作状态下，第一工艺机10和/或第二工艺机11控制第一燃烧清洗室与第一干管14连通以实现对第二尾气的处理。第一工艺机10和/或第二工艺机11也能够控制第二燃烧清洗室与第二干管15连通从而实现对第二尾气的处理。

同样地，在第一工艺机10和/或第二工艺机11的控制下，能够实现第一等离子清洗室12、第二等离子清洗室13、第一燃烧清洗室以及第二燃烧清洗室，实现彼此之间互相备用的功能。当第一等离子清洗室12出现故障时，第一工艺机10和/或第二工艺机11控制第二支管152与第二干管15连通，使第一工艺机10中的第一尾气输送至第二等离子清洗室13中处理。当第二等离子清洗室13出现故障时，第一工艺机10和/或第二工艺机11控制第一支管142与第一干管14连通，使第二工艺机11中的第一尾气输送至第一等离子清洗室12中处理。当第一燃烧清洗室出现故障时，第一工艺机10和/或第二工艺机11控制第一燃烧清洗室与第二燃烧清洗室连通，使第一燃烧清洗室中无法处理的第二尾气输送至第二燃烧清洗室中处理。当第二燃烧清洗室出现故障时，第一工艺机10和/或第二工艺机11控制第二燃烧清洗室与第一燃烧清洗室连通，使第二燃烧清洗室中无法处理的第二尾气输送至第一燃烧清洗室中处理。

下面将介绍第一等离子清洗室12的具体结构，需要进行说明的是，本申请中第二等离子清洗室13的具体结构和第一等离子清洗室12的具体结构实质上相同：

请继续参阅图3，一些实施例中，第一等离子清洗室12具有第一燃烧装置121和第一清洗装置(图中未示出)，第一燃烧装置121和第一清洗装置之间设置有用于连通第一燃烧装置121和第一清洗装置的第一燃烧处理管道122，第一清洗装置连接于第一燃烧装置121的顶部，第一燃烧装置121与第一干管14连接。第一等离子清洗室12主要用于处理高沸点气体，能够适用于大部分有毒气体和易爆气体的处理。由于处理第一尾气的过程中，高温加热使得第一尾气不断向上膨胀扩散，在第一燃烧装置121的顶部设置第一清洗装置，能够顺应第一尾气的移动路径，实现对第一尾气的充分吸收。

示例性地，第一燃烧装置121可为高温处理装置、等离子燃烧装置等装置。第一清洗装置可为水洗装置、酸洗装置、碱洗装置、有机溶剂清洗装置等一种或多种的组合。第一尾气经过第一燃烧装置121处理后生成的副产物，能够溶于水的可以通过水洗装置进一步除去；能够被酸性液体吸收的，可以通过酸洗装置除去；能够被碱性液体吸收的，可以通过碱性装置除去；能够被有机溶剂吸收的，可以通过有机溶剂清洗装置除去。

进一步地，在关于第一燃烧装置121和第一清洗装置的组合上，有以下几种但不限于的选择方式：第一燃烧装置121为高温处理装置，第一清洗装置为水洗装置和酸洗装置的组合；第一燃烧装置121为等离子燃烧装置，第一清洗装置为水洗装置和碱洗装置的组合；第一燃烧装置121为等离子燃烧装置，第一清洗装置为碱洗装置和酸洗装置的组合；第一燃烧装置121为等离子燃烧装置，第一清洗装置为水洗装置、酸洗装置以及碱洗装置的组合等等。

以第一燃烧装置121为等离子燃烧装置，第一清洗装置为水洗装置和碱洗装置为例。在等离子燃烧装置中，交流电经过变频器转换为高压，能够击穿气体，释放出高能电子，高能电子能够破坏气体分子之间的化学键，从而产生各种碳原子、氧原子、氢原子、氢氧自由基等离子体，等离子体中的氧原子和碳原子结合形成二氧化碳，氧原子和氢原子结合形成水分子，由此，能够较为有效地实现对有毒气体和易爆气体的初步处理。进一步地，经过处理后的第一尾气会夹杂部分粉尘和易溶性酸性气体，能够被后续水洗装置和碱洗装置进一步吸收。由此，第一等离子清洗室12的第一燃烧装置121以及第一清洗装置能够充分吸收第一尾气，有效降低副产物的排放。

下面将介绍第一燃烧清洗室的具体结构，需要进行说明的是，本申请中第二燃烧清洗室的具体结构和第一燃烧清洗室的具体结构实质上相同：

一些实施例中，第一燃烧清洗室包括相连接的第二燃烧装置以及第二清洗装置，第二清洗装置连接于第二燃烧装置的顶部，第二燃烧装置与第一干管14连接。第一燃烧清洗室主要处理一些沸点较低的酸性气体和碱性气体，同样地，在第二燃烧装置的顶部设置第二清洗装置，能够顺应第二尾气的移动路径充分吸收第二尾气，第二燃烧装置能够直接焚烧酸性气体生成二氧化碳。

示例性地，第二清洗装置可为水洗装置、酸洗装置、碱洗装置、有机溶剂清洗装置等一种或多种的组合。

以第二清洗装置为水洗装置和酸洗装置为例，第二尾气中的酸性气体经过第二燃烧装置的焚烧处理后生成二氧化碳，二氧化碳被水洗装置进一步吸收，第二尾气中的碱性气体经过酸洗装置后被吸收。由此，第一燃烧室的第二燃烧装置和第二清洗装置能够实现对第二尾气的处理。

一些实施例中，第一等离子清洗室12还包括排水管(图中未示出)和第一排气筒，排水管与第一燃烧装置121连接，第一排气筒与第一清洗装置连接，第一燃烧清洗室包括第二排气筒(图中未示出)，第二排气筒与第二清洗装置连接。由此，当第一尾气和第二尾气经过第一等离子清洗室12和第一燃烧清洗室的处理后，能够达到排放标准，通过排水管、第一排气筒或第二排气筒排出，实现废液和气体的排放。

示例性地，第一气体检测装置141和第二检测装置可为气动阀、球阀、电磁隔膜阀、电磁阀等，以上装置能够识别第一工艺机10和/或第二工艺机11所发出的气体信号，并能够转变为电信号并进一步实现信号传递以辅佐第一工艺机10和/或第二工艺机11实现对第一等离子清洗室12、第二等离子清洗室13、第一燃烧清洗室以及第二燃烧清洗室的控制功能。

一些实施例中，半导体工艺设备的尾气处理系统100还包括阀门18，阀门18与工艺机电耦接；阀门18具有第一开口181、第二开口182以及第三开口183，第一开口181与第一工艺机10连接，第二开口182与第一等离子清洗室12连接，第三开口183与第一燃烧清洗室连接。阀门18可为L型三通阀或T型三通阀，例如：L型三通阀具有两个相互垂直的第二开口182和第三开口183，在第一工艺机10和/或第二工艺机11的控制下，能够实现第一尾气和/或第二尾气流向的切换，从而能够将第一尾气切换进入第一等离子清洗室12中，将第二尾气切换进入第一燃烧清洗室中。

同样地，阀门18也可设置在第二干管15上，阀门18的第一开口181、第二开口182以及第三开口183，第一开口181与第一工艺机11连接，第二开口182与第二等离子清洗室16连接，第三开口183与第二燃烧清洗室连接。由此，在第一工艺机10和/或第二工艺机11的控制下，能够实现第一尾气和/或第二尾气流向的切换，从而能够将第一尾气切换进入第二等离子清洗室16中，将第二尾气切换进入第二燃烧清洗室中。

进一步地，在第一支管142和第一干管14的连接处，第二支管152和第二干管15的连接处，第一燃烧清洗装置和第二燃烧清洗装置之间均可设置阀门18以实现气体流向的切换，从而实现将第一尾气输送至第一等离子清洗室12或第二等离子清洗室13或者第一燃烧清洗室或第二燃烧清洗室。

一些实施例中，半导体工艺设备的尾气处理系统100还包括真空泵19，真空泵19设置于第一干管14上且位于第一工艺机10和第一燃烧清洗室之间，真空泵19与第一工艺机10电耦接。设置真空泵19能够提供动力泵送气体，减少气体的堵塞，能够在较远距离、较高高度的情况下输送第一尾气和第二尾气。同样地，也可以在第二干管15上设置真空泵19，真空泵19位于第二工艺机11和第二燃烧清洗室之间，真空泵19和第二工艺机11电耦接。

一些实施例中，第一干管14、第一等离子清洗室12以及第一燃烧清洗室设置有压力检测装置20，压力检测装置20与第一工艺机10电耦接。进一步地，第一支管142、第二支管152、第二干管15、第二等离子清洗室13、第二燃烧清洗室上均可以设置压力检测装置20。压力检测装置20用于检测上述各装置或管道内的压力，当压力高于-1inHg(相当于-0.003386MPa)时，进行报警，能够监控堵塞情况，预防爆管现象的发生。

综上所述，本申请的半导体工艺设备的尾气处理系统，能够实现至少以下功能：不仅能够针对不同的第一尾气或第二尾气进行区分并回收处理，使尾气整体能够达到回收净化处理的要求，而且能够在第一等离子清洗室12、第二等离子清洗室13、第一燃烧清洗室以及第二燃烧清洗室任一装置出现故障时，仍然能够保证系统的正常运行，通过第一气体检测装置141以及第二气体检测装置151能够正确监控尾排管道堵塞情况，预防爆管发生。

下面对本申请实施例的半导体工艺设备的尾气处理系统的工作过程进行说明：

请参阅图3，以第一工艺机10、第二工艺机11为PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)设备为例，第一工艺机10排出第一尾气N₂O、PH₃、H₂、TMA、O₃以及第二尾气SiH₄、NH₃以及N₂等惰性气体，当第一等离子清洗室12或第一燃烧清洗室正常工作时，每种气体均可作为一种气体信号，第一工艺机10将这些气体信号传递至第一气体检测装置141。第一气体检测装置141接收到这些气体信号时，将气体信号转变为电信号并传递至真空泵19和阀门18，真空泵19在接收到该信号时开始运行，阀门18在接收到关于第一尾气的电信号时，控制第一尾气通过第一干管14进入第一等离子清洗室12中处理，在接收到关于第二尾气的电信号时，控制第二尾气通过第一干管14进入第一燃烧清洗室。当第一等离子清洗室12或第一燃烧清洗室因为堵塞出现故障无法正常工作时，第一等离子清洗室12或第一燃烧清洗室瞬间向第一工艺机10传递无法正常工作的电信号，随即第一工艺机10控制第一干管14与第一支管142连通，以使第一尾气排放至第二等离子清洗室13中，第一工艺机10控制第一燃烧清洗室与第二燃烧清洗室连通，以使第二尾气排放至第二燃烧清洗室中处理。

第二工艺机11排出第一尾气以及第二尾气，当第二等离子清洗室13或第二燃烧清洗室正常工作时，每种气体均可作为一种气体信号，第二工艺机11将这些气体信号传递至第二气体检测装置151。第二气体检测装置151接收到这些气体信号时，将气体信号转变为电信号并传递至真空泵19和阀门18，真空泵19在接收到该信号时开始运行，阀门18在接收到关于第一尾气的电信号时，控制第一尾气通过第二干管15进入第二等离子清洗室13中处理，在接收到关于第二尾气的电信号时，控制第二尾气通过第二干管15进入第一燃烧清洗室17中处理。当第二等离子清洗室13或第二燃烧清洗室因为堵塞出现故障无法正常工作时，第二等离子清洗室13或第二燃烧清洗室瞬间向第二工艺机11传递无法正常工作的电信号，随即第二工艺机11控制第二干管15与第二支管152连通，以使第一尾气排放至第一等离子清洗室12中，第二工艺机11控制第二燃烧清洗室与第一燃烧清洗室连通，以使第二尾气排放至第一燃烧清洗室中处理。

由此，实现了第一工艺机10与第二工艺机11、第一等离子清洗室12与第二等离子清洗室13、第一燃烧清洗室与第二燃烧清洗室之间互为备份来处理第一尾气和第二尾气。

以上对本实用新型实施例公开的半导体工艺设备的尾气处理系统进行了详细的介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的半导体工艺设备的尾气处理系统及其核心思想：同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (10)

1.一种半导体工艺设备的尾气处理系统，包括第一工艺机，其特征在于，还包括：

第一等离子清洗室，所述第一等离子清洗室通过第一干管与所述第一工艺机连接，所述第一等离子清洗室与所述第一工艺机电耦接，所述第一干管上设有第一气体检测装置，所述第一气体检测装置用于检测所述第一工艺机产生的第一尾气和/或第二尾气，所述第一尾气包含有毒气体和/或易爆气体，所述第二尾气不包含毒气体和/或易爆气体；

第一燃烧清洗室，所述第一燃烧清洗室与所述第一干管连接，所述第一燃烧清洗室与所述第一工艺机电耦接；

当所述第一气体检测装置检测到所述第一尾气时，所述第一工艺机用于控制所述第一等离子清洗室与所述第一干管连通，以使所述第一尾气经所述第一干管输送至所述第一等离子清洗室处理，和/或，当所述第一气体检测装置检测到所述第二尾气时，所述第一工艺机用于控制所述第一燃烧清洗室与所述第一干管连通，以使所述第二尾气经所述第一干管输送至所述第一燃烧清洗室。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二等离子清洗室，所述第二等离子清洗室通过第一支管与所述第一干管连接，所述第二等离子清洗室与所述第一工艺机电耦接；

当所述第一等离子清洗室出现故障时，所述第一工艺机用于控制所述第二等离子清洗室与所述第一支管以及所述第一干管连通，以使所述第一尾气经所述第一干管以及所述第一支管输送至所述第二等离子清洗室。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二工艺机，所述第一等离子清洗室以及所述第二等离子清洗室与所述第二工艺机电耦接；

所述第二等离子清洗室通过第二干管与所述第二工艺机连接，所述第二干管上设有第二气体检测装置，所述第二气体检测装置用于检测所述第二工艺机产生的所述第一尾气，所述第一等离子清洗室通过第二支管与所述第二干管连接；

当所述第二气体检测装置检测到第一尾气时，所述第一工艺机和/或所述第二工艺机用于控制所述第二等离子清洗室与所述第二干管连通，以使所述第一尾气从经所述第二干管输送至所述第二等离子清洗室。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，当所述第二等离子清洗室出现故障时，所述第一工艺机和/或所述第二工艺机用于控制所述第二支管与所述第二干管连通，以使所述第一尾气经所述第二支管输送至所述第一等离子清洗室。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二燃烧清洗室，所述第二燃烧清洗室与所述第一燃烧清洗室连接，所述第二燃烧清洗室与所述第一工艺机电耦接；

当所述第一燃烧清洗室出现故障时，所述第一工艺机用于控制所述第一燃烧清洗室与所述第二燃烧清洗室连通，以使所述第二尾气经输送至所述第二燃烧清洗室。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括第二工艺机；

所述第二燃烧清洗室通过第二干管与所述第二工艺机连接，所述第二燃烧清洗室与所述第二工艺机电耦接；所述第二干管上设有第二气体检测装置，所述第二气体检测装置用于检测所述第二工艺机产生的所述第二尾气；

当所述第二气体检测装置检测到第二尾气时，所述第一工艺机和/或所述第二工艺机用于控制所述第二燃烧清洗室与所述第二干管连通，以使所述第二尾气从所述第二干管输送至所述第二燃烧清洗室。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，当所述第二燃烧清洗室出现故障时，所述第一工艺机和/或第二工艺机用于控制所述第二燃烧清洗室与所述第一燃烧清洗室连通，以使所述第二尾气从所述第二燃烧清洗室输送至所述第一燃烧清洗室。

8.根据权利要求1至6任一项所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，所述第一等离子清洗室包括第一燃烧装置以及第一清洗装置，所述第一清洗装置连接于所述第一燃烧装置的顶部，所述第一燃烧装置与所述第一干管连接；和/或，

所述第一燃烧清洗室包括相连接的第二燃烧装置以及第二清洗装置，所述第二清洗装置连接于所述第二燃烧装置的顶部，所述第二燃烧装置与所述第一干管连接。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，所述第一等离子清洗室还包括排水管和第一排气筒，所述排水管与所述第一燃烧装置连接，所述第一排气筒与所述第一清洗装置连接，所述第一燃烧清洗室包括第二排气筒，所述第二排气筒与所述第二清洗装置连接。

10.根据权利要求1至6任一项所述的半导体工艺设备的尾气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括阀门，所述阀门与所述第一工艺机电耦接；

所述阀门具有第一开口、第二开口以及第三开口，所述第一开口与所述第一工艺机连接，所述第二开口与所述第一等离子清洗室连接，所述第三开口与所述第一燃烧清洗室连接；和/或，

所述半导体工艺设备的尾气处理系统还包括真空泵，所述真空泵设置于所述第一干管上且位于所述第一工艺机和所述第一燃烧清洗室之间，所述真空泵与所述第一工艺机电耦接；和/或，

所述第一干管、所述第一等离子清洗室以及所述第一燃烧清洗室设置有压力检测装置，所述压力检测装置与所述第一工艺机电耦接。