KR102122303B1 - 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치 - Google Patents

과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시키기 위한 배기가스 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 직류전원을 이용한 고에너지 열플라즈마를 발생시 반응가스(수증기,CDA,에어 등)를 추가 공급하여, 유입된 배기가스(과불화탄소 포함)를 완전 분해(전자,양자,핵 분리)하여 무해한 가스 상태로 처리 및 2차로 고온챔버에서 장시간 고온을 유지한 후 배출이 가능하게 하는 등 배출 과정에서 재결합의 방지와 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각이 가능하게 하는 등 저전력을 이용한 고효율의 배기가스 처리가 가능하게 하며, 또한 고에너지 열플라즈마의 에너지 증폭에 따른 고에너지 열플라즈마의 성능 향상이 가능하게 하며, 또한 배출되는 분해된 가스를 한번 더 필터링 및 수분 처리함으로 보다 효율적인 처리가 가능하게 하기 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치에 관한 것이다.

Description

과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치{Exhaust gas treatment device}
본 발명은 고온 분해로 처리 되어야 할 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 및 LED 제조공정 또는 일반 가스산업분야에서 발생되는 미세먼지 및 배기가스를 분해하여 무해한 가스 상태로 처리 및 고온 유지 배출을 통한 재결합을 방지하는 등 효율적인 배기가스 처리가 가능하게 하는 반응촉진 가스를 공급하여 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체와 LED 판넬을 제조하는 공정 및 일반 가스산업분야에서는 작업 과정에서 독성과 부식성이 강한 각종 공정가스와 함게 클리닝가스로 지구온난화의 주범인 여러 종류의 가스가 사용되고 있는데, 특히 과불화탄소(일명, PFCs)는 재결합 가능성이 높아 고온에서도 분해, 정화가 되지않고 있어, 외부로 배출되는 경우 지구 환경의 심대한 영향을 줄 수 있으므로, 그 배기가스는 적절한 정화 제거 처리장치를 거친 후 외부로 배출되어져야 한다.
이때, 이러한 배기가스는 통상 공기와 접촉시켜 처리하거나, 가열하여 연소시켜 처리하거나, 물에 통과시켜 처리하거나, 약제와 반응시켜 처리하는 방법이 주로 사용되고 있다.
또한, 근자에 들어 등록실용신안 제20-0377501호와 같은 배기가스 처리장치가 적용되고 있는 것으로, 상기 처리장치는 배기가스가 유입되는 유입구를 갖는 커버와, 상기 커버와 결합되며, 외부 하단에 처리된 가스가 배출되는 배출구를 갖는 몸체와, 상기 몸체 내부에 내장되어 유입된 배기가스내의 연소성 가스상을 연소시키는 히터와, 내부의 가스흐름을 제어함과 아울러 연소생성물이나 더스트 등의 미립자를 포집하기 위해 형성된 적어도 하나 이상의 원통형격자를 포함하여 구성되며, 반도체 제조공정에서 발생되는 프로세스 배기가스나 클리닝 배기가스, 미반응 배기가스 등의 배기가스를 배출함에 있어 연소성을 갖는 유해한 가스상의 물질을 고온으로 연소시켜 안전한 상태로 배출되도록 함과 아울러 배기가스 내에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자뿐만 아니라 연소시 생성되는 연소 생성물을 효과적으로 포집하여 제거할 수 있는 효과를 제공한다.
그러나 이와 같은 종래의 배기가스 처리장치는 배기가스를 고온으로 1차분해 한 후, 2차적으로 재결합을 방지하기 위해 고온 유지가 절대적으로 필요함에도 불구하고, 1차분해 후 급냉용 물 분사를 바로 수행하는 구조로 형성되어, 재결합율이 높아지고 처리 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
또한 고온(1200℃) 열화에 의한 파우더 적체 및 부식이 발생되는 문제점도 발생되었다.
이러한 제반 문제점을 해결하기 위한 본 출원인의 선등록 특허 제10-1961947호의 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치는, 직류전원을 이용한 고에너지 열플라즈마를 발생하여, 유입된 배기가스를 완전 분해(전자,양자,핵 분리)하여 무해한 가스 상태로 처리 및 2차로 고온챔버에서 장시간 고온을 유지한 후 배출이 가능하게 하는 등 배출 과정에서 재결합의 방지와 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각이 가능하게 하는 등 저전력을 이용한 고효율의 배기가스 처리가 가능하게 한 것이다.
그러나 상기 선등록 특허는 직류전원을 이용한 고에너지 열플라즈마를 발생시, 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스(gas)의 처리효율이 낮은 단점이 있다.
대한민국실용신안등록 제20-0377501호. 대한민국특허등록 제10-1961947호.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 직류전원을 이용한 고에너지 열플라즈마를 발생시, 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시키기 위해, 플라즈마 플레임 전단에 반응촉진제(수증기,CDA,에어 등)를 공급하여 유입된 배기가스를 완전 분해(전자,양자,핵 분리)하여 무해한 가스 상태로 처리하고, 2차로 고온챔버에서 장시간 고온을 유지한 후 배출이 가능하게 하는 등 배출 과정에서 재결합의 방지와 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각이 가능하게 하는 등 저전력을 이용한 고효율의 배기가스 처리가 가능하게 한 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명은 고에너지 열플라즈마의 에너지 증폭 및 반응촉진제의 공급에 따른 고에너지 열플라즈마의 성능 향상을 가능하게 한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치를 제공하며, 전력저감과 처리효율을 극대화할 수 있는 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명은 배출되는 분해된 가스를 다단으로 설치되는 필터 스크린에 의해 파우더의 배출 막아주어 환경오염을 방지하고, 배출측 후단에 쌓여 막히는 것 방지하며, 가스의 재결합 방지 및 관리의 효율성을 향상시켜 효율적인 처리가 가능하게 하기 위한 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 직류 고온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스를 화학적 분해하는 플라즈마 발생부;
플라즈마 발생부의 하단부에 설치되어 플라즈마 발생부로부터 배출되는 배기가스를 고온으로 일정시간 유지시킨 후 배출시키는 고온챔버;
고온챔버의 하단에 연결 형성되는 함체 형태로 마련되며, 내부가 격벽을 통해 좌,우 양측으로 구획 구성되어 일측이 고온챔버와 연결되고, 타측이 가스 배출관과 연결되며, 격벽에는 상부에 연통공이 형성되어 가스 배출관 측의 물을 고온챔버 측으로 이동되도록 하고, 일측에 냉각 세척부의 냉각 스프레이 및 가스 배출관의 분사노즐로 물의 공급이 가능한 순환펌프가 구비되어 배출되는 가스를 정제 처리하는 수조부; 및
수조부 상부에 형성되어 필터링을 통해 부산물의 제거 배출이 가능하게 하는 가스 배출관;를 포함하고,
플라즈마 발생부는,
처리가스의 밀도를 높여 불꽃과 처리가스의 혼합가스 접촉면적을 넓혀 플라즈마 발생부 내에서 반응을 촉진하도록 함에 의해 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시키기 위해 증기 또는 에어의 반응촉진제를 공급할 수 있는 반응촉진제 공급부;를 더 포함하도록 구성되어,
플라즈마 발생부에 유해 배기가스와 반응촉진제를 함께 공급하도록 구성하고,
상기 가스 배출관에는,
배기가스 처리 과정에서 발생되는 부산물의 필터링이 가능한 필터가 설치되도록 구성하고,
필터는 다단으로 설치되는 필터 스크린들로 이루어지되,
필터 스크린들은 점차 메쉬 사이즈가 작아지게 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
또한, 플라즈마 발생부는,
반응촉진제 공급부가 더 연결되도록 형성된 배기가스 유입관이 둘레에 형성되어 유해 배기가스와 반응촉진제가 함께 유입되고, 중앙에는 안착공이 관통 형성되어 아킹(아크방전)을 통해 반응된 가스를 고온챔버로 배출하는 관체 형태로 이루어진 몸체부;
몸체부의 안착공에 삽입 내입 및 몸체부의 상단에 안착 결합되며, 중앙에는 장착공이 형성된 양극 설치부;
양극 설치부의 장착공에 장착되며, 상/하로 관통되게 형성된 1,2차 양극부로 이루어져 음극부와 반응하여 고온 플라즈마를 발생하는 양극부;
양극부의 상단에 설치되어 몸체부의 상부로 돌출 형성되는 음극 베이스;
음극 베이스에 삽입 설치되는 음극부;
음극 베이스가 관통되도록 몸체부의 상단에 결합되는 커버체; 및
음극 베이스와 양극부로 냉각수를 공급하여 플라즈마 발생 과정에서 고온열화에 의해 내부 부품이 파손되는 것을 방지하는 냉각수단;을 포함하여 구성되되,
1차 양극부에는 유로를 더 형성하고,
2차 양극부에는 유로와 연통되는 유로를 더 형성하며,
음극 베이스에는 유로와 연통되는 유로를 더 형성하고,
음극부에는 유로를 더 형성하며,
유로들로 냉각수의 순환이 가능하게 하는 냉각수단을 더 포함하여 구성하며,
냉각수단은,
음극부의 상단에는 유로로 냉각수를 공급하는 제1 연결부;
음극부의 측면에서 유로와 연통되어 공급된 냉각수를 배출하는 제2 연결부;
음극 베이스의 유로 일측과 연결되어 양극부로 냉각수를 공급하는 제3 연결부; 및
음극 베이스의 유로 타측과 연결되어 1,2양극부의 유로를 순환한 냉각수를 배출하는 제4 연결부;를 포함하여 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
또한, 2차 양극부의 내부에는 방사상으로 복수의 자석체가 더 포함되게 구성하되, 자석체를 통한 자기장의 발생으로 플라즈마의 에너지 증폭이 가능하게 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
또한, 고온챔버는,
플라즈마 발생부의 하단에 결합되어 배기가스가 챔버몸체의 내관으로 유입되도록 안내하며, 상단에는 내부로 질소(N2)를 분사시키는 파우더 고착방지부가 형성된 원통형 챔버몸체;
챔버몸체의 중앙으로 플라즈마 발생부의 내부와 연결되며 내부에는 제1 유로를 갖는 내관;
제2 유로를 이루도록 내관과 이격되게 그 내관을 감싸는 제1 외관;
제3 유로 및 공간부를 이루도록 제1 외관 및 챔버몸체와 이격되게 그 제1 외관을 감싸는 제2 외관; 및
챔버몸체의 하단에 결합되며 내부에는 냉각 스프레이가 형성된 관통형 냉각 세척부;를 포함하여 구성하되,
파우더 고착방지부는
플라즈마 발생부로부터 배기되는 가스가 챔버몸체의 내관으로 유입되도록 안내해주며, 외부로부터 질소(N2) 가스가 공급되는 질소유입구가 형성되고, 내부에는 배관을 통해 챔버몸체로 질소(N2)를 분사하는 토출구를 다수개 형성되며,
제1 유로와 제2 유로는 내관의 하단을 통해 연결되고,
제2 유로와 제3 유로는 상단을 통해 연결되며,
제3 유로와 냉각 세척부는 하단이 연결되게 구성하며,
제2 유로의 직경은 제3 유로의 직경보다 1/2 작게 구성하고, 제1 유로의 직경은 제2 유로의 직경보다 1/2 작게 구성하여,
분해된 배기가스가 제1 내지 제3 유로를 통과하는 과정에서 유속과 압력의 변화를 주고, 냉각 세척부를 통해 수조부로 유입되게 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
또한, 본 발명은, 플라즈마 처리되지 않은 배기가스의 감지가 가능한 배기가스 감지센서와, 배기가스 감지센서에 의해 플라즈마 처리되지 않은 배기가스가 감지시 경보를 발생하는 경보부로 된 감지 제어부가 더 포함하게 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
또한, 감지 제어부에는, 배기가스 감지센서에 의해 이상이 감지시 관리자의 스마트 단말기로 신호를 전송하는 송출부가 더 포함되게 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
또한, 가스 배출관은, 하단에는 배기가스 처리 과정에서 발생되는 부산물의 필터링이 가능한 필터가 형성되고, 필터의 상부에는 내부로 물의 분사가 가능한 부산물제거 분사노즐이 형성되며, 상부에는 가스 배출관의 내부 중앙에 형성되는 배출방지갓과, 가스 배출관의 내주면에 형성되는 배출방지판이 수직상으로 일정한 간격을 두고 지그재그 형태의 배출로를 이루게 연속 형성된 수분 배출방지부가 형성되게 구성하되, 가스 배출관의 내부에서는 필터를 통한 필터링과, 분사노즐의 물 분사를 통한 부산물을 흡착 제거하며, 수분 배출방지부를 통해 수분의 상부 이동을 차단하여 플라즈마 처리된 순수한 가스만이 배출되게 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
또한, 상기 가스 배출관에는, 배기가스 처리 과정에서 발생되는 부산물의 필터링이 가능하도록 다단으로 설치되는 필터 스크린을 더 포함하고, 필터 스크린은 점차 메쉬 사이즈가 작아지게 구성함으로 달성할 수 있는 것이다.
본 발명에 따른 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치에 의하면, 반응촉진제를 공급하여 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 즉, 플라즈마 발생부를 통해 직류전원을 이용한 고에너지 플라즈마가 발생시킬 때 추가 반응촉진제를 공급하여 유입된 배기가스를 완전 분해(전자,양자,핵 분리) 하며, 고온챔버를 통해 고온을 유지한 상태로 배출되는 것인바 분해된 배기가스의 재결합이 방지되는 등 저전력 고효율의 배기가스의 처리가 가능한 효과를 얻을 수 있는 것이다.
또한, 양극부에는 자석체가 구성된 것인바, 열플라즈마의 에너지 증폭에 따른 고에너지 열플라즈마의 성능이 한층 향상 및 배기가스의 분해 성능이 향상되는 효과를 얻을 수 있는 것이다.
한, 배기수단을 통해 분해되어 배출되는 배기가스가 다단의 필터 스프린에 의해 한번 더 필터링 처리되게 되는 것인바, 보다 효율적인 처리가 가능한 효과를 얻을 수 있는 것이다.
도 1은 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 전체 사시도.
도 2는 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 전체 단면도.
도 3은 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 플라즈마 발생부 단면도.
도 4는 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 2차 양극부 요부 단면도.
도 5는 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 고온챔버 단면도.
도 6은 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 수조부 단면도.
도 7은 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 가스 배출관 단면도.
도 8은 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 가스 배출관의 실시예이고,
도 9는 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 가스 배출관 다른 실시예도.
이하에서는, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 전체 사시도이고, 도 2는 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치의 전체 단면도이다.
도 1 및 도 2의 도시와 같이, 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치(1)는, 반도체 및 LED 제조공정 또는 일반 가스산업분야에서 발생되는 미세먼지 및 배기가스를 화학적 분해(전자,양자,핵분리)하여 무해한 가스 상태로 처리하기 위한 것으로, 플라즈마 발생부(100)와, 고온챔버(200)와, 수조부(300)와, 가스 배출관(400)으로 구성된다.
먼저, 플라즈마 발생부(100)는 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치(1)를 구성함에 있어 유해 배기가스를 고온의 열플라즈마를 통해 분해하게 구성된다.
이를 위해 플라즈마 발생부(100)는 도 3 및 도 4를 참조하여 먼저 몸체부(110)가 구성된 것으로, 몸체부(110)는 관통된 관체 형태를 이루며 그 둘레에는 내부와 연통되어 배기가스의 유입이 가능하도록 적어도 하나 이상의 배기가스 유입관(111)이 형성된다.
이때, 배기가스 유입관(111)에는 반응촉지제(수증기,CDA,에어 등)를 공급할 수 있는 반응촉진제 공급부(111a)를 더 포함하도록 구성하는 것이 바람직하며, 이는 본 발명의 특징을 이루는 부분이다.
본 발명은 플라즈마 발생부(110)에 유해 배기가스와 반응촉진제(수증기,CDA,에어 등)를 함께 공급하도록 구성함에 의해 처리가스의 밀도를 높여 불꽃과 처리가스의 혼합가스 접촉면적을 넓혀 플라즈마 발생부 내에서 반응을 촉진하도록 함으로써, 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 상부 중앙에는 후술하는 양극 설치부(120)가 안착되는 안착공(112)이 구성된다.
또한, 플라즈마 발생부(100)에는 상기 몸체부(110)의 안착공(112)에 삽입 내입 및 몸체부(110)의 상단에 안착 결합되는 양극 설치부(120)가 구성된 것으로, 양극 설치부(120)는 중앙이 관통된 장착공(121)이 구성되며, 그 장착공(121)의 내주면 하단은 돌출되는 단턱 구조를 이루게 구성된다.
또한, 플라즈마 발생부(100)에는 양극부(130)가 구성된 것으로, 양극부(130)는 양극 설치부(120)의 장착공(121)에 장착되어 후술하는 음극부(150)와 반응하여 고온 플라즈마가 발생되게 구성되며, 1,2차 양극부(131)(132)로 구성된다.
이때, 양극부(130)는 먼저 양극 설치부(120)의 내측에는 2차 양극부(132)가 삽입 설치되게 구성된 것으로, 2차 양극부(132)는 상,하로 관통되게 구성되며 주변에는 내부를 순환 및 상부로 개방되는 유로(R4)가 구성된다.
그리고, 1차 양극부(131)는 장착공(121)에 삽입 설치되되, 상기 2차 양극부(132)의 상부에 구성되며, 주변에는 상기 2차 양극부(132)의 유로(R4)와 연통되는 유로(R3)가 구성된다.
또한, 플라즈마 발생부(100)에는 음극 베이스(140)가 구성된 것으로, 음극 베이스(140)는 중앙이 관통되게 구성되며 상기 장착공(121)에 삽입되게 구성되며 상기 1차 양극부(131)의 유로(32)와 연통되는 양측의 유로(R2)를 이루게 구성된다.
한편, 본 발명에서 양극부(130)를 구성함에 있어, 2차 양극부(132)에는 내부에 방사상으로 복수의 자석체(133)(133')가 더 포함되게 구성된 것으로, 본 발명에서 자석체(133)(133')는 자기장을 발생시켜 플라즈마의 에너지 증폭이 가능하게 한다.
또한, 플라즈마 발생부(100)에는 상기 양극부(130)와 반응하는 음극부(150)가 구성된 것으로, 음극부(150)는 상기 음극 베이스(140)의 중앙에 삽입 및 상부로 돌출되게 구성되며, 중앙에는 상부로 개방되며 내부에는 순환 구조를 이루는 유로(R1)를 이루게 구성된다.
또한, 플라즈마 발생부(100)에는 상기 음극 베이스(140)가 관통되도록 커버체(160)가 구성된 것으로, 커버체(160)는 관통된 몸체부(110)의 상단을 덮어 마감하게 구성된다.
또한, 플라즈마 발생부(100)에는 상기 음극 베이스(140)와 양극부(130)로 냉각수를 공급하여 플라즈마 발생 과정에서 지나친 고온열화에 의한 내부 부품의 파손을 방지하는 냉각수단(170)이 구성된다.
이때, 냉각수단(170)은 먼저, 상기 음극부(150)의 상부에는 음극부(150)로 냉각수의 공급이 가능하게 하는 음극부(150)의 유로(R1)로 냉각수가 공급되는 제1 연결부(171)가 구성되고, 음극부(150)의 측면에는 유로(R1)와 연통되어 공급된 냉각수를 배출하는 제2 연결부(172)가 구성된다.
그리고, 음극 베이스(140)의 일측 유로(R2)에는 양극부(130)로 냉각수의 공급이 가능하게 하는 제3 연결부(173)가 구성되고, 음극 베이스(140)의 타측 유로(R2) 상단에는 냉각수의 배출이 가능한 제4 연결부(174)가 구성된다.
즉, 플라즈마 발생부(100)에서는 배기가스 유입관(111)을 통해 유입되는 유해 배기가스스가 유입 및 2차 양극부(132)의 공간부로 유입되는 한편, 직류전원이 음극부(150) 및 1차 양극부(131)에 인가되면 양 전극 사이에서는 아킹(아크방전)에 따른 고온 플라즈마가 발생하게 되며, 이에 상기 2차 양극부(132)의 공간부에 유입된 유해한 배기가스를 플라즈마 처리하여 화학적 분해하게 된다.
이때, 2차 양극부(132)는 상기 1차 양극부(131)에서 발생된 아크를 전이시켜질소(N2) 2차 직류 고온 플라즈마가 균일하게 발생 및 회전되도록 하여준다.
또한, 냉각수단(170)에서는 제1 연결부(171)를 통해 냉각수가 공급 및 음극부(150)의 유로(R1)와 제2 연결부(172)를 통해 냉각수의 순환 공급이 가능한 것으로, 고온 플라즈마 발생 과정에서 음극부(150)의 냉각이 가능하게 된다.
그리고, 제3 연결부(173)를 통해 공급되는 냉각수는 음극 베이스(140)의 일측 유로(R2)와 1,2차 양극부(131)(132)의 유로(R3)(R4)를 순환하여 음극 베이스(140)의 타측 유로(R2) 및 제4 연결부(174)를 통해 배출되어 고온 플라즈마 발생 과정에서 양극부(130)의 냉각이 가능하게 구성된다.
상기 고온챔버(200)는 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치를 구성함에 있어 고온지역을 연장 유지하여 반응 분해된 배기가스의 재결합을 방지하게 구성된다.
이때, 고온챔버(200)는 도 5를 참조하여 먼저 상기 플라즈마 발생부(100)의 하단에 결합되어 배출되는 배기가스의 이동을 안내하는 챔버몸체(210)가 구성된 것으로, 챔버몸체(210)는 상,하 길이를 이루는 원통 형태를 이루게 구성된다.
한편, 챔버몸체(210)의 상단에는 내부로 질소(N2)를 분사시켜 파우더의 고착을 방지하는 파우더 고착방지부(215)가 구성되다.
이때, 파우더 고착방지부(215)는 상기 플라즈마 발생부(100)로부터 배기되는 가스가 챔버몸체(210)의 후술하는 내관(220)으로 유입되도록 안내해주며, 동시에 외부로부터 질소(N2) 가스가 공급되는 질소유입구(216)가 형성되고, 내부에는 배관(217)을 통해 챔버몸체(210)로 질소(N2)를 분사하는 토출구(218)를 다수개 구성하되, 상기 토출구는 고온챔버(200)의 상부에 형성하여, 이 부위에서 발생되는 배기가스 와류에 의한 파우더 고착을 방지하는 역할을 수행하도록 구성된다.
또한, 고온챔버(200)에는 챔버몸체(210)의 내부 중앙에 상기 플라즈마 발생부(100)의 내부와 연결되며 내부에는 제2 유로(202)를 갖는 내관(220)이 구성된다.
또한, 고온챔버(200)에는 제1 외관(230)이 구성된 것으로, 제1 외관(230)은 상기 내관(220)과의 사이에 제2 유로(202)를 이루도록 그 내관(220)과 이격되게 그 내관(220)을 감싸게 구성된다.
또한, 고온챔버(200)에는 제2 외관(240)이 구성된 것으로, 제2 외관(240)은 상기 제1 외관(230)과의 사이에 제3유로(203)를 형성하고, 챔버몸체(210)와의 사이에 고온의 저장이 가능한 공간부(204)를 이루도록 그 제1 외관(230)을 감싸게 구성된다.
또한, 고온챔버(200)에는 냉각 세척부(250)가 구성된 것으로, 냉각 세척부(250)는 상,하로 관통되게 구성되며, 고온에 의한 챔버몸체(210)의 열화 및 수용성 가스를 처리하기 위한 것으로, 챔버몸체(210)의 하단에 설치되며, 내부에는 다수의 냉각 스프레이(251)가 구성된다.
이때, 상기 냉각 스프레이(251)는 그 방향성을 구성함에 있어 수직, 수평 등 다양한 분사 방향을 이루게 구성함이 바람직할 것이다.
한편, 상기 1 유로(201)와 제2 유로(202)는 내관(220)의 하단을 통해 연결되고, 제2 유로(202)와 제3 유로(203)는 상단을 통해 연결되며, 제3 유로(203)와 냉각 세척부(250)는 하단이 연결되게 구성된다.
제2 유로(202)의 직경은 제3 유로(203)의 직경보다 1/2 작게 구성하고, 제1 유로(201)의 직경은 제2 유로(202)의 직경보다 1/2 작게 구성함이 바람직할 것이다.
즉, 고온챔버(200)에서는 상기 플라즈마 발생부(100)에서 플라즈마 처리된 가스가 유입 및 내관(220)의 제1 유로(201)를 통해 흐르고 하단에서 다시 제2 유로(202)를 통해 상방으로 흐르며, 다시 제3 유로(203)를 통해 하방으로 흐르게 함으로써 고온지역을 연장 유지하여 분해된 배기가스의 재결합을 낮추어 제거 효율이 향상되게 한다.
이때, 상기와 같이 분해된 배기가스가 제1 내지 제3 유로(201)~(203)를 통과하는 과정에서 제1 내지 제3 유로(201)~(203)의 직경은 서로 다른 직경을 이루게 구성된 것인바, 배기가스가 흐르는 과정에서 압력과 유속의 변화를 주어 동일한 압력과 유속의 흐름시보다 분해된 배기가스의 재결합되는 것을 더욱 늦출 수 있게 된다.
또한, 상기 배출되는 가스는 챔버몸체(210)의 하단으로 배출되는 과정에서 냉각 스프레이(251)를 통해 물을 분사하여 고온 열화에 의한 부식 및 화상을 방지하게 된다.
상기 수조부(300)는, 물이 충전되게 구성된 것으로, 본 발명 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치(1)를 구성함에 있어 고온챔버(200)로부터 배출되는 가스를 정제 처리하게 구성된다.
이때, 수조부(300)는 도 6을 참조하여 함체 형태로 구성되며, 내부는 격벽(310)을 통해 좌,우 양측으로 구획 구성되어 일측은 상기 고온챔버(200)와 연결되고 타측은 후술하는 가스 배출관(400)과 연결되게 구성된다.
그리고, 상기 격벽(310)에는 상부에 연통공(311)이 형성되어 가스 배출관(400) 측의 물이 고온챔버(200) 측으로 이동하게 구성된다.
그리고, 수조부(300)의 일측에는 상기 냉각 세척부(250)의 냉각 스프레이(251) 및 후술하는 가스 배출관(400)의 분사노즐(420)로 물의 공급이 가능한 순환펌프(320)가 구성된다.
즉, 수조부(300)는 상기 플라즈마 처리되어 배출되는 가스에 포함된 부산물로 발생되는 분말형태의 파우더를 수조 및 부분으로 침전시켜 순후한 가스만이 배출되도록 하여 파우더 막힘이나 고장으로 인한 통상의 플라즈마 스크러버 전단의 진공펌프 및 공정장비의 오작동을 방지하게 된다.
상기 가스 배출관(400)은, 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치(1)를 구성함에 있어 상기 수조부(300)의 상부에 형성되어 정제된 가스의 배출이 가능하게 구성된다.
이때, 가스 배출관(400)은 도 7을 참조하여 원통 형태로 구성된 것으로, 먼저 내측 하단에는 필터(410)가 구성되어 배출되는 가스를 필터링하여 부산물의 필터링이 가능하게 구성된다.
이때, 필터(410)는 다단으로 설치되는 필터 스크린(411)~(413)들로 이루어지는 것이 바람직하고, 필터 스크린(411)~(413)들은 점차 메쉬 사이즈가 작아지게 구성하는 것이 좋다.
다단으로 설치되는 필터 스크린(411)(413)들의 메쉬 사이즈가 점차적으로 작아지게 구성함에 의해 입자가 큰 부산물부터 입자가 작은 부산물까지 순차적으로 걸러 주어 보다 확실한 필터링 효과를 갖게 된다.
예컨대, 다단으로 설치되는 필터 스크린(411)(413)들이 동일 크기의 메쉬로 구성되면 초기에 입자가 큰 부산물이 걸리게 되면 필터가 쉽게 막히게 되는 단점이 있으나, 다단으로 설치되는 필터 스크린의 메쉬 크기를 점진적으로 작아지게 구성함으로서 초기에는 입자가 큰 부산물은 통과되어 최종적으로 걸러지게 함으로서 필터의 막힘을 연장하여 여과 효과를 극대화시킬 수 있게 되는 것이다 .
필터 스크린(411)(413)들은 처리된 파우더의 배출 막아주어 환경오염을 방지하고, 배출측 후단에 쌓여 막히는 것 방지하며, 가스의 재결합을 방지하여 관리의 효율성을 향상시킨다.
또한, 상기 가스 배출관(400)의 실시예는 도 8을 참조하여 내측 하단에 설치되는 필터(410)의 상부로 이격되는 위치에는 상기 순환펌프(320)로부터 수조부(300)로부터 물을 공급받아 내부로 분사하는 분사노즐(420)이 구성된 것으로, 그 물 분사를 통해 배출되는 가스에 포함된 부산물을 마지막으로 수분 흡착 제거하게 구성된다.
이때, 상기 분사되는 물은 하부로 낙하되어 필터(410)를 통한 필터링된 상태에서 상기 수조부(300)로 유입되게 된다.
또한, 가스 배출관(400)에는 내부에서 상기 분사노즐(420)의 상부로 이격되는 위치에 상기와 같이 물의 분사를 통해 부산물을 흡착 제거하는 과정에서 수분의 배출을 방지하기 위한 수분 배출방지부(430)가 구성된다.
이때, 수분 배출방지부(430)는 가스 배출관(400)의 내부 중앙에 형성되는 배출방지갓(431)이 구성된 것으로, 배출방지갓(431)은 중앙은 높고 양측으로 갈수록 접차 하방 경사를 이루게 구성된다.
그리고, 배출방지갓(431)의 상부에는 배출방지판(432)이 구성된 것으로, 배출방지판(432)은 그 중앙이 관통되고 가스 배출관(400)의 내주면으로부터 내측으로 갈수록 상향 경사를 이루게 구성된다.
한편, 상기와 같이 구성되는 배출방지갓(431)과 배출방지판(432)은 수직상으로 일정한 간격을 두고 지그재그 형태의 배출로(433)를 이루게 복수단 연속 구성된다.
즉, 가스 배출관(400)은 플라즈마 처리된 배기가스를 배출하는 과정에서 마지막 단계로 필터(410)를 통한 필터와 분사노즐(420)의 물 분사를 통한 흡착 제거로 순수한 가스만의 배출이 가능하게 하되, 배출되는 가스가 수분 배출방지부(430)의 배출로(433)를 통해 배출되는 과정에서 배출방지갓(431) 및 배출방지판(432)이 부딧혀 수분이 흡착 제거되어 그 순수한 가스만의 배출이 가능하게 된다.
이상에서와 같이 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치(1)는, 플라즈마 발생부(100)에서 직류전원이 음극부(150) 및 1차 양극부(131)에 인가되어 아킹에 따른 고온 고에너지의 열플라즈마가 발생함과 동시에 2차 양극부(132)에 의해 고온, 고에너지의 열플라즈마가 균일하게 발생되어 배기가스의 결합 고리를 완전 분해(전자,양자,핵 분리) 처리가 가능하게 된다.
그리고, 플라즈마 처리된 배기가스는 고온챔버(200)에서 제1 내지 제3 유로(201)(303)(203)를 통해 고온 유지시겨 분해된 배기가스의 재결합을 방지하게 되며, 냉각 세척부(250)를 통해 냉각 세척되게 된다.
그리고, 냉각 세척된 가스는 수조부(300)에서 부산물을 침전 처리 및 가스 배출관(400)에서 필터(410)을 통한 부산물 필터링 및 분사노즐(420)의 물 분사를 통해 흡착 제거되는 한편, 수분 배출방지부(430)의 배출로(433)를 통과하는 과정에서 배출방지갓(431) 및 배출방지판(432)을 통해 수분을 다시한번 흡착 제거하여 순수한 가스만을 배출하게 된다.
특히, 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치(1)는 반응촉진제 공급부(111a)를 더 구비함에 의해 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 반응촉진제 공급부(111a)를 통해 수증기 또는 에어 등의 반응촉진제를 공급함으로서 처리가스의 밀도를 높여 불꽃과 처리가스의 혼합가스 접촉면적을 넓혀 플라즈마 발생부 내에서 반응을 촉진하도록 하여 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치(1)를 구성함에 있어 도 9을 참조하여 가스 배출관(400)의 플라즈마 처리되지 않은 배기가스의 감지가 가능한 배기가스 감지센서(441)와, 배기가스 감지센서(441)에 의해 플라즈마 처리되지 않은 배기가스가 감지시 경보를 발생하는 경보부(442)로 된 감지 제어부(440)가 더 포함되게 구성된다.
이때, 상기 감지 제어부(440)는 통상의 PCB 등을 통한 제어박스 구성되며, 상기 가스 배출관(400)과 별도 구성된 것으로, 상기 배기가스 감지센서(441)는 전선 등을 통해 가스 배출관(400)의 상부에 형성되어 내부의 센싱이 가능하게 구성되고, 경보부(442)는 감지 제어부(440)에 구성될 것이다.
또한, 상기 감지 제어부(440)에는 상기 배기가스 감지센서(441)에 의해 이상이 감지시 관리자의 스마트 단말기로 신호를 전송하는 송출부(443)가 더 포함되게 구성할 수 있는 것으로, 관리자가 현장에 위치되지 않은 상태에서도 이상 상태의 확인이 가능하게 된다.
한편, 상기 스마트 단말기는 한정되는 것이 아니라 통상의 스마트폰, 노트북, 테블릿 등 다양하게 적용할 수 있음은 당연할 것이다.
이상에서와 같이 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치는 일반적으로 반도체와 LED 판넬을 제조하는 공정 및 일반 가스산업분야에서 발생되는 배기가스를 효율적으로 플라즈마 처리하여 무해한 순수 가스 상태로의 배출이 가능하게 되는 등 대기 오염의 방지가 가능하게 된다.
특히, 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치는 반응촉진제 공급부를 통한 반응촉진제를 공급함으로서, 즉 플라즈마 발생부에 유해 배기가스와 반응촉진제를 함께 공급하도록 함으로서, 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치는 메쉬 사이즈가 점차적으로 작아지게 다단으로 필터 스크린을 설치하여 처리된 파우더의 배출 막아주어 환경오염을 방지하고, 배출측 후단에 쌓여 막히는 것 방지하며, 가스의 재결합을 방지하여 관리의 효율성을 향상시킬 수 있다.
이상에서와 같은 기술적 구성에 의해 본 발명의 기술적 과제가 달성되는 것이며, 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나 여기에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능한 것임은 물론이다.
100 : 플라즈마 발생부 110 : 몸체부
111 : 배기가스 유입관 111a : 반응촉진제 공급부
120 : 양극 설치부 121 : 장착공
130 : 양극부 131 : 1차 양극부
132 : 2차 양극부 140 : 음극 베이스
150 : 음극부 160 : 커버체
170 : 냉각수단
200 : 고온챔버 201 : 제1 유로
202 : 제2 유로 203 : 제3 유로
210 : 챔버몸체 215 : 파우더 고착방지부
220 : 내관 230 : 제1 외관
240 : 제2 외관 250 : 냉각 세척부
300 : 수조부 310 : 격벽
400 : 가스 배출관 410 : 필터
420 : 분사노즐 430 : 수분 배출방지부
431 : 배출방지갓 432 : 배출방지판
432 : 배출로 440 : 감지 제어부
441 : 배기가스 감지센서 442 : 경보부
443 : 송출부

Claims (7)

  1. 직류 고온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스를 화학적 분해하는 플라즈마 발생부(100);
    플라즈마 발생부(100)의 하단부에 설치되어 플라즈마 발생부(100)로부터 배출되는 배기가스를 고온으로 일정시간 유지시킨 후 배출시키는 고온챔버(200);
    고온챔버(200)의 하단에 연결 형성되는 함체 형태로 마련되며, 내부가 격벽(310)을 통해 좌,우 양측으로 구획 구성되어 일측이 고온챔버(200)와 연결되고, 타측이 가스 배출관(400)과 연결되며, 격벽(310)에는 상부에 연통공(311)이 형성되어 가스 배출관(400) 측의 물을 고온챔버(200) 측으로 이동되도록 하고, 일측에 냉각 세척부(250)의 냉각 스프레이(251) 및 가스 배출관(400)의 분사노즐(420)로 물의 공급이 가능한 순환펌프(320)가 구비되어 배출되는 가스를 정제 처리하는 수조부(300); 및
    수조부(300) 상부에 형성되어 필터링을 통해 부산물의 제거 배출이 가능하게 하는 가스 배출관(400);를 포함하고,
    플라즈마 발생부(100)는,
    처리가스의 밀도를 높여 불꽃과 처리가스의 혼합가스 접촉면적을 넓혀 플라즈마 발생부 내에서 반응을 촉진하도록 함에 의해 처리하기 힘든 과불화탄소(PFCs)가스의 처리효율을 향상시키기 위해 증기 또는 에어의 반응촉진제를 공급할 수 있는 반응촉진제 공급부(111a);를 더 포함하도록 구성하여,
    플라즈마 발생부에 유해 배기가스와 반응촉진제를 함께 공급하도록 구성하고,
    상기 가스 배출관(400)에는,
    배기가스 처리 과정에서 발생되는 부산물의 필터링이 가능한 필터(410)가 설치되도록 구성하고,
    필터(410)는 다단으로 설치되는 필터 스크린(411)~(413)들로 이루어지되,
    필터 스크린(411)~(413)들은 점차 메쉬 사이즈가 작아지게 구성하며,
    플라즈마 발생부(100)는,
    반응촉진제 공급부(111a)가 더 연결되도록 형성된 배기가스 유입관(111)이 둘레에 형성되어 유해 배기가스와 반응촉진제가 함께 유입되고, 중앙에는 안착공(112)이 관통 형성되어 아킹(아크방전)을 통해 반응된 가스를 고온챔버(200)로 배출하는 관체 형태로 이루어진 몸체부(110);
    몸체부(110)의 안착공(112)에 삽입 내입 및 몸체부(110)의 상단에 안착 결합되며, 중앙에는 장착공(121)이 형성된 양극 설치부(120);
    양극 설치부(120)의 장착공(121)에 장착되며, 상/하로 관통되게 형성된 1,2차 양극부(131)(132)로 이루어져 음극부(150)와 반응하여 고온 플라즈마를 발생하는 양극부(130);
    양극부(130)의 상단에 설치되어 몸체부(110)의 상부로 돌출 형성되는 음극 베이스(140);
    음극 베이스(140)에 삽입 설치되는 음극부(150);
    음극 베이스(140)가 관통되도록 몸체부(110)의 상단에 결합되는 커버체(160); 및
    음극 베이스(140)와 양극부(130)로 냉각수를 공급하여 플라즈마 발생 과정에서 고온열화에 의해 내부 부품이 파손되는 것을 방지하는 냉각수단(170);을 포함하여 구성되되,
    1차 양극부(131)에는 유로(R3)를 더 형성하고,
    2차 양극부(132)에는 유로(R3)와 연통되는 유로(R4)를 더 형성하며,
    음극 베이스(140)에는 유로(R3)와 연통되는 유로(R2)를 더 형성하고,
    음극부(150)에는 유로(R1)를 더 형성하며,
    유로(R1)(R2)(R3)(R4)로 냉각수의 순환이 가능하게 하는 냉각수단(170)을 더 포함하여 구성하며,
    냉각수단(170)은,
    음극부(150)의 상단에는 유로(R1)로 냉각수를 공급하는 제1 연결부(171);
    음극부(150)의 측면에서 유로(R1)와 연통되어 공급된 냉각수를 배출하는 제2 연결부(172);
    음극 베이스(140)의 유로(R2) 일측과 연결되어 양극부(130)로 냉각수를 공급하는 제3 연결부(173); 및
    음극 베이스(140)의 유로(R2) 타측과 연결되어 1,2양극부(131)(132)의 유로(R3)(R4)를 순환한 냉각수를 배출하는 제4 연결부(174);를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    2차 양극부(132)의 내부에는 방사상으로 복수의 자석체(133)(133')가 더 포함되게 구성하되,
    자석체(133)(133')를 통한 자기장의 발생으로 플라즈마의 에너지 증폭이 가능하게 구성함을 특징으로 하는 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    고온챔버(200)는,
    플라즈마 발생부(100)의 하단에 결합되어 배기가스가 챔버몸체(210)의 내관(220)으로 유입되도록 안내하며, 상단에는 내부로 질소(N2)를 분사시키는 파우더 고착방지부(215)가 형성된 원통형 챔버몸체(210);
    챔버몸체(210)의 중앙으로 플라즈마 발생부(100)의 내부와 연결되며 내부에는 제1 유로(201)를 갖는 내관(220);
    제2 유로(202)를 이루도록 내관(220)과 이격되게 그 내관(220)을 감싸는 제1 외관(230);
    제3 유로(203) 및 공간부(204)를 이루도록 제1 외관(230) 및 챔버몸체(210)와 이격되게 그 제1 외관(230)을 감싸는 제2 외관(240); 및
    챔버몸체(210)의 하단에 결합되며 내부에는 냉각 스프레이(251)가 형성된 관통형 냉각 세척부(250);를 포함하여 구성하되,
    파우더 고착방지부(215)는
    플라즈마 발생부(100)로부터 배기되는 가스가 챔버몸체(210)의 내관(220)으로 유입되도록 안내해주며, 외부로부터 질소(N2) 가스가 공급되는 질소유입구(216)가 형성되고, 내부에는 배관(217)을 통해 챔버몸체(210)로 질소(N2)를 분사하는 토출구(218)를 다수개 형성되며,
    제1 유로(201)와 제2 유로(202)는 내관(220)의 하단을 통해 연결되고,
    제2 유로(202)와 제3 유로(203)는 상단을 통해 연결되며,
    제3 유로(203)와 냉각 세척부(250)는 하단이 연결되게 구성하며,
    제2 유로(202)의 직경은 제3 유로(203)의 직경보다 1/2 작게 구성하고, 제1 유로(201)의 직경은 제2 유로(202)의 직경보다 1/2 작게 구성하여,
    분해된 배기가스가 제1 내지 제3 유로(201)~(203)를 통과하는 과정에서 유속과 압력의 변화를 주고, 냉각 세척부(250)를 통해 수조부(300)로 유입되게 구성함을 특징으로 하는 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    플라즈마 처리되지 않은 배기가스의 감지가 가능한 배기가스 감지센서(441)와, 배기가스 감지센서(441)에 의해 플라즈마 처리되지 않은 배기가스가 감지시 경보를 발생하는 경보부(442)로 된 감지 제어부(440)가 더 포함하게 구성됨을 특징으로 하는 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    감지 제어부(440)에는,
    배기가스 감지센서(441)에 의해 이상이 감지시 관리자의 스마트 단말기로 신호를 전송하는 송출부(443)가 더 포함되게 구성함을 특징으로 하는 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    가스 배출관(400)은,
    필터(410)의 상부에 내부로 물의 분사가 가능한 부산물제거 분사노즐(420)이 형성되며,
    상부에는 가스 배출관(400)의 내부 중앙에 형성되는 배출방지갓(431)과, 가스 배출관(400)의 내주면에 형성되는 배출방지판(432)이 수직상으로 일정한 간격을 두고 지그재그 형태의 배출로(433)를 이루게 연속 형성된 수분 배출방지부(430)가 형성되게 구성하되,
    가스 배출관(400)의 내부에서는 필터(410)를 통한 필터링과, 분사노즐(420)의 물 분사를 통한 부산물을 흡착 제거하며, 수분 배출방지부(430)를 통해 수분의 상부 이동을 차단하여 플라즈마 처리된 순수한 가스만이 배출되게 구성함을 특징으로 하는 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치.
KR1020190122141A 2019-10-02 2019-10-02 과불화탄소가스의 고효율 처리를 위한 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치 KR102122303B1 (ko)

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