CN220191101U - 一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，包括陶瓷管，陶瓷管的垂直于其长度方向的截面为跑道型，陶瓷管的外表面上设有沿着陶瓷管的长度方向延伸的8个直线形的凹槽并在每个凹槽中预埋有预埋线圈，陶瓷管的所有内表面均镀有钛膜；陶瓷管的两端的每一端均与一个可伐封接件封接以实现真空密封，并且每个可伐封接件的远离陶瓷管的一端依次连接不锈钢真空管、波纹管和法兰盘，波纹管带有弹簧屏蔽触。本实用新型的陶瓷真空室能够实现电子束流注入、最大程度减少对束流品质的影响、获得高真空和机械强度、并且价格合理。

Description

一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室

技术领域

本实用新型涉及电子加速器束流注入引出领域，具体涉及一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室。

背景技术

在传统的三代同步辐射光源中，利用局部凸轨法可将增强器电子束流注入到储存环中，实现电子束流的累积。

对比于第三代同步辐射光源，第四代同步辐射光源进一步降低电子束发射度至几十pm·rad，光亮度提升2～3个数量级，具有全空间相干性。第四代同步辐射光源的超低发射度导致强横向聚焦，引入消色品的强六极磁铁后导致强非线性，进而使得在新一代低发射度电子储存环的束流注入中动力学孔径通常偏小，凸轨注入法需要将束流轨道偏离束流中心，因此在小动力学孔径下很难实现。为了克服难题，需要发展基于非线性磁铁的在轴注入技术，即需要发展窄脉冲磁铁如strip-line和纳秒级窄脉冲电源等技术。可采用八根在四个象限镜像分布的平行线圈来获得非线性磁场，通过调节线圈相对位置来获得“零场”和峰值磁场，储存束在“零场”区域在轴通过，降低凸轨过程对束流品质的影响；注入束在峰值磁场附近实现较大角度的偏转，满足四代光源如衍射极限环在小动力学孔径下的注入需求。

理论上，根据毕奥·萨伐尔公式可以解析的计算出八根线圈在外部空间磁场叠加情况，进而得到在束流通道内非线性磁场的横向和纵向分布，特别是零场区域的分布情况。考虑到电子束流必须在高真空环境下输运，可将八根平行线圈封在真空箱内形成真空内kicker磁铁，亦或在上下线圈间用不导磁的陶瓷管道来封闭真空，其基本原理都是毕奥萨伐尔定理，即空间中某处的磁场由周围空间电流(元)在此处产生磁场的叠加。但不管是真空内还是真空外kicker，其工艺上均存在诸多挑战，国内尚无工程案例，国际上SOLEIL的脉冲多极铁采用的封真空材料是单晶蓝宝石。

目前因陶瓷真空室要达到封超高真空的要求，则其烧制厚度有一定要求，通常≥5mm，再加物理上对束流清晰区的要求，通常≥±4mm以上，因此，针对设置于陶瓷管外的部件(即真空外kicker)，陶瓷管外离陶瓷中心距离至少9mm以上，才能满足目标漏率及机械强度的要求。

然而目前，为了得到能在相干光源中实现束流注入的非线性磁场场型，同时要保证励磁脉冲电源的可行性，预埋线圈的坐标位置与陶瓷中心的坐标通常很小，例如最佳坐标位置可以是(7mm,7mm)和(10mm,10mm)位置。

综上，需要一种新的陶瓷真空管道结构，以同时达到目标漏率(如优于1×10^{- 11}mbar·L/s)和机械强度的要求和获得需求的非线性磁场的目标。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其通过在陶瓷管表面开槽预置励磁线圈，以获得需求的非线性磁场，并获得高真空和机械强度。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，包括陶瓷管，所述陶瓷管的垂直于其长度方向的截面为跑道型，所述陶瓷管的外表面上设有沿着陶瓷管的长度方向延伸的8个直线形的凹槽并在每个凹槽中预埋有预埋线圈，陶瓷管的所有内表面均镀有钛膜；所述陶瓷管的外表面的所述凹槽处设有带小孔的陶瓷压条，所述陶瓷压条设置为挤压固定预埋线圈，并且所述凹槽内设有用于固定所述预埋线圈和陶瓷压条的经过高温固化的树脂胶，所述陶瓷压条的小孔设置为供树脂胶在高温固化前溢出。

所述跑道型由两个水平且彼此平行的长条段和连接于两个长条段之间以形成环形结构的两段圆弧段组成。

所述长条段的宽度是8mm，长条段的长度是41.8mm，两个长条段之间的间距是8.2mm，圆弧段是带有第一半圆的缺口的第二半圆，第一半圆和第二半圆的圆心重合，第一半圆的半径为4.1mm，第二半圆的半径为12.1mm。

4个凹槽设置于所述陶瓷管的上表面且4个凹槽设置于所述陶瓷管的下表面；以跑道型的对称中心的坐标为(0,0)，则凹槽中的预埋线圈的截面中心的坐标分别为(7mm,7mm)、(10mm,10mm)、(-7mm,7mm)、(-10mm,10mm)、(-7mm,-7mm)、(-10mm,-10mm)、(7mm,-7mm)和(10mm,-10mm)。

所述钛膜为微米量级厚度，所述预埋线圈的直径为1.2mm，且所述预埋线圈的材质为无氧铜，所述可伐封接件采用4J29可伐合金。

所述预埋线圈的两端连接定制连接块以引出电极，且定制连接块连接高压馈入件，定制连接块固定于陶瓷管的外表面上。

所述陶瓷管的两端的每一端均与一个可伐封接件封接以实现真空密封，并且每个可伐封接件的远离陶瓷管的一端依次连接不锈钢真空管、波纹管和法兰盘，所述波纹管带有弹簧屏蔽触。

所述可伐封接件与陶瓷管的封接处涂覆有金属涂层，所述陶瓷管的两个端面均涂覆有金属涂层。

本实用新型的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室克服凸轨注入法在小动力学孔径的四代同步辐射光源中很难实现电子束流注入的难题，提出由四个象限镜像分布的八根线圈(预埋在内表面镀金属钛膜的陶瓷真空室表面)获得非线性磁场且两端金属封接的一套陶瓷真空室。该陶瓷真空室表面开槽预埋线圈和内表面镀金属钛膜，结构新颖，可获得高真空、价格合理，可实现电子束流在平滑过渡阻抗条件下的在轴注入。

具体来说，本实用新型的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，需要在跑道型陶瓷真空室上下表面开槽，预埋线圈所开陶瓷槽采用带小孔的陶瓷压条压接，并根据对应的工艺采用硅脂胶热固化处理，以抵抗线圈在脉冲电流励磁时所遭受的冲击，提高稳定性；并且开槽后陶瓷厚度最薄处仅2.3mm，通过上述硅脂胶热固化处理来增强基础陶瓷及固化结构的总厚度至通常的5mm至8mm来满足机械强度的要求。

本实用新型采用跑道型陶瓷真空室结构，使得束流通道横向尺寸大，同时可提供上下陶瓷管道平面来预埋八根励磁线圈，以获得需求的非线性磁场，结构稳定可靠；同时，本实用新型通过陶瓷压条和树脂胶的设置，来防止预埋线圈局部弹起，影响场分布，以抵抗线圈在脉冲电流励磁时所遭受的冲击，提高稳定性，获得高真空和机械强度。

此外，现有技术的陶瓷真空管道横截面尺寸通常较大，内部镀膜难度小一些，但也是需要镀膜的。镀膜是加速器物理上对束流阻抗指标提的要求。由于基于毕奥萨伐尔定律的导线外叠加场对零场的要求很苛刻，导致线圈垂直间距很小，同时考虑到陶瓷管纵向深度，细深孔的陶瓷管内壁镀膜难度很大；本实用新型的陶瓷真空室管道采用钛丝在陶瓷管内表面镀金属钛膜，使得镀膜精度更高，能够提供镜像电流通道，可消除沿束流方向阻抗在陶瓷管道区间段的不连续性，最大程度减少对束流品质的影响。

本实用新型采用可伐作为封接件，可伐的热膨胀系数与陶瓷接近，可以避免漏气。同时，考虑到可伐的相对磁导率μr较大(约5～6)，在封接小段可伐合金后立即与相对磁导率μr小于1.05的不锈钢真空管氩弧过渡，最大程度减小可伐合金对端部场的影响。

附图说明

图1是本实用新型的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室的全局俯视图。

图2是本实用新型的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室的陶瓷管的横截面图。

图3是本实用新型的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室的陶瓷管、可伐封接件和不锈钢管的立体结构图。

图4是陶瓷管内部磁场的实测与仿真对比图。

图5是本实用新型的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室的陶瓷压条的结构示意图。

图6是陶瓷真空室预埋线圈的压紧准直结构的结构示意图。

图7是波纹管的横截面图，其中示出了提供镜像电流通道的弹簧屏蔽触。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室包括陶瓷管1。陶瓷真空室的上下游分别是电子束流在轴注入的配套设备，上游通常为聚焦/散焦四极磁铁，下游通常为切割磁铁。

其中，所述陶瓷管1的垂直于其长度方向(即束流方向，Z轴方向)的截面为跑道型，使得束流通道横向尺寸大，同时可提供上下陶瓷管道平面来预埋八根励磁线圈，结构稳定可靠。跑道型的具体尺寸如图2所示，跑道型由两个水平且彼此平行的长条段(即位于上部的长条段和位于下部的长条段)和连接于两个长条段之间以形成环形结构的两段圆弧段组成，其中，长条段的宽度是8mm，长条段的长度是41.8mm，两个长条段之间的间距是8.2mm，圆弧段是带有第一半圆的缺口的第二半圆，第一半圆和第二半圆的圆心重合，第一半圆的半径为4.1mm，第二半圆的半径为12.1mm。所述跑道型的好处是X方向的束流清晰区可以更大。

所述陶瓷管1的外表面上设有沿着陶瓷管1的长度方向延伸的8个直线形的凹槽11并在每个凹槽中预埋有直径为1.2mm的预埋线圈2，预埋线圈2的材质为无氧铜。在本实施例中，所述陶瓷管1具有上表面和下表面，凹槽11的数量为8个，4个凹槽11设置于所述陶瓷管1的上表面且4个凹槽11设置于所述陶瓷管1的下表面。以跑道型的对称中心的坐标为(0,0)，则凹槽11中的预埋线圈的截面中心的坐标分别为(7mm,7mm)、(10mm,10mm)、(-7mm,7mm)、(-10mm,10mm)、(-7mm,-7mm)、(-10mm,-10mm)、(7mm,-7mm)和(10mm,-10mm)，因此，预埋线圈2的其中4个凹槽11的底部与陶瓷管1的对称轴的距离为6.4mm，预埋线圈2的另外4个凹槽11的底部与陶瓷管1的对称轴的距离为9.4mm。

预埋线圈2的两端连接定制连接块以引出电极，且定制连接块连接高压馈入件，定制连接块固定于陶瓷管1的外表面上。定制连接块用于按一定顺序串联其预埋的8根线圈。8条线圈是以串联的方式互联的，且其走向都是平行于电子束流方向的，并在陶瓷管下端引出正负电极。具体的，在陶瓷管横截剖面，以陶瓷管中心为坐标原点建立坐标系，在四个象限内都是内侧线圈(靠近原点)的电流流入纸面，外侧线圈(远离原点)的电流从纸面流出。高压馈入件用于馈入脉冲功率，脉冲电源馈入高压近30kV，采用的是50kV耐压等级的馈入件馈入高压，避免短路打火。由此，预埋线圈2能够通过高压馈入件接收脉冲励磁信号。所述预埋线圈2设置为经脉冲励磁后，能够提供μs宽度的脉冲磁场。由此，如图4所示，在陶瓷管1的横截面上其磁场是非线性分布的，中心处接近零场(通循环束流)，偏离中心10mm位置磁场接近峰值800Gauss(通注入束流)，由此，本实用新型的陶瓷真空室可用于电子束流在轴注入。循环束流沿着陶瓷真空管的中心直通过去(Z轴方向)，几乎不受磁场影响；注入束流在垂直中心(y＝0)且水平偏左或偏右(如x±10mm)的位置进入陶瓷真空管，受到较大磁力影响往陶瓷管1的中心偏转通过陶瓷管1。

现有的陶瓷真空室大多为圆形，因为圆形陶瓷管更容易烧结。当然，现有陶瓷真空室也有跑道型的，但是陶瓷管本身仅仅只是隔绝真空的作用，位置精度要求不高；本实用新型的陶瓷真空室将励磁线圈预埋在陶瓷内部，对位置精度提出了很高要求，此为结构和要求上的明显改进。本实用新型采用跑道型陶瓷真空室结构，使得束流通道横向尺寸大，同时可提供上下陶瓷管道平面来预埋八根励磁线圈，结构稳定可靠。

陶瓷管1的外表面的所述凹槽11处设有带小孔的陶瓷压条12，陶瓷压条12设置为挤压固定预埋线圈2，并且所述凹槽11内设有用于固定所述预埋线圈2和陶瓷压条12的经过高温固化的树脂胶，陶瓷压条12的小孔设置为供树脂胶在高温固化前溢出。由此，制作得到固定预埋线圈2的树脂胶的方法具体包括：陶瓷管1上开设凹槽11；在凹槽11内预埋所述预埋线圈2；在凹槽11内涂装所述树脂胶(通常，是用针头注射至凹槽11内)；用带小孔的陶瓷压条12配合压实工装来压实所述预埋线圈2，在此过程中待高温固化的树脂胶通过陶瓷压条12的小孔溢出；将设有压实工装、带小孔的陶瓷压条12的整个陶瓷管1整个放入烤箱烘烤，使树脂胶高温固化来固定预埋线圈2和带小孔的陶瓷压条12，来制作得到固定预埋线圈2的陶瓷管1。

由此，预埋有预埋线圈2的所述凹槽11采用带小孔的陶瓷压条12从外往内压预埋线圈2，并根据对应的工艺采用树脂胶热固化处理，防止预埋线圈局部弹起，影响场分布，以抵抗线圈在脉冲电流励磁时所遭受的冲击，提高稳定性。

陶瓷压条12分布在陶瓷管上下表面共8个凹槽11处，每个凹槽11处对应设有4个沿陶瓷管1的长度方向依次排列的陶瓷压条12，总共32根陶瓷压条12。单个陶瓷压条12的尺寸如图5所示，单个陶瓷压条12的总长度为94mm，其上设有9个小孔，相邻两个小孔的间距为10mm，并且位于陶瓷压条12的一端的小孔与陶瓷压条12的端面的间距为7mm。

此外，陶瓷管1的两端的每一端均与一个可伐封接件3封接以实现真空密封，并且每个可伐封接件3的远离陶瓷管1的一端依次连接不锈钢真空管4、波纹管5和法兰盘6。

可伐封接件3为环形结构，环形结构的中空部分是用于供束流通过的束流通道。可伐封接件3采用4J29可伐(Kovar)合金，其热系数与陶瓷相当，因可伐合金的热膨胀系数与陶瓷管非常相似，因此与陶瓷管封接的部分通常都采用可伐，在实现陶瓷的金属化引出的同时，当陶瓷受热膨胀时可伐可同步膨胀，避免漏真空。在本实施例中，可伐封接件3与陶瓷管1通过钎焊方式实现封接。

陶瓷管1的所有内表面均镀有钛膜，其主要是为了提供镜像电流通道，可消除沿束流方向阻抗在陶瓷管道区间段的不连续性，最大程度减少对束流品质的影响。钛膜的厚度为微米量级厚度。此外，可伐封接件3与陶瓷管1的封接处涂覆有金属涂层(如钼)，并且陶瓷管1的两个端面均涂覆有金属涂层(如镍)以确保金属涂层的连续性。由此，钛、钼和镍的涂层实现电连通，进一步消除沿束流方向阻抗在陶瓷管道区间段的不连续性。需要说明的是，钛、镍和钼的涂层可能会存在重叠堆叠的区域，例如在陶瓷管端面(XY平面)与陶瓷管内外表面交汇的的两个跑道型圆弧处可能存在堆叠。

由于可伐材料的相对磁导率系数较大(约5～6)，且不锈钢真空管4相对磁导率μr小于1.05，因此，在确保焊接牢固的前提下尽可能是较短的可伐封接件3配合较长的不锈钢真空管4，其长度一般在20-50mm范围，其磁导率接近于空气，以通过不锈钢真空管4接近无磁来提供镜像束流通道，最大程度减小可伐合金对端部场的影响。在本实施例中，可伐封接件3的总长度为39mm。可伐封接件3与不锈钢真空管4通过氩弧焊接来封接。

波纹管5能够避免陶瓷管1与法兰盘6的刚性连接进而受到应力。此外，如图7所示，波纹管5带有弹簧屏蔽触，图中凹凸槽所在位置即弹簧屏蔽触的弹簧触指，以提供镜像电流通道，降低束流阻抗。

法兰盘6的型号为CF100，其材质为不锈钢。

基于上文所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，所实现的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室的制作方法，包括：

步骤S1：制作尚未开设凹槽11的陶瓷管1，所述陶瓷管的垂直于其长度方向的截面为跑道型；

所述步骤S1具体包括：

步骤S11：根据陶瓷真空室尺寸要求，严格控制模具精度，采用等静压成型工艺得到陶瓷管1的毛坯，经预烧制和烧制后脱模，再打磨抛光获得相应尺寸精度的陶瓷管1。

步骤S12：对经打磨抛光的陶瓷管1进行检缝筛选后，进行严格的内外表面清洗并烘干，对其外表面进行上釉处理。

对经打磨抛光的陶瓷管1进行检缝筛选，具体包括：将经打磨抛光的陶瓷管1在有色液体内浸泡24小时后观察表面有无有色裂纹，如有，则表示烧结有瑕疵，当前的陶瓷管1作废；若无，则进入下一步工艺流程。

上釉可使陶瓷表面更有光泽，更美观，不易留下指纹等。

此外，所述步骤S1还可以包括：在得到经过上釉处理的陶瓷管后，对陶瓷管1与可伐封接件3的封接处进行金属化处理，同时对陶瓷管1的端面进行金属化处理，以保证内表面金属镀层的连续性；

其中，对陶瓷管1与可伐封接件3的封接处进行金属化处理，包括涂覆钼的涂层，钼的涂层的厚度约0.01μm。

对陶瓷管1的端面进行金属化处理，包括涂覆镍的涂层，镍的涂层的厚度为0.03μm。

步骤S2：对陶瓷管1的两端的每一端依次封接可伐封接件3、连接不锈钢真空管4、波纹管5和法兰盘6；

步骤S3：利用定制精密刀头对陶瓷管1的外表面开设沿着陶瓷管的长度方向延伸的8个直线形的凹槽11，并在每个凹槽11中预埋1个预埋线圈2，在凹槽11内涂装所述树脂胶，用带小孔的陶瓷压条12配合压实工装来在陶瓷管的外表面的所述凹槽11处压实所述预埋线圈2，陶瓷压条的小孔供树脂胶溢出；随后，将设有压实工装、带小孔的陶瓷压条12的整个陶瓷管1整个放入烤箱烘烤，使树脂胶高温固化来固定预埋线圈2和带小孔的陶瓷压条12，来制作得到固定预埋线圈2的陶瓷管1；随后，用定制连接块连接预埋线圈2的两端以引出电极，再将定制连接块经高压馈入件引出。

其中，经4小时150摄氏度恒温烘烤后线圈完成固化。

其中，预埋线圈2的材质为无氧铜。在预埋8个预埋线圈2之前，还可以包括，对预埋线圈2利用压紧准直结构200进行压直拉直处理并烘烤。主要作用是确保无氧铜线圈的直线度以埋入特定的凹槽11。

压紧准直结构200的具体结构如图6所示，其中间部分用于压实，两端部分用于折弯拉实。压紧准直结构200用于待拉直的铜引线604，其包括位于压紧准直结构200的两端的两个第一引线压紧座606、以及在两个第一引线压紧座606之间的第二引线压紧座607，第二引线压紧座607上设有与其配合的引线压紧部605，第二引线压紧座607和引线压紧部605上均设有平面形式的压紧面以彼此配合压紧，第二引线压紧座607的上部和引线压紧部605的上部均设有多个销孔，第二引线压紧座607和引线压紧部605的销孔上插设有压紧销轴201，且所述压紧销轴201与全螺纹六角头螺栓602配合；每个第一引线压紧座606包括折弯座603，每个第一引线压紧座606通过等长双头螺柱608与第二引线压紧座607可旋转地连接。

此外，在步骤S3之后，还可以包括：对开槽完毕的陶瓷真空室进行检漏，以满足优于1×10^-11mbar×L/s的技术要求。若检漏通过，则继续后续步骤，否则，当前的陶瓷管1作废。

步骤S4：在真空环境下，采用多根直径为1mm的钛丝分布在陶瓷管1的内部进行内表面镀膜，以提供镜像电流通道，避免陶瓷真空内壁束流阻抗的非连续性。

其中，7根钛丝的镀膜均匀性最优。由于陶瓷真空室内部横向空间有限，Ti丝根数再多就布不开了。

其中，钛膜的厚度为微米级，优选为3μm。采用的镀膜工艺为蒸发镀膜。

虽然上述描述了本实用新型的具体实施方式，但是并不是限定本实用新型的范围，仅是举例说明，在不背离本实用新型的实质前提下，可以对这些实施方式做出其他变化，因此本实用新型的保护范围由所附权利要求书限定。

Claims (9)

1.一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，包括陶瓷管，所述陶瓷管的垂直于其长度方向的截面为跑道型，所述陶瓷管的外表面上设有沿着陶瓷管的长度方向延伸的8个直线形的凹槽并在每个凹槽中预埋有预埋线圈，陶瓷管的所有内表面均镀有钛膜；

所述陶瓷管的外表面的所述凹槽处设有带小孔的陶瓷压条，所述陶瓷压条设置为挤压固定预埋线圈，并且所述凹槽内设有用于固定所述预埋线圈和陶瓷压条的经过高温固化的树脂胶，所述陶瓷压条的小孔设置为供树脂胶在高温固化前溢出。

2.根据权利要求1所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，所述跑道型由两个水平且彼此平行的长条段和连接于两个长条段之间以形成环形结构的两段圆弧段组成。

3.根据权利要求2所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，所述长条段的宽度是8mm，长条段的长度是41.8mm，两个长条段之间的间距是8.2mm，圆弧段是带有第一半圆的缺口的第二半圆，第一半圆和第二半圆的圆心重合，第一半圆的半径为4.1mm，第二半圆的半径为12.1mm。

4.根据权利要求2所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，4个凹槽设置于所述陶瓷管的上表面且4个凹槽设置于所述陶瓷管的下表面；以跑道型的对称中心的坐标为(0, 0)，则凹槽中的预埋线圈的截面中心的坐标分别为(7mm, 7 mm)、(10mm, 10 mm)、(-7mm, 7 mm)、(-10mm, 10 mm)、(-7mm, -7 mm)、(-10mm, -10 mm)、(7mm, -7 mm)和(10mm,-10 mm)。

5.根据权利要求1所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，所述钛膜为微米量级厚度，所述预埋线圈的直径为1.2 mm，且所述预埋线圈的材质为无氧铜。

6.根据权利要求1所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，所述预埋线圈的两端连接定制连接块以引出电极，且定制连接块连接高压馈入件，定制连接块固定于陶瓷管的外表面上。

7.根据权利要求1所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，所述陶瓷管的两端的每一端均与一个可伐封接件封接以实现真空密封，并且每个可伐封接件的远离陶瓷管的一端依次连接不锈钢真空管、波纹管和法兰盘，所述波纹管带有弹簧屏蔽触。

8.根据权利要求7所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，所述可伐封接件采用4J29可伐合金。

9.根据权利要求7所述的非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，其特征在于，所述可伐封接件与陶瓷管的封接处涂覆有金属涂层，所述陶瓷管的两个端面均涂覆有金属涂层。